JPH0130220B2 - - Google Patents
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- JPH0130220B2 JPH0130220B2 JP57222119A JP22211982A JPH0130220B2 JP H0130220 B2 JPH0130220 B2 JP H0130220B2 JP 57222119 A JP57222119 A JP 57222119A JP 22211982 A JP22211982 A JP 22211982A JP H0130220 B2 JPH0130220 B2 JP H0130220B2
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- Japan
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- film
- alloy
- composition
- wear
- films
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/64—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent
- G11B5/65—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent characterised by its composition
- G11B5/656—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent characterised by its composition containing Co
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/64—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent
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- Magnetic Record Carriers (AREA)
Description
本発明は高記録密度化が可能であると共に機械
的強度の優れた磁気記録媒体に関する。 垂直磁気記録方式は従来の面内磁気記録方式に
較べて高記録密度化が可能な記録方式であるが、
垂直磁気記録用媒体は従来の面内磁気記録用媒体
とは異なり、膜面垂直方向に高い磁気異方性を有
する媒体を用いなければならない。高い飽和磁化
（Ms）が可能なコバルト系合金薄膜において基板
垂直方向に異方性を付与するためには、最密六方
相（hcp相）からなる膜を形成しかつ、その結晶
軸の主軸であるＣ軸を基板の垂直方向に配向させ
ることが必要である。即ちΔθ50＜10゜を満足する
Ｃ軸配向性であれば膜垂直方向に高い結晶磁気異
方性を付与することができる。尚上記Δθ50は
（002）面に関するＸ線ロツキングカーブの半値巾
である。ところで従来、垂直磁気記録媒体として
はコバルトークロム合金膜（Co―Cr膜、特開昭
52―134706号および特開昭54―51804号）、コバル
トールテニウム合金膜（Co―Ru膜）、コバルト
ーレニウム膜（Co―Re膜）、コバルトーオスミウ
ム合金膜（Co―Os膜、特願昭56―63215号）等が
知られている。これらの膜ではCr、Ru等の添加
により磁化即ち反磁場を減少させると共に六方最
密相（hcp相）の主軸であるＣ軸を基板面垂直方
向に配向させ、基板垂直方向に結晶磁気異方性を
付与して垂直磁気異方性を可能にしている。とこ
ろが上記各合金膜には次のような問題がある。 (イ) Co―Cr膜は、異方性磁界HKが6KOe、保磁
力HCが2KOe、飽和磁化MSが500G程度のすぐ
れた磁気特性を有するが、反面、ヌープ硬さは
約1000程度の機械的強度であり、耐摩耗性，耐
ヘツドクラツシユ性が十分ではなく、機械的な
信頼性に乏しい。またCo―Cr合金系は上記六
方最密相（hcp相）以外に面心立方相（fcc相）
や正方晶相も生じうる。このため垂直磁化状態
を確実に達成するには面心立方相や正方晶相の
析出を抑制しなければならず合金膜の作製条件
が制限される。 (ロ) Co―Ru膜、Co―Re膜、Co―Os膜では上記
Co―Cr膜と異なり正方晶相等は存在しない。
従つて六方最密相（hcp相）を作製するのは容
易である。またRu、Re、Osは高い硬度を有す
る金属であるためCo―Ru膜、Co―Re膜、Co
―Os膜は上記Co―Cr膜に比較して約２倍の硬
度を示し、機械的強度の点ではCo―Cr膜より
も優れている。但し、Co―Ru膜等はその異方
性磁界HKが4KOe程度であるため、飽和磁化
MSは300G、保磁力HCは200Oe程度であり充分
な磁気特性を有するものを得ることができな
い。 本発明はCoを主体とするCo―Cr合金系にRu、
Re、Osを特定量配合することにより優れた磁気
特性、高信頼性を有する垂直磁化膜を達成したも
のであつて、その構造は、コバルトを主体にした
六方最密構造を有する合金薄膜において、その合
金組成が Co1-V（RuWReXOsYCr1-(W+X+Y)）V Ｖ＝0.10〜0.25 Ｗ＋Ｘ＋Ｙ＝0.20〜0.90 の範囲にあり、かつ、該薄膜において、その結晶
軸の主軸であるＣ軸が基板に対し垂直方向に配向
されていることを特徴とする。 本発明者等はCo―Ru―Cr、Co―Re―Cr、Co
―Os―Cr、Co―Ru―Re―Os―Cr合金膜におい
て、その合金組成を調整することにより優れた磁
気特性かつ機械強度特性を示す膜を作製できるこ
とを見い出した。 即ち、主体となるCoに対し、Ru、Re、Osと
Crの割合を調整することにより (i) 500Oe以上の保磁力を示す高垂直磁気異方性
を得ることができ、 (ii) Ru、Re、Osが含有されることによる高硬度
性を発揮すると共に、 (iii) Cr添加量が低減されることにより、合金の
面心立方相や正方晶相の析出が抑制され六方最
密相が確実に配向された合金膜を容易に作製す
ることができる。 上記Ru、Re、Os、Crの配合比とその磁気特性
および機械強度との関係を以下に示す実施例に基
づき詳細に説明する。尚以下の実施例１〜４は次
の条件下で合金膜を作製した。まず、基板にはガ
ラス板（20×20×１mm）およびSi基板（外径
100φ、内径20φ厚さ２mmの中央部をくりぬいた円
板）を用いた。膜形成には高周波スパツタ装置を
用いた。ターゲツトには純Co円板上に５mm角の
Cr、Ru、Re、Osを設置したものを使用し、膜の
組成はCo、Cr、Ru、Re、Osのターゲツト面積
比を変えることにより調整した。又、真空槽を十
分ベーキング処理し、スパツタ開始前のペルジヤ
ー内真空度を5.0×10-7トール以下にした。スパ
ツタ条件はアルゴン圧2.0×10-1トール、堆積速
度200Å／分、ターゲツトと基板間距離４cm、基
板温度は200℃である。ヌープ硬さ測定用試料と
しては、ガラス基板、膜厚4.5μmの試料を用い
た。磁気測定用試料としてはガラス基板、膜厚
1.0μmの試料を用いた。摩耗試験用およびCSS試
験用試料としてはSi基板、膜厚1.0μmの試料を用
いた。磁気特性は振動式磁化測定装置（VSM）
を用いた。相同定にはＸ線回析装置を用いた。硬
度はヌープ硬度計を用いた。摩耗試験は半径3.1
mmのAl2O3球を銅板バネに取り付け、これを媒体
に押しつけつつ回転させ、摩耗痕の深さを測定す
ることにより評価した。 実施例 １ （Co―Ru―Cr合金系媒体） Ru＋Crが０〜30at％の範囲で膜作製を行つた。
第１図に膜面垂直方向に測定した保磁力Hc⊥が
500Oe以上である領域を示す。この領域で作製さ
れたCo―Ru―Cr膜はすべてhcp単相であり、前
述のΔθ50は10゜以下であつた。第２図、第３図に
Co組成を80at％に固定し、RuとCrの組成比を変
化させた時の、膜のヌープ硬さとHC⊥を示す。
図から明らかなようにRuの割合が増加すると硬
度は増加するがHc⊥は減少する。同様にCo量を
80at％に固定し、RuとCrの組成比を変化させた
時の摩耗試験の結果を第４図に示す。摩耗試験の
条件は、周速２ｍ／sec、荷重５ｇ1000passであ
る。Ruの割合（Ru／（Ru＋Cr））が0.2以下にな
ると摩耗深さは急激に増加し、耐摩耗性が劣化す
る。 更に上記組成のCo―Ru―Cr膜においてCSS試
験（コンタクト、スタート、ストツプ試験）を行
つた。試験条件は立ち上り６〜７秒、立ち下り６
〜７秒、１サイクル15秒最高回転数24.8rpsであ
る。該CSS試験の結果を第５図に示す。図中斜線
部は２万回のCSS後も出力、および分解能の電磁
変換特性には劣化が無く、かつヘツド、媒体にも
顕著な摩耗損傷がみとめられなかつた領域を示
す。 以上のように、Co―Ru―Crの合金系において
その組成比を調整することにより、500Oe以上の
高保磁力を示し、高硬度、高機械強度を示す磁性
膜媒体を作製することができる。これらの高品質
特性を示す組成領域はCo1-V（RuWCr1-W）Vにおい
てＶ＝0.1〜0.25W＝0.20〜0.90（原子比）である。 実施例 ２ （Co―Re―Cr合金系媒体） Re＋Crが０〜30at％の組成範囲で膜作製を行
つた。第６図に膜面垂直方向に測定した保磁力
Hc⊥が500Oe以上である領域を示す。この領域
のCo―Re―Cr膜はすべてhcp単相であり、前述
のΔθ50は10゜以下であつた。Co量を80at％に固定
し、ReとCrの組成比を変化させた時の摩耗試験
の結果を第７図に示す。摩耗試験の条件は実施例
１に示すCo―Ru―Cr媒体の試験と同じである。
Reの割合（Re／（Re＋Cr））が0.2以下になると
摩耗深さは急激に増加し耐摩耗性は劣化する。 更に上記組成のCo―Re―Cr膜においてCSS試
験を行つた。CSS条件は前記Co―Ru―Cr媒体の
試験条件と同じである。該CSS試験の結果を第８
図に示す。図中斜線部は２万回のCSS後も出力お
よび分解能の電磁変換特性には劣化がなく、かつ
ヘツド、媒体にも顕著な摩耗損傷が認められなか
つた領域を示す。 以上のようにCo―Re―Cr合金系においてその
組成比を調整することにより500Oe以上の高保磁
力を示し、高硬度高機械強度を示す磁性膜媒体を
作製することができる。これらの高品質特性を示
す組成領域はCo1-V（ReXCr1-X）VにおいてＶ＝0.1
〜0.25、ｘ＝0.20〜0.90（原子比）である。 実施例 ３ （Co―Os―Cr合金系媒体） Os＋Crが０〜30at％の組成範囲で膜作製を行
つた。第９図にHc⊥が500Oe以上である領域を
示す。この領域のCo―Os―Cr膜はすべてhcp単
相であり、前述のΔθ50は10゜以下であつた。Co量
を80at％に固定しOsとCrの組成比を変化させた
時の摩耗試験の結果を第１０図に示す。摩耗の試
験の条件は実施例１に示すCo―Ru―Cr媒体の試
験条件と同じである。Osの割合（Os／（Os＋
Cr））が0.2以下になると摩耗深さは急激に増加
し、耐摩耗性は劣化する。 更に上記組成のCo―Os―Cr膜においてCSS試
験を行つた。CSS条件は前記Co―Ru―Cr媒体の
試験と同じである。該CSS試験の結果を第１１図
に示す。図中斜線部は２万回のCSS後も出力およ
び分解能の電磁変換特性には劣化が無く、かつヘ
ツド、媒体にも顕著な摩耗損傷が認められなかつ
た領域を示す。 以上のようにCo―Os―Cr合金系においてその
組成比を調整することにより500Oe以上の高保磁
力を示し、高硬度高機械強度を示す膜を作製する
ことができる。これらの高品質特性を示す組成領
域は、Co1-V（OsYCr1-Y）Vにおいて、Ｖ＝0.1〜
0.25Y＝0.2〜0.9（原子比）である。 実施例 ４ （Co―Ru、Re、Os―Cr合金系媒体） Ru＋Re＋Os＋Crが０〜30at％の組成範囲で膜
作製を行つた。第１２図にHc⊥が500Oe以上で
ある領域を示す。Ru、Re、Osの濃度が異つても
（Ru＋Re＋Os）が等しければ保磁力Hc⊥に大き
な差は認められなかつた。図中、斜線領域内の組
成で作製された膜はすべてhcp単相でありかつ前
述のΔθ50は10゜以下である。更に上記組成のCo―
Ru、Re、Os―Cr膜においてCSS試験を行つた。
該CSS試験の結果を第１３図に示す。図中斜線部
は２万回のCSS後も出力および分解能の電磁変換
特性に劣化がなくかつヘツド、媒体にも顕著な摩
耗損傷が認められなかつた領域を示す。 以上のようにCo―Ru、Re、Os―Cr合金系に
おいてその組成比を調整することにより、500Oe
以上の高保持力を示し、高機械強度を示す膜を作
製することができる。これらの高品質特性を示す
組成領域はCo1-V（RuWReXOsYCr1-(W+X+Y)）Vにおい
て、Ｖ＝0.1〜0.25、Ｗ＋Ｘ＋Ｙ＝0.20〜0.9（原子
比）である。 実施例 ５ イオンビームスパツタ法によりCo―Ru―Cr合
金膜、Co―Re―Cr合金膜、Co―Os―Cr合金膜
を作製した。ターゲツト組成は
Co0.8Ru0.12Cr0.08Co0.8Re0.12Cr0.08、
Co0.8Os0.12Cr0.08である。基板にはガラス板
（20×20×１mm）を用いた。尚真空槽を十分ベー
キング処理し、スパツタ開始前のベルジヤー内真
空度を1.0×10-7トール以下にした。イオンビー
ムスパツタ条件は、加速電圧8KV入力電流1mA
ターゲツトとイオンガン距離３cmターゲツト基板
間距離３cm、イオンビーム入射角30度真空度1.0
×10-4トール基板温度200℃である。膜厚はすべ
て0.7μmである。表１にそれぞれの膜の諸特性を
示す。
的強度の優れた磁気記録媒体に関する。 垂直磁気記録方式は従来の面内磁気記録方式に
較べて高記録密度化が可能な記録方式であるが、
垂直磁気記録用媒体は従来の面内磁気記録用媒体
とは異なり、膜面垂直方向に高い磁気異方性を有
する媒体を用いなければならない。高い飽和磁化
（Ms）が可能なコバルト系合金薄膜において基板
垂直方向に異方性を付与するためには、最密六方
相（hcp相）からなる膜を形成しかつ、その結晶
軸の主軸であるＣ軸を基板の垂直方向に配向させ
ることが必要である。即ちΔθ50＜10゜を満足する
Ｃ軸配向性であれば膜垂直方向に高い結晶磁気異
方性を付与することができる。尚上記Δθ50は
（002）面に関するＸ線ロツキングカーブの半値巾
である。ところで従来、垂直磁気記録媒体として
はコバルトークロム合金膜（Co―Cr膜、特開昭
52―134706号および特開昭54―51804号）、コバル
トールテニウム合金膜（Co―Ru膜）、コバルト
ーレニウム膜（Co―Re膜）、コバルトーオスミウ
ム合金膜（Co―Os膜、特願昭56―63215号）等が
知られている。これらの膜ではCr、Ru等の添加
により磁化即ち反磁場を減少させると共に六方最
密相（hcp相）の主軸であるＣ軸を基板面垂直方
向に配向させ、基板垂直方向に結晶磁気異方性を
付与して垂直磁気異方性を可能にしている。とこ
ろが上記各合金膜には次のような問題がある。 (イ) Co―Cr膜は、異方性磁界HKが6KOe、保磁
力HCが2KOe、飽和磁化MSが500G程度のすぐ
れた磁気特性を有するが、反面、ヌープ硬さは
約1000程度の機械的強度であり、耐摩耗性，耐
ヘツドクラツシユ性が十分ではなく、機械的な
信頼性に乏しい。またCo―Cr合金系は上記六
方最密相（hcp相）以外に面心立方相（fcc相）
や正方晶相も生じうる。このため垂直磁化状態
を確実に達成するには面心立方相や正方晶相の
析出を抑制しなければならず合金膜の作製条件
が制限される。 (ロ) Co―Ru膜、Co―Re膜、Co―Os膜では上記
Co―Cr膜と異なり正方晶相等は存在しない。
従つて六方最密相（hcp相）を作製するのは容
易である。またRu、Re、Osは高い硬度を有す
る金属であるためCo―Ru膜、Co―Re膜、Co
―Os膜は上記Co―Cr膜に比較して約２倍の硬
度を示し、機械的強度の点ではCo―Cr膜より
も優れている。但し、Co―Ru膜等はその異方
性磁界HKが4KOe程度であるため、飽和磁化
MSは300G、保磁力HCは200Oe程度であり充分
な磁気特性を有するものを得ることができな
い。 本発明はCoを主体とするCo―Cr合金系にRu、
Re、Osを特定量配合することにより優れた磁気
特性、高信頼性を有する垂直磁化膜を達成したも
のであつて、その構造は、コバルトを主体にした
六方最密構造を有する合金薄膜において、その合
金組成が Co1-V（RuWReXOsYCr1-(W+X+Y)）V Ｖ＝0.10〜0.25 Ｗ＋Ｘ＋Ｙ＝0.20〜0.90 の範囲にあり、かつ、該薄膜において、その結晶
軸の主軸であるＣ軸が基板に対し垂直方向に配向
されていることを特徴とする。 本発明者等はCo―Ru―Cr、Co―Re―Cr、Co
―Os―Cr、Co―Ru―Re―Os―Cr合金膜におい
て、その合金組成を調整することにより優れた磁
気特性かつ機械強度特性を示す膜を作製できるこ
とを見い出した。 即ち、主体となるCoに対し、Ru、Re、Osと
Crの割合を調整することにより (i) 500Oe以上の保磁力を示す高垂直磁気異方性
を得ることができ、 (ii) Ru、Re、Osが含有されることによる高硬度
性を発揮すると共に、 (iii) Cr添加量が低減されることにより、合金の
面心立方相や正方晶相の析出が抑制され六方最
密相が確実に配向された合金膜を容易に作製す
ることができる。 上記Ru、Re、Os、Crの配合比とその磁気特性
および機械強度との関係を以下に示す実施例に基
づき詳細に説明する。尚以下の実施例１〜４は次
の条件下で合金膜を作製した。まず、基板にはガ
ラス板（20×20×１mm）およびSi基板（外径
100φ、内径20φ厚さ２mmの中央部をくりぬいた円
板）を用いた。膜形成には高周波スパツタ装置を
用いた。ターゲツトには純Co円板上に５mm角の
Cr、Ru、Re、Osを設置したものを使用し、膜の
組成はCo、Cr、Ru、Re、Osのターゲツト面積
比を変えることにより調整した。又、真空槽を十
分ベーキング処理し、スパツタ開始前のペルジヤ
ー内真空度を5.0×10-7トール以下にした。スパ
ツタ条件はアルゴン圧2.0×10-1トール、堆積速
度200Å／分、ターゲツトと基板間距離４cm、基
板温度は200℃である。ヌープ硬さ測定用試料と
しては、ガラス基板、膜厚4.5μmの試料を用い
た。磁気測定用試料としてはガラス基板、膜厚
1.0μmの試料を用いた。摩耗試験用およびCSS試
験用試料としてはSi基板、膜厚1.0μmの試料を用
いた。磁気特性は振動式磁化測定装置（VSM）
を用いた。相同定にはＸ線回析装置を用いた。硬
度はヌープ硬度計を用いた。摩耗試験は半径3.1
mmのAl2O3球を銅板バネに取り付け、これを媒体
に押しつけつつ回転させ、摩耗痕の深さを測定す
ることにより評価した。 実施例 １ （Co―Ru―Cr合金系媒体） Ru＋Crが０〜30at％の範囲で膜作製を行つた。
第１図に膜面垂直方向に測定した保磁力Hc⊥が
500Oe以上である領域を示す。この領域で作製さ
れたCo―Ru―Cr膜はすべてhcp単相であり、前
述のΔθ50は10゜以下であつた。第２図、第３図に
Co組成を80at％に固定し、RuとCrの組成比を変
化させた時の、膜のヌープ硬さとHC⊥を示す。
図から明らかなようにRuの割合が増加すると硬
度は増加するがHc⊥は減少する。同様にCo量を
80at％に固定し、RuとCrの組成比を変化させた
時の摩耗試験の結果を第４図に示す。摩耗試験の
条件は、周速２ｍ／sec、荷重５ｇ1000passであ
る。Ruの割合（Ru／（Ru＋Cr））が0.2以下にな
ると摩耗深さは急激に増加し、耐摩耗性が劣化す
る。 更に上記組成のCo―Ru―Cr膜においてCSS試
験（コンタクト、スタート、ストツプ試験）を行
つた。試験条件は立ち上り６〜７秒、立ち下り６
〜７秒、１サイクル15秒最高回転数24.8rpsであ
る。該CSS試験の結果を第５図に示す。図中斜線
部は２万回のCSS後も出力、および分解能の電磁
変換特性には劣化が無く、かつヘツド、媒体にも
顕著な摩耗損傷がみとめられなかつた領域を示
す。 以上のように、Co―Ru―Crの合金系において
その組成比を調整することにより、500Oe以上の
高保磁力を示し、高硬度、高機械強度を示す磁性
膜媒体を作製することができる。これらの高品質
特性を示す組成領域はCo1-V（RuWCr1-W）Vにおい
てＶ＝0.1〜0.25W＝0.20〜0.90（原子比）である。 実施例 ２ （Co―Re―Cr合金系媒体） Re＋Crが０〜30at％の組成範囲で膜作製を行
つた。第６図に膜面垂直方向に測定した保磁力
Hc⊥が500Oe以上である領域を示す。この領域
のCo―Re―Cr膜はすべてhcp単相であり、前述
のΔθ50は10゜以下であつた。Co量を80at％に固定
し、ReとCrの組成比を変化させた時の摩耗試験
の結果を第７図に示す。摩耗試験の条件は実施例
１に示すCo―Ru―Cr媒体の試験と同じである。
Reの割合（Re／（Re＋Cr））が0.2以下になると
摩耗深さは急激に増加し耐摩耗性は劣化する。 更に上記組成のCo―Re―Cr膜においてCSS試
験を行つた。CSS条件は前記Co―Ru―Cr媒体の
試験条件と同じである。該CSS試験の結果を第８
図に示す。図中斜線部は２万回のCSS後も出力お
よび分解能の電磁変換特性には劣化がなく、かつ
ヘツド、媒体にも顕著な摩耗損傷が認められなか
つた領域を示す。 以上のようにCo―Re―Cr合金系においてその
組成比を調整することにより500Oe以上の高保磁
力を示し、高硬度高機械強度を示す磁性膜媒体を
作製することができる。これらの高品質特性を示
す組成領域はCo1-V（ReXCr1-X）VにおいてＶ＝0.1
〜0.25、ｘ＝0.20〜0.90（原子比）である。 実施例 ３ （Co―Os―Cr合金系媒体） Os＋Crが０〜30at％の組成範囲で膜作製を行
つた。第９図にHc⊥が500Oe以上である領域を
示す。この領域のCo―Os―Cr膜はすべてhcp単
相であり、前述のΔθ50は10゜以下であつた。Co量
を80at％に固定しOsとCrの組成比を変化させた
時の摩耗試験の結果を第１０図に示す。摩耗の試
験の条件は実施例１に示すCo―Ru―Cr媒体の試
験条件と同じである。Osの割合（Os／（Os＋
Cr））が0.2以下になると摩耗深さは急激に増加
し、耐摩耗性は劣化する。 更に上記組成のCo―Os―Cr膜においてCSS試
験を行つた。CSS条件は前記Co―Ru―Cr媒体の
試験と同じである。該CSS試験の結果を第１１図
に示す。図中斜線部は２万回のCSS後も出力およ
び分解能の電磁変換特性には劣化が無く、かつヘ
ツド、媒体にも顕著な摩耗損傷が認められなかつ
た領域を示す。 以上のようにCo―Os―Cr合金系においてその
組成比を調整することにより500Oe以上の高保磁
力を示し、高硬度高機械強度を示す膜を作製する
ことができる。これらの高品質特性を示す組成領
域は、Co1-V（OsYCr1-Y）Vにおいて、Ｖ＝0.1〜
0.25Y＝0.2〜0.9（原子比）である。 実施例 ４ （Co―Ru、Re、Os―Cr合金系媒体） Ru＋Re＋Os＋Crが０〜30at％の組成範囲で膜
作製を行つた。第１２図にHc⊥が500Oe以上で
ある領域を示す。Ru、Re、Osの濃度が異つても
（Ru＋Re＋Os）が等しければ保磁力Hc⊥に大き
な差は認められなかつた。図中、斜線領域内の組
成で作製された膜はすべてhcp単相でありかつ前
述のΔθ50は10゜以下である。更に上記組成のCo―
Ru、Re、Os―Cr膜においてCSS試験を行つた。
該CSS試験の結果を第１３図に示す。図中斜線部
は２万回のCSS後も出力および分解能の電磁変換
特性に劣化がなくかつヘツド、媒体にも顕著な摩
耗損傷が認められなかつた領域を示す。 以上のようにCo―Ru、Re、Os―Cr合金系に
おいてその組成比を調整することにより、500Oe
以上の高保持力を示し、高機械強度を示す膜を作
製することができる。これらの高品質特性を示す
組成領域はCo1-V（RuWReXOsYCr1-(W+X+Y)）Vにおい
て、Ｖ＝0.1〜0.25、Ｗ＋Ｘ＋Ｙ＝0.20〜0.9（原子
比）である。 実施例 ５ イオンビームスパツタ法によりCo―Ru―Cr合
金膜、Co―Re―Cr合金膜、Co―Os―Cr合金膜
を作製した。ターゲツト組成は
Co0.8Ru0.12Cr0.08Co0.8Re0.12Cr0.08、
Co0.8Os0.12Cr0.08である。基板にはガラス板
（20×20×１mm）を用いた。尚真空槽を十分ベー
キング処理し、スパツタ開始前のベルジヤー内真
空度を1.0×10-7トール以下にした。イオンビー
ムスパツタ条件は、加速電圧8KV入力電流1mA
ターゲツトとイオンガン距離３cmターゲツト基板
間距離３cm、イオンビーム入射角30度真空度1.0
×10-4トール基板温度200℃である。膜厚はすべ
て0.7μmである。表１にそれぞれの膜の諸特性を
示す。
【表】
表１から明らかなようにイオンビームスパツタ
法によつても高保磁力，高硬度の膜を作製するこ
とができる。 以上のように本発明のCo―（Ru、Re、Os）
―Cr合金膜によれば、従来のCo―Cr膜、Co―
Ru膜、Co―Re膜、Co―Os膜で得られない優れ
た磁気特性と共に高い機械的強度を有する膜を得
ることができる。また、２万回以上のCSS試験に
耐えることができるものは実用上の機械強度が保
障されるので上記Co―（Ru、Re、Os）―Cr合
金膜を用いることにより高記録密度を有しかつ高
い信頼性の磁気記録媒体を得ることができる。
法によつても高保磁力，高硬度の膜を作製するこ
とができる。 以上のように本発明のCo―（Ru、Re、Os）
―Cr合金膜によれば、従来のCo―Cr膜、Co―
Ru膜、Co―Re膜、Co―Os膜で得られない優れ
た磁気特性と共に高い機械的強度を有する膜を得
ることができる。また、２万回以上のCSS試験に
耐えることができるものは実用上の機械強度が保
障されるので上記Co―（Ru、Re、Os）―Cr合
金膜を用いることにより高記録密度を有しかつ高
い信頼性の磁気記録媒体を得ることができる。
第１図はCo―Ru―Cr系において膜面の垂直方
向保磁力Hc⊥が500Oe以上の組成領域を示すグ
ラフ、第２図はCo―Ru―Cr膜（Co量は0.80に固
定）におけるヌープ硬さのRu濃度依存性を示す
グラフ、第３図はCo―Ru―Cr膜（Co量は0.80に
固定）におけるHc⊥のRu濃度依存性を示すグラ
フ、第４図はCo―Ru―Cr膜（Co量は0.80に固
定）における摩耗深さのRu濃度依存性を示すグ
ラフ、第５図はCo―Ru―Cr系において２万回の
CSS試験後においても特性劣化、摩耗損傷が認め
られなかつた組成領域を示すグラフ、第６図は
Co―Re―Cr系においてHc⊥が500Oe以上の組成
領域を示すグラフ、第７図はCo―Re―Cr膜（Co
量は0.80に固定）における摩耗深さのRe濃度依
存性を示すグラフ、第８図はCo―Re―Cr系にお
いて２万回のCSS試験後においても特性劣化、摩
耗損傷が認められなかつた組成領域を示すグラ
フ、第９図はCo―Os―Cr系において、Hc⊥が
500Oe以上の組成領域を示すグラフ、第１０図は
Co―Os―Cr膜（Co量は0.80に固定）における摩
耗深さのOs濃度依存性を示すグラフ、第１１図
はCo―Os―Cr系において２万回のCSS試験後に
おいても特性劣化、摩耗損傷が認められなかつた
組成領域を示すグラフ、第１２図はCo―Ru―Re
―Os―Cr系においてはHc⊥が500Oe以上の組成
領域を示すグラフ、第１３図はCo―Ru―Re―
Os―Cr系において２万回のCSS試験後において
も特性劣化、摩耗損傷が認められなかつた組成領
域を示すグラフである。
向保磁力Hc⊥が500Oe以上の組成領域を示すグ
ラフ、第２図はCo―Ru―Cr膜（Co量は0.80に固
定）におけるヌープ硬さのRu濃度依存性を示す
グラフ、第３図はCo―Ru―Cr膜（Co量は0.80に
固定）におけるHc⊥のRu濃度依存性を示すグラ
フ、第４図はCo―Ru―Cr膜（Co量は0.80に固
定）における摩耗深さのRu濃度依存性を示すグ
ラフ、第５図はCo―Ru―Cr系において２万回の
CSS試験後においても特性劣化、摩耗損傷が認め
られなかつた組成領域を示すグラフ、第６図は
Co―Re―Cr系においてHc⊥が500Oe以上の組成
領域を示すグラフ、第７図はCo―Re―Cr膜（Co
量は0.80に固定）における摩耗深さのRe濃度依
存性を示すグラフ、第８図はCo―Re―Cr系にお
いて２万回のCSS試験後においても特性劣化、摩
耗損傷が認められなかつた組成領域を示すグラ
フ、第９図はCo―Os―Cr系において、Hc⊥が
500Oe以上の組成領域を示すグラフ、第１０図は
Co―Os―Cr膜（Co量は0.80に固定）における摩
耗深さのOs濃度依存性を示すグラフ、第１１図
はCo―Os―Cr系において２万回のCSS試験後に
おいても特性劣化、摩耗損傷が認められなかつた
組成領域を示すグラフ、第１２図はCo―Ru―Re
―Os―Cr系においてはHc⊥が500Oe以上の組成
領域を示すグラフ、第１３図はCo―Ru―Re―
Os―Cr系において２万回のCSS試験後において
も特性劣化、摩耗損傷が認められなかつた組成領
域を示すグラフである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ コバルトを主体にした六方最密構造を有する
合金薄膜において、その合金組成が Co1-V（RuWReXOsYCr1-(W+X+Y)）V Ｖ＝0.10〜0.25 Ｗ＋Ｘ＋Ｙ＝0.20〜0.90 （原子比） の範囲にあり、かつ、該薄膜において、その結晶
軸の主軸であるＣ軸が基板に対し垂直方向に配向
されていることを特徴とする磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57222119A JPS59112426A (ja) | 1982-12-20 | 1982-12-20 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57222119A JPS59112426A (ja) | 1982-12-20 | 1982-12-20 | 磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59112426A JPS59112426A (ja) | 1984-06-28 |
| JPH0130220B2 true JPH0130220B2 (ja) | 1989-06-16 |
Family
ID=16777450
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57222119A Granted JPS59112426A (ja) | 1982-12-20 | 1982-12-20 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59112426A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4577730B2 (ja) * | 2009-04-24 | 2010-11-10 | キヤノンアネルバ株式会社 | 垂直磁気記録媒体の製造方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CA1131438A (en) * | 1978-07-21 | 1982-09-14 | Tu Chen | Method and alloying elements for producing high coercive force and high squareness magnetic film for magnetic recording medium |
-
1982
- 1982-12-20 JP JP57222119A patent/JPS59112426A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59112426A (ja) | 1984-06-28 |
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