JPH01302599A - メモリ制御装置 - Google Patents
メモリ制御装置Info
- Publication number
- JPH01302599A JPH01302599A JP63131735A JP13173588A JPH01302599A JP H01302599 A JPH01302599 A JP H01302599A JP 63131735 A JP63131735 A JP 63131735A JP 13173588 A JP13173588 A JP 13173588A JP H01302599 A JPH01302599 A JP H01302599A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- signal
- reset
- refresh
- pulse
- circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
- Dram (AREA)
- Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の目的1
(産業上の利用分野)
本発明はメモリ制御装置に関し、特に通常時はメモリの
リフレッシュを適切に実行しつつ、各種検査、シミュレ
ーション等に対応することのできるメモリ制tit装置
に関するものである。
リフレッシュを適切に実行しつつ、各種検査、シミュレ
ーション等に対応することのできるメモリ制tit装置
に関するものである。
(従来の技術)
近年においては種々の半導体メモリが開発されており、
例えばパーソナルコンピュータ等ではダイナミックラン
ダムンクはスメモリ(以下DRAMと略す)等の半導体
メモリが用いられている。
例えばパーソナルコンピュータ等ではダイナミックラン
ダムンクはスメモリ(以下DRAMと略す)等の半導体
メモリが用いられている。
このDRAMは記憶した情報を電荷の形態で蓄えており
、この蓄えられた電荷が時間の経過とともにリーク電流
として失われてしまうことから、一定の周期毎に失われ
た電荷を補うためのいわゆるリフレッシュを必要とする
。
、この蓄えられた電荷が時間の経過とともにリーク電流
として失われてしまうことから、一定の周期毎に失われ
た電荷を補うためのいわゆるリフレッシュを必要とする
。
このようなリフレッシュを行なうための従来のメモリ制
御装置としては第8図乃至第11図に示すようなものが
知られている。
御装置としては第8図乃至第11図に示すようなものが
知られている。
第8図に示す従来例ではカウンタ101がいわゆるリフ
レッシュ回路を形成している。このカウンタ101には
所定周期のクロックパルス103を1/nに分周するだ
めの分周回路を内蔵しており、分周回路によって分周さ
れたパルス信号をすフレッシュパルス105として出力
する。またカウンタ101をリセットするためのリセッ
ト信号107をカウンタ101のリセット端子へ直接与
えるようにしている。
レッシュ回路を形成している。このカウンタ101には
所定周期のクロックパルス103を1/nに分周するだ
めの分周回路を内蔵しており、分周回路によって分周さ
れたパルス信号をすフレッシュパルス105として出力
する。またカウンタ101をリセットするためのリセッ
ト信号107をカウンタ101のリセット端子へ直接与
えるようにしている。
従って、第9図に示すようにカウンタ101ヘリセツト
信号107が与えられると、このリセット信号107の
Lレベルの期間だけリフレッシュパルス105の出力が
停止してしまう。
信号107が与えられると、このリセット信号107の
Lレベルの期間だけリフレッシュパルス105の出力が
停止してしまう。
このため第10図に示すようにリセット動作中において
らリフレッシュパルス105を停止することなく継続的
に出力させるようにしたものが提案されている。
らリフレッシュパルス105を停止することなく継続的
に出力させるようにしたものが提案されている。
第10図に示す従来例ではリセット信号107をカウン
タ101へ与えることなく他の装置、例えばCPU等へ
与えるようにしており、第11図に示すようにリセット
信号107によるリセット動作中においてもリフレッシ
ュパルス105を継続して出力するとともに、リセット
信号107のLレベルからHレベルへの立上り出力でC
PUのアクセスをリセットするようにしている。そのた
め、装置内に実装するような場合には、動作上問題が生
じるようなことはなかった。
タ101へ与えることなく他の装置、例えばCPU等へ
与えるようにしており、第11図に示すようにリセット
信号107によるリセット動作中においてもリフレッシ
ュパルス105を継続して出力するとともに、リセット
信号107のLレベルからHレベルへの立上り出力でC
PUのアクセスをリセットするようにしている。そのた
め、装置内に実装するような場合には、動作上問題が生
じるようなことはなかった。
しかしながら、この場合にはカウンタ101を初期化す
ることができないため、ICのシミュレーション時に初
期値が゛不定”となるためシミュレーションテストを行
なうことができず、また■Cテスタによる検査を行なう
こともできなかった。
ることができないため、ICのシミュレーション時に初
期値が゛不定”となるためシミュレーションテストを行
なうことができず、また■Cテスタによる検査を行なう
こともできなかった。
また、[)RAMは一般的に第12図及び第13図に示
すように、安定した動作を行なうまでに時間を要する。
すように、安定した動作を行なうまでに時間を要する。
具体的には、第12図に示すように電源投入直後におい
ては、いわゆるダミーリフレッシュとして8個程度のリ
フレッシュパルスが必要とされ、このダミーリフレッシ
ュに相応する時間、例えば130μ秒程度の時間を要し
た。また第13図に示すように何らかの原因で一時的に
リフレッシュパルスが停止した場合も同様で、リフレッ
シュパルスの出力が開始されてから所定数のダミーリフ
レッシュパルスが入力するまでの間はDRAMの動作状
態が不安定であった。
ては、いわゆるダミーリフレッシュとして8個程度のリ
フレッシュパルスが必要とされ、このダミーリフレッシ
ュに相応する時間、例えば130μ秒程度の時間を要し
た。また第13図に示すように何らかの原因で一時的に
リフレッシュパルスが停止した場合も同様で、リフレッ
シュパルスの出力が開始されてから所定数のダミーリフ
レッシュパルスが入力するまでの間はDRAMの動作状
態が不安定であった。
このため第14図に示すように相互に独立したリセット
信号107aとリセット化M107bとを生成し、リセ
ット信号107aをカウンタ101のリセット端子へ与
えるとともに、リセット信号107bを他の回路部、例
えばCPU等へ与えるようにしたものが提案されている
。この従来例では第15図に示ずように時刻【1で電源
が投入された侵、時刻t2においてリセット信号107
aIfiLレベルからHレベルに立ち上がる。これによ
りカウンタ101が動作してリフレッシュパルス゛10
5の出力が開始される。ここで前述したようにリフレッ
シュパルス105の8個程度のパルスに相応する時間、
ずなわち時刻【2から時刻t3までのあいだはDRAM
の動作が不安定な状態である可能性がある。従って時刻
t3を経過した侵のDRAMの動作が十分に安定する、
時刻t4において、リセット化@107bをLレベルか
らHレベルに立ち上げるようにすることにより、DRA
Mが安定して動作している状態でDRAMの動作を開始
させることができる。
信号107aとリセット化M107bとを生成し、リセ
ット信号107aをカウンタ101のリセット端子へ与
えるとともに、リセット信号107bを他の回路部、例
えばCPU等へ与えるようにしたものが提案されている
。この従来例では第15図に示ずように時刻【1で電源
が投入された侵、時刻t2においてリセット信号107
aIfiLレベルからHレベルに立ち上がる。これによ
りカウンタ101が動作してリフレッシュパルス゛10
5の出力が開始される。ここで前述したようにリフレッ
シュパルス105の8個程度のパルスに相応する時間、
ずなわち時刻【2から時刻t3までのあいだはDRAM
の動作が不安定な状態である可能性がある。従って時刻
t3を経過した侵のDRAMの動作が十分に安定する、
時刻t4において、リセット化@107bをLレベルか
らHレベルに立ち上げるようにすることにより、DRA
Mが安定して動作している状態でDRAMの動作を開始
させることができる。
(発明が解決しようとする課題)
しかしながら第14図及び第15図に示した従来例では
相互に独立した2種類のリセット信号107aと107
bとを生成しなければならず、回路構成が複雑であった
。
相互に独立した2種類のリセット信号107aと107
bとを生成しなければならず、回路構成が複雑であった
。
またリセット信号107aと107bとに対応して相互
に独立した入出力用のビン端子等を設けなければならず
、改良の余地が残されていた。
に独立した入出力用のビン端子等を設けなければならず
、改良の余地が残されていた。
本発明は上記事情に檻みてなされたもので、簡単な構成
により通常時のリフレッシュ動作を適切に実行しつつ、
シミュレーション等のテストを容易且つ正確に行なうこ
とのできるメモリ制御装置を提供することを目的とする
。
により通常時のリフレッシュ動作を適切に実行しつつ、
シミュレーション等のテストを容易且つ正確に行なうこ
とのできるメモリ制御装置を提供することを目的とする
。
[発明の構成]
(課題を解決するための手段)
上記目的を達成するため本発明は第1図に示すように、
情報を記憶する記憶手段のリフレッシュを行なうための
リフレッシュ信号を出力するリフレッシュ手段と、リセ
ット信号が入力されたときには眞記リフレッシュ信号出
力のリセットを行なうリセット手段と、入力されるリセ
ット信号と所定の信号との論理演算を行ない、この論理
演nの結果に従って、前記リセット手段ヘリセット信号
を出力する演Q手段とを有して構成した。
情報を記憶する記憶手段のリフレッシュを行なうための
リフレッシュ信号を出力するリフレッシュ手段と、リセ
ット信号が入力されたときには眞記リフレッシュ信号出
力のリセットを行なうリセット手段と、入力されるリセ
ット信号と所定の信号との論理演算を行ない、この論理
演nの結果に従って、前記リセット手段ヘリセット信号
を出力する演Q手段とを有して構成した。
(作用)
本発明はリフレッシュ手段から出力されるリフレッシュ
信号に基づいて記憶手段に記憶された情報のリフレッシ
ュを行なう。またリセット手段は、入力されるリセット
信号と、所定の信号との、例えば論理積等の論理演算を
演算する演算手段からのリセット信号を入力すると前記
リフレッシュ信号出力のリセットを行なう。
信号に基づいて記憶手段に記憶された情報のリフレッシ
ュを行なう。またリセット手段は、入力されるリセット
信号と、所定の信号との、例えば論理積等の論理演算を
演算する演算手段からのリセット信号を入力すると前記
リフレッシュ信号出力のリセットを行なう。
(実施例)
以下本発明に係る一実施例を図面を参照して詳細に説明
する。
する。
まず第2図を参照して構成を説明すると、カウンタ11
はいわゆるリフレッシュ回路であり、所定周期のタロツ
クパルス13を1/nに分周するための分周回路を内蔵
している。クロックパルス13は図示しないクロックパ
ルス発生回路から出力されてカウンタ11のクロック入
力端子11aへ与えれる。前述した分周回路は所定周期
のクロックパルス13を分周し、この分周したパルス信
号をリフレッシュパルス15として出力する。カウンタ
11の出力端子11bから出力されるリフレッシュパル
ス15は図示しないDRAM等によって構成される記憶
回路へ与えられる。記憶回路ではリフレッシュパルス1
5に基づいて記憶した情報のリフレッシュがなされる。
はいわゆるリフレッシュ回路であり、所定周期のタロツ
クパルス13を1/nに分周するための分周回路を内蔵
している。クロックパルス13は図示しないクロックパ
ルス発生回路から出力されてカウンタ11のクロック入
力端子11aへ与えれる。前述した分周回路は所定周期
のクロックパルス13を分周し、この分周したパルス信
号をリフレッシュパルス15として出力する。カウンタ
11の出力端子11bから出力されるリフレッシュパル
ス15は図示しないDRAM等によって構成される記憶
回路へ与えられる。記憶回路ではリフレッシュパルス1
5に基づいて記憶した情報のリフレッシュがなされる。
また図示しないリセット信号発生回路がリセット信号1
7を出力するとともに、図示しないテスト信号発生回路
がテスト信号19を出力する。このリセット信号発生回
路は前述したリフレッシュ動作を初期設定する際にLレ
ベルのリセット信号17を出力する。またテスト信号発
生回路はシミュレーション等のテストを行なう際にLレ
ベルのテスト信号19を出力する。リセット信号発生回
路は論理積回路21の入力端子21aと接続されており
、リセット信号17を入力端子21aへ与える。またテ
スト信号発生回路は論理積回路21の入力端子21bと
接続されており、テスト信号19を入力端子21bへ与
える。
7を出力するとともに、図示しないテスト信号発生回路
がテスト信号19を出力する。このリセット信号発生回
路は前述したリフレッシュ動作を初期設定する際にLレ
ベルのリセット信号17を出力する。またテスト信号発
生回路はシミュレーション等のテストを行なう際にLレ
ベルのテスト信号19を出力する。リセット信号発生回
路は論理積回路21の入力端子21aと接続されており
、リセット信号17を入力端子21aへ与える。またテ
スト信号発生回路は論理積回路21の入力端子21bと
接続されており、テスト信号19を入力端子21bへ与
える。
論理積回路21の出力端子210はカウンタ11のリセ
ット端子11cと接続されており、リセット信号17と
テスト信号19との論理積信号23をリセット端子11
cへ出力する。
ット端子11cと接続されており、リセット信号17と
テスト信号19との論理積信号23をリセット端子11
cへ出力する。
次に第3図を参照して第2図に示した実施例の通常時の
動作を説明する。
動作を説明する。
第3図に示すようにリセット信号17が時刻t■から時
刻t 12までのあいだLレベルに設定されたとしても
テスト信号19が常にHレベルであることから、論理積
回路21は常にHレベルの論理積信号23を出力する。
刻t 12までのあいだLレベルに設定されたとしても
テスト信号19が常にHレベルであることから、論理積
回路21は常にHレベルの論理積信号23を出力する。
従って、カウンタ11はリセットされることなく出力端
子11bから安定したリフレッシュパルス15を継続的
に出力する。これにより図示しない記憶回路ではリフレ
ッシュパルス15に基づいて記憶した情報のリフレッシ
ュが確実に実行される。
子11bから安定したリフレッシュパルス15を継続的
に出力する。これにより図示しない記憶回路ではリフレ
ッシュパルス15に基づいて記憶した情報のリフレッシ
ュが確実に実行される。
次に第4図を参照して第2図に示した実施例のテスト時
の動作を説明する。
の動作を説明する。
第4図に示すようにリセット信号17とテスト信号19
とが時刻t+sから時刻t16までの間、共にLレベル
に設定されると、論理積回路21は時刻t15から時刻
t16までの間Lレベルの論理積信号23を出力する。
とが時刻t+sから時刻t16までの間、共にLレベル
に設定されると、論理積回路21は時刻t15から時刻
t16までの間Lレベルの論理積信号23を出力する。
これによりカウンタ11がリセットされ、時刻t15か
ら時刻t16までの間リフレッシュパルス15の送出を
停止する。
ら時刻t16までの間リフレッシュパルス15の送出を
停止する。
従って、シミュレーション等のテストを行なう際にはカ
ウンタ11をリセットしてリフレッシュパルス15を停
止することができる。
ウンタ11をリセットしてリフレッシュパルス15を停
止することができる。
尚、第2図に示したテスト信号19は他の回路部のテス
トに用いることができる。この場合、他の回路部のみの
テストを行なう際にはリセット信号17とテスト信号1
9とが共にLレベルに設定されないように構成する必要
がある。
トに用いることができる。この場合、他の回路部のみの
テストを行なう際にはリセット信号17とテスト信号1
9とが共にLレベルに設定されないように構成する必要
がある。
次に第5図を参照して本発明の他の実施例を説明する。
第5図に示した実施例ではメモリコントローラ31に前
述したテスト信号発生回路とリフレッシュ回路とを内蔵
しており、このメモリコントローラ31とCPU33と
のそれぞれにクロックパルス13とリセット信@17と
を与えるようにしたことを特徴とし、通常時においては
メモリコントローラ31からのリフレッシュパルス15
に基づいてメモリ35に記憶された情報のリフレッシュ
が実行される。
述したテスト信号発生回路とリフレッシュ回路とを内蔵
しており、このメモリコントローラ31とCPU33と
のそれぞれにクロックパルス13とリセット信@17と
を与えるようにしたことを特徴とし、通常時においては
メモリコントローラ31からのリフレッシュパルス15
に基づいてメモリ35に記憶された情報のリフレッシュ
が実行される。
第5図に示した例ではメモリコントローラ31とCPU
33とのリセットのタイミングを同時に設定することが
できる。
33とのリセットのタイミングを同時に設定することが
できる。
次に第6図及び第7図を参照して本発明のその伯の実施
例を説明する。
例を説明する。
第6図及び第7図に示す例では、図示しないCPUから
のメモリアクセスに関するリクエスト信号3つをテスト
信号1つとして用い、このリクエスト信号39を論理積
回路21の入力端子21bへ与えるようにしたことを特
徴とする。
のメモリアクセスに関するリクエスト信号3つをテスト
信号1つとして用い、このリクエスト信号39を論理積
回路21の入力端子21bへ与えるようにしたことを特
徴とする。
第7図に示すように通常時においては、リセット信号1
7がLレベルに設定されたとしても、リクエスト信@3
9はHレベルに設定されており、リフレッシュパルス1
5が継続して出力される。
7がLレベルに設定されたとしても、リクエスト信@3
9はHレベルに設定されており、リフレッシュパルス1
5が継続して出力される。
またテスト時においてはリセット信号17と点線で示す
リクエスト信号39の双方が共にLレベルに設定された
ときだけカウンタ11をリセットしてリフレッシュパル
ス15の送出を停止する。
リクエスト信号39の双方が共にLレベルに設定された
ときだけカウンタ11をリセットしてリフレッシュパル
ス15の送出を停止する。
第6図及び第7図に示1例ではデストイ5号発生回路を
特別に設ける必要がなく、回路構成を更に簡略化するこ
とができ、コストの低減を図ることができる。
特別に設ける必要がなく、回路構成を更に簡略化するこ
とができ、コストの低減を図ることができる。
[発明の効果]
以上説明してきたように本発明によれば、リセット・信
号と所定の信号との論理演算に従った信号に基づいてリ
フレッシュ手段をリセットづるようにしたことから、通
常時においては記憶手段に記憶された情報のリフレッシ
ュを適切に実行しつつ、検査あるいはシミュレーション
等を行なう際には前記リフレッシュ動作のリセットを行
なって当該検査等を容易に行なうことができる。
号と所定の信号との論理演算に従った信号に基づいてリ
フレッシュ手段をリセットづるようにしたことから、通
常時においては記憶手段に記憶された情報のリフレッシ
ュを適切に実行しつつ、検査あるいはシミュレーション
等を行なう際には前記リフレッシュ動作のリセットを行
なって当該検査等を容易に行なうことができる。
第1図はクレーム対応図、第2図は本発明の一実施例を
示した回路図、第3図及び第4図は第2図の動作状態に
対応する各部の信号波形図、第5図は本発明の他の実施
例を示したブロック図、第6図は本発明のその伯の実施
例を示した回路図、第7図は第6図の動作説明図、第8
図乃至第15図は従来例を示した説明図である。 1・・・リフレッシュ手段 3・・・リセット手段 5・・・演算手段
示した回路図、第3図及び第4図は第2図の動作状態に
対応する各部の信号波形図、第5図は本発明の他の実施
例を示したブロック図、第6図は本発明のその伯の実施
例を示した回路図、第7図は第6図の動作説明図、第8
図乃至第15図は従来例を示した説明図である。 1・・・リフレッシュ手段 3・・・リセット手段 5・・・演算手段
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 情報を記憶する記憶手段のリフレッシュを行なうための
リフレッシュ信号を出力するリフレッシュ手段と、 リセット信号が入力されたときには前記リフレッシュ信
号出力のリセットを行なうリセット手段と、 入力されるリセット信号と所定の信号との論理演算を行
ない、この論理演算の結果に従つて、前記リセット手段
へリセット信号を出力する演算手段と を有することを特徴とするメモリ制御装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63131735A JPH01302599A (ja) | 1988-05-31 | 1988-05-31 | メモリ制御装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63131735A JPH01302599A (ja) | 1988-05-31 | 1988-05-31 | メモリ制御装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01302599A true JPH01302599A (ja) | 1989-12-06 |
Family
ID=15064970
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63131735A Pending JPH01302599A (ja) | 1988-05-31 | 1988-05-31 | メモリ制御装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01302599A (ja) |
-
1988
- 1988-05-31 JP JP63131735A patent/JPH01302599A/ja active Pending
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