JPH01299749A - 連続鋳造における溶湯レベル制御方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は連続鋳造において、鋳型内部の溶湯レベルを、
適正なレベルに維持すべく制御する溶湯レベル制御方法
に関する。

〔従来技術〕

タンデイツシュ内の溶湯を、上下に開口部を有する筒形
の鋳型に注入し、該鋳型に対応する断面形状を有する鋳
片を連続的に製造する連続鋳造法においては、鋳型から
の溶湯の浴出及びブレークアウトの発生を防止すると共
に、鋳片における表面疵の発生を防止し、良好な表面品
質を維持するため、鋳型内部の溶湯レベルを適正なレベ
ルに保つことが重要である。そこで、該鋳型への溶湯注
入量及び／又は該鋳型からの鋳片の引抜き速度を、鋳型
内部の溶湯レベルの検出結果に基づいて変更する溶湯レ
ベル制御が従来から行われている。

この溶湯レベル制御においては、溶湯レベルの検出器と
して、熱電対を用いるもの、放射線を利用するもの、及
び電磁誘導現象を利用するもの等が用いられている。熱
電対を用いるレベル計は、鋳型の内壁銅板の温度を、該
鋳型の深さ方向に複数個配設した熱電対により検出し、
検出温度が所定値を超えた場合、鋳型内部の溶湯レベル
が、該熱電対の配設位置に達したと判定するものである
。

また放射線を利用する放射線式レベル計は、鋳型の一側
にこれの内部に向けてγ線を放射する線源を設ける一方
、これと鋳型を挟んで対向する位置に、前記γ線を計数
するシンチレーションカウンタを配設した場合、該カウ
ンタによる計数量が、γ線の伝播経路中に存在する減衰
物質、即ち鋳型内部の溶湯の多少に応じて変化すること
により溶湯レベルの検出を行うものである。更に、７ｆ
（ｕ誘導現象を利用する電磁誘導式レベル計は、例えば
、１次コイル及びこれの上下に一対の２次コイルを備え
てなるプローブを、各コイルの軸心を鋳型内の溶湯表面
に直交させた態様にて、該表面に臨ませて配設し、１次
コイルに高周波電流を通電せしめた場合、これにより生
じる磁界の作用により導電体である溶湯表面に渦電流が
生じ、これに起因して前記磁界と逆方向の２次磁界が発
生することを利用し、両磁界の相互作用により前記一対
の２次コイルに各別に発生する起電力の差により溶湯レ
ベルを検出するものである。

これらは夫々に利点及び欠点を有しており、溶湯レベル
制御においては、各別に異なる用途に用いられている。

熱電対を用いるレベル計は、前述した如く、各熱電対の
配設位置に溶湯レベルが達したか否かにより溶湯レベル
の検出を行うから、その検出精度は熱電対相互間の離隔
距離に依存し、高い検出精度を得ることが困難である反
面、前記離隔距離を大きくすることにより、検出域を鋳
型の深さ方向略全域に亘って設定することが容易である
。従って、このレベル計は、操業開始直後において、溶
湯レベルが鋳型の最下部から他のレベル計による検出可
能域に至るまで」二昇する間のレベル検出に限って用い
られている。

一方、電磁誘導式レベル計は、応答性、検出精度、保守
の容易さ等、多くの面で他のレベル計に比較して優れて
おり、溶湯レベル制御における制御精度の向上のために
は、該レベル計の検出値に基づいて制御が行われること
が望ましい。ところが電磁誘導式レベル計の検出域は、
前記プローブ中のコイル直径に依存する一方、これが過
大である場合、これの周囲に存在するタンデイツシュ、
鋳型、及び両者間の溶湯通路である浸漬ノズルとの干渉
により検出精度が低下するため、高い検出精度を維持し
た状態での検出域の拡大に限界があり、また前述した如
く、プローブを溶湯表面に臨ませて配設する必要があり
、溶湯表面からの溶湯の飛散、及び溶湯レベルの異常上
昇に伴う溶湯内への埋没により、プローブが破…するこ
とを防止するため、その検出域内に目標レベルを含む範
囲で、可及的上方にプローブを配設する必要がある。

従ってこの電磁誘導式レベル計は、溶湯レベルが比較的
安定した状態、即ち定常状態に移行後において用いられ
る。

これに対し放射線式レベル計は、検出精度、応答性等に
おいて電磁誘導式レベル計に劣り、また検出域の拡大に
も限度があるが、該検出域を鋳型の深さ方向の適宜位置
に設定することが可能であることから、その検出域の上
部寄りに目標レベルを含むようにこれを配設し、熱電対
を用いたレベル計により、鋳型内の溶鋼レベルが該検出
域内に達したことが検出された後、この溶湯レベルが目
標レベル近傍において定常状態に移行するまでの間にお
いて用いられている。

〔発明が解決しようとする課題〕

このように、連続鋳造における溶湯レベル制御において
は、溶湯レベルが定常状態に移行したと判断された時点
において、放射線式レベル計から電磁誘導式レベル計へ
の溶湯レベル検出器の切換えが行われるが、この切換え
の前後において溶湯レベルが大きく変動することがある
。この変動は、溶湯表面の酸化防止、該表面からの熱放
散の防止、及び鋳型内面と鋳片との間における潤滑性の
改善等の目的で鋳型内部に投入されるパウダの影響によ
り、両レベル計の検出原理の相違に起因して生じるもの
である。

即ち、前記パウダは溶鋼表面を被覆する態様にて堆積す
るが、前述した如く、電磁誘導式レベル計は導電体であ
る溶湯表面に悪血してこれを検出するため、これの検出
結果にパウダ層厚の影響は生じないのに対し、放射線レ
ベル計の検出結果中にパウダ層厚の影響が現出すること
は避けられず、該レベル計は、実際の溶湯レベルにパウ
ダ層厚の１／２〜１／３程度を加えたレベルを検出する
と言われている。

第３図は、電磁誘導式レベル計の検出結果と放射線式レ
ベル計の検出結果とを比較して示すグラフである。本図
に示す如く、放射線レベル計の検出レベルは、実際の溶
湯レベルに略対応する電磁誘導式レベル計の検出レベル
に比較して大きく、両者間の差はパウダ層厚に相当する
。ところが、パウダの投入量は操業条件に応じて異なり
、操業中におけるパウダ層の厚さは変動しているため、
雨検出レベル間の差は、−様ではなく、図に示す如く時
間的に変動している。例えば、図中に破線にて示す目標
レベルを実現すべく溶湯レベル制御が行われており、横
軸にＴとして示す時点において、放射線式レベル計から
電磁誘導式レベル計への溶湯レベル検出器の切換えが行
われた場合、切換え前には、放射線レベル計による検出
レベルに基づいて溶湯レベル制御が行われており、実際
の溶湯レベル（電磁誘導式レベル計の検出レベル）は目
標レベルよりも低く維持されており、しかもパウダ層厚
の影響により変動しているから、切換え後、電磁誘導式
レベル計による検出レベルに基づき溶湯レベルが急増せ
しめられ、次いでこの急増に伴い検出レベルが目標レベ
ルを超えたことにより、溶湯レベルが急減せしめられる
結果、目標レベルを中央として溶湯レベルが高低に変動
する現象が発生するのである。

この変動は、鋳込み開始の際の非定常状態から定常状態
への移行時における放射線レベル計から電磁誘導式レベ
ル計への前述した如き切換えの場合に限って生じるもの
ではなく、例えば、通常の操業中における溶湯レベルの
検出器としての電磁誘導式レベル計と、これの故障時に
おけるバックアップ用としての電磁誘導式レベル計、放
射線式レベル計、又はその他のレベル計とを備えた連続
鋳造設備において、前者から後者への切換えを行った場
合等においても同様に生じ、この変動の間に製造される
鋳片の品質悪化を招来するだけでなく、鋳型からの溶湯
の濡出事故又はブレークアウトの発生にもつながるもの
である。第３図に示す例においては、切換え後に使用さ
れる電磁誘導式レベル計が応答性に優れたものであるた
め、前記変動は比較的速やかに減衰し、また変動幅も比
較的小さいが、切換え後に使用される溶湯レベル検出器
が応答性に劣るものである場合、大きい変動幅が長時間
に亘って継続するため、前記濡出事故及びブレークアウ
トの発生率は高く、この変動を防止することが、安定操
業の実現及び鋳片品質の向上を図る上で重要な課題とな
っている。

本発明は斯かる事情に鑑みてなされたものであり、レベ
ル検出器の切換えを行った場合に生じる溶湯レベルの変
動を防止し、該変動に起因して生じる鋳片品質の悪化、
並びにブレークアウト及び溶湯の濡出事故の発生を確実
に防止できる溶湯レベル制御方法を提供することを目的
とする。

〔課題を解決するための手段〕

本発明に係る連続鋳造における溶湯レベル制御方法は、
連続鋳造用鋳型内の溶湯レベルを検出するレベル検出器
を複数備え、いずれかの検出レベルを用い、前記溶湯レ
ベルを目標レベルに一致せしめるべく制御する溶湯レベ
ル制御方法において、前記レベル検出器相互間にて、使
用、非使用の切換えを行う場合に、この切換え直後にお
ける前記目標レベルを、切換え後に使用するレベル検出
器の切換え前における検出レベルとすることを特徴とす
る。

〔作用〕

本発明においては、複数のレベル検出器の夫々による溶
湯レベルの検出を、これの使用、非使用に拘わらず行い
、レベル検出器の切換え直後には、この切換えの後使用
されるレベル検出器の切換え前における検出レベルを目
標レベルとして、溶湯レベル制御を実施する。

〔実施例〕

以下本発明をその実施例を示す図面に基づいて詳述する
。第１図は本発明に係る連続鋳造における溶湯レベル制
御方法（以下本発明方法という）の実施状態を示す模式
的ブロック図である。

図において、１はタンデイツシュであり、また２は上下
に開口部を有する筒形の鋳型であり、タンデイツシュ１
の下方に適長離隔して配設されている。タンデイツシュ
１の下部には、これの底面に開口し、鋳型２内に適長侵
入させて、浸漬ノズル３が固設してあり、タンデイツシ
ュ１内の溶湯４は、浸漬ノズル３の内部を通流し、所定
の周期にて上下に振動（オソシレーション）している鋳
型２内に注入されている。鋳型２に注入された溶湯４は
、該鋳型２の水冷された内壁面との接触により冷却され
て凝固し、外側を凝固殻５ａにて被覆された鋳片５とな
り、鋳型２の下方に配設されたロール６．６間に挾持さ
れ、これらに案内されつつ、更に下方に配設された図示
しないピンチロールの回転により連続的に引抜かれる。

浸漬ノズル３の中途には、駆動シリンダ７０の進退動作
に応じて開閉するスライディングゲート７が配設してあ
り、タンデイツシュ１から鋳型２への溶湯注入量は、ス
ライディングゲート７の開度に応じて変更できるように
なっている。

鋳型２内にはパウダ８が供給されている。該パウダ８は
、鋳型２に注入される溶湯４の表面に、図示の如く堆積
してこれを被覆し、該表面の酸化及び該表面からの熱放
散の防止作用をなすと共に、鋳型２の内壁面に沿ってこ
れと鋳片５との間に流入し、両者間における潤滑性の改
善作用をなす。

また鋳型２には、これの内部における溶湯レベルを検出
するレベル検出器として、電磁誘専弐レベル計１０と放
射線式レベル計２０とが設けである。

電磁誘導式レベル計１０は、通常操業時における鋳型２
内の溶湯レベルを、これの検出レベルに基づいて制御す
るために用いられ、例えば、高周波電流を通電されて１
次磁界を発生する１次コイルと、これの軸長方向両側に
これと同軸をなして配設された一対の２次コイルとを内
蔵するプローブ１１、及び該プローブ１１の出力信号を
後述の如く変換して出力する信号変換部１２とを備えて
おり、プローブ１１は、各コイルの軸心を鋳型２内の溶
湯表面に略直交させた状態で、鋳型２の上方に、溶湯表
面に臨ませて配設しである。従って、前記１次磁界の作
用により導電体である溶湯４の表面に渦電流が誘導され
、該渦電流に伴って１次磁界と逆向きの２次磁界が生じ
、一対の２次コイルには、両磁界の相互作用により、夫
々の配設位置から溶湯表面までの距離に対応する各別の
端子電圧が発生する。信号変換部１２には、２次コイル
の端子電圧が夫々与えられており、該信号変換部１２は
、これらの差から溶湯レベルを演算し、この演算結果に
対応する電圧信号を溶湯レベル信号として出力する。

一方、放射線式レベル計２０は、鋳込み開始後定常状態
に移行するまでの間における鋳型２内の溶湯レベルを、
これの検出結果に基づいて？ｌＮＩ御するために用いら
れると共に、電磁誘導式レベル計１０の故障時における
バックアップ用として使用されるものであり、鋳型２の
一側に配設され、該鋳型２の内部に向けてγ線を放射す
る線源２１、鋳型２の他側に線源２１と対向させて配設
され、これに到達するＴｖＡ量を計数するシンチレーシ
ョンカウンタ２２、及び該カウンタ２２の出力信号を後
述の如く変換して出力する信号変換部２３を備えてなる
。線源２１から放射されシンチレーションカウンタ２２
に達するＴ線量の多少は、これの伝播経路中に存在する
減衰物質の量、即ち鋳型２内の溶湯４の量に対応するか
ら、シンチレーションカウンタ２２による計数値は鋳型
２内の溶湯レベルの高低に対応する。ＰＭ変換部２３に
は、シンチレーションカウンタ２２による計数値が与え
られており、該信号変換部２３は、この計数値から溶湯
レベルを演算し、この演算結果に相当する電圧を溶湯レ
ベル信号として出力する。

さて、電磁誘導式レベル計１０及び放射線式レベル計２
０から以上の如く発せられる溶湯レベル信号は、両レベ
ル計の使用、非使用を決定し、切換え指令を発する切換
信号発生器３０に与えられていると共に、各別の加算器
３１及び３２に夫々与えられており、また、切換信号発
生器３０からの切換え指令に応じて自動的に切換操作さ
れる切換スイッチ３３を介して、両溶湯レベル信号のい
ずれかがサンプリング回路３４に与えられるようになっ
ている。サンプリング回路３４は、これに入力される信
号を所定のサンプリング間隔にてサンプリングし、例え
ば、現時点以前の所定時間に亘るこのサンプリング値の
移動平均値を求め、目標レベル発生器３５に出力する。

目標レベル発生器３５には、ポテンシオメータを用いて
なり、制御目標とすべき溶湯レベルに相当する電圧の手
動設定が可能な手動設定器３６の出力と、前記切換信号
発生器３０が発する切換え指令信号とが、前記サンプリ
ング回路３４の出力と共に与えられている。目標レベル
発生器３５は、これに切換え指令が与えられた場合に、
そうでない場合と異なる出力信号を発するものであり、
通常時には、手動設定器３６における設定電圧を出力す
るのに対し、切換え指令が与えられた場合、その直後に
はサンプリング回路３４の出力信号を発し、その後、時
間の経過と共に前記設定電圧に徐々に近付く出力信号を
発するようになしてあり、この出力信号は前記加算器３
１．３２に夫々与えられている。即ち、一方の加算器３
１には、目標レベル発生器３５の出力信号と電磁誘導式
レベル計１０が発する溶湯レベル信号とが与えられてお
り、該加算器３１は、両信号の偏差信号を駆動信号発生
器３７に与える。他方の加算器３２も同様の動作をなし
、目標レベル発生器３５の出力信号と放射線レベル計２
０が発する溶湯レベル信号との偏差信号を他の駆動信号
発生器３８に与える。駆動信号発生器３７．３８は、こ
れへの入力信号から、電磁誘４式レベル計１０又は放射
線レベル計２０による検出レベルと、目標レベルとの間
の偏差を夫々認識し、この偏差を解消する方向へ、前記
スライディングゲート７の駆動シリンダ７０を進退動作
させる駆動信号を夫々出力す、る。駆動信号発生器３７
．３８が発する駆動信号は、前記切換信号発生器３０か
らの切換え指令に応じて自動的に切換操作される切換ス
イッチ３９を介してサーボアンプ７１に与えられており
、前記駆動シリンダ７０への圧油送給方向の切換え、即
ちスライディングゲート７の開閉は、サーボアンプ７１
の動作により、切換スイッチ３９の切換位置に応じてこ
れに与えられるいずれかの駆動信号に従って、駆動シリ
ンダ７０に装着された移動位置検出器７２からの位置検
出信号をフィードバック信号として行われるようになっ
ている。

以上の如く構成された制御系の動作につき次に説明する
。鋳込み開始時には、前記切換スイッチ３３．３９は、
夫々図示の切換位置にあり、サンプリング回路３４には
、電磁誘導式レベル計１０からの溶湯レベル信号が与え
られ、サーボアンプ７１には、駆動信号発生器３８から
の駆動信号が与えられるようになっている。鋳込み開始
後、鋳型２内の溶湯レベルが放射線レベル計２０の検出
可能範囲に達するまでの間には、従来法と同様、鋳型２
の上下方向に複数個埋設された図示しない熱電対を用い
てなるレベル検出器により溶湯レベルの上昇状態が監視
されており、溶湯レベルが前記検出可能範囲に達し、放
射線レベル計２０が溶湯レベル信号を発し始めると共に
、駆動信号発生器３８からの駆動信号に従ってサーボア
ンプ７１が前述の動作を開始し、スライディングゲート
７は、放射線レベル計２０からの溶湯レベル信号と目標
レベル発生器３５の出力信号との偏差信号に従って開閉
制御される。この場合、目標レベル発生器３５の出力信
号は、手動設定器３６の設定電圧であり、前記開閉制御
により、鋳型２内の溶湯レベルは、放射線レベル計２０
による検出レベルが、手動設定器３６における設定電圧
、即ち目標レベル１こ一致するように制御される。この
制御が行われている間、電磁誘導式レベル計１０が発す
る溶湯レベル信号、即ら該レベル計１０による検出レベ
ルは、サンプリング回路３４においてサンプリングされ
るのは前述した如くである。

一方、切換信号発生器３０は、この間、放射線レベル計
２０からこれに与えられる溶湯レベル信号を監視してお
り、例えば、この信号の変動量が予め設定された所定量
を下回った場合に、切換スイッチ３３．３９と目標レベ
ル発生器３５とに切換え指令信号を発する。この切換指
令信号に従って、切換えスイッチ３３．３９が共に逆側
に切換えられる結果、以後、サンプリング回路３４には
、放射線式レベル２０からの溶湯レベル信号が与えられ
、またサーボアンプ７１には、他方の駆動信号発生器３
７からの駆動信号が与えられる。また、目標レベル発生
器３５は、前記切換え信号に従って前述した如く動作し
、該信号が与えられると同時に、これの直前におけるサ
ンプリング回路３４の出力信号、即ち、現時点以前の所
定時間に亘ってサンプリングされた電磁誘導式レベル計
１０からの溶湯レベル信号の移動平均値を記憶し、切換
え信号が与えられた直後にはこの平均値に相当する電圧
信号を、その後、時間の経過と共に前記設定電圧に徐々
に近付く出力信号を発する。従って、切換信号発生器３
０からの切換え信号の出力と同時に、サーボアンプ７１
には、駆動信号発生器３７が発する駆動信号に応じて動
作する結果、スライディングゲート７は、放射線レベル
計２０からの溶湯レベル信号と目標レベル発生器３５の
出力信号との偏差信号に従って開閉制御され、鋳型２内
の溶湯レベルは、電磁誘導式レベル計１０による検出レ
ベルが、目標レベル発生器３５の出力信号に相当するレ
ベル、即ち目標レベルに一致するように制御される。こ
の場合の目標レベル発生器３５の出力信号は、切換え信
号発生前における電磁誘導式レベル計１０からの溶湯レ
ベル信号に相当する信号から、手動設定器３６が出力す
る電圧信号型るまで徐々に変化せしめられているから、
前記溶湯レベル制御は、切換え直後には、切換前におけ
る電磁誘導式レベル計１０による検出レベルを目標レベ
ルとして行われ、その後、目標レベルを、手動設定器３
６にて設定された本来の目標レベルに徐々に移行させつ
つ行われる。

第２図はこのようにして本発明方法を実施した場合にお
ける溶湯レベルの変化状態を示すグラフである。

本発明方法においては、放射線式レベル計２０の検出結
果に基づいて溶湯レベル制御が行われている間には、手
動設定器３６における設定電圧に相当する一定の目標レ
ベルを実現すべく溶湯レベル制御が行われており、溶湯
レベルが定常状態に達し、図中にＴとして示す時点にお
いて、放射線レベル２０から電１誘導式レベル計１０へ
の切換えが行われた場合、溶湯制御の目標レベルが、例
えば、時刻Ｔ以前の所定時間ｔ、における電磁誘導式レ
ベル計１０による検出レベルの移動平均値とされ、その
後、図中に破線にて示す如く、所定時間ｔ２が経過する
間に徐々に増加せしめられ、時刻Ｔ以前における目標レ
ベル、即ち前記設定電圧に相当するレベルに至りこれが
保持されるから、電磁誘導式レベル計１０への切換え時
における溶湯レベルの変動は低減する。

制御に使用するレベル検出器の切換え後における目標レ
ベルの変更態様は、本図に示す如き直線的な変更態様に
限るものではなく、例えば、曲線的な変更態様、又は所
定時間毎の段階的な変更態様としてもよい。但し、正規
の目標レベルに復帰するまでの時間ｔ２が過小である場
合、及びこの間における単位時間当たりの変更量が過大
である場合、レベル変動の低減効果が得られないので、
これらは、操業実績に基づいて選定する。例えば、略１
ｍｍ毎の目標レベルの変更を、１０〜１５ｓｅｃ経過の
都度行う段階的変更により、実際上十分な低減効果が得
られている。

実際に、直径２３１關の丸棒状鋳片を製造する連続鋳造
設備にて本発明方法を実施した結果、放射線式レベル計
２０から電磁誘導式レベル計１０への切換え直後におけ
る溶湯レベルの変動は、従来法において±５ｍｍ程度で
あったのに対し、本発明方法においては±２１ＩＩＩＩ
１以内となり、本発明方法は溶湯レベル変動を防止に十
分な効果があることが明らかとなった。この場合、鋳込
み速度が１．５　ｍ／ｍｉｎに達した後、放射線レベル
計２０による検出レベルの変動幅が±５ｍｍ以内となっ
た時点において、溶湯レベルが定常状態に達したと判定
し、電磁誘導式レベル計１０への切換えを行っている。

さて、電磁誘導式レベル計１０への切換え後、サンプリ
ング回路３４においては、放射線レベル計２０が出力す
る溶湯レベル信号のサンプリングが行われており、また
、切換信号発生器３０は、電磁誘導式レベル計１０及び
放射線式レベル計２０が出力する溶湯レベル信号を夫々
監視している。切換信号発生器３０は、両信号間の差が
、予め設定された所定値を超えた場合、再度切換え指令
信号を出力する。

切換信号発生器３０のこの動作は、電磁誘導式レベル計
１０が誤った検出を行った場合の動作であり、前記切換
え指令信号により、前述の説明とは逆に放射線レベル計
２０による検出レベルに基づいて溶湯レベル制御が実施
されるようになり、切換え直後においては、切換え前に
サンプリングされた放射線レベル計２０による検出レベ
ルが目標レベルとされることは言うまでもない。従って
、故障又は周辺の磁場特性の変化等の要因により、電磁
誘導式レベル計ｌＯが誤った溶湯レベル信号を出力し、
バックアップ用としての放射線レベル計２０への切換え
が必要である場合においても、切換え直後における溶湯
レベルの変動はわずかとなる。

なお、本実施例においては、溶湯レベルの検出器として
電磁誘導式レベル計１０と放射線式レベル計２０を用い
、両者間において使用、非使用の切換えを行っているが
、溶湯レベルの検出器としては、これらの他に、レーザ
距離計等の光学式レベル計、静電容量式レベル計等を用
いることができ、同種又は異種のこのようなレベル検出
器を複数備えた連続鋳造設備において本発明方法は適用
可能である。。

また本実施例においては、切換え直後の目標レベルとし
て、切換え前における検出レベルの移動平均値を用いて
いるが、切換え前における所定時点における検出レベル
を用いてもよいことは言うまでもない。

〔効果〕

以上詳述した如く本発明方法においては、複数のレベル
検出器相互間にて、使用、非使用の切換えを行うに際し
、切換え直後における目標レベルを、切換後に使用する
レベル検出器による切換え前の検出レベルとしているか
ら、切換え直後に生じる溶湯レベルの変動を大幅に低減
でき、この変動に起因して生じる鋳型からの溶湯の浴出
及びブレークアウトの虞れがない上、切換え時に製造さ
れる鋳片の表面品質が悪化することもない等、本発明は
優れた効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明方法の実施状態を示す模式的ブロック図
、第２図は本発明方法の実施時における溶湯レベルの変
化状態を示すグラフ、第３図は従来の溶湯レベル制御方
法の実施時における溶湯レベルの変化状態を示すグラフ
である。 ■・・・タンデイツシュ　　２・・・鋳型　　３・・・
浸漬ノズル　　４・・・溶湯　　７・・・スライディン
グゲート１０・・・電磁誘導式レベル計　　１１・・・
放射線式レベル計　　３０・・・切換信号発生器　３３
．３９・・・切換スイッチ　　３４・・・サンプリング
回路　　３５・・・目標レベル発生器　　７０・・・駆
動シリンダ特　許　出願人　　住友金属工業株式会社代
理人　弁理士　　河　　野　　登　　夫第２図 第３図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、連続鋳造用鋳型内の溶湯レベルを検出するレベル検
   出器を複数備え、いずれかの検出レベルを用い、前記溶
   湯レベルを目標レベルに一致せしめるべく制御する溶湯
   レベル制御方法において、 前記レベル検出器相互間にて、使用、非使 用の切換えを行う場合に、この切換え直後における前記
   目標レベルを、切換え後に使用するレベル検出器の切換
   え前における検出レベルとすることを特徴とする連続鋳
   造における溶湯レベル制御方法。