JPH01302702A - Formation of protective film or thermistor - Google Patents
Formation of protective film or thermistorInfo
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- JPH01302702A JPH01302702A JP30636087A JP30636087A JPH01302702A JP H01302702 A JPH01302702 A JP H01302702A JP 30636087 A JP30636087 A JP 30636087A JP 30636087 A JP30636087 A JP 30636087A JP H01302702 A JPH01302702 A JP H01302702A
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は電気オープン、電子レンジ等に使用する耐食性
能を有するサーミスタユニットの保護被覆層形成方法に
関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Field of the Invention The present invention relates to a method for forming a protective coating layer of a thermistor unit having corrosion resistance for use in electrical open circuits, microwave ovens, and the like.
従来の技術
一般に、電気オープンや電子レンジ等に使用するサーミ
スタユニットは、オープン庫内や排気口のフード内に設
置され、常温から約300℃までの空気温度を検知する
為のものである。すなわち、この種のサーミスタユニッ
トは、温度によりサーミスタ素子の抵抗値が変化する特
性を有し、この性質を利用してサーミスタ素子の両端に
電界を印加し、その電圧の変化を制御回路で捉えて、オ
ープン庫内を加熱する発熱体の電力量をコントロールす
る為の温度検知手段である。また、オープン庫内や排気
口フードは、500℃近くの高温雰囲気になるだけでな
く1食品から発生した水分が結露したり1食品から飛散
した油や塩分等の汚れが付着し易いことから、非常に過
酷な腐食環境下になっている。BACKGROUND ART In general, thermistor units used in electric ovens, microwave ovens, etc. are installed in open refrigerators or exhaust hoods, and are used to detect air temperatures from room temperature to about 300°C. In other words, this type of thermistor unit has the characteristic that the resistance value of the thermistor element changes depending on the temperature.Using this characteristic, an electric field is applied to both ends of the thermistor element, and the change in voltage is captured by the control circuit. , is a temperature detection means for controlling the amount of power of the heating element that heats the inside of the open refrigerator. In addition, the open interior of the refrigerator and the exhaust hood not only create a high-temperature atmosphere of nearly 500°C, but also condense from moisture generated from one food item, and easily attract dirt such as oil and salt scattered from the food item. It is under an extremely harsh corrosive environment.
従来、この種の過酷な環境下で使用されるサーミスタユ
ニットの構造は1例えば、感熱素子をジーメノト線から
なる一対の電極体で挾みかつガラスで封止してなるサー
ミスタ素子と、このサーミスタ素子の電極体を、オープ
ン壁等に取り付は易くする為に設けた耐熱絶縁性の基体
に所定の間隔で平行直立させて設けた一対の金属支柱と
スポット切接で固定させたものである。さらに水分や塩
分の付着によって生じる絶縁性の低下による誤動作や腐
食あるいは高温酸化を防止し、かつ直流電界の印加によ
って生じる電解腐食現象で電極体や金楓支柱が腐食断線
するのを抑制させる為に、ポリイミド、ポリアミドイミ
ド、ンリコーン等からなる溶剤を含有する耐熱性のエナ
メル塗料をデイツプ法やスプレー法によりサーミスタユ
ニ、ノドの表面に塗布した後、乾燥焼付けをして保護被
覆層を形成していた。Conventionally, thermistor units used in this kind of harsh environment have one structure: (1) For example, a thermistor element is made by sandwiching a heat-sensitive element between a pair of electrode bodies made of Siemeno wire and sealed with glass, and this thermistor element. The electrode body is fixed by spot cutting to a pair of metal supports that stand upright in parallel at a predetermined distance to a heat-resistant insulating base provided to facilitate installation on an open wall or the like. Furthermore, in order to prevent malfunction, corrosion, or high-temperature oxidation due to a decrease in insulation caused by the adhesion of moisture or salt, and to suppress corrosion and disconnection of the electrode body and the gold maple support due to the electrolytic corrosion phenomenon caused by the application of a DC electric field. A heat-resistant enamel paint containing a solvent such as polyimide, polyamideimide, or olicone was applied to the surface of the thermistor unit or throat by dip or spray methods, and then dried and baked to form a protective coating layer. .
発明が解決しようとする問題点 しかしながら、従来のサーミスタユニットは。The problem that the invention seeks to solve However, conventional thermistor units.
(、〕)保護被覆層をデイツプ法により形成すると。(,]) When the protective coating layer is formed by the dip method.
寸法が変化する部分にタマリが生じ易く、その部分が乾
燥焼付は時にスプレを起こしてピンホールを形成し、そ
の部分から水分や塩分がサーミスタ素子に浸透すること
。Stains tend to form in areas where dimensions change, and when those areas dry and bake, they sometimes cause spray and form pinholes, allowing moisture and salt to penetrate into the thermistor element from these areas.
(l〕)保護被覆層をスプレー法により形成すると。(l) A protective coating layer is formed by a spray method.
皮膜のスケや影の部分の膜厚が薄くなり易いことから、
耐水性と耐高温酸化性の皮膜を得難いこと。Because the thickness of the film tends to become thinner in areas where there are gaps or shadows,
It is difficult to obtain a film that is water resistant and resistant to high temperature oxidation.
(c) 溶剤を含有するエナメル塗料は、乾燥時lこ
溶剤が皮膜から揮発する際にピンホールを形成してしま
うことから、塗布工程、乾燥工程および焼き付は工程を
数回重ねても皮膜欠陥を皆無にできないこと
等から、素子表面の絶縁低下を起こして誤動作を起こし
たり、高温で酸化したり、あるいは電解腐食により電極
体が断線を起こし易い等から、長期間使用した際の耐久
性が劣るだけでなく、保護被覆層のコーティング作業性
が悪い欠点があった。(c) Enamel paints containing solvents will form pinholes when the solvent evaporates from the film during drying, so the coating process, drying process, and baking process will not form a film even if the process is repeated several times. Due to the fact that it is impossible to completely eliminate defects, the insulation on the element surface may deteriorate, causing malfunctions, oxidation at high temperatures, or the electrode body may easily break due to electrolytic corrosion, so durability during long-term use may be affected. In addition to poor performance, the coating workability of the protective coating layer was also poor.
本発明は、従来例が持つ以上の様な欠点を取り除いたサ
ーミスタユニットを提供することを目的とする。An object of the present invention is to provide a thermistor unit that eliminates the above-mentioned drawbacks of the conventional example.
問題点を解決するだめの手段
本発明は、上記問題点を解決する為になされたものであ
り、サーミスタ素子を基体に所定の間隔をおいて貫通さ
せて設けた金属支柱に電気的に接続保持させるとともに
それらの外周囲に下地層と上地層とからなる保護被覆層
を設けてなるサーミスタユニットの保護被覆層形成方法
において、前記保護被覆層を、スプレー塗布により下地
層となす第1工程と、該下地層を乾燥する第2工程と。Means for Solving the Problems The present invention has been made to solve the above problems, and the thermistor element is electrically connected and held to a metal support provided by penetrating the base at a predetermined interval. In the method for forming a protective coating layer of a thermistor unit, the protective coating layer is provided around the outer periphery of the thermistor unit, the protective coating layer consisting of a base layer and a top layer, a first step of forming the protective coating layer into a base layer by spray coating; a second step of drying the base layer;
該下地層の外周囲に300〜350℃で溶融しかつはつ
水性を有する10〜50μの粒度の粉体樹脂を静電塗装
により上地層となす第3工程と,該上地層を320〜4
50℃で溶融して皮膜化させる第4工程とから形成した
ものである。A third step of forming a top layer on the outer periphery of the base layer by electrostatically coating a powder resin with a particle size of 10 to 50μ that melts at 300 to 350°C and has water repellency;
It is formed from a fourth step of melting at 50° C. to form a film.
作 用
本発明のサーミスタユニットの保護被覆層形成方法は上
述した方法としたことにより、スプレー塗布による第一
工程はサーミスタユニットと上地層との間に下地層を形
成し密着と耐食信頼性を向上させ、下地層を乾燥させる
第2工程は下地層に含まれる溶剤を完全に揮発させ、粉
体樹脂を静電塗装する第3工程は均一な厚みの皮膜の上
地層を形成し、上地層を溶融する第4工程はサーミスタ
素子の特性変化を越すことなく上地層をピンホールレス
に溶融させる作用をする。Function The method for forming the protective coating layer of the thermistor unit of the present invention is as described above, and the first step of spray coating forms a base layer between the thermistor unit and the upper layer to improve adhesion and corrosion resistance reliability. The second step of drying the base layer completely volatilizes the solvent contained in the base layer, and the third step of electrostatically coating the powder resin forms the top layer of a film with a uniform thickness. The fourth step of melting serves to melt the upper layer without pinholes without overcoming the change in the characteristics of the thermistor element.
実施例 以下1本発明の一実施例を図面に従い詳述する。Example An embodiment of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings.
第1図は1本発明のサーミスタユニットの保護被覆層形
成方法の一実施例を示したものである。FIG. 1 shows an embodiment of a method for forming a protective coating layer for a thermistor unit according to the present invention.
1は鉄、ニッケル、マンガン、コバルト等の遷移金属の
酸化物を主成分とする負の抵抗温度特性を有する感熱素
子の両端に一対の電極体1a、Ibで挾みかつガラスで
封止してなるサーミスタ素子、3゜4はサーミスタ素子
1の電極体ia、Ibk電気的に接続保持するステンレ
ス、コバール等からなる金属支柱、2は金属支柱ろ、4
を所定の間隔に設けた貫通口2a、 2bに直立平行に
貫通し接着剤2Cで固定した耐熱絶縁性のステアタイト
、アルミナ等の基体、5はサーミスタ素子1.一対の金
属支柱ろ、4および基体2の表面にスプレー塗布で設け
たフッ素化合物を含有するポリイミド、ポリアミドイミ
ド等からなる下地層6と300〜350℃で溶融しかつ
ばっ水性を有するψ11えば四フッ化エチレンパーフロ
ロアルコキシエチレン共重合樹脂の粉体樹脂を静電塗装
により下地層乙の外周囲に形成した上地層7とからなる
保護被覆層である。1 is a heat-sensitive element having negative resistance-temperature characteristics mainly composed of oxides of transition metals such as iron, nickel, manganese, and cobalt, sandwiched between a pair of electrode bodies 1a and Ib at both ends and sealed with glass. 3゜4 is the electrode body ia of the thermistor element 1, Ibk is a metal support made of stainless steel, Kovar, etc. that maintains electrical connection; 2 is a metal support filter; 4
5 is a thermistor element 1. The thermistor element 1. A base layer 6 made of polyimide, polyamideimide, etc. containing a fluorine compound is spray-coated on the surfaces of a pair of metal support filters 4 and the base 2, and a base layer 6 made of polyimide, polyamideimide, etc. containing a fluorine compound is melted at 300 to 350°C and has water repellency. This is a protective coating layer consisting of a top layer 7 formed around the outer periphery of a base layer B by electrostatic coating of a powdered ethylene perfluoroalkoxyethylene copolymer resin.
次に前記構成に於ける作用を説明する。Next, the operation of the above configuration will be explained.
本発明の保護被覆層5の形成は次の製造方法で得られる
。先ず、第1工程はサーミスタ素子1゜金属支柱6,4
および基体2の外周囲にフッ素化合物を含有するブライ
マーをスプレー塗布により下地層6を5〜20μの厚み
に形成する。次に、第2工程では第1工程で塗布した下
地層6を100〜150℃の炉中で乾燥する。更に、第
3工程においては第2工程で乾燥した下地層6の外周囲
に300〜350℃で溶融しかつばつ水性を有する10
〜50μの粒度の粉体樹脂例えば四フッ化エチレンパー
フロロアルコキシエチレン共重合樹脂を静電塗装により
上地層7を設ける。最後の第4工程において上地層7を
320〜450℃で溶融して皮膜化させたものである。The protective coating layer 5 of the present invention can be formed by the following manufacturing method. First, the first step is to attach the thermistor element 1° and the metal supports 6 and 4.
Then, a base layer 6 having a thickness of 5 to 20 μm is formed around the outer periphery of the substrate 2 by spray coating a brimer containing a fluorine compound. Next, in the second step, the base layer 6 applied in the first step is dried in an oven at 100 to 150°C. Furthermore, in the third step, 10, which melts at 300 to 350° C. and has an aqueous property, is added to the outer periphery of the base layer 6 dried in the second step.
The upper layer 7 is provided by electrostatic coating with a powder resin, such as a tetrafluoroethylene perfluoroalkoxyethylene copolymer resin, having a particle size of ~50 μm. In the fourth and final step, the upper layer 7 is melted at 320 to 450°C to form a film.
サーミスタユニットの表面に設けた下地層6ば、はっ水
性を有する例えばフッ素樹脂系の上地層7と密着性を向
上させる為、フッ素化合物を含有していることが必要で
あり、上地層7と同一成分のものでもよい。また、下地
層6は上地層7との蜜着と耐食信頼性を向上させる為て
設けたものであるから、皮膜が完全なピンホールレスで
なくもよく、従ってスプレー塗布が適し、その厚みは上
地層7の1/2以下の5〜20μでよい。The base layer 6 provided on the surface of the thermistor unit must contain a fluorine compound in order to improve adhesion to the water-repellent top layer 7, such as a fluororesin-based top layer 7. They may have the same ingredients. In addition, since the base layer 6 is provided to improve adhesion with the top layer 7 and reliability of corrosion resistance, the film does not need to be completely pinhole-free, so spray coating is suitable, and its thickness is The thickness may be 5 to 20 μm, which is 1/2 or less of the upper layer 7.
第2工程は塗布された下地層乙に含まれる溶剤を100
〜150℃の炉中で完全に揮発させ、第4工程において
上地層7が溶融皮膜化する際に発砲し7ない為に行なう
ものである。The second step is to remove 100% of the solvent contained in the applied base layer B.
This is done to ensure complete volatilization in a furnace at ~150° C. and to prevent foaming when the upper layer 7 is formed into a molten film in the fourth step.
第ろ工程において、保護被覆層5の上地層7 K粉体樹
DWの四フッ化エチレンパーフロロアルコキンエチレン
共重合樹脂を静電塗装により設ける理由は次による。四
フッ化エチレンパーフロロアルコキンエチレン共重合樹
脂は、融点が602〜310℃であることから、320
〜450℃の温度により溶融してピンホールレスの皮膜
を形成し易いこと、300℃以下であれば熱老化し難い
こと、静電塗装の原理から明らかな如く、粉体の付着は
設定した静電電圧に応じて薄い部分には付着するが、一
定の厚みKなった部分にはそれ以上に付着しない性質が
あることから、スプレやスケの発生もなく信頼性のある
均一な皮膜が得られること、形成された皮膜が疎水性と
ばっ水性を有するので絶縁低下を起こし難い等である。In the filtration step, the reason why the tetrafluoroethylene perfluoroalcoquine ethylene copolymer resin of K powder wood DW is provided as the upper layer 7 of the protective coating layer 5 by electrostatic coating is as follows. Since the tetrafluoroethylene perfluoroalcoquine ethylene copolymer resin has a melting point of 602 to 310°C,
As is clear from the principle of electrostatic coating, it is easy to melt and form a pinhole-free film at a temperature of ~450°C, it is difficult to undergo heat aging at temperatures below 300°C, and powder adhesion is reduced by a set electrostatic coating. It adheres to thin areas depending on the electric voltage, but it has the property of not adhering any further to areas that have reached a certain thickness, so a reliable and uniform film can be obtained without spraying or scratching. In particular, since the formed film has hydrophobicity and water repellency, deterioration in insulation is unlikely to occur.
また、保護被覆層5の上地層7樹脂を300〜350℃
に融点を有する熱溶融性に限定した理由は次の通りであ
る。先ず、熱溶融性樹脂は溶剤を含まず。In addition, the upper layer 7 resin of the protective coating layer 5 was heated to 300 to 350°C.
The reason why it is limited to heat-melting materials having a melting point of is as follows. First, hot-melt resins do not contain solvents.
熱を加えれば溶融してピンホールレスの皮膜を形成する
性質があり、この性質が保護被覆層5には絶対不可欠で
ある。次に、サーミスタユニットは。It has a property of melting when heat is applied to form a pinhole-free film, and this property is absolutely essential for the protective coating layer 5. Next is the thermistor unit.
オーブンレンジ庫内の温度を検知することから。From detecting the temperature inside the microwave oven.
通常200〜280℃、短時間的には約600℃に達す
る環境にさらされる。従って、約600℃の耐熱を有し
ていなければならず、樹脂の融点は300℃以上が必要
である。一方、樹脂の融点が例えば四フッ化エチレンの
ように350℃以上の場合、400℃以上で焼成しなけ
ればならない。しかし、サーミスタユニットは、金属、
セラミック、ガラス等の異種材質から構成されている為
に約450℃以上になると熱膨張率差が大きくなって破
損し易くなることと、サーミスタ素子1が約450℃以
上になると特性変化金蔵こしやすいこと、電極体2,3
が熱により酸化してしまうこと等の不具合が生じて好ま
しくない。従って、樹脂の融点は約350℃以下が適し
ている。以上の理由により、保護被覆層5の上地層7樹
脂の融点は300〜350℃が適しており、602〜3
10’Cに融点全有する四フッ化エチレンパーフロロア
ルコキンエチレン共重合樹脂が最適といえる。It is exposed to an environment that usually reaches 200 to 280°C, and reaches about 600°C for a short time. Therefore, it must have a heat resistance of about 600°C, and the melting point of the resin must be 300°C or higher. On the other hand, if the melting point of the resin is 350°C or higher, such as tetrafluoroethylene, it must be fired at 400°C or higher. However, the thermistor unit is made of metal,
Since it is composed of different materials such as ceramic and glass, when the temperature exceeds about 450°C, the difference in thermal expansion coefficient becomes large and it becomes easily damaged, and when the temperature of the thermistor element 1 exceeds about 450°C, the characteristics change easily. That is, electrode bodies 2 and 3
This is not preferable because it causes problems such as oxidation due to heat. Therefore, the melting point of the resin is preferably about 350°C or lower. For the above reasons, the melting point of the upper layer 7 resin of the protective coating layer 5 is preferably 300 to 350°C, and 602 to 350°C.
Tetrafluoroethylene perfluoroalcoquine ethylene copolymer resin having a total melting point of 10'C is said to be optimal.
さらに、粉体樹脂の粒度を10〜50μに限定下理由は
次による。すなわち、粉体粒径が10μ以下になると粉
体の凝集力が大きくなって固まってしまうことから、静
電塗装が効率よく出来ず、一方粉体粒径が50μを越え
た場合、サーミスタユニットのサーミスタ素子1や金属
支柱ろ、4か細くかつ複雑な構造をしていることから、
それらの外周囲に20〜80μの厚みの均一な皮膜を形
成させることが出来なくなる。このことから、粉体樹脂
の粒度ば10〜50μ、より好ましくは20〜40りが
適している。Furthermore, the reason for limiting the particle size of the powder resin to 10 to 50 microns is as follows. In other words, when the particle size of the powder is less than 10μ, the cohesive force of the powder increases and it hardens, making it difficult to perform electrostatic coating efficiently.On the other hand, when the particle size of the powder exceeds 50μ, the thermistor unit Because thermistor element 1 and metal support 4 have a thin and complicated structure,
It becomes impossible to form a uniform film with a thickness of 20 to 80 μm around the outer periphery. From this, it is suitable that the particle size of the powder resin is 10 to 50 microns, more preferably 20 to 40 microns.
第4工程において、サーミスタユニット表面(ζ付着さ
せた粉体樹脂例えば四フッ化エチレンパーフロロアルコ
キシエチレン共重合m脂162o〜450℃で溶融させ
て皮膜化させるが、皮膜化させる温度を620〜450
℃に限定した理由は次による。皮膜化させる温度が32
0℃より低い場合、溶融が不充分となりピンホールを形
成し、一方400℃を越えた場合、サーミスタ素子1の
特性変化や高温酸化が生じて好ましくない。従って、皮
膜化させる最適温度は620〜450℃、より好ましく
は350〜400℃が適し、その時間は10〜40分で
よい。In the fourth step, the thermistor unit surface (zeta-adhered powder resin, such as tetrafluoroethylene perfluoroalkoxyethylene copolymer m resin, is melted at 162°C to 450°C to form a film, but the film forming temperature is 620° to 450°C.
The reason for limiting the temperature to ℃ is as follows. The temperature to form a film is 32
If the temperature is lower than 0°C, the melting will be insufficient and pinholes will be formed, while if it exceeds 400°C, the characteristics of the thermistor element 1 will change and high-temperature oxidation will occur, which is undesirable. Therefore, the optimum temperature for film formation is 620 to 450°C, more preferably 350 to 400°C, and the time may be 10 to 40 minutes.
サーミスタユニットの表面に設ける保護被覆層5ば、厚
みバラツキやピンホールの有無にトラワれる必要のない
下地層6と静電塗装により均一に樹脂を付着させて溶融
皮膜化させた上地層7とで形成出来ることから、膜厚管
理が簡便で作業性と品質の向上が計れる。The protective coating layer 5 provided on the surface of the thermistor unit is composed of a base layer 6 that does not need to be troubled due to variations in thickness or the presence or absence of pinholes, and a top layer 7 that is formed by uniformly depositing resin and forming a molten film by electrostatic coating. Because it can be formed, film thickness management is easy and workability and quality can be improved.
サーミスタユニットは、長期間水分や塩分の付着する腐
食環境下で通常6〜6V直流電圧が印加されると、サー
ミスタ素子5のプラス側に位置する電極体1a、1bや
金属支柱6.4の部分が腐食断線するいわゆる電解腐食
現象がある。そこで1本発明のサーミスタユニットと従
来例との耐電解腐食性能を調べると表−1になる。When a DC voltage of 6 to 6 V is normally applied to the thermistor unit in a corrosive environment where moisture and salt adhere for a long period of time, the parts of the electrode bodies 1a and 1b and the metal support 6.4 located on the positive side of the thermistor element 5 There is a so-called electrolytic corrosion phenomenon in which wires are corroded and disconnected. Therefore, Table 1 is obtained by examining the galvanic corrosion resistance of the thermistor unit of the present invention and the conventional example.
表−1
ppR四フッ化エチレンパーフロロアルコキシエチレン
共重合樹脂の略
表−1は、10%の食塩水を40℃にして噴霧状にした
雰囲気に、6vの電圧を印加したサーミスタユニットを
放置し、電極体1a、 1bが腐食断線する壕での時間
を示したものである。本結果より1本発明のサーミスタ
ユニットは、保護被覆層5がピンホールレスでばっ水性
を有していることから。Table 1: Schematic table of ppR tetrafluoroethylene perfluoroalkoxyethylene copolymer resin Table 1 shows that a thermistor unit with a voltage of 6V applied was left in an atmosphere of atomized 10% saline at 40°C. , shows the time in the trench where the electrode bodies 1a and 1b are corroded and disconnected. This result shows that the thermistor unit of the present invention has a pinhole-free protective coating layer 5 and is water repellent.
耐電食性が著しく向上している。Electrolytic corrosion resistance is significantly improved.
発明の効果
以上詳述した如く1本発明のサーミスタユニットの保護
被覆形成方法によれば1次の効果が期待できるので、そ
の産業上の効果は犬なるものがある。Effects of the Invention As detailed above, the method for forming a protective coating for a thermistor unit according to the present invention can be expected to have the following effects, and its industrial effects are significant.
(イ) サーミスタ素子表面の絶縁性が確保できるので
、誤動作が防止できる。(b) Malfunctions can be prevented because insulation on the surface of the thermistor element can be ensured.
←)サーミスタ素子の耐熱性、耐食性および耐電解腐食
が著しく向上できるので、苛酷な環境下でも長期間の使
用に耐える。←) The heat resistance, corrosion resistance, and electrolytic corrosion resistance of the thermistor element can be significantly improved, so it can withstand long-term use even in harsh environments.
C′l 保護被覆層の形成法はコーティング作業性も
優れ、ピンホール、フクレ、スケ等の欠陥を引き起こし
難いので品質管理がやり易い。The method for forming the C'l protective coating layer has excellent coating workability and is less likely to cause defects such as pinholes, blisters, and scratches, making quality control easy.
第1図は本発明の一実施例のサーミスタユニット保護被
積層形成方法を示す破砕断面図である。
1・・サーミスタ素子、 2・・・基体。
ろ、4・・・金属支柱 5・・・保護被覆層。
6・・下地層、 7・・上地層。FIG. 1 is a fragmentary cross-sectional view showing a method of forming a protective layer for a thermistor unit according to an embodiment of the present invention. 1... Thermistor element, 2... Base. 4... Metal pillar 5... Protective coating layer. 6. Base layer, 7. Upper layer.
Claims (1)
て貫通させて設けた金属支柱(3)及び(4)に電気的
に接続保持させるとともに,それらの外周囲に保護被覆
層(5)を設けてなるサーミスタユニットの保護被覆層
形成方法において,前記保護被覆層(5)を,スプレー
塗布により下地層(6)となす第1工程と,該下地層(
6)を乾燥する第2工程と,該下地層(6)の外周囲に
300〜350℃で溶融する10〜50μの粒度の粉体
樹脂を静電塗装により上地層(7)となす第3工程と,
該上地層(7)を320〜450℃で溶融して皮膜化さ
せる第4工程とから形成したことを特徴とするサーミス
タユニットの保護被覆層形成方法。The thermistor element (1) is electrically connected to and held by metal supports (3) and (4) provided through the base (2) at a predetermined interval, and a protective coating layer (5 ), a first step of forming the protective coating layer (5) into a base layer (6) by spray coating;
6), and a third step of drying the base layer (6) by electrostatically coating a powder resin with a particle size of 10 to 50 μ, which melts at 300 to 350°C, to form the top layer (7). process and
A method for forming a protective coating layer for a thermistor unit, comprising a fourth step of melting the upper layer (7) at 320 to 450°C to form a film.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30636087A JPH01302702A (en) | 1987-12-03 | 1987-12-03 | Formation of protective film or thermistor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30636087A JPH01302702A (en) | 1987-12-03 | 1987-12-03 | Formation of protective film or thermistor |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01302702A true JPH01302702A (en) | 1989-12-06 |
Family
ID=17956125
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30636087A Pending JPH01302702A (en) | 1987-12-03 | 1987-12-03 | Formation of protective film or thermistor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01302702A (en) |
-
1987
- 1987-12-03 JP JP30636087A patent/JPH01302702A/en active Pending
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