JPH01302256A - 矩形状パターン解像用ホトマスク - Google Patents
矩形状パターン解像用ホトマスクInfo
- Publication number
- JPH01302256A JPH01302256A JP63132434A JP13243488A JPH01302256A JP H01302256 A JPH01302256 A JP H01302256A JP 63132434 A JP63132434 A JP 63132434A JP 13243488 A JP13243488 A JP 13243488A JP H01302256 A JPH01302256 A JP H01302256A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photomask
- rectangular
- contact hole
- patterns
- mask
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
この発明はホトマスクに関する。さらに詳しくは集積回
路の製造工程中のホトエツチングプロセスにおいて使用
されるホトマスクに関する。
路の製造工程中のホトエツチングプロセスにおいて使用
されるホトマスクに関する。
（０）従来の技術
集積回路に対する動作速度向上の要求はますます強まっ
ている。このような要求に応するための一手段として回
路の集積度を上げる努力がなされている。回路の集積度
増大にとって重大なポイントのひとつとして、ホトエツ
チングプロセスにおける解像度の向上が挙げられる。そ
して、このうち、ホトマスクを用いてエツチング用ホト
レジストのパターンを露光解像した後、エツチングを行
なって微細なコンタクトホールを高解像度で形成する手
法は、集積度増大に対応する重要な技術の一つである。
ている。このような要求に応するための一手段として回
路の集積度を上げる努力がなされている。回路の集積度
増大にとって重大なポイントのひとつとして、ホトエツ
チングプロセスにおける解像度の向上が挙げられる。そ
して、このうち、ホトマスクを用いてエツチング用ホト
レジストのパターンを露光解像した後、エツチングを行
なって微細なコンタクトホールを高解像度で形成する手
法は、集積度増大に対応する重要な技術の一つである。
この点、従来から、材料（ホトレジスト、現像液等）や
露光装置の改良によってホトエツチングにおける解像度
の向上が図られてきている。ことに材料については、分
子量分布の分散度や感光基の改良により高解像度のホト
レジストを開発しようとする試みもなされている。
露光装置の改良によってホトエツチングにおける解像度
の向上が図られてきている。ことに材料については、分
子量分布の分散度や感光基の改良により高解像度のホト
レジストを開発しようとする試みもなされている。
（ハ）発明が解決しようとする課題
しかしながら、これら材料面での解像度の向上には限界
があり、サブミクロン領域の微細なコンタクトホールを
高解像度で形成することは困難であり、とくに隣り合う
側辺の長さが異なる矩形状の微細なコンタクトホールを
高解像度で形成することは困難であった。例えば、矩形
状の開ロバターンを有するホトマスクを用いて紫外線露
光によりホトレジストを解像した場合には、短辺の長さ
がある程度長くないと光の影響を受けて楕円状の解像パ
ターンしか得られず、微細な矩形状のコンタクトホール
を形成することはできなかった。
があり、サブミクロン領域の微細なコンタクトホールを
高解像度で形成することは困難であり、とくに隣り合う
側辺の長さが異なる矩形状の微細なコンタクトホールを
高解像度で形成することは困難であった。例えば、矩形
状の開ロバターンを有するホトマスクを用いて紫外線露
光によりホトレジストを解像した場合には、短辺の長さ
がある程度長くないと光の影響を受けて楕円状の解像パ
ターンしか得られず、微細な矩形状のコンタクトホール
を形成することはできなかった。
この発明は、かかる状況下なされたものであり、ことに
、微細な矩形状のコンタクトホールを形成することが可
能なホトマスクを提供しようとするものである。
、微細な矩形状のコンタクトホールを形成することが可
能なホトマスクを提供しようとするものである。
（ニ）課題を解決するための手段
本発明者らは、上記観点から鋭意研究を行なった結果、
微細な矩形状開口を有するホトマスクにおいて、その開
口部の中央部に露光解像されない程度の幅の分離架橋部
を介在させることにより、露光解像度が著しく向上し、
マスクの開口部形状により対応した矩形状のコンタクト
ホールを効率良く形成できる事実を見出し、この発明に
到達した。
微細な矩形状開口を有するホトマスクにおいて、その開
口部の中央部に露光解像されない程度の幅の分離架橋部
を介在させることにより、露光解像度が著しく向上し、
マスクの開口部形状により対応した矩形状のコンタクト
ホールを効率良く形成できる事実を見出し、この発明に
到達した。
かくしてこの発明によれば、ホトマスク用板状体に、露
光解像し得ない幅の分離領域を介して、露光解像可能な
大きさの一組の方形状マスクパターンを隣接開口してな
る矩形状パターン解像用ホトマスクが提供される。
光解像し得ない幅の分離領域を介して、露光解像可能な
大きさの一組の方形状マスクパターンを隣接開口してな
る矩形状パターン解像用ホトマスクが提供される。
この発明における分離領域は、露光により対象となるホ
トレジストが解像されない程度の幅とされ、通常、０．
２〜０．４虐程度とするのが適している。一方、−組の
マスクパターン、すなわち開口部は、意図する矩形状パ
ターンを上記分離領域により２分割した方形状のもので
あって、各々露光解像可能な大きさを有するものであれ
ばよい。通常０．６〜１．０膚程度の辺の長さを有する
正方形状あるいは長方形状の開口部とするのが微細パタ
ーン形成の趣旨から適している。
トレジストが解像されない程度の幅とされ、通常、０．
２〜０．４虐程度とするのが適している。一方、−組の
マスクパターン、すなわち開口部は、意図する矩形状パ
ターンを上記分離領域により２分割した方形状のもので
あって、各々露光解像可能な大きさを有するものであれ
ばよい。通常０．６〜１．０膚程度の辺の長さを有する
正方形状あるいは長方形状の開口部とするのが微細パタ
ーン形成の趣旨から適している。
（ホ）作 用
方形状マスクパターンを仕切る分離領域は、露光対象と
なるホトレジストを解像することなく照射光を回折分散
して、２組の方形状マスクパターンの大きさに対応する
略矩形状の像をホトレジストに結像させるよう作用する
。
なるホトレジストを解像することなく照射光を回折分散
して、２組の方形状マスクパターンの大きさに対応する
略矩形状の像をホトレジストに結像させるよう作用する
。
（へ）実施例
第１図は、クロム薄板を用いたこの発明のホトマスクに
おけるコンタクトホール形成用のマスクパターンを示す
ものである。図に示すごとく、ホトマスクは、−組の長
方形状マスクパターン２Ａ。
おけるコンタクトホール形成用のマスクパターンを示す
ものである。図に示すごとく、ホトマスクは、−組の長
方形状マスクパターン２Ａ。
２Ｂ（開口部）を分離領域１を介してその１辺が対向す
るように隣接開口してなる。ここで、パターン２Ａ、２
Ｂは各々Ｕｖ露光可能な大きさとされ、具体的には、ａ
−１，０４，ｂ −０，６ｓと設定され、また、分離
領ｂＸ１の幅はＵｖ露光されない程度の狭い幅とされ、
具体的には、Ｃ−０，２４と設定されている。
るように隣接開口してなる。ここで、パターン２Ａ、２
Ｂは各々Ｕｖ露光可能な大きさとされ、具体的には、ａ
−１，０４，ｂ −０，６ｓと設定され、また、分離
領ｂＸ１の幅はＵｖ露光されない程度の狭い幅とされ、
具体的には、Ｃ−０，２４と設定されている。
かかるホトマスクを用いて、ホトエツチングの手法によ
りコンタクトホールの形成を行なった。
りコンタクトホールの形成を行なった。
なお、適用したホトエッチングブＯセスは以下の通りで
ある。
ある。
（＋）表面にＳｉＯ□酸化膜を有する半導体等の基板上
にポジ型ホトレジストを塗布する。
にポジ型ホトレジストを塗布する。
０）基板を熱処理してホトレジスト膜中に残存する溶剤
を除去する。
を除去する。
（至）上述したマスクを基板上の所マの位置に位置づけ
る。
る。
（へ）露光装置を用いて紫外光（４０５〜４３６ｒｖ
）をホトマスクに照射する。
）をホトマスクに照射する。
（Ｖ）有機溶剤等の現像液を用いてホトレジストを現像
する。
する。
６０リアクテイブイオンエツチングにより基板表面のエ
ツチングを行なってコンタクトホールを形成する。
ツチングを行なってコンタクトホールを形成する。
以上の手順によって、得られたコンタクトホールパター
ン３を第２図に示した。図中、ｄ −０，６４、ｅ −
１，３４である。このように分離された一組のマスクパ
ターンを有するホトマスクを用いて、これらを併せた形
状に対応する矩形状の微細なパターンのコンタクトホー
ルを形成できることが判った。
ン３を第２図に示した。図中、ｄ −０，６４、ｅ −
１，３４である。このように分離された一組のマスクパ
ターンを有するホトマスクを用いて、これらを併せた形
状に対応する矩形状の微細なパターンのコンタクトホー
ルを形成できることが判った。
なお、分離領域１の存在により、照射されるＵ■光のレ
ジスト面上への強度分布がどのように変化するかを確認
するために、ＵＶ波長４３６ｎｍにおける２次元光強度
分布をシュミレーションにより算出描画した結果を第３
図に示した。このように分離領域１の存在によって、各
方形状マスクパターンの角部に生じうるいわゆる影部分
が減少されるごとが判る。
ジスト面上への強度分布がどのように変化するかを確認
するために、ＵＶ波長４３６ｎｍにおける２次元光強度
分布をシュミレーションにより算出描画した結果を第３
図に示した。このように分離領域１の存在によって、各
方形状マスクパターンの角部に生じうるいわゆる影部分
が減少されるごとが判る。
（ト）発明の効果
この発明のホトマスクによれば、微細な矩形状のコンタ
クトホールをホトエツチングの手法により解像度良く形
成することができる。従ってこのホトマスクを用いるこ
とにより、メモリー素子等の各種半導体素子のレイアウ
ト上の制約をより緩和することもでき、半導体素子製造
の分野においてその有用性は極めて大なるものである。
クトホールをホトエツチングの手法により解像度良く形
成することができる。従ってこのホトマスクを用いるこ
とにより、メモリー素子等の各種半導体素子のレイアウ
ト上の制約をより緩和することもでき、半導体素子製造
の分野においてその有用性は極めて大なるものである。
Ｍ１図は、この発明のホトマスクにおけるマスクパター
ンを示す拡大平面図、第２図は第１図のマスクパターン
により形成されるコンタクトホールのパターンを示す拡
大平面図、第３図は、第１図のマスクパターンによる２
次元光強度分布を示すグラフ図である。 １・・・・・・分離領域、 ２Ａ、２Ｂ・・・・・・長方形状マスクパターン笥１
閏 笛２図 ｊＩ３１！Ｉ Ｘ（、Ｌ４ＪＴｌ）
ンを示す拡大平面図、第２図は第１図のマスクパターン
により形成されるコンタクトホールのパターンを示す拡
大平面図、第３図は、第１図のマスクパターンによる２
次元光強度分布を示すグラフ図である。 １・・・・・・分離領域、 ２Ａ、２Ｂ・・・・・・長方形状マスクパターン笥１
閏 笛２図 ｊＩ３１！Ｉ Ｘ（、Ｌ４ＪＴｌ）
Claims (1)
- １、ホトマスク用板状体に、露光解像し得ない幅の分離
領域を介して、露光解像可能な大きさの一組の方形状マ
スクパターンを隣接開口してなる矩形状パターン解像用
ホトマスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63132434A JPH01302256A (ja) | 1988-05-30 | 1988-05-30 | 矩形状パターン解像用ホトマスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63132434A JPH01302256A (ja) | 1988-05-30 | 1988-05-30 | 矩形状パターン解像用ホトマスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01302256A true JPH01302256A (ja) | 1989-12-06 |
Family
ID=15081279
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63132434A Pending JPH01302256A (ja) | 1988-05-30 | 1988-05-30 | 矩形状パターン解像用ホトマスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01302256A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6197452B1 (en) | 1997-09-17 | 2001-03-06 | Nec Corporation | Light exposure pattern mask with dummy patterns and production method of the same |
| DE10223301A1 (de) * | 2002-05-24 | 2003-12-11 | Heraeus Tenevo Ag | Tragstange aus carbonfaserverstärktem Kohlenstoff zum Halten von SiO¶2¶-Hohlzylindern |
-
1988
- 1988-05-30 JP JP63132434A patent/JPH01302256A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6197452B1 (en) | 1997-09-17 | 2001-03-06 | Nec Corporation | Light exposure pattern mask with dummy patterns and production method of the same |
| DE10223301A1 (de) * | 2002-05-24 | 2003-12-11 | Heraeus Tenevo Ag | Tragstange aus carbonfaserverstärktem Kohlenstoff zum Halten von SiO¶2¶-Hohlzylindern |
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