JPH01299402A - アライメント方法 - Google Patents

アライメント方法

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JPH01299402A
JPH01299402A JP63128531A JP12853188A JPH01299402A JP H01299402 A JPH01299402 A JP H01299402A JP 63128531 A JP63128531 A JP 63128531A JP 12853188 A JP12853188 A JP 12853188A JP H01299402 A JPH01299402 A JP H01299402A
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伸貴 馬込
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和哉 太田
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    • G03F9/00Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
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    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces

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  • Physics & Mathematics (AREA)
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  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] この発明は、半導体製造装置等におけるアライメント方
法に関するものである。
[従来の技術] 従来より、半導体製造装置におけるウェハ等のファイン
アライメントでは、ウェハやレチクル等の対象物上に予
め設けられた所定パターンをもつアライメントマークを
レーザ光で相対的に走査し、マークからの反射光や散乱
光、或いは回折光等を検出するのが一般的である。
また、別の検出法として、テレビジョンカメラやCOD
アレイセンサなどでアライメントマークの明暗視野像を
捉えることも行われている。
従来、これらの検出信号の信号処理では、例えばフォト
センサで光信号を電気信号に変えたのち、得られた電気
信号を成るスライスレベルでスライスし、このスライス
後の信号全体の中心をピーク検出によって求めてマーク
中心を決定している。またマークの検出率を向上させ、
他パターンからの誤認識を避けるために、前記信号スラ
イスの後に信号の時間軸上の位置からマーク間隔を抽出
し、予め既知の設計マーク間隔との一致を調べ、個々の
位置の平均値から全体のマーク位置を求め、平均化の手
法によってアライメント誤差の低減を図っている。
[発明が解決しようとする課題] ところで実際のウェハ等では、表面に形成された個々の
アライメントマークはレジスト厚みやマーク段差部近傍
の形状の違いなど蒸着やエツチング等のプロセスによっ
て大きく影言を受け、厳密には個々に異なる固有の表面
性状を有している。
従ってそれを検出した信号中には、マークのもつ設計形
状に対応した基本波成分に前記固有の性状に対応した細
かなノイズ成分が重畳して現れ、同じウェハ上の近くの
マーク同志でも検出信号の波形が微妙に異なることがあ
り、従来法でアライメン1−を行うとこれらノイズ成分
によるアライメント誤差が生じてしまうことになる。し
かも従来法ではスライスレベルを変えると検出マーク中
心位置が異なってくるほか、複数のマークの検出結果か
ら全マークとしての中心位置を見付ける場合も、スライ
スレベルが各々異なったり、或いは信号振幅が大ぎく異
なったりした時などは、そのマークを全マークの位置検
出には使用しなかったりするので、本来の平均化の効果
が低下することにもなフていた。また従来のアライメン
ト方法ではマークのピッチが一定であってもあまりマー
ク間隔が密でない場合は平均化により利点が得られない
という問題点もあった。
この発明は、走査によって検出した信号中に含まれるマ
ークのプロセス変形に基づくノイズ成分をも考慮に入れ
た信号の平均化処理を行ってアライメント精度を向上す
ると共に、信号のピーク検出時の誤差を考慮する必要な
しに少ない演算回数で短時間のうちにアライメント誤差
を求めることのできるアライメント方法を提供すること
を目的とするものである。
[課題を解決するための手段] この発明では、予め取り込まれた装置基準位置情報と、
被測定対象物上に形成された所定ピッチの周期性マーク
を物理的に非接触測定して得た検出1位置情報とから両
位置間のアライメント誤差を求め、このアライメント誤
差を補正するように前記対象物を装置基準位置に対して
相対的に移動させるアライメント方法において、前記マ
ークをそのピッチの方向に非接触走査することにより走
査位置に対して周期性を持った測定信号を得ると共に、
得られた測定信号に関して前記所定ピッチで定まる前記
マークの設計上の周期の基本波成分およびその整数分の
1の周期の高次成分について前記設計上の周期の所定位
置を基準にしたフーリエ級数の位相成分を夫々演算し、
基本波成分についての位相成分と高次成分についての位
相成分とを含む検出位置情報に基づいてアライメント誤
差を求めることにより前述課題を達成したものである。
[作 用] この発明は、予めアライメントマークの固有のピッチが
設計上既知である点と、個々のアライメントマークやマ
ーク構成単位がプロセスにより大きさを変えてもピッチ
は不変であるという点に着目して、検出信号の周期から
マークのピッチ間隔を特徴抽出し、マーク全体で平均化
を行うものである。
すなわち、この発明では、アライメントマークの構造と
その検出走査方向との関係を、相対的な走査によって走
査位置に対する正弦波状の周期性信号が測定信号として
得られるように定めてあり、従って得られた測定信号は
、走査移動ff1Xの関数f (x) 、或いは走査速
度が定まっていれば時間tの関数f (t)  として
メモリに取り込むことができる。この場合、前記関数の
基本波成分の周期T(従って周波数U)は走査方向にお
けるアラ、イメントマークのピッチで一義的に定まり、
これは設計値として既知である。
このようにして得られた関数信号を演算にかけ、前記周
期T(従って周波数U)の基本波成分(in)およびそ
の整数分の1の周期(従って整数倍の周波数)の高次成
分(i・2.3・・・)についてフーリエ積分を行って
その位相成分φI(i−1,2,3・・・)が次式に従
って求められる。尚、ここでは前記移動量Xについて示
すが、時間tをとる場合も同様の式で演算されることは
述べるまでもない。
S = 5 f(x)−sin 2yz U −x−d
x=Σf(+)−sin 2π(U−j)      
・=中C= l f(x)−cos2yr U −x−
dxΣf(i)・cos 2yt  (U −i)  
     ・=(2)φ1 =  jan’−’ (s
/c)  (ラジアン)    −+3)ここで、Sは
周波数Uのフーリエ級数の正弦成分、Cは同じく余弦成
分、φ1は中成の正弦波に対するf (x)の位相角で
あり、iは通常3〜4程度までで充分である。アライメ
ント誤差ΔXは、次の(4)式の通りとなる。
△x = Xo+a+ (φl/ 2π・u)+ az
(φ2/ 2π・2LI)◆+a、(φ3/2π・31
1)◆・・・=Σ(at’φt/ 2yr −U−i)
+Xo (i−1,2,3−・)・(4)ここでxoは
装置自体の機械的ズレの初期オフセット量であり、固有
値として予め計測されているものである。またa、は補
正係数である。この補正係数の大きさを適宜変えること
により、ウェハプロセスによるマーク変形に対する補正
が加わり、それだけマーク位置の検出精度が向上する。
このような演算のためのsin/cos信号はコンピュ
ータ内で発生させることができ、或いは読み出し専用メ
モリ(ROM)に持たせておいてもよい。ROMに持た
せる場合、周波数Uの変化に対応させる必要があるため
、正弦波の1/4周期を細かくサンプリングしたものを
記憶させておいて、それを周波数によって間引きして読
み出すようにするのが好ましい。またCOS信号はsi
n信号を1/4周期ずらしてメモリから取出すようにも
で各、信号としては〈1/4周期分だけ記憶させておい
て残りの3/4周期分をそれから合成して1周期分の信
号を得るようにすることも可能である。
この発明では、周期(周波数)が予め判っていて、その
正弦波との相関をフーリエ変換の演算によって信号の有
効範囲内において全体的に積分を行って平均化すること
によりアライメント誤差を求めるため、全信号内でのノ
イズ低減に優れた特長をもっている。
また、通常の相関演算では、 U (S) = S f(xig(x−s)・dxの計
算式となるので、一方の関数f (x)に対して他方の
関数g(×)をずらしては積分を行うという繰り返しに
なるため、演算回数が非常に多くなり、初めから関数g
 (x)が周期関数であると判っていても、1周期分に
ついてはずらしながらの積分が必要である。
これに対してこの発明の方法ではフーリエ積分の手法を
用いているため、その位相成分、即ち相関ピーク位置が
最も高い所が正弦と余弦の2回だけの積分で判り、演算
回数が極端に少なくなって短時間のうちに結果が得られ
るものである。
また、通常の相関法の場合は最後にピーク位置を求める
必要があり、このため結局はスライスレベルでアライメ
ント誤差を求めざるを得ないが、この発明ではフーリエ
成分によってアライメント誤差が一義的に決定されるこ
とになる。
耐ノイズ性に関しては、アライメント信号を成るスライ
スレベルでスライスしてその中点を検出する従来法では
、信号波形の最も傾きの大きい処でスライスすることと
スムージング処理とで成る程度のノイズの影習を避ける
ことができるが限度があり、これに対してこの発明では
アライメントマーク自体の周期性や抽出特徴に基づいて
マーク中心位置を判断するので、ノイズに対しては格段
に強い方式となっている。
この発明において、測定信号としては前述のような正弦
波状で基本波成分の周期(周波数)が判明している信号
ならどのようなものでも利用することができ、走査検出
系も光ビームや電子ビーム、X線、モアレ縞検出、静電
容量、磁気等、神々の方式が利用できる。
尚、この発明のアライメント方法では、演算処理する信
号が正弦波状のものであるためマークピッチの整数倍の
誤差は検出不能であるが、これは測定信号の基本波周期
の1 / 28!度以内に対象物をプリアライメントで
位置させておけば問題はなく、この程度のプリアライメ
ントは通常の手法で充分に可能な範囲である。
この発明では、前述のようにアライメントマークの周期
性に基づいてマーク中心位置を判断するので、例えば測
定信号に振幅ノイズが含まれる場合、測定信号波形にお
ける成る振幅レベル幅の上下いずれか一方または両方を
スライサなどでクリップして定数に置換えてからフーリ
エ成分を求めることによって、振幅ノイズの影響を殆ど
受けないようにすることが可能である。この場合、スラ
イスレベルは測定信号の無信号レベルにおけるノイズレ
ベルに基づいて設定すればよい。
尚、この発明でアライメント誤差を求める場合、測定信
号を取り込むときの基準位置としては、ウェハステージ
上のフィディシャルマーク等の装置自体に設けられた基
準マークまたは対象物上のどれかひとつのアライメント
マークを測定して同様のフーリエ成分の演算によってそ
の位置データを求めておき、これを以後のマーク測定の
基準位置データとして用いればよい。
[実施例] この発明のアライメント方法を半導体製造用の投影露光
装置に適用した場合について以下に実施例図面と共に説
明する。
第1図はこの発明の実施に用いる半導体露光装置の光学
系の主要構成を示しており、ここでは図示しない照明系
によってレチクル1を上部から照明し、投影レンズ2に
よりレチクルパターンをステージ4上のウェハ3に結像
し、ステージ4の水平面内での移動と露光とを順次繰返
してステップアンドリピート方式で露光を行うようにな
っている。ステージ4の位置はレーザ干渉計(レーザ5
、ビームスプリッタ6、固定側ミラー7、移動側ミラー
8.光電検出器9)によって常にモニタされており、干
渉計の検出器9の出力は、増幅器30を介してA/Dコ
ンバータ(パルス化回路など)31により例えば0.0
2μm当りlパルスのパルス信号に変換され、マイクロ
コンピュータ32へ与えられている。マイクロコンピュ
ータ32は干渉計出力に基づいてステージ4の移動用モ
ータ34の駆動制御装置33を制御し、ステージ4の位
置を0.02μ−程度の精度で制御する。尚、図には水
平面内での直交座標の一方の軸についてのみステージ移
動系を示したが、レーザ干渉計とステージ移動モータを
含むもうひとつの系が他方の座標軸のために設けられて
いることは述べるまでもない。
このレーザ干渉計からのパルス信号は、ステージ4の移
動に応じた位置を表わす位置パルスであり、この位置パ
ルスは、後述のようにアライメント信号をサンプリング
してメモリ36に取り込むためにも利用される。尚、3
5はマイクロコンピュータ32に接続された入力装置、
37は同じくCRTなどの出力装置である。
アライメント系は、例えばレーザ10と光電検出器16
を含む光学系によるものであり、レーザ10からのビー
ムをシリンドリカルレンズ系17でスリット状ビームに
成形したのち、ビームスプリッタ11.  リレーレン
ズ12.ミラー14を介して投影レンズ2によりウェハ
3上に細長いビームスポット15を当て、ウェハ上のア
ライメントマークのエツジ段差で散乱・回折された光を
投影レンズ2を通して戻し、ビームスプリッタ11で分
離して、投影レンズ2の瞳と共役な位置にて正反射光を
カットして光電検出器16により検出する暗視野検出方
式となっている。この検出信号は増幅器18を介してマ
イクロコンピュータ32により前述の位置パルスによっ
てサンプリングされ、ステージ位置に沿った信号波形と
してメモリ36に取り込まれる。
ここでアライメントマークについて述べる。
第2図は、アライメントマークの平面パターンと、それ
を細長いビームスポット15が横切ったときに光電検出
器16から出力される信号波形とを対応づけて示してい
る。
第2図において、アライメントマーク50はウェハ3上
に凹凸形成された点状のパターンを一列に並べたもので
あり、その列方向に平行なビームスポット15が矢印へ
方向に相対移動してこれを横切ると、光電検出器16か
らは波形60で示すような単一ピークの信号が出力され
る。これは第2a図に示すようにウェハ断面でみると丁
度点状の凹凸が回折格子の役目をして、ビームスポット
15とマーク50とが重なったたときにマークの列方向
に回折光52が生じ、これが単一のピークを形成するか
らである。
一方、スリット状の連続した細長いパターンのアライメ
ントマーク51の場合は、同様なビームスボッ15の通
過によって波形61で示すような二つ山ピークの信号が
光電検出器16から出力される。これは第2b図に示す
ようにマーク51の幅方向の両縁における段差での散乱
光53が二つのピークを形成するからである。
尚、このアライメント光学系ではレーザビームによる細
長いビームスポット15を用いるので、アライメントマ
ーク50と51とでは、その散乱・回折光が暗視野検出
の光電検出器16に入射する際、すなわち瞳共役面内で
は互いに直交する方向に別かれることになり、このため
検出器16の受光面には、第3図に示すように互いに直
交する方向に配置された二組の光電変換素子16a。
16bが設けられている。
アライメント光学系の別の例は、第1図に添置したよう
な光ファイバー20による照明とテレビジョンカメラ2
6による暗視野像を検出する方式である。この場合、光
ファイバー20からの照明光はレンズ21.ハーフミラ
−22,ミラー23を介し、投影レンズ2を通してウェ
ハ3上のマークを含む局所領域を均一に照射する。そし
てその照明領域内にアライメントマーク50.51が位
置したときの暗視野像(散乱光又は回折光による像)を
、レンズ25を介してテレビジョンカメラ26により検
出する。このとき、テレビジョンカメラ26からの画像
信号は第2図と同様の波形になる。
さて、この発明においてはアライメントマーク50.5
1をビームスポット15の走査方向に所定ピッチで周期
的に複数配列しておくものである。すなわち、第4a図
は点状のパターンを縦一列に並べたアライメントマーク
50を、ビームスポット15の走査方向(矢印A)へ予
じめ定められた一定ピッチで・周期的に複数並べたもで
あり、ビームスポット15を矢印へ方向に走査すること
により波形62で示すような正弦波(疑似正弦波)状の
信号が光電検出器16から得られる。また第4b図は、
スリット状のアライメントマーク51を矢印A方向に所
定ピッチで複数列並べたもので、各スリット状マーク5
1の両縁部での散乱光により波形63で示すような半分
の周期の正弦波状信号が光電検出器16から得られる。
このような正弦波状の測定信号をレーザ干渉計によるス
テージ位置パルスによってサンプリングしてメモリ36
に格納し、マイクロコンピュータ32によって前述(1
)  (2)  (3)  (4)式の演算を実行する
尚、レチクルlとウェハ3とのアライメントに際しては
、レチクル1の中心がウェハステージ4上に投影される
位置と、本発明に従ってウェハ3上で計測される位置と
の距m<ベースライン)を事前に計測する必要がある。
このためには、例えば露光光と同一または掻く近い波長
の光を第5図に示すように光ファイバ40などによって
ステージ4内に導びき、レンズ41およびミラー42を
介してステージ4上の基準マーク43を照明する。基準
マーク43は、熱で変形しにくい石英上にクロム(Cr
)でバタンニングされたものであり、ウェハ3上とほぼ
同一平面に固定配置されている。基準マーク43の形と
しては、例えば第6図のようなXY方向の回折格子状の
もの51X、51Yに位置精密測定用の十字状の補助マ
ーク52を組合せたものにしておき、レチクル1上にも
レンズ倍率分だけ大きさを変えた同形状の基準マーク5
3を設けてお(。
ファイバ40からレンズ41とミラー42を介して基準
マーク43を下から照明し、それをステージ4の移動と
共に投影レンズ2を通してレチクル1の基準マーク53
と重ねてレチクル1の上側の検出系で検出する。レチク
ル1の基準マーク53を透過した光はミラー44.レン
ズ45゜46を介して光電検出器47で検出されるが、
その検出信号波形は両基準マーク43.53の回折格子
により第7図に示すような相関波形となり、これもマイ
クロコンピュータ32によるフーリエ変換による信号処
理を行うことでレチクルマーク53の投影像がウェハス
テージ座標で求められることになる。この場合のデータ
のサンプリングにもレーザ干渉計の光電検出器9で検出
した座標位置パルスが用いられる。このようにしてレチ
クル位置がウェハステージ座標で求まり、これをメモリ
36に格納しておく。
次に光電検出器16によるウェハセンサでステージ上の
基準マーク43を計測し、同様にウェハステージ座標で
計測基準位置としてメモリ36に格納しておく。
これらメモリ36に格納した二つの位置情報の差が前記
ベースラインを与え、ウェハ3上の各アライメントマー
ク(第4a、4b図)を用いた1/2ピッチ以内の位置
ずれ量を前述のように計測し、このベースラインに加算
してウェハステージを送り込むようにすれば、ウェハと
レチクルが投影レンズ2を通して重ね合わされることに
なる。
尚、本発明のアライメント方法におけるマークの位置計
測の手法は、他の応用として投影レンズのデイスト−ジ
ョンの計測に利用することが可能である。この場合、レ
チクル上のディス]・−ジョンを計測したい個所に第6
図に示したようなパターンのマークをそれぞれ形成して
おく。このレチクル上のマーク位置はできるだけ正確に
知っておく必要があり、従って正確な座標測定のための
十字状の補助マーク52は重要である。
このレチクルを用いてウェハ上に塗布したレジストにマ
ークパターンを露光し、その回折格子状パターン51X
、51Yの走査結果から得られる一連の正弦波状信号を
フーリエ変換手法による処理に付して、各マーク間の間
隔の差を求めることによりデイスト−ジョンを計測する
本発明では、フーリエ変換で求まる位相から計算される
ずれ量は正弦波状信号の1波長以内であるため、この1
波長を超えるアライメント誤差やデイスト−ジョンは計
測されないが、前記補助Y−り52を通常のピーク検出
で計測して正弦波の1波長以内の長距離計測をレーザ干
渉計によって行っておけば問題は生じない。
またアライメント系の光電検出器16に第3図に示した
ような二組の直交する光電変換素子16aと16bをも
つものを用いる場合、これら光電変換素子16a、16
bから別々に検出信号とり出すようにすると、点状マー
ク(格子マーク)50とスリット状マーク(バーマーク
)51とを別々の検出信号に別けて検出できる。これを
利用して、先ずはじめに一方のマークの一列を検出し、
それをトリガー(基準位置)にして次に続く他方のマー
クの周期性パターンの測定信号のサンプリングを制御す
るようなことも可能である。
また先にも述べたように、測定信号波形をあるレベルで
クリップしたり、スライスしたりすることも有効である
ここで第8a図と第8b図を用いて信号波形に生じ得る
歪みについて簡単に述べる。第8a図は第2a図と第2
b図に示したように、ウニ八表面に対して微小量だけ突
出したマーク50.51の場合に起こりやすい歪み波形
を示し、波形中の谷の部分にノイズが重畳する傾向が強
い。また第8b図は、マーク50.51をウニ八表面に
対して微小量だけへこませた場合に起こりやすい歪み波
形を示し、波形中の山の部分が非対称になる傾向が強い
。これら歪は、多くの場合、マーク50゜51の上を覆
っている感光層(厚さ1〜2μm程度のレジスト)の影
響にもよる。
そこで例えば測定信号波形とマークの凹凸の違いとを考
慮して信号波形のピーク・トウ・ピークの値PPを求め
、第8a図の場合、値PPの下(ボトム)から33%位
までの適当なところをレベルLj2でクリップして一定
値にし、第8a図のような波形に整形してから、先の(
1)  (2)  (3)式の演算を行なえばよい。
また第8b図の場合は、値PPの上(ピーク)から33
%程度までの適当なところをレベルLhでクリップして
一定値に揃えればよい。
これらのレベルLA、Lhはソフトウェア的に設定でき
るし、ハードウェア的にも処理可能である。ソフトウェ
アで対応する場合は、取り込んだ波形のサンプリング値
を一定値に置換えるのみであり、ハードウェアの場合は
、アナログ増幅器へのオフセット電圧を変化させ、上方
向、または下方向、或いは両方向に信号の増幅をオーバ
ーフローさせればよい。
[発明の効果] 以上に述べたように、この発明によれば、アライメント
マークの構造を走査方向に関して所定ピッチの周期性パ
ターンとし、走査によって得られた周期性信号をフーリ
エ積分処理して基本波成分のみならず高次成分について
も位相差を求めているため、プロセスによるマーク変形
等の影響を受けにくく、演算回数は正弦、余弦成分の2
回で済み、処理時間は殆んどかからず、ピーク検出によ
らずに相関をとるのでスライスレベルによる誤差を考慮
する必要がなく、一義的にアライメント誤差が求まるの
で誤差および演算時間の両面で優れた効果が得られるも
のである。
またこの発明ではアライメントマークの周期性パターン
をその走査によってなるべく正弦波に近い波形の測定信
号が得られるようにアライメント検出系の特性(レーザ
ビームなら計測方向の幅、テレビジョンカメラではその
分解能、回折格子方式ではビーム広き角など)に応じて
定めるが、そのようなパターンのマークピッチは一般に
充分狭くなるので、必然的にマーク上でのレジストの塗
布むらは少なくなり、それによる擬似信号も生じにくく
なるという利点もある。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明のアライメント方法を適用可能な半導
体露光装置のアライメント光学系の構成例を示す説明図
、第2図はアライメントマークの形状と得られる信号波
形の対応関係を示す説明図、第2a図は前回のa−a線
矢視説明図、第2b図はおなしく b−b線矢視説明図
、第3図はアライメント検出器の受光部の構成例を示す
説明図9、第4a図と第4b図はこの発明に従って形成
された周期性パターンを有するアライメントマークの要
部を示す説明図、第5図はステージ上の基準マークの検
出系を示す説明図、第6図は基準マークのパターンの一
例を示す説明図、第7図は基準マーク検出信号の波形を
示す線図、第8a図と第8b図は信号波形の歪みの様子
を示す線図、第8c図は歪み補償された後の信号波形を
示す線図である。 符号の説明 1ニレチクル、2:1投影レンズ、3:ウェハ、4:ス
テージ、5:干渉計レーザ、9:干渉計光電検出器、1
0:アライメント用レーザ、15:線状ビームスポット
、16:アライメント光電検出器、26:テレビジョン
カメラ、32:マイクロコンピュータ、34:ステージ
B動モータ、36:メモリ、43:基準マーク、50:
点状パターンのアライメントマーク、51ニスリツト状
パターンのアライメントマーク、62゜63:正弦波状
測定信号。 代理人 弁理士 佐 藤 正 年 第1図 第2図 第2へ図    第2b図 第3図 、i<4a図      第4h図 口           C==:コ ロ          =:==:=コロ      
    ロ===:二二ロ           ==
=:=:フ第6図     第7図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】  予め取り込まれた装置基準位置情報と、被測定対象物
    上に形成された所定ピッチの周期性マークを物理的に非
    接触測定して得た検出位置情報とから両位置間のアライ
    メント誤差を求め、このアライメント誤差を補正するよ
    うに前記対象物を装置基準位置に対して相対的に移動さ
    せるアライメント方法において、 前記マークをそのピッチの方向に非接触走査することに
    より走査位置に対して周期性を持った測定信号を得ると
    共に、得られた測定信号に関して前記所定ピッチで定ま
    る前記マークの設計上の周期の基本波成分およびその整
    数分の1の周期の高次成分について前記設計上の周期の
    所定位置を基準にしたフーリエ級数の位相成分を夫々演
    算し、波基本成分についての位相成分と高次成分につい
    ての位相成分とを含む検出位置情報に基づいてアライメ
    ント誤差を求めることを特徴とするアライメント方法。
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