JPS5927596A - マイクロ波吸収体 - Google Patents

マイクロ波吸収体

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JPS5927596A
JPS5927596A JP57135205A JP13520582A JPS5927596A JP S5927596 A JPS5927596 A JP S5927596A JP 57135205 A JP57135205 A JP 57135205A JP 13520582 A JP13520582 A JP 13520582A JP S5927596 A JPS5927596 A JP S5927596A
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JP
Japan
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power
silicon carbide
absorber
radio wave
accelerator
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JP57135205A
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English (en)
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JPH0424840B2 (ja
Inventor
正一 渡辺
奥野　晃康
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Nippon Tokushu Togyo KK
Niterra Co Ltd
Original Assignee
NGK Spark Plug Co Ltd
Nippon Tokushu Togyo KK
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Publication date
Application filed by NGK Spark Plug Co Ltd, Nippon Tokushu Togyo KK filed Critical NGK Spark Plug Co Ltd
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Publication of JPS5927596A publication Critical patent/JPS5927596A/ja
Priority to US06/826,463 priority patent/US4760312A/en
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J23/00—Details of transit-time tubes of the types covered by group H01J25/00
    • H01J23/16—Circuit elements, having distributed capacitance and inductance, structurally associated with the tube and interacting with the discharge
    • H01J23/24—Slow-wave structures, e.g. delay systems
    • H01J23/30—Damping arrangements associated with slow-wave structures, e.g. for suppression of unwanted oscillations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P1/00—Auxiliary devices
    • H01P1/24—Terminating devices
    • H01P1/26—Dissipative terminations

Landscapes

  • Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
  • Particle Accelerators (AREA)
  • Non-Reversible Transmitting Devices (AREA)
  • Aerials With Secondary Devices (AREA)
  • Ceramic Products (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 仁の発明は、電波吸収体、特に電子線型加速器における
電波吸収体に関する。
一般に１薦子線型加速器は、大軍７カの高周波をクライ
ストロンで発生させ、これを加速管に供給し、内部にで
きる電場を利用して電子を光速まで加速する装置である
が、ここで電子を加速するために用いシれたエネルギー
の余剰分を吸収し熱として系外に放出して、装置の安全
を保障し、また、１１を力分割器を使用−ノ〜る場合は
、負荷側から何らかの原因で′ｒに力が帰ってくるとき
に、その電力を吸収して高周波発生器（クライストロン
）を保進する会費がある。そのために１加速管の端部あ
るいは電力分割器の分岐部Ｋ　’ｆｔ波吸収体をとりつ
け、不必要、有害な電波を吸収しなければならない。
ところで、通常、加速器に用いる電波吸収体には、およ
そ次のに１ミ能が請求される。
１、高周波特性 マイクロ波の吸収率が大きく、吸収率のバラツキが小さ
いこと。
２、真空中で使用されるので、緻密体であることが要求
される。　　− １０−’　〜１Ｏ−６Ｐａ（１０−７〜１０−’ｍｍＨ
ｇ）オーダーの高、に空中で使用されるので、輌°密体
でな（ては高に空とならず、使用中に７ｉｋ　；＠、を
生じて使用が不ｆｆＪ能となる。
３、耐熱性 電波を吸収すると、熱エネルギーに変換して吸収体の先
端では２０００　”Ｃ；　　近（まで加熱することも考
えられ、高温まで材料が変化し、ないことがＩＪｉ委で
ある０ ４、畠熱導率 吸収した熱エネルギーを系外１速やかに放出するため、
高熱伝導率であることが必要であり、これに反して低熱
伝導率であると短時間で飽Ｉｌ＋状態となり、吸収効率
が劣化し吸収能力を失う。
しかしながら、従来用いられているＭ　ｎ　−Ｚ　ｎフ
ェライト、Ｎ　ｌ　−Ｚｌｌフェライト等のマイクロ波
吸収体は、電子線型加速器の電波吸収体として要求され
る上記性能を何も具えていない。
そこで、この発明は、上記従来のマイクロ波吸収体が電
子線型加速器においては不完全な電波吸収しか示さない
ものであるので、これを改善することを目的とし、従来
のマイク白波吸収体に代え、比抵抗１Ωα以」二の緻密
質炭化珪素を用いてすぐれた効果のあるどとを見出した
。
この発明の比抵抗１ΩＣｍ以上の緻密質炭化珪素は、周
知の製法によυ製造され、大電力試験の結果は以下のと
おりである。
この大電力試験は、３０ＭＷ＋ｎａｘ（３ｚｚｓ、５０
ｐｐｓ）のクライストロン（高周波発生器）Ｋよるもの
で、その出力端子に緻密質炭化珪素材料を接続し、に空
中で入力して実施した。
その試験回路ｔ、ｉ′第２図に示すとおりであり、６は
緻密質炭化珪素４４料、７は冷却水で、矢印方向はその
循環路を示Ｅ２．８は導波管、９けクライストロン、ｉ
ｏは減良器、１１け東コープ、１２は１′４空ポンプを
示すものである。
１）放電限界 ’　　Ｏ〜８ＭＷｍａｘ（３μｓ、１ｐｐｓ）１−Ｃ入
力Ｉ、　ｆｒ。
が、放電ｔよ観ｎｔ＋ｔされず耐放電性は充分であった
。
２）腎】ア（空中安定性 ２　Ｘ　Ｉ　Ｑ−”ｌ”ｏｒｘ程ＩＷで電力試験開始ｉ
ｒｔ後、炭化珪素表面に（＝Ｊ着したガスや不純物が高
周波型　界で空間に放出されたが、直ちに安定状態とな
った。
３）′電波吸収性ｆｉＩシ 定在波−１１定装置にまり、電圧定在波比を０１１１定
することにＪ、＋１）シｖｎ定した。　２Ｂ５６Ｍ７１
ｚ±１０ＭＨｚのマイＩクロ波を最大２４０Ｗ（４ＭＷ
−２０ｐｐｓ−３μｓ）まで入力し、進行波と反射波の
干渉により生じる定在波の最大振幅の比よシミ圧定在波
比と電力反射率を求め、その結果は、第３図に示される
。これによれば、供給電力の増大と共に材料温度が高め
られ、反射率が若干増大してはいるが、９０％以上の吸
収率を示している０また、電子線型加速器（全長４ｏｏ
ｔ、１．２５億電子ボルト）による実機テストの結果、
第１図に示す緻密質炭化珪素４４料体１の取付部分（導
波管、加速管部分）Ｋ設置して、１２０Ｗ（３ＭＷＸ　
、１０ｐｐｓ×４μｓ）の電力を入力して２ケ月のテス
トによシ、外観、電波吸収率共に変化なく、安定してい
ることが認められた。
仁れを第１図に示す電子線型加速器ユニットに発生させ
、これを導波管（３）により電力分割器（５）を経て加
速管（４）に供給されるが、電力分割器（５）を用いる
場合、負荷側から何らかの原因で帰る電力を吸収してタ
ライストロンを保護する会費から、電力分割器（５）の
側方に−に配電液吸収体（１）をとりつける。更に、加
速管（４）にもエネルギー余剰分を吸収するための」；
配電波吸収体（１）′！ｒ：とりつけるものである。な
お、実際には、上記ユニッ）ｔ”４０ユニツトにして、
すなわら、４（）本の大電力クライストロンと１６０本
の加速管が全長４００ｍにわたり配設されて加速器１１
＃を構成している。
ここで、この発明の緻密質炭化珪素のマイク９波吸収特
性と電気抵抗を他の各種の材料のそれと対照したものを
次に示す。これは試験材料（４Ｘ８ｘ２４１ｒｍ）の電
気抵抗を測定後、電子レンジ（２４５０Ｍｌｊｚ）中に
セットＬ７て、約３分間入力し赤外線カメラで測定して
その特性を評価した、これを表１に示す。
表１．各種材料の電波吸収特性（吸収時間３分）この結
果、ＭＯのような導電体、八１２０３のような絶縁体で
は殆んどマイクロ波の吸収特性がなく、半導体材料であ
る炭化珪素が良好な吸収特性をもち、しかも、高ｊｌＵ
抗を具える緻密質炭化珪素材料が最もすぐれており、こ
の材料を用いなければ、所１（１ｊの「１的Ｑ″１達成
できないものである。
以トのとおり、この発明け、１Ωｍ以上の比抵抗をもつ
緻密質炭化珪素をマイクロ波吸収体に利用する点をすＭ
旨とするものであるが、同様の作用を生ずるひろ（電波
吸収体、あるいは電波吸収による発、熱体、ＴＶ両画像
ゴースト発生防止材料として用いても顕著な効果をあげ
るものである。
【図面の簡単な説明】
第１図は、この発明のマイクロ波吸収体をとりつけてな
る電子線型加速器ユニットの斜面図、第２図は、大電力
試験の試験回路、第３図は、炭化珪素における供給電力
と電圧定在波比との関係を示すグラフである。 １．６・・・緻密ｌａｔ炭化珪素電波吸収体２．９・・
・クライストロン　　３．８・・・導波管４・・・　加
速管　　　５・・・電力分割器特許出願人　代理人 弁理士　藤　木　三　辛 １１　　　！ｌ 第　　２ＩＩＫ ２ 第　　３Ｉｌ イ磐６合電力

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 比抵抗１００８以上を有する緻密質炭化珪素よりなるこ
    とを特徴とするマイクロ波吸収体。
JP57135205A 1982-08-04 1982-08-04 マイクロ波吸収体 Granted JPS5927596A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP57135205A JPS5927596A (ja) 1982-08-04 1982-08-04 マイクロ波吸収体
US06/826,463 US4760312A (en) 1982-08-04 1986-02-05 Dense silicon carbide microwave absorber for electron linear accelerator

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP57135205A JPS5927596A (ja) 1982-08-04 1982-08-04 マイクロ波吸収体

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS5927596A true JPS5927596A (ja) 1984-02-14
JPH0424840B2 JPH0424840B2 (ja) 1992-04-28

Family

ID=15146303

Family Applications (1)

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JP57135205A Granted JPS5927596A (ja) 1982-08-04 1982-08-04 マイクロ波吸収体

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US (1) US4760312A (ja)
JP (1) JPS5927596A (ja)

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JPH0424840B2 (ja) 1992-04-28

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