JPS6029295B2 - 非単結晶被膜形成法 - Google Patents

非単結晶被膜形成法

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JPS6029295B2
JPS6029295B2 JP54104452A JP10445279A JPS6029295B2 JP S6029295 B2 JPS6029295 B2 JP S6029295B2 JP 54104452 A JP54104452 A JP 54104452A JP 10445279 A JP10445279 A JP 10445279A JP S6029295 B2 JPS6029295 B2 JP S6029295B2
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、基板上に非単結晶半導体層を形成せしめる非
単結晶被膜形成法に関し、特に、半導体光電変換装置、
特に太陽電池を製造する陽合に適用して好適なものであ
る。
アモルファスまたはセミアモルフアス半導体層でなる非
単結晶半導体層を用いて構成された半導体光電変換装置
が、単結晶層または多結晶半導体層を用いて構成された
半導体光電変換装置に比し、非単結晶半導体層が薄くて
済み、従って、半導体材料が少くて済むこと、また、光
電変換効率が高く得られる、ことなどの理由で注目され
ている。
本発明者は、基板上に非単結晶半導体層を形成する方法
として、第１図を伴なつて、次に述べる方法を提案する
に到った。
即ち、反応管１が用いられる。
この反応管１は、ガス導入口によるガス導入部２と、ガ
スプラズマ化領域３と、半導体堆積領域４と、ガス導出
口によるガス導出部５とをそれ等の順に有する。
ガスプラズマ化領域３は、半導体堆積領域４に比し小な
る有効断面積を有し、そのガスプラズマ化領域３の周り
には、例えば１〜１０のＨｚ、例えば２．４晦日ｚのよ
うな比較的高い交番周波数を有するプラズマ用高周波電
磁界をガスプラズマ化領域３に与えるプラズマ用高周波
源６が、配されている。
この高周波源６は、高周波電流の供Ｖ給されるコイルと
し得る。
また、半導体堆積領域４内には、複数の基板７が、例え
ば石英でなるボート８上に、互に平行に植立された状態
で配されている。
基板７は、ステンレス、チタン、室化チタン等でなる導
電性金属基板、シリコン、シリコン窒化物、ゲルマニウ
ムなどでなる半導体基板、アルミナ、ガラス、ェポキシ
樹脂、ポリミイド樹脂などでなる絶縁性基板、絶縁性基
板上に錫酸化物、インジウム酸化物、チタン酸化物など
の透光性酸化物導電・性層を形成してなる基板、絶縁性
基板上に金属導電性層が形成されてなる基板、絶縁性基
板上にＮ型またはＰ型の半導体層が単層または多層に形
成されてなる基板などとし得る。
反応管１の半導体堆積領域４の周りには、基板７の板面
に垂直な向きの、例えば１〜１００ＭＨｚ、例えば１３
．８ＭＨｚのような比較的低い交番周波数を有する配向
用電界を半導体堆積領域４に与える配向用高周波源９が
、配されている。
この高周波源は、高周波源９の供給されるコイルとし得
る。
半導体堆積領域４の周りに配された配向用高周波源９の
周りには、半導体堆積領域４を加熱する、従って基板７
を加熱する加熱用源１０が配されている。
この加熱用源１０は、直流電流の供給されるヒータとし
得る。
反応管１のガス導入部２には、混合ガス導入用管１１の
一端が連結され、その混合ガス導入用管１１には、制御
弁１２，１３，１４，１５及び１６を介して、それぞれ
半導体化合物ガス源１７、Ｎ型不純物化合物ガス源１８
、Ｐ型不純物化合物ガス源１９、導電性材化合物ガス源
２０及びキャリアガス源２１が連結されている。
半導体化合物ガス源１７からは、半導体水素化物ガス、
半導体ハロゲン化物ガス、半導体有機物ガスなどの半導
体化合物ガスＡが得られる。
例えば、シラン（ＳｉＨ４）ガス、ジクロールシラン（
ＳｉＱＣ１２）ガス、トリクロールシラン（ＳｉＨＣ１
３）ガス、四塩化シリコン（ＳＩＣ１４）ガス、四弗化
シリコン（ＳｉＦ４）ガスなどが得られる。Ｎ型不純物
化合物ガス源１８からは、Ｎ型不純物水素イ臼物ガス、
Ｎ型不純物ハロゲン化物などのＮ型不純物化合物ガスＢ
が得られる。
例えば、窒素、燐、枇素、アンチモン、テルル、セレン
などのＮ型不純物化合物ガス、例えばフオスフィン（Ｐ
Ｈ３）ガス、アルシン（Ａｓ比）ガスなどが得られる。
Ｐ型不純物化合物ガス源１９からは、Ｐ型不純物水酸化
物、Ｐ型不純物ハロゲン化物などのＰ型不純物水酸化物
ガスＣが得られる。
例えば、棚素、アルミニウム、ガリウム、インジウム、
セレンなどの水素化物、ハロゲン化物などのＰ型不純物
化合物ガス、例えばジポラン（Ｂ２日６）ガスなどが得
られる。導電性化合物ガス源２０からは、導電性材水酸
化物ガス、導電性材ハロゲン化物ガスなどの導電性材化
合物ガスＤが得られる。
例えば、Ｓ的１２、Ｓｎｃｌ４Ｓｎ（ＯＨ２）、Ｓｎ（
ＯＨ）４、ＱＣｌ４、ＣＣｌ４、ＮＣｌ２、Ｐ比ｌ２、
ＰｂＣｌ４、Ｐｂ（ＯＨ）２、Ｐｂ（ＯＨ）４などのガ
スが得られる。キャリアガス源２１からは、ヘリウム（
Ｈｅ）ガス及びネオン（Ｎｅ）ガスの何れか一方または
双方でなり、または、それを含むガス、例えばヘリウム
ガス及びネオンガスの何れか一方または双方と、水素ガ
スとからなるキャリアガスＥが得られる。
反応管１のガス導出部５には、ガス導出管２２の一端が
連結され、そのガス導出用管２２が、制御弁２３を介し
て排気装置２４に連結されている。
排気装置２４は、制御弁２３及びガス導出用管２２を介
して、反応管１内のガスを吸引する真空ポンプとし得る
。
なお、反応管１内には、そのガスプラズマ化領域３及び
半導体堆積領域４間の位置に、ガスホモジナイザ２５を
配するのを可とする。
上述したように、反応管１の半導体堆積領域４、に基板
７を配し、また、反応管１内のガスを、ガス導出部５、
ガス導出用管２２、及び制御弁２３を通じて、排気装置
２４によって、外部に排出せしめている状態で、反応管
１のガスプラズマ化領域３に、ガス導入部２を通じて、
半導体化合物ガス源１７から制御弁１２を通じて得られ
る半導体化合物ガスＡと、キャリアガス源２１から制御
弁１６を通じて得られるキャリアガスＥとを少くとも含
む混合ガスＦを導入せしめる。
この場合、混合ガスＦには、Ｎ型不純物化合物ガス源１
８から制御弁１３を通じて得られるＮ型不純物化合物ガ
スＢ、またはＰ型不純物化合物ガス源１９より制御弁１
４を通じて得られるＰ型不純物化合物ガスＣを含ませ得
る。
また、混合ガスＦには、導電性材化合物ガス源２０から
制御弁１５を通じて得られる導電性材化合物ガスＤを含
ませ得る。混合ガスＦに含むキャリアガスＥは、混合ガ
ス日こ対して５〜９９％流量％、特に４０〜９の流量％
とし得る。しかして、ガスプラズマ化領域３に導入して
いる混合ガスＦに、プラズマ用高周波源６からの高周波
電磁界を作用せしめ、その混合ガスＦをプラズマ化せし
め、よって、ガスプラズマ化領域３に混合ガスのプラズ
マ化されてなる混合ガスプラズマＧを生成せしめる。
この場合、高周波電磁界としては、１〜 １０に世、例えば２．４昨日ｚの周波数を有する１０〜
３００Ｗの高周波のェネルギを有する高周波電磁界とし
得る。
ガスプラズマ化領域３において、混合ガスＦから混合ガ
スプラズマＧを生成するために用いられる電磁界が、高
い周波数を有する高周波電磁界であることにより、混合
ガスＦが混合ガスプラズマＧにプラズマ化するプラズマ
化率が高い。
また、ガスプラズマ化領域３において生成される混合ガ
スプラズマＧは、混合ガスＦが含んでいるキャリアガス
Ｅのプラズマ化されてなるキャリアガスプラズマと、半
導体化合物ガスＡがプラズマ化されてなる半導体化合物
ガスプラズマとを少くとも含み、そして混合ガスＦが含
んでいるキャリアガスＥは、それがヘリウムガス及びネ
オンガスの何れか一方または双方でなり、またはそれを
含むガスであるため、高い電離ェネルギ、即ちプラズマ
化電圧を有する。
例えば、ヘリウムガスは２４．５７ｅＶの電離ェネルギ
を有し、また、ネオンガスは２１．５生Ｖの電離ェネル
ギを有する。従って、混合ガスプラズマＧが含んでいる
キャリアガスＥが、高いプラズマェネルギを有する。こ
のため、キャリアガスプラズマが、混合ガスＦが含んで
いる半導体化合物ガスのプラズマ化を促進せしめる。従
って、混合ガスＦが含んでいる半導体化合物ガスＡが半
導体化合物ガスプラズマにプラズマ化するプラズマ化率
が高い。よって、ガスプラズマ化領域３において生成さ
れる混合ガスプラズマＧが含んでいる半導体化合物ガス
プラズマの流量は、ガスプラズマ化領域３における全体
のガス流量に対して、高い割合を有する。
次で、上述したように生成される混合ガズプズマＧを、
反応管１内のガス導出部５、ガス導出用管２２及び制御
弁２３を介して排気装置２４によって外部に排出せしめ
ていることによって、ガスホモジナィザ２５を介して、
半導体堆積領域４に流入せしめる。
このように混合ガスプラズマＧを、半導体堆積領域４に
流入せしめていることにより、その半導体堆積領域４に
配されている基板７の表面上に、半導体が堆積される。
この場合、反応管１内に導入される混合ガスＦの流量、
特に混合ガスＦが含んでいるキャリアガスＥの流量を、
制御弁１６の調整によって予め制御し、且つ反応管１か
らガス導出部５を通じて外部に導出されるガスの流量を
、制御弁２３の調整により予め制御し、これにより、反
応管１内を、１気圧以下の低圧状態になさしめている。
また基板７を、その上に堆積される半導体が結晶半導体
として得られる温度以下の温度、例えば室温〜７００午
Ｃの比較的低い温度になさしめている。基板を室温の温
度とする場合、加熱用源１０を用いる必要はないが、室
温より高い温度とする場合、加熱用源１０を用いて基板
７を加熱せしめる。さらに、配向用高周波源９からの基
板７の板面に対して垂直方向の配向用高周波電磁界によ
つて、基板７への半導体の堆積を促進せしめている。
上述したように、半導体堆積領域４において、反応管１
内を低圧状態としている状態で、且つ基板７を比較的低
い温度としている状態で、基板７の表面上に半導体を堆
積せしめることにより、基板７上に、目的とする非単結
晶半導体層が形成される。
以上が、本発明者の提案するに至った、基板上に非単結
晶半導体層を形成する方法の一例である。
また、本発明者は、基板上に非単結晶半導体層を形成す
る方法として、第２図を伴なつて、次に述べる方法も提
案するに到った。
第２図において、第１図との対応部分には同一符号を付
して詳細説明は省略するが、第２図の場合は、第１図に
おいて、その反応管１の半導体堆積領域４の周りに配さ
れている配向用高周波源９が省略され、しかしながら、
反応管１の半導体堆積領域４内に、裏面が互いに重ね合
わされた２枚の基板７の粗の複数が、互に平行に配され
、また、反応管１の相隣る裏面が互いに重ね合わされた
２枚の基板７の粗間に、メッシュ状または格子状若しく
はすだれ状の電極３１が、基板７と平行に配され、しか
して、そのメッシュ電極３１と、裏面が互いに重ね合わ
された２枚の基板７の縄との間に、ボート８を介して、
配向用直流源３２が接続され、これにより、基板７の板
面に垂直な向きの配向用直流電界を与えるようになされ
ていることを除いて、第１図の場合と同様である。
ただし、この場合、ボート８及び２枚の基板７の粗が、
電気的に配向用直流源３２に連結されるているように、
導電性を有するかまたは導電性層を有している。しかし
て、上述したように、反応管１の半導体堆積領域４に、
基板７を配し、また、反応管１内のガスを、第１図の場
合と同様に外部に排出せしめている状態で、反応管１の
ガスプラズマ化領域３に、第１図の場合と同様に、ガス
導入部２を通じて、半導体化合物ガスＡと、キャリアガ
スＥとを少くとも含んでいる混合ガスＦを導入せしめる
。
しかして、その混合ガスＦに、第１図の場合と同様に、
高周波電磁界を作用せしめ、その混合ガスＦをプラズマ
化せしめ、よって、ガスプラズマ化領域３に、混合ガス
プラズマＧを生成せしめる。
次に、上述したようにして生成される混合ガスプラズマ
Ｇを、第１図の場合と同様に、半導体堆積領域４に流入
せしめ、これにより、第１図の場合と同様に、基板７の
表面上に、半導体を堆積せしめる。
この場合、反応管１内を、第１図の場合と同様に、低圧
状態になさしめ、且つ基板７を、第１図の場合と同様に
、低い温度になさしめ、よつて、基板７上に、第１図の
場合と同様に非単結晶半導体層を形成せしめる。ただし
、この場合、配向用直流源３２からの、基板７の板面に
対して垂直方向の鼓向用直流電界によって、半導体堆積
領域４内における混合ガスプラズマを、基板７側に配向
せしめ、よって、基板７に堆積される半導体イオンを、
基板７側に加速せしめ、基板７の半導体の堆積を促進せ
しめている。
以上が、本発明者が提案した、基板上に非単結晶半導体
層を形成する方法の他の例である。
第１図及び第２図で上述した、基板上に非単結晶半導体
層を形成する方法によれば、基板７上に、非単結晶半導
体層を、比較的容易に、且つ良質に形成することができ
る。しかしながら、第１図及び第２図で上述した何れの
方法も、反応管１内に、基板７を、その表面が反応管１
内で得られるガスプラズマの流れに対して直交する方向
に延長するように配して、基板７上に、非単結晶半導体
層を形成するようにしている。
このため、第１図及び第２図で上述した何れの方法も、
反応管１内で得られるガスプラズマを、基板７の表面に
、むらなく接触させ得ず、このため、非単結晶半導体層
をむらなく形成することができない。
という欠点を有していた。また、第２図で上述した方法
の場合、反応管１内に、少くとも２枚の基板７を、それ
らの裏面が互いに重ね合わされた状態に配され、従って
、２枚の基板７の表面のみが、反応管１内で得られるプ
ラズマガスに触れるように、配して、２枚の基板７の表
面のみに、非単結晶半導体層を形成するようにしている
ので、基板７の裏面に不必要な非単結晶半導体層が形成
されない。
このため、爾後、その非単結晶半導体層を除去する必要
がない。また、非単結晶半導体層を形成するための原料
ガスが、基板７の表面のみで消費され−るので、少し、
原料ガスの量で、目的とする非単結晶半導体層を形成し
得る。従って、量産性に優れているということができる
。しかしながら、第１図で上述した方法の場合、各基板
７が、その表面及び裏面の双方が反応管１内で得られる
ガスブラズマに触れるように、配されるので、第２図の
場合の上述した特徴が得られない、という欠点を有して
いた。
よって、本発明は、上述した欠点のない、新規な非単結
晶被膜形成法を提案せんとするものである。
第３図は、本発明による非単結晶被膜形成法の実施例を
示す。
本例は、基板上に、Ｐ型非単結晶半導体層と、１型（真
性）非単結晶半導体層と、Ｎ型非単結晶半導体層とを、
それらの順に順次形成する場合の実施例である。
第３図において、第１図及び第２図との対応部分には同
一符号を付して詳細説明を省略する。
本発明による非単結晶被膜形成法の実施例においては、
第１図で上述した反応管１の４つが、半導体堆積領域４
において開閉板４１を介して順次互に蓮適するように、
積重ねられて、順次、第１、第２、第３及び第４の反応
部１、Ｄ、ｍ及びＷが構成されている構成を有する。こ
の場合、反応部１に対するガス源は、第１図の場合のＮ
型不純物化合物ガス源１８が省略されたガス源でなり、
制御弁５０を介して反応部１に連結されている。
また、反応部ローこ対するガス源は、第１図の場合のＮ
型不純物化合物ガス源１８及びＰ型不純物化合物ガス源
１９が省略されたガス源でなり、同様に、制御弁５０を
介して反応部ローこ連結されている。
さらに、反応部ｍに対するガス源は、第１図の場合のＰ
型不純物化合物ガス源１９が省略されたガス源でなり、
同様に、制御弁５０を介して反応部ｍに連結されている
。
なおさらに、反応部Ｗに対するガス源は、キャリアガス
源２１′のみのガス源でなり、同様に、制御弁５０を介
して反応部Ｗに連結されている。
また反応部１は、非単結晶半導体層の形成せられるべき
基板７を樟立しているボート８を、反応部１の半導体堆
積領域４に挿入するために設けられている室４２に、反
応部０側とは反対側で、開閉板４３を介して蓮適してい
る。さらに、反応部Ｗは、非単結晶半導体層の形成され
た基板７を楯立しているボート８を反応部Ｗの半導体堆
積領域４より取出すために設けられている室４４に、反
応部ｍ側とは反対側で、開閉板４５を介して蓮適してい
る。
室４２及び４４には、それぞれ制御弁４６及び４７を介
して、第１図及び第２図で上述した排気装贋２４と同様
の排気装贋４８及び４９が連結されている。しかして、
排気装置４８によって排気されている室４２に予め配さ
れていた、基板７を棺立しているボート８が、開閉板４
３を開いて、反応部１の半導体堆積領域４内に挿入され
る。
この場合、基板７は、その２枚づっとった粗に関し、そ
の２枚の基板７が、第２図で上述した方法の場合と同様
に、裏面が互いに重ね合わされた状態に、ボート８に楯
立されている。
従って、２枚の基板７が、それらの表面のみが後述する
ように、反応部内に配された場合、その反応部内で得ら
れるガスの流れに触れるように、ボート８に植立されて
いる。また、ボート８は、上述したように植立させてい
る２枚の基板７が、後述するように、反応部１内に配さ
れた場合、その２枚の基板７の表面が反応部１内で得ら
れているガスの流れに沿う方向に延長するように、反応
部１の半導体堆積領域４内に挿入される。
さらに、この場合の挿入は、反応部１内が全く排気され
ているか、キャリアガスＥのみが流れている状態でなさ
れる。
次で、反応部１の半導体堆積領域４内で、詳細説明は省
略するが、第１図で上述した方法に準じた方法で、２枚
の基板７の表面上のみに、Ｐ型非単結晶半導体層を形成
する。
反応部０の半導体堆積領域４内には、反応部１からのＰ
型非単結晶半導体層を形成している基板７を植立してい
るボート８が、開閉板４１を開いて挿入される。
この場合の挿入は、反応部１及びロ内が全く排気されて
いるが、キャリアガスＥのみが流れている状態でなされ
る。次で、反応部ロの半導体堆積領域４内で、詳細説明
は省略するが、第１図で上述した方法に準じた方法で、
Ｐ型非単結晶半導体層上に、１型非単結晶半導体層を形
成する。
反応部ｍの半導体堆積領域４には、反応部ロからのＰ型
非単結晶半導体層及び１型非単結晶半導体層をそれ等の
順に形成している基板７を楯立しているボート８が、開
閉板４１を開いて挿入される。
この場合の挿入もまた、反応部ロ及びｍ内が全く排気さ
れているか、またはキャリアガスＥのみが流れている状
態でなされる。次で、反応部ｍの半導体堆積領域４内で
、詳細説明は省略するが、第１図で上述した方法に準じ
た方法で、１型非単結晶半導体層上に、Ｎ型非単結晶半
導体層を形成する。
反応部Ｗの半導体堆積領域４には、反応部ｍからのＰ型
非単結晶半導体層、１型非単結晶半導体層及びＮ型非単
結晶半導体層をそれ等の順に形成している基板７を楯立
しているボート８が、開閉板４１を開いて挿入される。
この場合の挿入も、反応部ｍ及びＷ内が全く排気されて
いるか、またはキャリアガズＥ及び８がそれぞれ流れて
いる状態でなされる。次で、反応部Ｗの半導体堆積領域
４において、キャリアガスＥ′のガスプラズマ化領域３
でプラズマ化されたキャリアガスプラズマによって、基
板７上に形成されているＰ型非単結晶半導体層、１型非
単結晶半導体層及びＮ型非単結晶半導体層をアニールす
る。
室４４には、反応部ＷからのＰ型非単結晶半導体層、１
型非単結晶半導体層及びＮ型非単結晶半導体層をそれ等
の順に順次積層形成している基板７を桶立させているボ
ート８が、開閉板４５を開いて、挿入される。
この場合の挿入も、反応部Ｗ及び室４４が全く排気され
ているか、またはキャリアガスＥ′が流れている状態で
なされる。以上のようにして、室４４から、目的とする
、Ｐ型非単結晶半導体層、１型非単結晶半導体層及びＮ
型非単結晶半導体層をそれ等の順に積層形成している基
板７を、外部に取出す。以上で、本発明による非単結晶
被膜形成法の一例が明らかとなった。
このような本発明による非単結晶被膜形成法は、反応管
１内に、少くとも２枚の基板７を、それらの裏面が互い
に重ね合わされ、２枚の基板７の表面のみが、反応管１
内で得られるガスの流れに触れるように、且つ２枚の基
板の表面が、反応管１内で得られるガスの流れに沿う方
向に延長するように、配した状態で、２枚の基板７の表
面上のみに、被膜原料ガスを用いたプラズマ堆積法によ
って、非単結晶被膜を堆積形成させるというものである
。
このため、本発明による非単結晶被膜形成法によれば、
２枚の基板７の裏面上に、不必要な非単結晶被膜が形成
されないので、爾後、これを除去する必要がない。
また、２枚の基板７の表面が、反応管１内で得られるガ
スの流れに沿う方向に延長しているので、そのガスが、
２枚の基板の表面に、むらなく接触し、このため、非単
結晶被膜を、むらなく形成することができる。
さらに、被膜原料ガスが、２枚の基板の表面のみで消費
されるので、少ない被膜原料ガスの量で、目的とする非
単結晶被膜を形成することができ、量産性に優れている
、などの大なる特徴を有する。
なお、上述に於いては、被膜原料ガスとして半導体原料
ガスを用いて、非単結晶半導体層を、非単結晶薄膜とし
て形成する場合の実施例を述べたが、被膜原料ガスとし
て導体ガスを用いて、非単結晶薄膜を、非単結晶導体層
として形成することもでき、その他、本発明の精神を脱
することなしに、種々の変型、変更をなし得るであろう
。
【図面の簡単な説明】
第１図は、本発明の基礎となる非単結晶被膜形成法の一
例及びそれに用いる装置の一例を示す略線図である。 第２図は、本発明の基礎となる非単結晶被膜形成法の他
の例及びそれに用いる装置の一例を示す略線図である。
第３図は、本発明による非単結晶被膜形成法の一例及び
それに用いる装置の一例を示す略線図である。１・・・
・・・反応管、２・・・・・・ガス導入部、３・・・・
・・ガスプラズマ化領域、４・・・・・・半導体堆積領
域、５・・・・・・ガス導出部、７・・・…基板、８・
…・・ボート、９・・・・．・配向用高周波源、１０・
・・・・・加熱用源、１１・・・・・・混合ガス導入管
、１２〜１６，１６′・・・・・・制御弁、１７・・・
・・・半導体化合物ガス源、１８・…・・Ｎ型不純物化
合物ガス源、１９・・・・・・Ｐ型不純物化合物ガス源
、２０・・・・・・導電性村化合物ガス源、２１，２１
′・・・・・・キャリアガス源、２２・・・・・・ガス
導出用管、２３・・・・・・制御弁、２４・・…・排気
装置、２５・・・・・・ガスホモジナィザ、３１・・・
・・・電極、３２・・・・・・記向用直流源、４１・・
・・・・開閉板、１、０、ｍ、Ｗ…・・・反応部、４２
，４４・・・・・・室、４６，４７…・・・制御弁、４
８，４９・・・・・・排気装置。 第１図 第２図 第３図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １ ガス導入部と、ガス導出部とを有する反応管を使用
    し、 上記反応管内に、少くとも２枚の基板を、それら
    の裏面が互いに重ね合わされ、上記２枚の基板の表面の
    みが上記反応管内で得られるガスの流れに触れるように
    、且つ上記２枚の基板の表面が上記反応管内で得られる
    ガスの流れに沿う方向に延長するように配した状態で、
    且つ 上記反応管内のガスを、上記ガス導出部を通じて
    外部に導出せしめている状態で、 上記反応管内に、上
    記ガス導入部を通じて、被膜原料ガスを導入せしめ、
    上記反応管内において、上記被膜原料ガスをプラズマ化
    せしめ、上記反応管内に、上記被膜ガスのプラズマ化さ
    れたガスプラズマの流れを生成せしめ、これにより、上
    記２枚の基板の表面上のみに、被膜原料を堆積せしめ、
    よつて、上記２枚の基板の表面上のみに、非単結晶被膜
    を形成せしめることを特徴とする非単結晶被膜の形成法
    。 ２ 特許請求の範囲第１項記載の非単結晶被膜形成法に
    おいて、上記被膜原料ガスが半導体ガスでなり、よつて
    、上記２枚の基板の第１の主面上のみに、半導体を堆積
    せしめて、上記非単結晶被膜を、非単結晶半導体層とし
    て形成させることを特徴とする非単結晶被膜形成法。 ３ 特許請求の範囲第１項記載の非単結晶被膜形成法に
    おいて、上記被膜原料ガスが導体ガスでなり、よつて、
    上記２枚の基板の表面上のみに、導体を堆積せしめて、
    上記非単結晶被膜を、非単結晶導体層として形成させる
    ことを、特徴とする非単結晶被膜形成法。
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