JPH01300528A - 薄膜形成方法 - Google Patents
薄膜形成方法Info
- Publication number
- JPH01300528A JPH01300528A JP13036088A JP13036088A JPH01300528A JP H01300528 A JPH01300528 A JP H01300528A JP 13036088 A JP13036088 A JP 13036088A JP 13036088 A JP13036088 A JP 13036088A JP H01300528 A JPH01300528 A JP H01300528A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- insulating layer
- butoxysilane
- cvd method
- psg
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Local Oxidation Of Silicon (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
薄膜形成方法に係り、特に有機ソースを用いた光ＣＶＤ
法によるＰＳＧ膜等の薄膜形成方法に関し、 ステップカバレージが良好でしかも４５０℃以下の成長
温度で二酸化シリコン（Ｓｉｌｌ□）あるいはリン・ケ
イ酸ガラス（ＰＳＧ）を成長させる方法を提供すること
を目的とし、基板（１）上に形成された絶縁層（２）上
に金属配線層（３）を形成し、露出した該金属配線層（
３）と絶縁層（２）上に、光ＣＶＤ法を用い、デアセト
キシデターシャルブトキシシラン、を供給ガスとしてＳ
ｉＯ□膜を形成するか、あるいは該デアセトキシデター
シャルブトキシシラン及びトリ、メチルフォスヘイトを
供給ガスとしてＰＳＧ膜を形成することを構成とする。
法によるＰＳＧ膜等の薄膜形成方法に関し、 ステップカバレージが良好でしかも４５０℃以下の成長
温度で二酸化シリコン（Ｓｉｌｌ□）あるいはリン・ケ
イ酸ガラス（ＰＳＧ）を成長させる方法を提供すること
を目的とし、基板（１）上に形成された絶縁層（２）上
に金属配線層（３）を形成し、露出した該金属配線層（
３）と絶縁層（２）上に、光ＣＶＤ法を用い、デアセト
キシデターシャルブトキシシラン、を供給ガスとしてＳ
ｉＯ□膜を形成するか、あるいは該デアセトキシデター
シャルブトキシシラン及びトリ、メチルフォスヘイトを
供給ガスとしてＰＳＧ膜を形成することを構成とする。
本発明は薄膜形成方法に係り、特に有機ソースを用いた
光ＣＶＤ法による５ｉｎ２膜及びＰＳＧ膜薄膜形成方法
に関する。
光ＣＶＤ法による５ｉｎ２膜及びＰＳＧ膜薄膜形成方法
に関する。
減圧又は常圧ＣＶＤ （化学的気相成長）法で有機ソー
スとしてテトラエトキシシラン （Ｓ ｉ （ＯＣ２Ｈ５） ４ ；ＴＩＥＤＳ）及び又
はトリメチルフォスヘイト（Ｐ （ＣＨ３） ３ ；Ｔ
ＭＰ）を用いて得られるＣＶＤ ５ｉＯ７膜ＣＶＤ Ｐ
ＳＧ膜はステップカバレージ（ｓｔｅｐ−ｃｏｖｅｒａ
ｇｅ）は優れており耐圧性に富むがその成長温度が６０
０〜７５０℃と高温であるために配線層として例えば融
点が６７０℃のアルミニウム（Ａ１）を使用スるような
場合、温度が高過ぎて使用できない。
スとしてテトラエトキシシラン （Ｓ ｉ （ＯＣ２Ｈ５） ４ ；ＴＩＥＤＳ）及び又
はトリメチルフォスヘイト（Ｐ （ＣＨ３） ３ ；Ｔ
ＭＰ）を用いて得られるＣＶＤ ５ｉＯ７膜ＣＶＤ Ｐ
ＳＧ膜はステップカバレージ（ｓｔｅｐ−ｃｏｖｅｒａ
ｇｅ）は優れており耐圧性に富むがその成長温度が６０
０〜７５０℃と高温であるために配線層として例えば融
点が６７０℃のアルミニウム（Ａ１）を使用スるような
場合、温度が高過ぎて使用できない。
またＳｉＨ＜１０＋／ＰＨ３素テｃＶＤ ５１０２、Ｃ
ＶＤ ＰＳＧを成長させた場合には成長温度は４５０℃
以下とＡＩを使用することが可能であるが、第３図に示
すように常圧ＣＶＤ、減圧ＣＶＤ法でも得られた５ｉＯ
７膜又はＰＳ、Ｇ膜４はステップカバレージが悪い（Ａ
Ｉ配線層３表面の被覆状態が均一でない）ので耐圧性等
の問題を有し、半導体デバイスの信頼性に影響する。第
３図で１はシリコン基板、２は熱酸化により得られた５
ｉ０２膜である。
ＶＤ ＰＳＧを成長させた場合には成長温度は４５０℃
以下とＡＩを使用することが可能であるが、第３図に示
すように常圧ＣＶＤ、減圧ＣＶＤ法でも得られた５ｉＯ
７膜又はＰＳ、Ｇ膜４はステップカバレージが悪い（Ａ
Ｉ配線層３表面の被覆状態が均一でない）ので耐圧性等
の問題を有し、半導体デバイスの信頼性に影響する。第
３図で１はシリコン基板、２は熱酸化により得られた５
ｉ０２膜である。
本発明はステップカバレージが良好でしかも４５０℃以
下の成長温度で５１０２膜あるいはＰＳＧ膜を成長させ
る方法を提供することを目的とする。
下の成長温度で５１０２膜あるいはＰＳＧ膜を成長させ
る方法を提供することを目的とする。
上記課題は本発明によれば基板（１）上に形成された絶
縁層（２）上に金属配線層（３）を形成し、露出した該
金属配線層（３）と絶縁層（２）上に、光ＣＶＤ法を用
い、デアセトキシデターシャルブトキシシラン、を供給
ガスとしてＳｉＯ３膜を形成する薄膜形成方法によって
解決される。
縁層（２）上に金属配線層（３）を形成し、露出した該
金属配線層（３）と絶縁層（２）上に、光ＣＶＤ法を用
い、デアセトキシデターシャルブトキシシラン、を供給
ガスとしてＳｉＯ３膜を形成する薄膜形成方法によって
解決される。
更に上記課題は本発明によれば基板（１）上に形成され
た絶縁層（２）上に金属配線層（３）を形成し、露出し
た該金属配線層（３）と絶縁層（２）上に、光ＣＶＤ法
を用い、デアセトキシデターシャルブトキシシラン、及
びトリメチルフォスヘイトを供給ガスとしてＰＳＧ膜を
形成する薄膜形成方法によって解決される。
た絶縁層（２）上に金属配線層（３）を形成し、露出し
た該金属配線層（３）と絶縁層（２）上に、光ＣＶＤ法
を用い、デアセトキシデターシャルブトキシシラン、及
びトリメチルフォスヘイトを供給ガスとしてＰＳＧ膜を
形成する薄膜形成方法によって解決される。
本発明によれば供給ガスＤＡＤＢＳ ＳＴＭＰ及び０□
は約５００℃で反応し例えば水銀ランプを用いた光ＣＶ
Ｄ法では光のエネルギーによって反応が促進されるので
３００〜４５０℃の低温でもＳｉｎ、、ＰＳＧを均一に
成長させることが可能となる。
は約５００℃で反応し例えば水銀ランプを用いた光ＣＶ
Ｄ法では光のエネルギーによって反応が促進されるので
３００〜４５０℃の低温でもＳｉｎ、、ＰＳＧを均一に
成長させることが可能となる。
以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
第１図は本発明の詳細な説明するための断面横穴図であ
る。
る。
先ず従来方法によりシリコン基板１上に熱酸化によりＳ
ｉｎ、膜２を形成し、次にスパッタ方法によりＡＩをＳ
ｉｎ、膜２上に被着し、パターニングし、ＡＩ配線層３
を形成する。
ｉｎ、膜２を形成し、次にスパッタ方法によりＡＩをＳ
ｉｎ、膜２上に被着し、パターニングし、ＡＩ配線層３
を形成する。
次に得られたＡ１配線シリコン基板を公知の光ＣＶＤ装
置（図示せず）間に配置し、シリコン（Ｓｌ）ソースと
してデアセトキシデターシャルブトキシシラン（（Ｃ４
ＨｓＯ）２（ＣＨ，Ｃ００）２Ｓｉ；ＤＡＤＢＳ） 、
す？／ （Ｐ）ソースとしてトリメチルフォスヘイト（
Ｐ Ｏ（ＱＣＨｚ） ３ ；ＴＭＰ）を反応ガスとして
供給する。
置（図示せず）間に配置し、シリコン（Ｓｌ）ソースと
してデアセトキシデターシャルブトキシシラン（（Ｃ４
ＨｓＯ）２（ＣＨ，Ｃ００）２Ｓｉ；ＤＡＤＢＳ） 、
す？／ （Ｐ）ソースとしてトリメチルフォスヘイト（
Ｐ Ｏ（ＱＣＨｚ） ３ ；ＴＭＰ）を反応ガスとして
供給する。
５ｉｎ２膜形成には０ＡＤＢＳをそしてＰＳＧ膜形成に
は０ＡＤＢＳとＴＭＰをそれぞれ供給ガスとする。０Ａ
ＤＢＳは０２でバブリングし毎分１００〜５００ｃｃ、
ＴＭＰは０□でバブリングし、毎分０〜５００ｃｃ（
Ｏは５ｉｎ２成長の場合）供給した。
は０ＡＤＢＳとＴＭＰをそれぞれ供給ガスとする。０Ａ
ＤＢＳは０２でバブリングし毎分１００〜５００ｃｃ、
ＴＭＰは０□でバブリングし、毎分０〜５００ｃｃ（
Ｏは５ｉｎ２成長の場合）供給した。
光は水銀ランプ、特に低圧水銀ランプを用い、ランプ強
度１００ｍＩＡ／ｃ［Ｉｌ 以上が好ましい。ＰＳＧ
及びＳｉＯ□の成長温度は３００〜４５０℃で可能であ
り圧力は１〜１ＱＱｔｏｒｒとした。
度１００ｍＩＡ／ｃ［Ｉｌ 以上が好ましい。ＰＳＧ
及びＳｉＯ□の成長温度は３００〜４５０℃で可能であ
り圧力は１〜１ＱＱｔｏｒｒとした。
上記条件で得られたＰＳＧ、あるいはＳｉＯ□膜を４で
示す。このＰＳＧあるいは５ｉｎ２膜４はカバレージが
第２図にも示すように従来のＣＶＤ法により成長したＰ
ＳＧ膜等より良好である。第２図に示したアスペクト比
（ｂ／ａ）のａは第１図に示すようにＡＩ配線間の距離
であり、ｂはＡ１配線高さを示しカバレージ（％）は図
中Ｑ／Ｐ Ｘ１００を示す。
示す。このＰＳＧあるいは５ｉｎ２膜４はカバレージが
第２図にも示すように従来のＣＶＤ法により成長したＰ
ＳＧ膜等より良好である。第２図に示したアスペクト比
（ｂ／ａ）のａは第１図に示すようにＡＩ配線間の距離
であり、ｂはＡ１配線高さを示しカバレージ（％）は図
中Ｑ／Ｐ Ｘ１００を示す。
なお本実施例でＴＭＰの代わりにトリメトキシボロン（
Ｂ（ＯＣＨ３）３）＋ （ＴＭＢ）を用いてボロシリケ
ートガラス（ＢＳＧ）を成長させることもできる。
Ｂ（ＯＣＨ３）３）＋ （ＴＭＢ）を用いてボロシリケ
ートガラス（ＢＳＧ）を成長させることもできる。
また、ＴＭＰのかわりにトリエチルフォスヘイ） （Ｐ
Ｏ（ＯＣ２Ｈ５） ＊）を用いることもでき、ＴＭＢの
かわりにトリエトキシボロン（Ｂ（ＯＣ２Ｈ５） ３）
を用いることもできる。これらを用いても、本発明の効
果にかわりはない。
Ｏ（ＯＣ２Ｈ５） ＊）を用いることもでき、ＴＭＢの
かわりにトリエトキシボロン（Ｂ（ＯＣ２Ｈ５） ３）
を用いることもできる。これらを用いても、本発明の効
果にかわりはない。
以上説明したように本発明によれば光ＣＶＤ法を用いて
ステップカバレージが改善できるのでサイドの薄い部分
がなくなりその後の工程において配線の断線を防止でき
、また配線層内の溝が狭い場所では平坦化に寄与し得る
。
ステップカバレージが改善できるのでサイドの薄い部分
がなくなりその後の工程において配線の断線を防止でき
、また配線層内の溝が狭い場所では平坦化に寄与し得る
。
第１図は本発明の詳細な説明するための断面模式図であ
り、 第２図は従来例と本発明のカバレージを比較したグラフ
であり、 第３図は従来技術を説明するた約の断面模式図である。 １・・・シリコン基板、 ２・・・５１０２膜、３・
・・ＡＩ配線、 ４・・・５ｉｎ２又はＰＳＧ膜
。 実施例 第１図 ２・・・Ｓ」０２膜 ４・・Ｓ迫２膜又は Ｐ
ＳＧ膜従来例 第３図
り、 第２図は従来例と本発明のカバレージを比較したグラフ
であり、 第３図は従来技術を説明するた約の断面模式図である。 １・・・シリコン基板、 ２・・・５１０２膜、３・
・・ＡＩ配線、 ４・・・５ｉｎ２又はＰＳＧ膜
。 実施例 第１図 ２・・・Ｓ」０２膜 ４・・Ｓ迫２膜又は Ｐ
ＳＧ膜従来例 第３図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、基板（１）上に形成された絶縁層（２）上に金属配
線層（３）を形成し、露出した該金属配線層（３）と絶
縁層（２）上に、光ＣＶＤ法を用い、デアセトキシデタ
ーシャルブトキシシラン、を供給ガスとして二酸化シリ
コン膜を形成する薄膜形成方法。 ２、基板（１）上に形成された絶縁層（２）上に金属配
線層（３）を形成し、露出した該金属配線層（３）と絶
縁層（２）上に、光ＣＶＤ法を用い、デアセトキシデタ
ーシャルブトキシシラン、及びトリメチルフォスヘイト
を供給ガスとしてリン・ケイ酸ガラス膜を形成する薄膜
形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13036088A JPH01300528A (ja) | 1988-05-30 | 1988-05-30 | 薄膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13036088A JPH01300528A (ja) | 1988-05-30 | 1988-05-30 | 薄膜形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01300528A true JPH01300528A (ja) | 1989-12-05 |
Family
ID=15032518
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13036088A Pending JPH01300528A (ja) | 1988-05-30 | 1988-05-30 | 薄膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01300528A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0551737A1 (en) * | 1991-12-13 | 1993-07-21 | AT&T Corp. | Vapor deposition process for coating articles of manufacture |
| EP0708155A3 (de) * | 1994-10-21 | 1997-07-30 | Basf Ag | Verfahren zur Herstellung von siliciumoxidbeschichteten Feststoffteilchen |
| WO2001029282A3 (en) * | 1999-10-20 | 2001-11-22 | Cvd Systems Inc | Fluid processing system |
-
1988
- 1988-05-30 JP JP13036088A patent/JPH01300528A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0551737A1 (en) * | 1991-12-13 | 1993-07-21 | AT&T Corp. | Vapor deposition process for coating articles of manufacture |
| EP0708155A3 (de) * | 1994-10-21 | 1997-07-30 | Basf Ag | Verfahren zur Herstellung von siliciumoxidbeschichteten Feststoffteilchen |
| WO2001029282A3 (en) * | 1999-10-20 | 2001-11-22 | Cvd Systems Inc | Fluid processing system |
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