JPH06252031A - 露光装置及び露光方法 - Google Patents
露光装置及び露光方法Info
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- JPH06252031A JPH06252031A JP5062978A JP6297893A JPH06252031A JP H06252031 A JPH06252031 A JP H06252031A JP 5062978 A JP5062978 A JP 5062978A JP 6297893 A JP6297893 A JP 6297893A JP H06252031 A JPH06252031 A JP H06252031A
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- mask
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- resist
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 位相シフト技術を用いた露光について、その
効果を十分に利用して解像度の高い露光を実現できる露
光装置、及び露光方法を提供する。 【構成】 互いに透過光の位相を異ならしめる構成に形
成した露光用主パターン１と補助パターン２〜５とを有
する第１の露光マスクＭ１と、該第１の露光マスクの露
光用主パターン１よりも大きい露光用パターン７を有す
る第２の露光マスクＭ２とにより順次露光を行う。
効果を十分に利用して解像度の高い露光を実現できる露
光装置、及び露光方法を提供する。 【構成】 互いに透過光の位相を異ならしめる構成に形
成した露光用主パターン１と補助パターン２〜５とを有
する第１の露光マスクＭ１と、該第１の露光マスクの露
光用主パターン１よりも大きい露光用パターン７を有す
る第２の露光マスクＭ２とにより順次露光を行う。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、露光装置及び露光方法
に関する。本発明の露光装置及び露光方法は、各種のパ
ターン形成用技術として利用することができ、例えば半
導体装置製造プロセスにおいてレジストパターンを代表
とする各種パターンを形成する場合の露光技術について
利用することができる。
に関する。本発明の露光装置及び露光方法は、各種のパ
ターン形成用技術として利用することができ、例えば半
導体装置製造プロセスにおいてレジストパターンを代表
とする各種パターンを形成する場合の露光技術について
利用することができる。
【０００２】
【従来の技術】フォトマスクを利用してパターンを形成
するもの、例えば半導体装置等は、その加工寸法が年々
微細化される傾向にある。このような背景で、微細化し
た半導体装置を得るフォトリソグラフィーの技術におい
て、その解像度を更に向上させるため、各種の技術が提
案されている。例えば、その一つとして、位相シフト技
術がある。位相シフト技術は、マスクを透過する光に位
相差を与え、これにより光強度プロファイルを改善する
ものである。
するもの、例えば半導体装置等は、その加工寸法が年々
微細化される傾向にある。このような背景で、微細化し
た半導体装置を得るフォトリソグラフィーの技術におい
て、その解像度を更に向上させるため、各種の技術が提
案されている。例えば、その一つとして、位相シフト技
術がある。位相シフト技術は、マスクを透過する光に位
相差を与え、これにより光強度プロファイルを改善する
ものである。
【０００３】位相シフトマスクには各種の構成があり、
隣り合う光透過部で光の位相をシフト（理想的には１８
０°反転）させる位相シフトマスクは、空間周波数変調
型（あるいはレベンソン型）と称されている。その他、
位相シフトマスクには、エッジ強調型、遮光効果強調型
などと称されるような各種のものがあり、この中には遮
光部を有さない形状のもの（クロムレスタイプなどと称
されているもの）もあるが、いずれも、露光光を透過す
る部分の少なくとも一部には位相をシフトさせる位相シ
フト部が設けられている。
隣り合う光透過部で光の位相をシフト（理想的には１８
０°反転）させる位相シフトマスクは、空間周波数変調
型（あるいはレベンソン型）と称されている。その他、
位相シフトマスクには、エッジ強調型、遮光効果強調型
などと称されるような各種のものがあり、この中には遮
光部を有さない形状のもの（クロムレスタイプなどと称
されているもの）もあるが、いずれも、露光光を透過す
る部分の少なくとも一部には位相をシフトさせる位相シ
フト部が設けられている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし上記位相シフト
マスク利用の技術には、次のような問題がある。
マスク利用の技術には、次のような問題がある。
【０００５】即ち、位相シフト技術は、隣接するパター
ンを露光する光に位相差を与えることにより双方の光強
度が互いに打ち消される効果を利用するものであるが、
孤立ラインやコンタクトホールの形成の場合には近接光
が存在しないので、そのままでは位相シフト技術を実現
できない。
ンを露光する光に位相差を与えることにより双方の光強
度が互いに打ち消される効果を利用するものであるが、
孤立ラインやコンタクトホールの形成の場合には近接光
が存在しないので、そのままでは位相シフト技術を実現
できない。
【０００６】このため、図１４に示すように、露光光を
位相シフトさせることなく透過させる光透過部（位相シ
フト量０°）を、形成すべきパターンに対応して主パタ
ーン１として設けるととともに、露光光を位相シフトさ
せる位相シフト部（例えば位相シフト量１８０°）を補
助パターン２〜５として該主パターン１である光透過部
に近接して形成する技術が提案されている（寺澤らによ
る報告。昭和６３年秋季、第４９回応用物理学会学術講
演会予稿集２第４９７頁の４ａ−Ｋ−７参照）。
位相シフトさせることなく透過させる光透過部（位相シ
フト量０°）を、形成すべきパターンに対応して主パタ
ーン１として設けるととともに、露光光を位相シフトさ
せる位相シフト部（例えば位相シフト量１８０°）を補
助パターン２〜５として該主パターン１である光透過部
に近接して形成する技術が提案されている（寺澤らによ
る報告。昭和６３年秋季、第４９回応用物理学会学術講
演会予稿集２第４９７頁の４ａ−Ｋ−７参照）。
【０００７】このように、補助パターン方式を用いた位
相シフト技術によるコンタクトホール等の形成にあって
は、コンタクト等として解像すべき主パターン１と、コ
ンタクトホール等を囲む補助パターン２〜５とから構成
される。この技術によれば、図１５に示すように、主パ
ターン１からの光と補助パターン２〜５からの逆位相の
光とが相殺する（図１５の「振幅」参照）ことによる、
コンタクトホールエッジのコントラストの強調を実現す
る（図１５の「光強度」参照）。
相シフト技術によるコンタクトホール等の形成にあって
は、コンタクト等として解像すべき主パターン１と、コ
ンタクトホール等を囲む補助パターン２〜５とから構成
される。この技術によれば、図１５に示すように、主パ
ターン１からの光と補助パターン２〜５からの逆位相の
光とが相殺する（図１５の「振幅」参照）ことによる、
コンタクトホールエッジのコントラストの強調を実現す
る（図１５の「光強度」参照）。
【０００８】従って、コンタクトホールエッジでのコン
トラストを高くするためには、補助パターン２〜５によ
る光強度を大きくして主パターン１の光強度に近づける
ことが望ましいが、その場合、補助パターン２〜５を大
きくすると主パターン１のコントラストは強化されるも
のの、図１６に示すように、特に符号Ａで示すように、
補助パターン２〜５自体が解像し、所望のパターンとは
異なってしまうことになる。そのため、やはり補助パタ
ーン２〜５がレジストに感光しない程度に、補助パター
ンの光強度を小さく（補助パターン幅を狭く）して図１
４の程度にする必要があり、位相シフト技術の効果が制
限される。
トラストを高くするためには、補助パターン２〜５によ
る光強度を大きくして主パターン１の光強度に近づける
ことが望ましいが、その場合、補助パターン２〜５を大
きくすると主パターン１のコントラストは強化されるも
のの、図１６に示すように、特に符号Ａで示すように、
補助パターン２〜５自体が解像し、所望のパターンとは
異なってしまうことになる。そのため、やはり補助パタ
ーン２〜５がレジストに感光しない程度に、補助パター
ンの光強度を小さく（補助パターン幅を狭く）して図１
４の程度にする必要があり、位相シフト技術の効果が制
限される。
【０００９】
【発明の目的】本発明は、上記従来技術の問題点を解決
して、位相シフト技術を用いた露光について、その効果
を十分に利用して解像度の高い露光を実現できる露光装
置、及び露光方法を提供しようとするものである。
して、位相シフト技術を用いた露光について、その効果
を十分に利用して解像度の高い露光を実現できる露光装
置、及び露光方法を提供しようとするものである。
【００１０】
【問題点を解決するための手段】本発明の請求項１の発
明は、互いに透過光の位相を異ならしめる構成に形成し
た露光用主パターンと補助パターンとを有する第１の露
光マスクと、該第１の露光マスクの露光用主パターンよ
りも大きい露光用パターンを有する第２の露光マスクと
を備えることを特徴とする露光装置であって、これによ
り上記目的を達成するものである。
明は、互いに透過光の位相を異ならしめる構成に形成し
た露光用主パターンと補助パターンとを有する第１の露
光マスクと、該第１の露光マスクの露光用主パターンよ
りも大きい露光用パターンを有する第２の露光マスクと
を備えることを特徴とする露光装置であって、これによ
り上記目的を達成するものである。
【００１１】本発明の請求項２の発明は、透過光の位相
を異ならしめて露光光を透過させる位相シフト部を備え
た第１のマスクと、透過光の位相を異ならしめることな
く露光光を透過させる第２のマスクとを順次用いて露光
を行うことを特徴とする露光方法であって、これにより
上記目的を達成するものである。
を異ならしめて露光光を透過させる位相シフト部を備え
た第１のマスクと、透過光の位相を異ならしめることな
く露光光を透過させる第２のマスクとを順次用いて露光
を行うことを特徴とする露光方法であって、これにより
上記目的を達成するものである。
【００１２】本発明の請求項３の発明は、互いに透過光
の位相を異ならしめる構成に形成した露光用主パターン
と補助パターンとを有する第１の露光マスクと、該第１
の露光マスクの露光用主パターンよりも大きい露光用パ
ターンを有する第２の露光マスクとを用い、被加工材上
の第１のレジストを前記第１の露光マスクにより露光
し、現像後、第２のレジストを被加工材上に形成し、該
第２のレジストを前記第２の露光マスクにより露光し、
現像する工程を備えることを特徴とする露光方法であっ
て、これにより上記目的を達成するものである。
の位相を異ならしめる構成に形成した露光用主パターン
と補助パターンとを有する第１の露光マスクと、該第１
の露光マスクの露光用主パターンよりも大きい露光用パ
ターンを有する第２の露光マスクとを用い、被加工材上
の第１のレジストを前記第１の露光マスクにより露光
し、現像後、第２のレジストを被加工材上に形成し、該
第２のレジストを前記第２の露光マスクにより露光し、
現像する工程を備えることを特徴とする露光方法であっ
て、これにより上記目的を達成するものである。
【００１３】本発明の請求項４の発明は、互いに透過光
の位相を異ならしめる構成に形成した露光用主パターン
と補助パターンとを有する第１の露光マスクと、該第１
の露光マスクの露光用主パターンよりも大きい露光用パ
ターンを有する第２の露光マスクとを用い、被加工材上
の第１のレジストを前記第２の露光マスクにより露光
し、現像後、第２のレジストを被加工材上に形成し、該
第２のレジストを前記第１の露光マスクにより露光し、
現像する工程を備えることを特徴とする露光方法であっ
て、これにより上記目的を達成するものである。
の位相を異ならしめる構成に形成した露光用主パターン
と補助パターンとを有する第１の露光マスクと、該第１
の露光マスクの露光用主パターンよりも大きい露光用パ
ターンを有する第２の露光マスクとを用い、被加工材上
の第１のレジストを前記第２の露光マスクにより露光
し、現像後、第２のレジストを被加工材上に形成し、該
第２のレジストを前記第１の露光マスクにより露光し、
現像する工程を備えることを特徴とする露光方法であっ
て、これにより上記目的を達成するものである。
【００１４】本発明の請求項５の発明は、互いに透過光
の位相を異ならしめる構成に形成した露光用主パターン
と補助パターンとを有する第１の露光マスクと、該第１
の露光マスクの露光用主パターンよりも大きい露光用パ
ターンを有する第２の露光マスクとを用い、被加工材上
に無機材料を形成し、その後、被加工材上に第１のレジ
ストを形成し、被加工材上の該第１のレジストを前記第
１の露光マスクにより露光し、現像後、第２のレジスト
を被加工材上に形成し、該第２のレジストを前記第２の
露光マスクにより露光し、現像する工程を備えることを
特徴とする露光方法であって、これにより上記目的を達
成するものである。
の位相を異ならしめる構成に形成した露光用主パターン
と補助パターンとを有する第１の露光マスクと、該第１
の露光マスクの露光用主パターンよりも大きい露光用パ
ターンを有する第２の露光マスクとを用い、被加工材上
に無機材料を形成し、その後、被加工材上に第１のレジ
ストを形成し、被加工材上の該第１のレジストを前記第
１の露光マスクにより露光し、現像後、第２のレジスト
を被加工材上に形成し、該第２のレジストを前記第２の
露光マスクにより露光し、現像する工程を備えることを
特徴とする露光方法であって、これにより上記目的を達
成するものである。
【００１５】本発明の請求項６の発明は、互いに透過光
の位相を異ならしめる構成に形成した露光用主パターン
と補助パターンとを有する第１の露光マスクと、該第１
の露光マスクの露光用主パターンよりも大きい露光用パ
ターンを有する第２の露光マスクとを用い、被加工材上
に無機材料を形成し、その後、被加工材上に第１のレジ
ストを形成し、被加工材上の該第１のレジストを前記第
２の露光マスクにより露光し、現像後、第２のレジスト
を被加工材上に形成し、該第２のレジストを前記第１の
露光マスクにより露光し、現像する工程を備えることを
特徴とする露光方法であって、これにより上記目的を達
成するものである。
の位相を異ならしめる構成に形成した露光用主パターン
と補助パターンとを有する第１の露光マスクと、該第１
の露光マスクの露光用主パターンよりも大きい露光用パ
ターンを有する第２の露光マスクとを用い、被加工材上
に無機材料を形成し、その後、被加工材上に第１のレジ
ストを形成し、被加工材上の該第１のレジストを前記第
２の露光マスクにより露光し、現像後、第２のレジスト
を被加工材上に形成し、該第２のレジストを前記第１の
露光マスクにより露光し、現像する工程を備えることを
特徴とする露光方法であって、これにより上記目的を達
成するものである。
【００１６】
【作 用】本発明によれば、位相シフト部を有する露光
マスクについて、これを通常の露光マスクと組み合わせ
て用いるので、主パターンの解像を位相シフト効果を十
分に発揮させて高解像度で得ることができる。第１，第
２のレジストを用いて、順次第１，第２のマスク（その
使用順はレジストによって適宜採用する）によって露光
することにより、最も解像度高くパターン露光を実現で
きるからである。
マスクについて、これを通常の露光マスクと組み合わせ
て用いるので、主パターンの解像を位相シフト効果を十
分に発揮させて高解像度で得ることができる。第１，第
２のレジストを用いて、順次第１，第２のマスク（その
使用順はレジストによって適宜採用する）によって露光
することにより、最も解像度高くパターン露光を実現で
きるからである。
【００１７】
【実施例】以下図面を参照して、本発明の実施例を説明
する。但し当然のことではあるが、本発明は以下の実施
例により限定を受けるものではない。
する。但し当然のことではあるが、本発明は以下の実施
例により限定を受けるものではない。
【００１８】実施例１ この実施例は、本発明を、集積化された半導体装置の微
細コンタクトホール形成に用いたものである。
細コンタクトホール形成に用いたものである。
【００１９】本実施例の位相シフトマスクを、図１に示
す。図示の如く、本実施例では２枚のマスクＭ１，Ｍ２
の組み合わせを用いる。即ち、この実施例では、互いに
透過光の位相を異ならしめる構成に形成した露光用主パ
ターン１と補助パターン２〜５とを有する第１の露光マ
スクＭ１と、該第１の露光マスクＭ１の露光用主パター
ン１よりも大きい露光用パターン７を有する第２の露光
マスクＭ２との両マスクを用い、かかる両マスクＭ１，
Ｍ２を備える露光装置により露光を行う。
す。図示の如く、本実施例では２枚のマスクＭ１，Ｍ２
の組み合わせを用いる。即ち、この実施例では、互いに
透過光の位相を異ならしめる構成に形成した露光用主パ
ターン１と補助パターン２〜５とを有する第１の露光マ
スクＭ１と、該第１の露光マスクＭ１の露光用主パター
ン１よりも大きい露光用パターン７を有する第２の露光
マスクＭ２との両マスクを用い、かかる両マスクＭ１，
Ｍ２を備える露光装置により露光を行う。
【００２０】また、本実施例は、透過光の位相を異なら
しめて露光光を透過させる位相シフト部２〜５を備えた
第１のマスクＭ１と、透過光の位相を異ならしめること
なく露光光を透過させる第２のマスクＭ２とを順次用い
て露光を行うものである。
しめて露光光を透過させる位相シフト部２〜５を備えた
第１のマスクＭ１と、透過光の位相を異ならしめること
なく露光光を透過させる第２のマスクＭ２とを順次用い
て露光を行うものである。
【００２１】具体的には、本実施例で用いる２枚のマス
クＭ１，Ｍ２は、次の構成とした。
クＭ１，Ｍ２は、次の構成とした。
【００２２】第１のマスクＭ１は、主パターン１が一辺
０．２５μｍの角形（被露光ウェハー上の寸法で言う。
以下同じ）、補助パターン２〜５が同０．２５μｍ（シ
フター材料を有する）で、主パターン１と補助パターン
２〜５の間隔は０．１６μｍである。
０．２５μｍの角形（被露光ウェハー上の寸法で言う。
以下同じ）、補助パターン２〜５が同０．２５μｍ（シ
フター材料を有する）で、主パターン１と補助パターン
２〜５の間隔は０．１６μｍである。
【００２３】第２のマスクＭ２は、マスクＭ１の主パタ
ーン１を０．０８μｍだけ拡大したパターン７を有す
る。
ーン１を０．０８μｍだけ拡大したパターン７を有す
る。
【００２４】マスクＭ１とマスクＭ２の積が所望のパタ
ーンとなる。よって、最小パターンによりパターニング
がなされる。本実施例では、０．２５μｍの微細コンタ
クトホール形成を行うべく、ＫｒＦエキシマレーザ露光
を行うようにした。
ーンとなる。よって、最小パターンによりパターニング
がなされる。本実施例では、０．２５μｍの微細コンタ
クトホール形成を行うべく、ＫｒＦエキシマレーザ露光
を行うようにした。
【００２５】図２ないし図５に、本実施例における露光
工程を示す。本実施例においては、図２ないし図５に示
すように、互いに透過光の位相を異ならしめる構成に形
成した露光用主パターン１と補助パターン２〜５とを有
する第１の露光マスクＭ１と、該第１の露光マスクＭ１
の露光用主パターン１よりも大きい露光用パターン７を
有する第２の露光マスクＭ２とを用いて、被加工材１０
（具体的にはウェハー上の層間膜）上の第１のレジスト
９を前記第１の露光マスクＭ１により露光し、現像して
図２の構造とし、その後、第２のレジスト１４を被加工
材１０上に形成し（図３）、該第２のレジスト１４を前
記第２の露光マスクＭ２により露光し、現像する（図
４）工程を備える。
工程を示す。本実施例においては、図２ないし図５に示
すように、互いに透過光の位相を異ならしめる構成に形
成した露光用主パターン１と補助パターン２〜５とを有
する第１の露光マスクＭ１と、該第１の露光マスクＭ１
の露光用主パターン１よりも大きい露光用パターン７を
有する第２の露光マスクＭ２とを用いて、被加工材１０
（具体的にはウェハー上の層間膜）上の第１のレジスト
９を前記第１の露光マスクＭ１により露光し、現像して
図２の構造とし、その後、第２のレジスト１４を被加工
材１０上に形成し（図３）、該第２のレジスト１４を前
記第２の露光マスクＭ２により露光し、現像する（図
４）工程を備える。
【００２６】更に詳しくは、本実施例では次の〜の
工程で、所望の露光によるレジストパターニング、及び
被加工材の加工（ここではエッチング）を行った。
工程で、所望の露光によるレジストパターニング、及び
被加工材の加工（ここではエッチング）を行った。
【００２７】被加工材１０である層間膜（ＳｉＯ2 ）
上に、ポジレジストである第１のレジスト９を膜厚１μ
ｍに塗布する。マスクＭ１を用い、ＫｒＦエキシマレー
ザを光源とするステッパーで露光した後、現像、ベーキ
ングを行う。図２に示すように、主パターン１１は０．
２５μｍφ、補助パターン１２，１３は主パターンより
若干大きく解像する。
上に、ポジレジストである第１のレジスト９を膜厚１μ
ｍに塗布する。マスクＭ１を用い、ＫｒＦエキシマレー
ザを光源とするステッパーで露光した後、現像、ベーキ
ングを行う。図２に示すように、主パターン１１は０．
２５μｍφ、補助パターン１２，１３は主パターンより
若干大きく解像する。
【００２８】第２のレジスト１４（ポジレジスト）を
膜厚１μｍ（あるいは、それ以下）に塗布する（図
３）。
膜厚１μｍ（あるいは、それ以下）に塗布する（図
３）。
【００２９】第２のマスクＭ２を第１のマスクＭ１の
パターンに合わせて（合わせ精度０．０８μｍ）、露光
した後、現像、ベーキングを行う。第２のレジスト１４
の開口部１５（０．４１μｍφ）が形成される。合わせ
誤差により開口部１５が、レジスト１の開口部１２，１
３に重なることはない。
パターンに合わせて（合わせ精度０．０８μｍ）、露光
した後、現像、ベーキングを行う。第２のレジスト１４
の開口部１５（０．４１μｍφ）が形成される。合わせ
誤差により開口部１５が、レジスト１の開口部１２，１
３に重なることはない。
【００３０】第１のレジスト９及び第２のレジスト１
４をマスクとし、被加工材１０たる層間膜をエッチング
し、コンタクトホール１６を形成する。
４をマスクとし、被加工材１０たる層間膜をエッチング
し、コンタクトホール１６を形成する。
【００３１】上記により、微細な主パターン１１（マス
クＭ１の主パターン１）に見合った、精度の良いコンタ
クトホールが形成された。第１のマスクＭ１の補助パタ
ーン２〜５は、主パターン１と同等の大きさで形成さ
れ、位相反転して相殺される光強度が等しくなり、コン
トラストが極めて大きくなったからである。しかも、第
２のマスクＭ２を併用することで、第２のレジスト１４
にマスクされる結果、補助パターン２〜５による第１の
レジスト９のレジスト開口１２，１３が下地被加工材１
０に影響は及ぼさない。
クＭ１の主パターン１）に見合った、精度の良いコンタ
クトホールが形成された。第１のマスクＭ１の補助パタ
ーン２〜５は、主パターン１と同等の大きさで形成さ
れ、位相反転して相殺される光強度が等しくなり、コン
トラストが極めて大きくなったからである。しかも、第
２のマスクＭ２を併用することで、第２のレジスト１４
にマスクされる結果、補助パターン２〜５による第１の
レジスト９のレジスト開口１２，１３が下地被加工材１
０に影響は及ぼさない。
【００３２】第１，第２のレジストとしては、互いに異
なり、しかも溶剤を異にするものを用いるのが好まし
い。相溶性がないことが好ましく、また、全く独立にパ
ターニング現像を行うことを可能ならしめるためであ
る。本実施例では、第１のレジスト９として有機溶剤で
現像するＰＭＭＡ系レジストを用い、第２のレジスト１
４としてアルカリ現像液で現像するノボラック系レジス
トを用いた。
なり、しかも溶剤を異にするものを用いるのが好まし
い。相溶性がないことが好ましく、また、全く独立にパ
ターニング現像を行うことを可能ならしめるためであ
る。本実施例では、第１のレジスト９として有機溶剤で
現像するＰＭＭＡ系レジストを用い、第２のレジスト１
４としてアルカリ現像液で現像するノボラック系レジス
トを用いた。
【００３３】本実施例によれば、補助パターン方式の位
相シフト技術利用露光マスクを用いてコンタクトホール
形成の解像度を向上させ、レベンソン式のラインアンド
スペース並みの解像度を実現できた。これによりＬＳＩ
の集積度を向上させることが可能ならしめられる。かつ
本実施例は、マスク以外については、従来と同じ製造装
置、プロセスを用いることができる。
相シフト技術利用露光マスクを用いてコンタクトホール
形成の解像度を向上させ、レベンソン式のラインアンド
スペース並みの解像度を実現できた。これによりＬＳＩ
の集積度を向上させることが可能ならしめられる。かつ
本実施例は、マスク以外については、従来と同じ製造装
置、プロセスを用いることができる。
【００３４】実施例２ 本実施例では、実施例１の工程において、第１のレジス
ト９ａ（図６参照）を塗布する前に、被加工材１０であ
る層間膜上に他の無機材料を堆積し（例えば層間膜がＳ
ｉＯ2 の場合、ＰｏｌｙＳｉやＳｉＮ。図６ないし図８
では、ＰｏｌｙＳｉをこの材料層１７として表示）、こ
の材料層１７を第１のマスクＭ１でパターニングした第
１のレジスト９ａ（図６）を用いてパターニングし（図
７）、この材料層１７と第２のレジスト１４ａ（第２の
マスクＭ２でパターニングされる。露光部を図８に１４
ｂで示す）の複合構造をマスクとすることにより、図８
の１４ｃで示すパターンで被加工材１０たる層間膜にコ
ンタクトホールを形成したものである。
ト９ａ（図６参照）を塗布する前に、被加工材１０であ
る層間膜上に他の無機材料を堆積し（例えば層間膜がＳ
ｉＯ2 の場合、ＰｏｌｙＳｉやＳｉＮ。図６ないし図８
では、ＰｏｌｙＳｉをこの材料層１７として表示）、こ
の材料層１７を第１のマスクＭ１でパターニングした第
１のレジスト９ａ（図６）を用いてパターニングし（図
７）、この材料層１７と第２のレジスト１４ａ（第２の
マスクＭ２でパターニングされる。露光部を図８に１４
ｂで示す）の複合構造をマスクとすることにより、図８
の１４ｃで示すパターンで被加工材１０たる層間膜にコ
ンタクトホールを形成したものである。
【００３５】実施例３ 本実施例は、実施例１の変形である。実施例１では、ま
ず第１のマスクＭ１を用いて主パターン１により所望の
微細パターンをレジストに転写したが、本実施例では先
に第２のマスク２を用いて、第１のレジスト９にパター
ン７を転写し、その後第２のレジスト１４を塗布形成し
て、ここで第１のマスクＭ１を用い、主パターン１を転
写するようにした。本実施例も、結果として実施例１と
同様のコンタクトホールを形成できる。
ず第１のマスクＭ１を用いて主パターン１により所望の
微細パターンをレジストに転写したが、本実施例では先
に第２のマスク２を用いて、第１のレジスト９にパター
ン７を転写し、その後第２のレジスト１４を塗布形成し
て、ここで第１のマスクＭ１を用い、主パターン１を転
写するようにした。本実施例も、結果として実施例１と
同様のコンタクトホールを形成できる。
【００３６】実施例４ 本実施例は、実施例２の変形である。実施例２では、無
機材料層１７の形成後、まず第１のマスクＭ１を用いて
主パターン１により所望の微細パターンを第１のレジス
ト９ａに転写したが、本実施例では先に第２のマスク２
を用いて、第１のレジスト９ａにパターン７を転写し、
その後第２のレジスト１４ａを塗布形成して、ここで第
１のマスクＭ１を用い、主パターン１を転写するように
した。本実施例も、結果として実施例２と同様のコンタ
クトホールを形成できる。
機材料層１７の形成後、まず第１のマスクＭ１を用いて
主パターン１により所望の微細パターンを第１のレジス
ト９ａに転写したが、本実施例では先に第２のマスク２
を用いて、第１のレジスト９ａにパターン７を転写し、
その後第２のレジスト１４ａを塗布形成して、ここで第
１のマスクＭ１を用い、主パターン１を転写するように
した。本実施例も、結果として実施例２と同様のコンタ
クトホールを形成できる。
【００３７】実施例５ 前記各実施例ではポジレジストを用いて凹部パターンを
被加工材に形成したが、本実施例では、ネガレジストを
用いて凸部パターン（島状ｉｓｌａｎｄパターン）を形
成した。
被加工材に形成したが、本実施例では、ネガレジストを
用いて凸部パターン（島状ｉｓｌａｎｄパターン）を形
成した。
【００３８】図９ないし図１２を参照する。本実施例で
は、被加工材１０（ＳｉＯ2 等）上に第２のマスクによ
りネガレジストパターン９Ｂを形成し（図９）、第２の
レジスト１４Ｂを塗布形成し（図１０）、第１のマスク
により微細パターン１４Ｂを形成し、これにより下部の
パターン９Ｂを加工して微細パターン９Ｂ′として、こ
れと同時に、または該パターン９Ｂ′形成後にこれらを
マスクとして被加工材１０を加工して、凸状の島状パタ
ーンを得る。
は、被加工材１０（ＳｉＯ2 等）上に第２のマスクによ
りネガレジストパターン９Ｂを形成し（図９）、第２の
レジスト１４Ｂを塗布形成し（図１０）、第１のマスク
により微細パターン１４Ｂを形成し、これにより下部の
パターン９Ｂを加工して微細パターン９Ｂ′として、こ
れと同時に、または該パターン９Ｂ′形成後にこれらを
マスクとして被加工材１０を加工して、凸状の島状パタ
ーンを得る。
【００３９】実施例６ 上記各実施例では、図１４に示した形式の、主パターン
１の周囲に独立した補助パターン２〜５が形成されたマ
スクを第１のマスクとして用いたが、本例では、図１３
に示すように、主パターン１の周囲をそっくり位相シフ
ト部２０が補助パターンとして囲う構造のマスクを用い
て、上記各例と同様のパターン形成を行った。本実施例
により、上記各例と同様の効果を得た。
１の周囲に独立した補助パターン２〜５が形成されたマ
スクを第１のマスクとして用いたが、本例では、図１３
に示すように、主パターン１の周囲をそっくり位相シフ
ト部２０が補助パターンとして囲う構造のマスクを用い
て、上記各例と同様のパターン形成を行った。本実施例
により、上記各例と同様の効果を得た。
【００４０】
【発明の効果】上述の如く、本発明の露光装置及び露光
方法によれば、位相シフト技術を用いた露光について、
その効果を十分に利用して解像度の高い露光を実現でき
るという効果がもたらされる。
方法によれば、位相シフト技術を用いた露光について、
その効果を十分に利用して解像度の高い露光を実現でき
るという効果がもたらされる。
【図１】実施例１のマスクを示す平面図である。
【図２】実施例１の露光工程を示す図である（１）。
【図３】実施例１の露光工程を示す図である（２）。
【図４】実施例１の露光工程を示す図である（３）。
【図５】実施例１の露光工程を示す図である（４）。
【図６】実施例２の露光工程を示す図である（１）。
【図７】実施例２の露光工程を示す図である（２）。
【図８】実施例２の露光工程を示す図である（３）。
【図９】実施例５の露光工程を示す図である（１）。
【図１０】実施例５の露光工程を示す図である（２）。
【図１１】実施例５の露光工程を示す図である（３）。
【図１２】実施例５の露光工程を示す図である（４）。
【図１３】変形例のマスクを示す図である。
【図１４】従来技術を示す図である。
【図１５】従来技術を示す図である。
【図１６】従来技術の問題点を示す図である。
Ｍ１ 第１のマスク Ｍ２ 第２のマスク １ 主パターン ２〜５ 補助パターン ７ 第２のマスクのパターン ９，９ａ，９Ｂ 第１のレジスト １０ 被加工材 １４，１４ａ，１４Ｂ 第２のレジスト
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 7352−4Ｍ Ｈ０１Ｌ 21/30 ３１１ Ｌ 7352−4Ｍ ３６１ Ｓ
Claims (6)
- 【請求項１】互いに透過光の位相を異ならしめる構成に
形成した露光用主パターンと補助パターンとを有する第
１の露光マスクと、 該第１の露光マスクの露光用主パターンよりも大きい露
光用パターンを有する第２の露光マスクとを備えること
を特徴とする露光装置。 - 【請求項２】透過光の位相を異ならしめて露光光を透過
させる位相シフト部を備えた第１のマスクと、 透過光の位相を異ならしめることなく露光光を透過させ
る第２のマスクとを順次用いて露光を行うことを特徴と
する露光方法。 - 【請求項３】互いに透過光の位相を異ならしめる構成に
形成した露光用主パターンと補助パターンとを有する第
１の露光マスクと、該第１の露光マスクの露光用主パタ
ーンよりも大きい露光用パターンを有する第２の露光マ
スクとを用い、 被加工材上の第１のレジストを前記第１の露光マスクに
より露光し、現像後、 第２のレジストを被加工材上に形成し、 該第２のレジストを前記第２の露光マスクにより露光
し、現像する工程を備えることを特徴とする露光方法。 - 【請求項４】互いに透過光の位相を異ならしめる構成に
形成した露光用主パターンと補助パターンとを有する第
１の露光マスクと、該第１の露光マスクの露光用主パタ
ーンよりも大きい露光用パターンを有する第２の露光マ
スクとを用い、 被加工材上の第１のレジストを前記第２の露光マスクに
より露光し、現像後、 第２のレジストを被加工材上に形成し、 該第２のレジストを前記第１の露光マスクにより露光
し、現像する工程を備えることを特徴とする露光方法。 - 【請求項５】互いに透過光の位相を異ならしめる構成に
形成した露光用主パターンと補助パターンとを有する第
１の露光マスクと、該第１の露光マスクの露光用主パタ
ーンよりも大きい露光用パターンを有する第２の露光マ
スクとを用い、 被加工材上に無機材料を形成し、 その後、被加工材上に第１のレジストを形成し、 被加工材上の該第１のレジストを前記第１の露光マスク
により露光し、現像後、 第２のレジストを被加工材上に形成し、 該第２のレジストを前記第２の露光マスクにより露光
し、現像する工程を備えることを特徴とする露光方法。 - 【請求項６】互いに透過光の位相を異ならしめる構成に
形成した露光用主パターンと補助パターンとを有する第
１の露光マスクと、該第１の露光マスクの露光用主パタ
ーンよりも大きい露光用パターンを有する第２の露光マ
スクとを用い、 被加工材上に無機材料を形成し、 その後、被加工材上に第１のレジストを形成し、 被加工材上の該第１のレジストを前記第２の露光マスク
により露光し、現像後、 第２のレジストを被加工材上に形成し、 該第２のレジストを前記第１の露光マスクにより露光
し、現像する工程を備えることを特徴とする露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5062978A JPH06252031A (ja) | 1993-02-28 | 1993-02-28 | 露光装置及び露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5062978A JPH06252031A (ja) | 1993-02-28 | 1993-02-28 | 露光装置及び露光方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06252031A true JPH06252031A (ja) | 1994-09-09 |
Family
ID=13215961
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5062978A Pending JPH06252031A (ja) | 1993-02-28 | 1993-02-28 | 露光装置及び露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06252031A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100277573B1 (ko) * | 1998-02-12 | 2001-02-01 | 황인길 | 미세패턴형성방법 |
| WO2004061918A1 (ja) * | 2002-12-27 | 2004-07-22 | Nikon Corporation | パターン形成方法、電子デバイス製造方法、及び電子デバイス、並びにフォトマスク |
| JP2007250773A (ja) * | 2006-03-15 | 2007-09-27 | Toshiba Corp | パターン形成方法、レチクル補正方法及びレチクルパターンデータ補正方法 |
| US7312019B2 (en) | 2004-03-02 | 2007-12-25 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Linear grating formation method |
| JP2010161363A (ja) * | 2009-01-08 | 2010-07-22 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | マスク・レイアウト内に印刷補助フィーチャを配置する方法、印刷補助フィーチャを生成するシステム、およびプログラム |
| WO2024012128A1 (zh) * | 2022-07-13 | 2024-01-18 | 华为技术有限公司 | 掩模板组件、光刻装置和光刻方法 |
-
1993
- 1993-02-28 JP JP5062978A patent/JPH06252031A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100277573B1 (ko) * | 1998-02-12 | 2001-02-01 | 황인길 | 미세패턴형성방법 |
| WO2004061918A1 (ja) * | 2002-12-27 | 2004-07-22 | Nikon Corporation | パターン形成方法、電子デバイス製造方法、及び電子デバイス、並びにフォトマスク |
| US7312019B2 (en) | 2004-03-02 | 2007-12-25 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Linear grating formation method |
| JP2007250773A (ja) * | 2006-03-15 | 2007-09-27 | Toshiba Corp | パターン形成方法、レチクル補正方法及びレチクルパターンデータ補正方法 |
| JP2010161363A (ja) * | 2009-01-08 | 2010-07-22 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | マスク・レイアウト内に印刷補助フィーチャを配置する方法、印刷補助フィーチャを生成するシステム、およびプログラム |
| WO2024012128A1 (zh) * | 2022-07-13 | 2024-01-18 | 华为技术有限公司 | 掩模板组件、光刻装置和光刻方法 |
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