JPH0130108B2 - - Google Patents
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- JPH0130108B2 JPH0130108B2 JP59252595A JP25259584A JPH0130108B2 JP H0130108 B2 JPH0130108 B2 JP H0130108B2 JP 59252595 A JP59252595 A JP 59252595A JP 25259584 A JP25259584 A JP 25259584A JP H0130108 B2 JPH0130108 B2 JP H0130108B2
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01L—CHEMICAL OR PHYSICAL LABORATORY APPARATUS FOR GENERAL USE
- B01L13/00—Cleaning or rinsing apparatus
- B01L13/02—Cleaning or rinsing apparatus for receptacle or instruments
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01L—CHEMICAL OR PHYSICAL LABORATORY APPARATUS FOR GENERAL USE
- B01L3/00—Containers or dishes for laboratory use, e.g. laboratory glassware; Droppers
- B01L3/04—Crucibles
Landscapes
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Clinical Laboratory Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Investigating Or Analyzing Non-Biological Materials By The Use Of Chemical Means (AREA)
- Investigating And Analyzing Materials By Characteristic Methods (AREA)
- Devices For Use In Laboratory Experiments (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、金属又は非金属試料中に含まれる元
素分析装置等に使用されるるつぼを空焼きする装
置に関する。
素分析装置等に使用されるるつぼを空焼きする装
置に関する。
（従来の技術）
例えば、試料中に含まれるＣ、Ｓ等の元素分析
は、セラミツク製のるつぼ内に試料を入れ、高周
波炉又は電気抵抗炉内において酸素を供給しなが
ら前記試料を燃焼させ、酸化によつて生ずるCR、
CO2、SO2等の気体を赤外線ガス分析計によつて
検出し、その濃度からＣ、Ｓの含有量を測定して
いる。
は、セラミツク製のるつぼ内に試料を入れ、高周
波炉又は電気抵抗炉内において酸素を供給しなが
ら前記試料を燃焼させ、酸化によつて生ずるCR、
CO2、SO2等の気体を赤外線ガス分析計によつて
検出し、その濃度からＣ、Ｓの含有量を測定して
いる。
この場合、分析結果に誤差を生じさせないため
には、試料容器であるるつぼは可及的に清浄（有
機物等の不純物を含んでいたり、ダスト等に汚染
されてないこと）であることが要求される。
には、試料容器であるるつぼは可及的に清浄（有
機物等の不純物を含んでいたり、ダスト等に汚染
されてないこと）であることが要求される。
従来、上記分析に供されるるつぼはマツフル炉
において一度に数十個加熱（約1000℃、約30分
間）され空焼きされた後、デシケータ内に移し替
えて冷却し保管されていた。しかしながら、上述
の従来技術においてはマツフル炉からデシケータ
へ移し替える際や、デシケータの開閉時に空焼き
処理済のるつぼが有機物やダスト及び大気中の
CO2等により汚染されるおそれがあり、また、マ
ツフル炉等の開閉操作等に手間がかかり、高度の
熟練度が必要であつた。
において一度に数十個加熱（約1000℃、約30分
間）され空焼きされた後、デシケータ内に移し替
えて冷却し保管されていた。しかしながら、上述
の従来技術においてはマツフル炉からデシケータ
へ移し替える際や、デシケータの開閉時に空焼き
処理済のるつぼが有機物やダスト及び大気中の
CO2等により汚染されるおそれがあり、また、マ
ツフル炉等の開閉操作等に手間がかかり、高度の
熟練度が必要であつた。
（発明が解決しようとする問題点）
本発明は、上述の事柄に留意してなされたもの
で、その目的とするところは、高度の熟練度がな
くても分析に供しうる空焼きしたるつぼを得るこ
とができ、空焼き処理後のるつぼを汚染させるこ
となく保管し、必要に応じて取り出すことができ
るようにしたるつぼ空焼き装置を提供することに
ある。
で、その目的とするところは、高度の熟練度がな
くても分析に供しうる空焼きしたるつぼを得るこ
とができ、空焼き処理後のるつぼを汚染させるこ
となく保管し、必要に応じて取り出すことができ
るようにしたるつぼ空焼き装置を提供することに
ある。
（問題点を解決するための手段）
上述の目的を達成するため、本発明に係るるつ
ぼ空焼き装置は、るつぼを加熱し空焼きする加熱
管と、該加熱管の入口側に着脱自在に設けられ、
るつぼを前記加熱管内に送り出するつぼ送出装置
と、該るつぼ送出装置の所定位置にるつぼを供給
すべく前記るつぼ送出装置に着脱自在に設けられ
るるつぼカセツトと、前記加熱管の出口側に設け
られ、空焼き処理後のるつぼを保持するるつぼ保
持部とから成り、更に、前記るつぼ保持部に空焼
き処理後のるつぼの有無を検出するるつぼ検出装
置と、前記加熱管内への酸素及び前記るつぼ保持
部内のパージ用酸素の導入口と、るつぼ取出口と
を形成すると共に、前記るつぼ検出装置の検出信
号に基づいて前記るつぼ送出装置を制御するよう
にしたことを特徴としている。
ぼ空焼き装置は、るつぼを加熱し空焼きする加熱
管と、該加熱管の入口側に着脱自在に設けられ、
るつぼを前記加熱管内に送り出するつぼ送出装置
と、該るつぼ送出装置の所定位置にるつぼを供給
すべく前記るつぼ送出装置に着脱自在に設けられ
るるつぼカセツトと、前記加熱管の出口側に設け
られ、空焼き処理後のるつぼを保持するるつぼ保
持部とから成り、更に、前記るつぼ保持部に空焼
き処理後のるつぼの有無を検出するるつぼ検出装
置と、前記加熱管内への酸素及び前記るつぼ保持
部内のパージ用酸素の導入口と、るつぼ取出口と
を形成すると共に、前記るつぼ検出装置の検出信
号に基づいて前記るつぼ送出装置を制御するよう
にしたことを特徴としている。
このように構成したことにより、空焼き工程と
保管との間において、空焼き処理後のるつぼが外
気等に直接ふれることがなく、しかもるつぼ保持
部においては酸素のパージを受けながら保管され
るので、該るつぼが汚染されることがなくなる。
保管との間において、空焼き処理後のるつぼが外
気等に直接ふれることがなく、しかもるつぼ保持
部においては酸素のパージを受けながら保管され
るので、該るつぼが汚染されることがなくなる。
（実施例）
以下、本発明の一実施例を図面に基づいて説明
する。
する。
第１図Ａ，Ｂは本発明に係るるつぼ空焼き装置
の概要を示し、第１図Ａは平面図、第１図Ｂは正
面図であり、第２図は前記装置の要部縦断面図、
第３図は第２図の部分拡大図である。
の概要を示し、第１図Ａは平面図、第１図Ｂは正
面図であり、第２図は前記装置の要部縦断面図、
第３図は第２図の部分拡大図である。
１は空焼き炉で、その内部には略水平に加熱管
２が設けられている。前記加熱管２は後述するる
つぼ送出装置６によつて送り出されるセラミツク
製のるつぼ（外径25mm、長さ25mm）Ｃを加熱し、
空焼きするもので、内径が前記るつぼＣの外径よ
りやや大きく設定された磁器製のパイプ（l1＝約
600mm）より成る。そして、この加熱管２の略中
央部にはニクロム線等のヒータＨを設けた加熱エ
リア３が形成されている。この加熱エリア３の長
さl2は約300mmで、約1000℃になるようにヒータ
加熱される。加熱管２全体としては、内部温度が
入口側２ａが低く、加熱エリア３に近ずくに従つ
て高くなり、出口側２ｂに近ずくに従つて低くな
るよう構成されている。４は断熱材で、５はゴム
脚である。
２が設けられている。前記加熱管２は後述するる
つぼ送出装置６によつて送り出されるセラミツク
製のるつぼ（外径25mm、長さ25mm）Ｃを加熱し、
空焼きするもので、内径が前記るつぼＣの外径よ
りやや大きく設定された磁器製のパイプ（l1＝約
600mm）より成る。そして、この加熱管２の略中
央部にはニクロム線等のヒータＨを設けた加熱エ
リア３が形成されている。この加熱エリア３の長
さl2は約300mmで、約1000℃になるようにヒータ
加熱される。加熱管２全体としては、内部温度が
入口側２ａが低く、加熱エリア３に近ずくに従つ
て高くなり、出口側２ｂに近ずくに従つて低くな
るよう構成されている。４は断熱材で、５はゴム
脚である。
６は加熱管２の入口側２ａに着脱自在に設けら
れるるつぼ送出装置（以下、送出装置という）
で、空焼き炉１のフランジ１ａに蝶番７等によつ
て水平方向（第１図Ａにおける矢印Ｐ、Ｑ方向）
に揺動自在に取付けられた支持台８の平面上に設
けられている。前記送出装置６はプランジヤー９
とこのプランジヤー９を水平方向に駆動する駆動
部１０とから成る送出機構部１１と、るつぼＣを
所定位置にセツトしこれを送出する送出ブロツク
１２とから成る。前記駆動部１０としてはソレノ
イド方式のほかシリンダー方式、モータークラン
ク方式のものを採用することができる。９ａはプ
ランジヤー９を手動操作するためのハンドルであ
る。
れるるつぼ送出装置（以下、送出装置という）
で、空焼き炉１のフランジ１ａに蝶番７等によつ
て水平方向（第１図Ａにおける矢印Ｐ、Ｑ方向）
に揺動自在に取付けられた支持台８の平面上に設
けられている。前記送出装置６はプランジヤー９
とこのプランジヤー９を水平方向に駆動する駆動
部１０とから成る送出機構部１１と、るつぼＣを
所定位置にセツトしこれを送出する送出ブロツク
１２とから成る。前記駆動部１０としてはソレノ
イド方式のほかシリンダー方式、モータークラン
ク方式のものを採用することができる。９ａはプ
ランジヤー９を手動操作するためのハンドルであ
る。
前記送出ブロツク１２には水平方向に貫通する
横孔１２ａと、この横孔１２ａに略直交する堅穴
１２ｂとが設けられている。横孔１２ａの一方の
開口には、プランジヤー９が挿抜され、他方の開
口には加熱管２の入口側が接続される。
横孔１２ａと、この横孔１２ａに略直交する堅穴
１２ｂとが設けられている。横孔１２ａの一方の
開口には、プランジヤー９が挿抜され、他方の開
口には加熱管２の入口側が接続される。
１３は前記送出ブロツク１２に着脱自在に接続
され、内部に20〜30個のるつぼＣを収容しうる空
間を有する外形が略直方体状を呈するるつぼカセ
ツト（以下、カセツトという）で、第３図に示す
ように、一端にはるつぼＣを保持する当り部とし
ての底蓋１３ａが設けられ、この底蓋１３ａ側の
相対向する側壁の一方にはプランジヤー挿抜口１
３ｂ、他方にはるつぼ出口１３ｃがそれぞれ開設
されている。前記カセツト１３の送出ブロツク１
２への接続は、該ブロツク１２の堅穴１２ｂにカ
セツト１３の底蓋側を挿入し、底蓋１３ａが横孔
１２ａの底部に当接するようにし、その状態で固
定ネジ１４によつて固定する。なお、１５はカセ
ツト１３内のるつぼの有無を検知するるつぼセン
サである。
され、内部に20〜30個のるつぼＣを収容しうる空
間を有する外形が略直方体状を呈するるつぼカセ
ツト（以下、カセツトという）で、第３図に示す
ように、一端にはるつぼＣを保持する当り部とし
ての底蓋１３ａが設けられ、この底蓋１３ａ側の
相対向する側壁の一方にはプランジヤー挿抜口１
３ｂ、他方にはるつぼ出口１３ｃがそれぞれ開設
されている。前記カセツト１３の送出ブロツク１
２への接続は、該ブロツク１２の堅穴１２ｂにカ
セツト１３の底蓋側を挿入し、底蓋１３ａが横孔
１２ａの底部に当接するようにし、その状態で固
定ネジ１４によつて固定する。なお、１５はカセ
ツト１３内のるつぼの有無を検知するるつぼセン
サである。
１６は加熱管２の出口側２ｂに設けられ、空焼
き処理後のるつぼC′を保持するるつぼ保持部（以
下、保持部という）で、シヤツタ付の取出口１７
と前記るつぼC′の有無を検知するるつぼ検出装置
１８と、酸素の導入口１９とが設けられている。
前記シヤツタはロツクレバー１７ａによつて開閉
されるように構成されている。前記るつぼ検出装
置１８は、例えば保持部１６に空焼き処理後のる
つぼC′が２個たまると検出信号を出力するよう構
成されている。前記導入口１９は図外の酸素ガス
源に接続され、この導入口１９から保持部１６内
に導入された酸素は前記加熱管２内に案内され、
るつぼＣの空焼きに供されて空焼き効果を高める
とともに、保持部１６内をパージして空焼き処理
後のるつぼC′が外気等によつて汚染されるのを防
止する。
き処理後のるつぼC′を保持するるつぼ保持部（以
下、保持部という）で、シヤツタ付の取出口１７
と前記るつぼC′の有無を検知するるつぼ検出装置
１８と、酸素の導入口１９とが設けられている。
前記シヤツタはロツクレバー１７ａによつて開閉
されるように構成されている。前記るつぼ検出装
置１８は、例えば保持部１６に空焼き処理後のる
つぼC′が２個たまると検出信号を出力するよう構
成されている。前記導入口１９は図外の酸素ガス
源に接続され、この導入口１９から保持部１６内
に導入された酸素は前記加熱管２内に案内され、
るつぼＣの空焼きに供されて空焼き効果を高める
とともに、保持部１６内をパージして空焼き処理
後のるつぼC′が外気等によつて汚染されるのを防
止する。
次に上述のように構成したるつぼ空焼き装置の
作動について説明する。支持台８を第１図Ａの実
線位置に固定し、送出装置６を加熱管２の入口側
に接続し、ヒータＨに通電を行なう。次いで、る
つぼＣを20〜30個収容したカセツト１３を送出装
置６の送出ブロツク１２に接続し、固定ネジ１４
で固定する。この状態にあるとき、カセツト１３
内の最下位のるつぼC1は、第３図に示すように、
その中心線CL1がプランジヤー９のセンターCL2
と一致する状態で待機する。ここで、駆動部１０
としてのソレノイドが励磁されると、プランジヤ
ー９が右方へ所定ストローク（るつぼＣの全長）
移動し、これによつて前記るつぼC1は１ストロ
ーク分だけ右方へ移動する。前記プランジヤー９
は直ちに左方に復帰し、次のるつぼC2が自重に
より落下して、上述と同様に待機状態となる。
作動について説明する。支持台８を第１図Ａの実
線位置に固定し、送出装置６を加熱管２の入口側
に接続し、ヒータＨに通電を行なう。次いで、る
つぼＣを20〜30個収容したカセツト１３を送出装
置６の送出ブロツク１２に接続し、固定ネジ１４
で固定する。この状態にあるとき、カセツト１３
内の最下位のるつぼC1は、第３図に示すように、
その中心線CL1がプランジヤー９のセンターCL2
と一致する状態で待機する。ここで、駆動部１０
としてのソレノイドが励磁されると、プランジヤ
ー９が右方へ所定ストローク（るつぼＣの全長）
移動し、これによつて前記るつぼC1は１ストロ
ーク分だけ右方へ移動する。前記プランジヤー９
は直ちに左方に復帰し、次のるつぼC2が自重に
より落下して、上述と同様に待機状態となる。
上記プランジヤー９によるるつぼ送出は間欠的
に行なわれ、その送出インターバルはヒータＨの
加熱特性等によつて定められるが大体１〜３分に
設定される。かくして、るつぼＣは１つずつ一定
時間をもつて間欠的に加熱管２内に送出され、各
るつぼＣは所謂トコロテン方式により右方へ移動
しつつ加熱されることとなり、送出インターバル
を３分に設定したとき、最初に送出されたるつぼ
C1は約70分で加熱管２の出口端に到達する。
に行なわれ、その送出インターバルはヒータＨの
加熱特性等によつて定められるが大体１〜３分に
設定される。かくして、るつぼＣは１つずつ一定
時間をもつて間欠的に加熱管２内に送出され、各
るつぼＣは所謂トコロテン方式により右方へ移動
しつつ加熱されることとなり、送出インターバル
を３分に設定したとき、最初に送出されたるつぼ
C1は約70分で加熱管２の出口端に到達する。
各るつぼＣは、加熱管２内を移動しながら加熱
されることにより空焼きされる。この場合、加熱
管２内には導入口１９から導入される酸素が供給
されているので、るつぼＣに付着したり含有され
る有機物等は完全に燃焼する。加熱エリア３を過
ぎたるつぼＣは、出口側２ｂに向かうが、徐々に
冷却され、保持部１６に到達したときは約100℃
となつている。
されることにより空焼きされる。この場合、加熱
管２内には導入口１９から導入される酸素が供給
されているので、るつぼＣに付着したり含有され
る有機物等は完全に燃焼する。加熱エリア３を過
ぎたるつぼＣは、出口側２ｂに向かうが、徐々に
冷却され、保持部１６に到達したときは約100℃
となつている。
前記空焼き処理後のるつぼC′は保持部１６にお
いて導入口１９から導入される酸素のパージを受
け、これによつて外気等による汚染から保護され
る。そして、保持部１６に２個のるつぼC′がたま
ると、るつぼ検出装置１８から出力信号が制御部
（図示しない）に送られる。これにより制御部か
らは送出装置６に対して新たなるつぼＣの送出を
停止する停止信号を送出する。
いて導入口１９から導入される酸素のパージを受
け、これによつて外気等による汚染から保護され
る。そして、保持部１６に２個のるつぼC′がたま
ると、るつぼ検出装置１８から出力信号が制御部
（図示しない）に送られる。これにより制御部か
らは送出装置６に対して新たなるつぼＣの送出を
停止する停止信号を送出する。
ロツクレバー１７ａを操作してシヤツタを開
き、取出口１７から空焼き処理後のるつぼC′を取
り出し、保持部１６にスペースが生ずると、前記
停止信号は解除され、送出装置６は再び送出可能
状態となる。
き、取出口１７から空焼き処理後のるつぼC′を取
り出し、保持部１６にスペースが生ずると、前記
停止信号は解除され、送出装置６は再び送出可能
状態となる。
なお、カセツト１３内のるつぼＣの残量が設定
値以下になると、るつぼセンサ１５から出力信号
が制御部に送られ、補給アラームを出力するよう
にしてもよい。
値以下になると、るつぼセンサ１５から出力信号
が制御部に送られ、補給アラームを出力するよう
にしてもよい。
又、加熱管２内に収容されている加熱途中のる
つぼＣを回収するには、ヒータＨ、駆動部１０へ
の通電を停止し、空焼き炉１の温度が十分下がつ
た状態で支持台８のロツクを解除して、これを第
１図ＡにおけるＱ方向に回転し、空焼き炉１の加
熱管２の入口側２ａを露出させ、該入口側から取
出棒を加熱管２内に挿入して、該管２内のるつぼ
Ｃを回収する。
つぼＣを回収するには、ヒータＨ、駆動部１０へ
の通電を停止し、空焼き炉１の温度が十分下がつ
た状態で支持台８のロツクを解除して、これを第
１図ＡにおけるＱ方向に回転し、空焼き炉１の加
熱管２の入口側２ａを露出させ、該入口側から取
出棒を加熱管２内に挿入して、該管２内のるつぼ
Ｃを回収する。
（発明の効果）
以上詳述したように、本発明においては、るつ
ぼを加熱し空焼きする加熱管と、該加熱管の入口
側に着脱自在に設けられ、るつぼを前記加熱管内
に送り出するつぼ送出装置と、該るつぼ送出装置
の所定位置にるつぼを供給すべく前記るつぼ送出
装置に着脱自在に設けられるるつぼカセツトと、
前記加熱管の出口側に設けられ、空焼き処理後の
るつぼを保持するるつぼ保持部とから成り、更
に、前記るつぼ保持部に空焼き処理後のるつぼの
有無を検出するるつぼ検出装置と、前記加熱管内
への酸素及び前記るつぼ保持部内のパージ用酸素
の導入口と、るつぼ取出口とを形成すると共に、
前記るつぼ検出装置の出力信号に基づいて前記る
つぼ送出装置を制御するように構成しているか
ら、高度の熟練度がなくても、るつぼを容易に加
熱し空焼きすることができ、分析に供しうる空焼
き処理した清浄なるつぼを得ることができる。ま
た、空焼き処理後のるつぼは保持部において酸素
によるパージが施されながら保管されるため、再
汚染されるおそれをなくすることができる。その
結果、るつぼに起因する分析誤差を大幅に低減さ
せることができる。
ぼを加熱し空焼きする加熱管と、該加熱管の入口
側に着脱自在に設けられ、るつぼを前記加熱管内
に送り出するつぼ送出装置と、該るつぼ送出装置
の所定位置にるつぼを供給すべく前記るつぼ送出
装置に着脱自在に設けられるるつぼカセツトと、
前記加熱管の出口側に設けられ、空焼き処理後の
るつぼを保持するるつぼ保持部とから成り、更
に、前記るつぼ保持部に空焼き処理後のるつぼの
有無を検出するるつぼ検出装置と、前記加熱管内
への酸素及び前記るつぼ保持部内のパージ用酸素
の導入口と、るつぼ取出口とを形成すると共に、
前記るつぼ検出装置の出力信号に基づいて前記る
つぼ送出装置を制御するように構成しているか
ら、高度の熟練度がなくても、るつぼを容易に加
熱し空焼きすることができ、分析に供しうる空焼
き処理した清浄なるつぼを得ることができる。ま
た、空焼き処理後のるつぼは保持部において酸素
によるパージが施されながら保管されるため、再
汚染されるおそれをなくすることができる。その
結果、るつぼに起因する分析誤差を大幅に低減さ
せることができる。
図面は、本発明の一実施例を示すもので、第１
図Ａ，Ｂはるつぼ空焼き装置の概要を示し、第１
図Ａは平面図、第１図Ｂは正面図であり、第２図
は前記空焼き装置の要部縦断面図、第３図はるつ
ぼカセツト下部の拡大図である。 ２……加熱管、６……るつぼ送出装置、１３…
…るつぼカセツト、１６……るつぼ保持部、１７
……るつぼ取出口、１８……るつぼ検出装置、１
９……導入口、Ｃ，C1，C2，C′……るつぼ。
図Ａ，Ｂはるつぼ空焼き装置の概要を示し、第１
図Ａは平面図、第１図Ｂは正面図であり、第２図
は前記空焼き装置の要部縦断面図、第３図はるつ
ぼカセツト下部の拡大図である。 ２……加熱管、６……るつぼ送出装置、１３…
…るつぼカセツト、１６……るつぼ保持部、１７
……るつぼ取出口、１８……るつぼ検出装置、１
９……導入口、Ｃ，C1，C2，C′……るつぼ。
Claims (1)
- １ るつぼを加熱し空焼きする加熱管と、該加熱
管の入口側に着脱自在に設けられ、るつぼを前記
加熱管内に送り出するつぼ送出装置と、該るつぼ
送出装置の所定位置にるつぼを供給すべく前記る
つぼ送出装置に着脱自在に設けられるるつぼカセ
ツトと、前記加熱管の出口側に設けられ、空焼き
処理後のるつぼを保持するるつぼ保持部とから成
り、更に、前記るつぼ保持部に空焼き処理後のる
つぼの有無を検出するるつぼ検出装置と、前記加
熱管内への酸素及び前記るつぼ保持部内のパージ
用酸素の導入口と、るつぼ取出口とを形成すると
共に、前記るつぼ検出装置の出力信号に基づいて
前記るつぼ送出装置を制御するようにしたことを
特徴とするるつぼ空焼き装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59252595A JPS61129568A (ja) | 1984-11-28 | 1984-11-28 | るつぼ空焼き装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59252595A JPS61129568A (ja) | 1984-11-28 | 1984-11-28 | るつぼ空焼き装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61129568A JPS61129568A (ja) | 1986-06-17 |
| JPH0130108B2 true JPH0130108B2 (ja) | 1989-06-16 |
Family
ID=17239552
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59252595A Granted JPS61129568A (ja) | 1984-11-28 | 1984-11-28 | るつぼ空焼き装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61129568A (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5222827B2 (ja) * | 2009-11-04 | 2013-06-26 | 株式会社堀場製作所 | るつぼ空焼き装置 |
| US8932518B2 (en) | 2012-02-29 | 2015-01-13 | General Electric Company | Mold and facecoat compositions |
| US8906292B2 (en) * | 2012-07-27 | 2014-12-09 | General Electric Company | Crucible and facecoat compositions |
| US9192983B2 (en) | 2013-11-26 | 2015-11-24 | General Electric Company | Silicon carbide-containing mold and facecoat compositions and methods for casting titanium and titanium aluminide alloys |
| US9511417B2 (en) | 2013-11-26 | 2016-12-06 | General Electric Company | Silicon carbide-containing mold and facecoat compositions and methods for casting titanium and titanium aluminide alloys |
| JP6115483B2 (ja) * | 2014-01-22 | 2017-04-19 | 株式会社島津製作所 | 炭素測定装置 |
| US10391547B2 (en) | 2014-06-04 | 2019-08-27 | General Electric Company | Casting mold of grading with silicon carbide |
| CN112593290B (zh) * | 2020-11-20 | 2021-09-14 | 威科赛乐微电子股份有限公司 | 一种大尺寸坩埚烘烤装置及烘烤方法 |
-
1984
- 1984-11-28 JP JP59252595A patent/JPS61129568A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61129568A (ja) | 1986-06-17 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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