JPH01299478A - 半導体装置の測定方法 - Google Patents

半導体装置の測定方法

Info

Publication number
JPH01299478A
JPH01299478A JP63130565A JP13056588A JPH01299478A JP H01299478 A JPH01299478 A JP H01299478A JP 63130565 A JP63130565 A JP 63130565A JP 13056588 A JP13056588 A JP 13056588A JP H01299478 A JPH01299478 A JP H01299478A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
time
data
sum
input
measurement
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP63130565A
Other languages
English (en)
Inventor
Masaru Sasaki
大 佐々木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP63130565A priority Critical patent/JPH01299478A/ja
Publication of JPH01299478A publication Critical patent/JPH01299478A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
  • Tests Of Electronic Circuits (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は半導体装置の測定、判定を行う測定方法に関
するものである。
〔従来の技術〕
従来の半導体デバイスの測定、判定に必要なノ1−ドの
構成を第4図に示す。入力信号発生器(以下SGと呼ぶ
)(1)から発生した信号は、測定周辺回路を含めた被
測定デバイス(以下DUTと呼ぶ)(2)へ入る。DU
T+21からの出力信号はA/Dコンバータ(3)でデ
ジタル量に変換され、C!PU(41によって演算処理
され判定がなされる。
第3図は従来の半導体デバイスの測定、判定を行う測定
方法において、デバイスに入力が加えられて良か不良か
の判定がなされるまでの時間をそれぞれ動作別に示しだ
模式図である。
図中、田)はOP U (4)によって入力信号が設定
されるまでに要する入力設定時間、(6)はS G (
1)によりD U T +2)に所望の入力信号が入力
されるまでに要する入力信号発生時間、(至)はD U
 T (2)の出力応答に要する出力応答時間、α4は
OP U (4)によってその信号に対して良か不良か
の判定に要する判定時間である。この時、1つの入力信
号に対して良か不良かの判定が終了してから、初めて次
の入力信号が発生され同様に測定、判定される。すなわ
ち、1つのD U T [2)につき、このような動作
が信号の数だり繰シ返されるのである。従って、1つの
D U Tが判定まで終えて、初めて次のD U T 
+2)のテストに移るというように常にシリアルにテス
トがなされていた0 〔発明が解決しようとする課題〕 従来の半導体装置の測定方法は入力設定から判定に至る
まで常にシリアルに行われるので、各測定・判定の動作
時間の個々は短縮化は改善短縮されても、大幅なテスト
時間の短縮は望めないという課題があった。
この発明は以上のような問題点を解決するためになされ
たもので、各測定・判定の動作時間の短縮とは別に、根
本的に大幅なテスト時間の短縮を図ることを目的として
いる。
〔課題を解決するための手段〕
この発明に係る半導体装置の測定方法は各デバイスに種
々の入力信号を送り測定及びデータを取り込み処理を行
う処理部分と、そのデータを所望の値と比較判定する判
定部分の2つに分散させたので、入力を設定しデータを
取り込むまでの処理部分と、測定・判定を行う判定部分
とをパラレルに行えるようにしたものである。
〔作用〕
この発明の半導体装置の測定方法はデータ取り込み及び
処理を行う処理部分では判定を待つことなく次々にデー
タを取り込むことができ、また判定部分では判定のみを
行うことができ、そしてこの2つ部分がそれぞれパラレ
ルに行えるので大幅なテスト時間の短縮が可能となる。
〔実施例〕
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第1
図はこの発明の半導体デバイスの測定、判定方法におい
て、デバイスに入力が加えられて良か不良かの判定がな
されるまでの時間を第2図で示したハードの構成に従っ
て処理部分と判定部分に分けられた時間の模式図である
。図中、前記従来のものと同一符号は同一部分を示す。
また、第2図はこの発明の一実施的において半導体デバ
イスの測定、判定方法でのハード構成を示すブロック図
で、図中、同一符号は同一部分を示す。第1図において
、1デバイスの測定信号数をnとすると、pH,R2・
・・Pfiはそれぞれ1番目、2番目。
・・・n番目の入力信号において、第2図Aの部分で処
理がなされるのに要する時間、すなわち(6)の入力設
定時間と、@の入力信号発生時間と、@の出力応答時間
とを加え合わせた時間を示し、Pl・・・・P、まで加
え合わせた時間R1は、1番目のデバイスの1.2.3
に要する時間の和である。またQ1+Q2・・・Q、は
同様に第2図Bの部分で処理がなされるのに要する時間
、すなわちα局の判定時間を示し、Ql・・・Ql、ま
で加え合わせた時間S1は1番目のデバイスの4に要す
る時間の和である。前で述べたように入力信号を送シ、
測定及びデータを取り込み処理を行う部分と、そのデー
タを所望の値と比較、判定する部分の2つに分散させる
ということは、ハード構成を示す第2図では、A部とB
部に、また第1図では、第3図から(4)判定時間を分
離したということである。ここでこの発明による測定、
判定方法の最大のメリットは第1図のPlとQ、の和は
シリアルK it T xとなり、またR1と61の和
もUlとなりテスト時間短縮化にはなってないようだが
、先述のように2つの部分に分けているのでaη。
0■、α1にかかる作業と0.4)にかかる作業とを同
時に(同時刻でなくパラレルに)行うことができ、従っ
てトータル的にR1とslの和はUlより小さくなシ得
る。すなわち、テスト時間の大幅な短縮化が図れるとい
うものである。また第3図のT1でα→〜(至)が占め
る割合とu4が占める割合とが等しい時、テスト時間は
最短となる。更にこの方法ではデバイスごとに測定する
入力信号を次々に入力し、そのデータを一括してメモリ
ーに入れ、所望のデータと比較するためこの比較方法で
更に大幅なテスト時間短縮化が期待できる。
〔発明の効果〕 この発明は以上のように入力信号を送り、測定及びデー
タを取り込み処理を行う処理部分と、そのデータを所望
の値と比較、判定する判定部分の2つに分散させたので
、この2つの部分が動作するのにかかる時間をパラレル
にすることができるので大幅なテスト時間短縮ができる
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の一実施例における測定、判定までに
要する時間の模式図、第2図A、Bはこの発明により分
散された2つのハード構成部を示すブロック図、第3図
1は従来の方法による−実施例における測定判定までに
要する時間の模式図、第4図は従来の方法によるハード
構成を示すブロック図である。 図において、(1)はSa(入力信号発生器)、(2>
はDUT(周辺回路を含めた被測定デバイスL(3)は
A/Dコンバータ、(5)はメモリー、[6)はCPU
 1、(7)はCPU 2、(2)は入力設定時間、@
は入力信号発生時間、(至)は出力応答時間、04)は
判定時間を示す。 なお、図中、同一符号は同一、または相当部分を示す。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)ICの検査行程において、各デバイスに様々な入
    力信号を送り、測定及びデータを取り込み、処理を行う
    処理部分と、そのデータを所望の値と比較、判定する判
    定部分の2つに分散させることを特徴とする半導体装置
    の測定方法。
JP63130565A 1988-05-26 1988-05-26 半導体装置の測定方法 Pending JPH01299478A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63130565A JPH01299478A (ja) 1988-05-26 1988-05-26 半導体装置の測定方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63130565A JPH01299478A (ja) 1988-05-26 1988-05-26 半導体装置の測定方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH01299478A true JPH01299478A (ja) 1989-12-04

Family

ID=15037293

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP63130565A Pending JPH01299478A (ja) 1988-05-26 1988-05-26 半導体装置の測定方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH01299478A (ja)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20020129293A1 (en) Scan based multiple ring oscillator structure for on-chip speed measurement
JPH01299478A (ja) 半導体装置の測定方法
US5389990A (en) Method for measuring DC current/voltage characteristic of semiconductor device
JPH0252446A (ja) 集積回路の試験装置
JPS6199876A (ja) Icテスタ−
JP2864603B2 (ja) 半導体記憶装置の検査装置
JP2944307B2 (ja) A/dコンバータの非直線性の検査方法
JP2000243916A (ja) 半導体装置
JPH01112176A (ja) 半導体集積回路装置の試験装置
JP3192282B2 (ja) 半導体集積回路
JPH05273313A (ja) テスト回路形成方法
JPH10160798A (ja) Icの試験方法
JPH07248356A (ja) 半導体装置及びその試験方法
JP2000241493A (ja) 集積回路のテスト順序決定方法
JPH082629Y2 (ja) Lsiテスタ
JPS61240173A (ja) 検査入力自動生成システム
JPS62293736A (ja) 試験回路つき集積回路
JPH03120697A (ja) 集積回路装置
JP2002311112A (ja) 半導体試験方法
JP2001051024A (ja) 半導体試験装置の半導体試験用プログラム実行方法
JP2001296332A (ja) 半導体デバイスの試験装置および試験方法
JPH06201778A (ja) 半導体検査装置
JPH08114649A (ja) 半導体集積回路装置のテスト装置および方法
JPH04130282A (ja) 最高繰返し周波数測定方法
JPS6116099B2 (ja)