JPH01301208A - ダイシング装置 - Google Patents

ダイシング装置

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Publication number
JPH01301208A
JPH01301208A JP63133067A JP13306788A JPH01301208A JP H01301208 A JPH01301208 A JP H01301208A JP 63133067 A JP63133067 A JP 63133067A JP 13306788 A JP13306788 A JP 13306788A JP H01301208 A JPH01301208 A JP H01301208A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
blade
cutting
chips
dicing
semiconductor wafer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP63133067A
Other languages
English (en)
Inventor
Shuichi Osaka
大坂 修一
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP63133067A priority Critical patent/JPH01301208A/ja
Publication of JPH01301208A publication Critical patent/JPH01301208A/ja
Pending legal-status Critical Current

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  • Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
  • Dicing (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体ウェハをチップ単位に切断するのに用
いられるダイシング装置に関する。
〔従来の技術〕
従来のこの種のダイシング装置の一例を第3図および第
4図に示して説明する。
図において、1は半導体ウェハ2が貼着テープ(図示省
略)などを介して搭載されるX−Yテーブル、3は円板
状のブレード、4はブレード3を回転駆動する駆動装置
、5は切断時においてブレード3および半導体ウェハ2
上に冷却水を供給する洗浄装置である。
このダイシング装置では、ブレード3を高速回転させつ
つ、X−Yテーブル1で半導体ウェハ2を送ることで、
半導体ウェハ2をそれに形成のいわゆるダイシングスト
リート2aより切断する。
この切断過程においては、ブレード3の発熱を抑えると
ともに切断により発生する切屑を半導体ウェハ2上から
洗い流すために、洗浄装置5より半導体ウェハ2上の切
断箇所およびブレード3に向かって冷却水を供給させる
ようになっている。
〔発明が解決しようとする課題〕
ところで、上記従来例の場合には次のような不都合があ
った。
切断の目安とするダイシングストリート2a上には、今
まで半導体ウェハ2上の各素子を保護する酸化珪素ある
いは窒化珪素などを主成分としたガラス層や有機樹脂な
どの保護用薄膜を形成していなかった。
ところが、近年では、半導体素子の高集積化。
機能の複雑化に伴い、−C的にダ・イシングストリート
2a上に半導体素子の特性を評価するための評価用エレ
メント(図示省略)を形成する1頃向にあり、このよう
な評価用エレメントを形成することに伴い、前記保護用
薄膜をダイシングストリート2a上にも形成するように
なった。このダイシングストリート2a上の保護用薄膜
もグイシング工程によって削られるが、この保護用薄膜
の切屑がブレード3の刃表面に付着してしまい、それに
起因して切断効率の低下を招いていた。また、この状態
にて使用し続けると、ブレード3の刃が破…することに
もなるので、定期的にブレード3をクリーニングする作
業が必要となり、手間がかかるだけでなくクリーニング
に伴う作業中断を余儀無くされる。
本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、作
業を中断せずにブレードに付着する切屑を除去できるよ
うにし、効率の良い切断を安定的に行わせることを目的
としている。
〔課題を解決するための手段〕
本発明にかかるダイシング装置は、半導体ウェハをチッ
プ単位に切断するのに用いられるものであって・ ブレードの刃に付着する切屑を除去するドレッシング部
材を前記ブレード近傍に設けたことに特徴を存する。
〔作用〕
この構成による作用は、次のとおりである。
例えば従来技術で説明したようなダイシングストリート
上に素子保護用薄119を形成しているようなものの切
断において、ブレードに対して前記薄膜の切屑が固着す
るのは避けられない。そこで、本発明ではドレッシング
部材を用いて、切断過程においてブレードに付着する切
屑を除去するようにした。このようにブレードをダイシ
ング中にクリーニング可能にしたから、ブレードの切断
効率が低下するのを防げる。
〔実施例〕
以下、本発明の一実施例を図面を参照して説明する。
第1図および第2図に本発明の一実施例を示している。
これらの図において、第3図および第4図に示した従来
例と同一符号は、同一部分を示しているから、ここでの
説明は省略する。
本実施例において、従来例と異なる構成は、ブレード3
の刃先の近傍にドレッシング部材6を配設していること
である。このドレッシング部材6は、例えば炭化珪素を
主成分とした焼結体よりなる。
このドレッシング部材6は、ブレード3の刃先に対して
近接または離間するように進退移動可能に支持されたホ
ルダ7に保持され、このホルダ7を図示しない駆動機構
を介してx、Y方向に移動させることによって、ホルダ
7に固定のドレッシング部材6をプレート3に対して押
しつけるように構成されている。なお、ホルダ7は、図
示しない機構によりZ方向にも昇降可能に構成されてい
る。
ところで、従来例で説明したように、半導体ウェハ2の
ダイシングストリート2a上に評価用エレメントを形成
していると、この切断時にダイシングストリート2a上
の保護用fiIPatの切屑がブレード3の刃表面に付
着することになる。よって、切断過程において、ブレー
ド3の刃に対してドレッシング部材6を連続的または間
欠的に押しつけることにより、ブレード3に付着した切
断時の切屑を前記ドレッシング部材6により除去させる
ことにした。つまり、ドレッシング部材6をブレード3
で削ることにより、ブレード3に付着している切屑が除
去されるのである。このドレッシング部材6の切屑は半
導体ウェハ2の切屑とともに洗浄装置5による冷却水で
洗い流される。なお、ドレッシング部材6は、例えば手
動もしくは遠隔よりマイクロコンピュータなどを利用し
て移動させられる。
このように半導体ウェハ2を切断しながら、ブレード3
の刃表面をドレッシングすることができるから、従来の
ような切屑による切断効率の低下を防ぐことができるし
、わざわざ運転を停止してクリーニンi゛を行うという
手間が不要となる。
なお、上述した実施例では、ブレード3に付着の切屑除
去を行うドレッシング部材6としては上述した材料のみ
に限定されない、また、本発明にかかるダイシング装置
は回倒の構成のものだけに限定されない。
(発明の効果〕 本発明によれば、次の効果が発揮される。
即ち、半導体ウェハの切断過程において生ずる切屑がブ
レードに付着しても、切断途中においてドレッシング部
材を用いて前記切屑をブレードから除去することができ
るから、従来のようにわざわざ運転を停止してクリーニ
ング作業を行うといった煩わしさがなく、効率の良い切
断を安定的に行うことができるようになり、しかも、切
屑付着によるブレード破損の心配がない。
このように、かかるダイシング装置は従来の不都合を解
決できる実用性高いものである。
【図面の簡単な説明】
第1図および第2図は本発明の一実施例にかかり、第1
図は切断形態を略示した斜視図、第2図は同平面図であ
る。 また、第3図および第4図は従来例にかかり、それぞれ
第1図、第2図に対応する図である。 2・・・半導体ウェハ、2a・・・ダイシングストリー
ト、3・・・ブレード  、6・・・ドレッシング部材

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)半導体ウェハをチップ単位に切断するのに用いら
    れるダイシング装置において、 ブレードの刃に付着する切屑を除去するドレッシング部
    材を前記ブレード近傍に設けたことを特徴とするダイシ
    ング装置。
JP63133067A 1988-05-30 1988-05-30 ダイシング装置 Pending JPH01301208A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63133067A JPH01301208A (ja) 1988-05-30 1988-05-30 ダイシング装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63133067A JPH01301208A (ja) 1988-05-30 1988-05-30 ダイシング装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH01301208A true JPH01301208A (ja) 1989-12-05

Family

ID=15096065

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP63133067A Pending JPH01301208A (ja) 1988-05-30 1988-05-30 ダイシング装置

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013229451A (ja) * 2012-04-25 2013-11-07 Disco Abrasive Syst Ltd ブレードカバー装置およびブレードカバー装置を備えた切削装置
CN113172780A (zh) * 2021-04-07 2021-07-27 郑州磨料磨具磨削研究所有限公司 一种碳化硅切割用划片结构及其在线修整方法
CN114975103A (zh) * 2021-02-24 2022-08-30 三菱电机株式会社 半导体晶片的分割方法

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