JPH01298724A - 半導体基板支持ボート - Google Patents
半導体基板支持ボートInfo
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- JPH01298724A JPH01298724A JP12931988A JP12931988A JPH01298724A JP H01298724 A JPH01298724 A JP H01298724A JP 12931988 A JP12931988 A JP 12931988A JP 12931988 A JP12931988 A JP 12931988A JP H01298724 A JPH01298724 A JP H01298724A
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- Japan
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- semiconductor substrate
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- Pending
Links
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体基板支持ボートに関し、特に竪型減圧化
学気相堆積装置に使用される半導体基板支持ボートに関
する。
学気相堆積装置に使用される半導体基板支持ボートに関
する。
減圧化学気相堆積（以下ＬＰＧＶＤと略記）は半導体集
積回路￥Ｊ逍工程において多用され、多結晶シリコン膜
、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜等の形成に使用され
ている。また、最近の半導体基板の大口径化およびこれ
に伴なう半導体基板支持ボートの大型化によって総重量
が増大し、これらの移動が容易な竪型ＬＰＧＶＤ装置が
主流になりつつある。
積回路￥Ｊ逍工程において多用され、多結晶シリコン膜
、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜等の形成に使用され
ている。また、最近の半導体基板の大口径化およびこれ
に伴なう半導体基板支持ボートの大型化によって総重量
が増大し、これらの移動が容易な竪型ＬＰＧＶＤ装置が
主流になりつつある。
従来、竪型ＬＰＧＶＤ装置に使用されている半導体基板
支持ボートを図を用いて説明する。第３図（ａ） 、
（ｂ）に示すように、従来の半導体基板支持ボートは複
数本の支持棒３１に、半導体基板を搭載する支持円板３
２．３２・・・が上下に複数段固定され、各段の支持円
板３２の中央に半導体基板３４が載置される。また支持
円板３２には外周縁から中央部にかけて半導体基板搬送
治具を抜差しする溝３３か設けられており、該湧３３内
に治具を抜差しすることにより基板３４の支持円板３２
上への搬出入を行っている。
支持ボートを図を用いて説明する。第３図（ａ） 、
（ｂ）に示すように、従来の半導体基板支持ボートは複
数本の支持棒３１に、半導体基板を搭載する支持円板３
２．３２・・・が上下に複数段固定され、各段の支持円
板３２の中央に半導体基板３４が載置される。また支持
円板３２には外周縁から中央部にかけて半導体基板搬送
治具を抜差しする溝３３か設けられており、該湧３３内
に治具を抜差しすることにより基板３４の支持円板３２
上への搬出入を行っている。
半導体集積回路装置の層間絶縁膜として使用されるシリ
コン酸化膜をＬＰＣＶＤ法で形成する場合、反応ガスと
してシラン（ＳｉＨ，）と酸素（０２）を用いる方法と
、有機シラン、例えば、テトラエトキシシラン（ＴＥ０
１）を用いる方法とがある。後者の方法は段差に対する
被覆性に潰れ、この方法は最近の高度集積化された半導
体集積回路装置の製造工程に適しているとされている。
コン酸化膜をＬＰＣＶＤ法で形成する場合、反応ガスと
してシラン（ＳｉＨ，）と酸素（０２）を用いる方法と
、有機シラン、例えば、テトラエトキシシラン（ＴＥ０
１）を用いる方法とがある。後者の方法は段差に対する
被覆性に潰れ、この方法は最近の高度集積化された半導
体集積回路装置の製造工程に適しているとされている。
しかしながら、上述した従来の半導体基板支持ボートを
使用して有機シランによるシリコン酸化膜を形成すると
、半導体基板の表面においては良好なシリコン酸化膜が
得られるものの、裏面においてはしばしば黒色の有機ポ
リマーの形成か認められる。これは半導体基板３４と支
持円板３２との間に存在する微小な空隙に有機シランが
侵入し、表面触媒反応を起こすか、炭素（Ｃ）や水素（
Ｈ）を含んだ副生成物が微小な空隙を通って完全に排気
することができずにポリマー化すると考えられる。
使用して有機シランによるシリコン酸化膜を形成すると
、半導体基板の表面においては良好なシリコン酸化膜が
得られるものの、裏面においてはしばしば黒色の有機ポ
リマーの形成か認められる。これは半導体基板３４と支
持円板３２との間に存在する微小な空隙に有機シランが
侵入し、表面触媒反応を起こすか、炭素（Ｃ）や水素（
Ｈ）を含んだ副生成物が微小な空隙を通って完全に排気
することができずにポリマー化すると考えられる。
この黒色の有機ポリマーは弗化水素酸（ＨＦ）等の酸に
溶けない、しかも、粗な膜質であり、容易に基板裏面よ
り剥離して、半導体集積回路装置の製造歩留りを低下さ
せるという大きな問題があった。
溶けない、しかも、粗な膜質であり、容易に基板裏面よ
り剥離して、半導体集積回路装置の製造歩留りを低下さ
せるという大きな問題があった。
本発明の目的は前記課題を解決した半導体基板ボートを
提供することにある。
提供することにある。
上述した従来の半導体基板支持ボートに対し、本発明は
半導体基板と半導体基板支持円板の間に空隙を設け、反
応副生成物の速やかな排気を可能にするという相違点を
有する。
半導体基板と半導体基板支持円板の間に空隙を設け、反
応副生成物の速やかな排気を可能にするという相違点を
有する。
上記目的を達成するため、本発明は、竪型減圧化学気相
堆積装置に使用される半導体基板支持ボートにおいて、
半導体基板を搭載する支持体に、半導体基板と支持体と
の間に隙間を設けて該基板を支持する複数の突起を有す
るものである。
堆積装置に使用される半導体基板支持ボートにおいて、
半導体基板を搭載する支持体に、半導体基板と支持体と
の間に隙間を設けて該基板を支持する複数の突起を有す
るものである。
以下、本発明の実施例を図により説明する。
（実施例１）
第１図（ａ）は本発明の実施例１を示す縦断面図、第１
図（ｂ）は同横断面図である。
図（ｂ）は同横断面図である。
図において、半導体基板１４を搭載する複数の支持円板
１２．１２・・・を複数本の支持棒１１．１１・・・に
て支持して上下に複数段配設し、各段の支持円板１２上
に背の高い複数の支持突起１３．１３・・・を植設する
。
１２．１２・・・を複数本の支持棒１１．１１・・・に
て支持して上下に複数段配設し、各段の支持円板１２上
に背の高い複数の支持突起１３．１３・・・を植設する
。
本実施例の支持突起１３は背が高く設定しであることに
より、半導体基板１４を支持する際に該基板１４と支持
円板１２どの間に、基板裏面側に廻り込むガスの排気を
行う空隙及び半導体基板搬送治具を抜差しする清を兼務
する隙間を形成する。
より、半導体基板１４を支持する際に該基板１４と支持
円板１２どの間に、基板裏面側に廻り込むガスの排気を
行う空隙及び半導体基板搬送治具を抜差しする清を兼務
する隙間を形成する。
実施例において、半導体基板１４は支持突起１３上に置
かれ支持される。半導体基板１４の移動は半導体基板１
４と支持円板１２との間の空間に半導体搬送治具を抜差
しすることにより行う。
かれ支持される。半導体基板１４の移動は半導体基板１
４と支持円板１２との間の空間に半導体搬送治具を抜差
しすることにより行う。
本発明の半導体基板支持体ボートにおいては、半導体基
板１４と支持円板１２との空隙が充分に大きく、反応副
生成物が速やかに排気され、有機ポリマーを生じること
がない。
板１４と支持円板１２との空隙が充分に大きく、反応副
生成物が速やかに排気され、有機ポリマーを生じること
がない。
（実施例２）
第２図（ａ）は本発明の実施例２を示す縦断面図、第２
図（ｂ）は同横断面図である。
図（ｂ）は同横断面図である。
本実施例は、支持突起２３の高さを、基板裏面側に廻り
込むカスを排気するに充分な隙間を基板１４と支持円板
１２との間に設けるに必要な高さに設定し、半導体搬送
治具を抜差しする講２４を支持円板１２に別途設けたも
のである６本実繕例において支持突起２３により基板１
４と支持円板１２どの間に隙間が形成されるため、基板
１４の裏面に有機ポリマーを生成することはない。
込むカスを排気するに充分な隙間を基板１４と支持円板
１２との間に設けるに必要な高さに設定し、半導体搬送
治具を抜差しする講２４を支持円板１２に別途設けたも
のである６本実繕例において支持突起２３により基板１
４と支持円板１２どの間に隙間が形成されるため、基板
１４の裏面に有機ポリマーを生成することはない。
実施例２においては、半導体基板搬送治具川の空間は溝
２４にて確保されるので、支持突起２３の寸法は最小限
でよく、その結果、半導体基板１４の表面と支持円板１
２表面との高低差が実施例１と比較して小さく、膜厚の
半導体基板面内均一性か向上するという効果がある。
２４にて確保されるので、支持突起２３の寸法は最小限
でよく、その結果、半導体基板１４の表面と支持円板１
２表面との高低差が実施例１と比較して小さく、膜厚の
半導体基板面内均一性か向上するという効果がある。
以上説明したように本発明は半導体基板と支持円板の間
に突起を設けて隙間を形成して積極的に基板裏面側を排
気することにより、有機シランを用いた酸化シリコン膜
堆積時において、有機ポリマー膜を生成することかなく
、その結果、半導体集積回路装置の製造歩留りを向上で
きるという効果かある。
に突起を設けて隙間を形成して積極的に基板裏面側を排
気することにより、有機シランを用いた酸化シリコン膜
堆積時において、有機ポリマー膜を生成することかなく
、その結果、半導体集積回路装置の製造歩留りを向上で
きるという効果かある。
第１図（ａ）は本発明の実施例１を示す縦断面図、第１
図（ｂ）は同横断面図、第２図（ａ）は本発明の実施例
２を示す縦断面図、第２図（ｂ）は同横断面図、第３図
（ａ）は従来例を示す縦断面図、第３図ｆｂ）は同横断
面図である。 １１・・・支持棒 １２・・・支持円板１３
・・・支持突起 １４・・・半導体基板２４・
・・半導体基板搬送用涌 特許出願人 日本電気株式会社 （ａ） （ｂ） 第１図
図（ｂ）は同横断面図、第２図（ａ）は本発明の実施例
２を示す縦断面図、第２図（ｂ）は同横断面図、第３図
（ａ）は従来例を示す縦断面図、第３図ｆｂ）は同横断
面図である。 １１・・・支持棒 １２・・・支持円板１３
・・・支持突起 １４・・・半導体基板２４・
・・半導体基板搬送用涌 特許出願人 日本電気株式会社 （ａ） （ｂ） 第１図
Claims (1)
- （１）竪型減圧化学気相堆積装置に使用される半導体基
板支持ボートにおいて、半導体基板を搭載する支持体に
、半導体基板と支持体との間に隙間を設けて該基板を支
持する複数の突起を有することを特徴とする半導体基板
支持ボート。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12931988A JPH01298724A (ja) | 1988-05-26 | 1988-05-26 | 半導体基板支持ボート |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12931988A JPH01298724A (ja) | 1988-05-26 | 1988-05-26 | 半導体基板支持ボート |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01298724A true JPH01298724A (ja) | 1989-12-01 |
Family
ID=15006637
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12931988A Pending JPH01298724A (ja) | 1988-05-26 | 1988-05-26 | 半導体基板支持ボート |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01298724A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006303512A (ja) * | 2006-04-27 | 2006-11-02 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体製造装置及び半導体製造方法及びボート |
| JP2010199618A (ja) * | 2010-05-18 | 2010-09-09 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体製造装置、半導体製造方法及びボート |
| CN106711065A (zh) * | 2015-11-17 | 2017-05-24 | 株式会社Eugene科技 | 衬底处理装置及使用所述衬底处理装置的衬底处理方法 |
-
1988
- 1988-05-26 JP JP12931988A patent/JPH01298724A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006303512A (ja) * | 2006-04-27 | 2006-11-02 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体製造装置及び半導体製造方法及びボート |
| JP2010199618A (ja) * | 2010-05-18 | 2010-09-09 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体製造装置、半導体製造方法及びボート |
| CN106711065A (zh) * | 2015-11-17 | 2017-05-24 | 株式会社Eugene科技 | 衬底处理装置及使用所述衬底处理装置的衬底处理方法 |
| JP2017098534A (ja) * | 2015-11-17 | 2017-06-01 | ユ−ジーン テクノロジー カンパニー．リミテッド | 基板処理装置及びこれを用いた基板処理方法 |
| CN106711065B (zh) * | 2015-11-17 | 2019-11-05 | 株式会社Eugene科技 | 衬底处理装置及使用所述衬底处理装置的衬底处理方法 |
| US10793949B2 (en) | 2015-11-17 | 2020-10-06 | Eugene Technology Co., Ltd. | Substrate processing apparatus and substrate processing method using the same |
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