JPH0129839Y2 - - Google Patents

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JPH0129839Y2
JPH0129839Y2 JP1983171958U JP17195883U JPH0129839Y2 JP H0129839 Y2 JPH0129839 Y2 JP H0129839Y2 JP 1983171958 U JP1983171958 U JP 1983171958U JP 17195883 U JP17195883 U JP 17195883U JP H0129839 Y2 JPH0129839 Y2 JP H0129839Y2
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absorber
power
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silicon carbide
wave
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JP1983171958U
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JPS6079795U (ja
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01PWAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P1/00Auxiliary devices
    • H01P1/24Terminating devices
    • H01P1/26Dissipative terminations
    • H01P1/262Dissipative terminations the dissipative medium being a liquid or being cooled by a liquid

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  • Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)
  • Aerials With Secondary Devices (AREA)
  • Non-Reversible Transmitting Devices (AREA)

Description

【考案の詳細な説明】 この考案は、電波吸収体、特に電子線型加速器
における直接冷却型マイクロ波吸収体に関する。
一般に、電子線型加速器は、大電力の高周波を
クライストロンにより発生させ、これを加速管に
供給し、内部にできる電場を利用して電子を光速
にまで加速する装置であるが、ここで電子を加速
するために用いられたエネルギーの余剰分を吸収
し、熱として系外に放出して装置の安全を保障
し、また電力分割器を使用する場合は、負荷側か
ら何らかの原因により電力が戻つてくる時、その
電力を吸収して高周波発生器(クライストロン)
を保護する必要があり、そのために、加速管の端
部あるいは電力分割器の分岐部に電波吸収体を取
付け、不要有害な電波を吸収しなければならず、
この吸収体として、従来、間接冷却型の緻密質炭
化珪素よりなるマイクロ波吸収体を用いることが
さきに提出の昭和57年特許願第135205号として、
この出願と同一発明者により提案されたのであ
る。しかしながら、この間接冷却型のマイクロ波
吸体においては、電力の増大にしたがい電力反射
率が増大して徐々に吸収特性が劣化する欠点があ
り、使用電力にも限界があるものであつた。種々
の調査研究の結果現行の間接冷却型ではマイクロ
波吸収によつて発生した熱量を系外に充分に放出
することができず、吸収体自体の温度上昇により
吸収特性が劣化することがわかつた。
この考案は、炭化珪素焼結体内部に冷却水を送
り込み、循環させることにより直接に上記焼結体
よりなる吸収体を冷却させて、温度上昇を抑制す
ることを目的とするもので、このようにすること
により平均電力を従来のものの10倍程度まで上げ
ても、ほぼ100%の吸収率を示し、吸収体を効率
よく作動させることができるものである。
これを図に示す実施例より説明すれば、第1図
は、電子線型加速器ユニツトを示し、1は緻密質
炭化珪素焼結体よりなる電波吸収体であり、第4
図、第5図に示すように先端が閉鎖された中空部
分7を具え、この中空部分7内にパイレツクスの
冷却管8を挿入し、この管8内に冷却水を流入し
て、中空部分7内を循環させる。2はクライスト
ロンであり、大電力の高周波を発生させ、これを
導波管4に供給する。上記加速器ユニツトを40ユ
ニツトとし、160本の加速管を全長400mにわたり
配設して加速装置を構成する。
第2図、第3図は、上記装置の導波管3等に設
けられる従来型すなわち、間接冷却型の楔型マイ
クロ波吸収体1′とその試験装置における装置状
態を示すものであり、導波管3の内端部にアルミ
ニウム板6を介して取付けられ、吸収体1′が吸
収した熱はこの板6より外部に導出され、この板
6を冷却することにより、間接的に吸収体1′の
熱量を放散させるものである。第3図においては
4枚の楔形吸収体1′が取付けられている。
上記間接冷却型とこの考案にかかる直接冷却型
の炭化珪素吸収体のそれぞれについて実施した大
電力テストの試験回路の概要は、第6図に示すと
おりであり、その結果を下記に示す。
第6図において、Aはオシロスコープ、Bはロ
ーパスフイルター、Cは高真空ポンプ、Dは真空
計、Eは質量分析装置であり、真空計Dにより作
動中の導波管3内の真空度を、質量分析装置Eに
より放出ガス質量を記録した。クライストロン2
は、30Mw(3.3μsec50pps)の出力のもので、そ
の出力端子に炭化珪素吸収体1,1′をそれぞれ
第5図、第3図のように取付け真空中で入力して
実施した。
その結果、最大電力である1.32kwまで放電現
象は観察されず、耐放電性は充分であることがわ
かつた。また運転中の真空度と放出ガス質量は
夫々真空計と質量分析計にてチエツクしたが試験
開始直後にsic表面に付着していたガスが高周波
電界によつて空間に放出されたものの直ちに安定
状態となりガス放出の非常に少ないことがわかつ
た。さらに電波吸収性能については2856MHz±
10MHzのマイクロ波を最大1.32kw
(8Mw.3.3μsec.50pps)まで入力し、進行波と反
射波の干渉により生じる定在波の最大振幅の比よ
り電圧定圧波比と電力反射率を求め第7図に示し
た。図中曲線Xは間接冷却型吸収体(従来のも
の)によるものであり、同様、曲線Yは、この考
案の直接冷却型吸収体によるものである。
第7図によれば、この考案の吸収体は、供給電
力の増大とともに電圧定在波比(VSWR)が
徐々に増大してはいるものの、従来電力の10倍程
度にまで上げても、VSWRは1.2以下であり、99
%以上の電力吸収率を示し、充分に要求特性
(VSWR<1.2)を満足できることが確認できた。
この考案の吸収体は、クライストロンのみなら
ず、進行波管、マグネトロン等のマイクロ波電子
管の遅波回路における高周波減衰器に用いられ、
また、アンテナ回路におけるアイソレータやサー
キユレータ等に用いる吸収体、あるいは高周波回
路におけるRFダミーロードとしても使用できる
ものである。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの考案のマイクロ波吸収体を取付け
た電子線型加速器ユニツト、第2図は従来型の間
接冷却型吸収体の斜視図、第3図は大電力テスト
における従来型の取付け状態図、第4図はこの考
案の直接冷却型吸収体の縦断側面図、第5図は第
3図と同様、この考案の吸収体の導波管への取付
け状態を示し、第6図は大電力テストの回路であ
つて、第7図はこの考案と従来のものとの比較を
示すグラフである。 1,1′……マイクロ波吸収体(1′は従来型)、
2……クライストロン、3……導波管、4……加
速管、5……電力分割器、7……中空部分、8…
…冷却管、9……冷却水。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 先端を閉鎖する中空部分を具える緻密質炭化珪
    素よりなり、上記中空部分内に冷却水を循環でき
    るようにしたマイクロ波吸収体。
JP1983171958U 1983-11-08 1983-11-08 マイクロ波吸収体 Granted JPS6079795U (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1983171958U JPS6079795U (ja) 1983-11-08 1983-11-08 マイクロ波吸収体
US06/634,012 US4638268A (en) 1983-11-08 1984-07-24 Microwave absorber comprised of a dense silicon carbide body which is water cooled

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1983171958U JPS6079795U (ja) 1983-11-08 1983-11-08 マイクロ波吸収体

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS6079795U JPS6079795U (ja) 1985-06-03
JPH0129839Y2 true JPH0129839Y2 (ja) 1989-09-11

Family

ID=15932920

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1983171958U Granted JPS6079795U (ja) 1983-11-08 1983-11-08 マイクロ波吸収体

Country Status (2)

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US (1) US4638268A (ja)
JP (1) JPS6079795U (ja)

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Also Published As

Publication number Publication date
US4638268A (en) 1987-01-20
JPS6079795U (ja) 1985-06-03

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