JPH0130279B2 - - Google Patents
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- JPH0130279B2 JPH0130279B2 JP60288968A JP28896885A JPH0130279B2 JP H0130279 B2 JPH0130279 B2 JP H0130279B2 JP 60288968 A JP60288968 A JP 60288968A JP 28896885 A JP28896885 A JP 28896885A JP H0130279 B2 JPH0130279 B2 JP H0130279B2
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- dielectric
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、薄膜エレクトロルミネツセンス素子
（以下ELという）素子に係り、特に、誘電体層の
改良を図つて低電圧駆動を可能にした薄膜EL素
子に関するものである。
（以下ELという）素子に係り、特に、誘電体層の
改良を図つて低電圧駆動を可能にした薄膜EL素
子に関するものである。
従来よりEL素子としては、分散形EL素子と薄
膜形EL素子とが知られており、また、駆動電源
の違いにより、さらに直流駆動形と交流駆動形に
分れる。そして、これらの各タイプのうち、文
字・図形表示用としては、発光輝度、寿命等の点
から薄膜交流ELが有望視され、一部では実用化
されるまでに至つている。
膜形EL素子とが知られており、また、駆動電源
の違いにより、さらに直流駆動形と交流駆動形に
分れる。そして、これらの各タイプのうち、文
字・図形表示用としては、発光輝度、寿命等の点
から薄膜交流ELが有望視され、一部では実用化
されるまでに至つている。
この薄膜交流ELは、一般に第３図に示すよう
な構造をとる。すなわち、ガラスなどの透明な絶
縁材料からなる基板１０１の上に、まずITO
（Insium−Tin−Oxide）などの透明電極１０２
を被着させる。その上に誘電体層１０３、ZnS：
Mnなどの螢光体からなる発光層１０４、第２誘
電体層１０５、Al膜などからなる背面電極１０
６を、順次この順に積層被着してなるものであ
る。そして、透明電極１０２及び背面電極１０６
間に駆動電圧Vaが印加される。
な構造をとる。すなわち、ガラスなどの透明な絶
縁材料からなる基板１０１の上に、まずITO
（Insium−Tin−Oxide）などの透明電極１０２
を被着させる。その上に誘電体層１０３、ZnS：
Mnなどの螢光体からなる発光層１０４、第２誘
電体層１０５、Al膜などからなる背面電極１０
６を、順次この順に積層被着してなるものであ
る。そして、透明電極１０２及び背面電極１０６
間に駆動電圧Vaが印加される。
ここで、発光層１０４を誘電体層１０３，１０
５で挟んであるのは、発光層１０４に、その発光
中心を励起するに足る電界を有効に印加するため
であつて、誘電材料としては、酸化イツトリウム
（Y2O3）や窒化シリコン（Si3N4）などが従来か
ら用いられている。また、誘電体層としては、第
３図に示すように発光層を挟んだ二重構造とせ
ず、誘電体層１０３、あるいは誘電体層１０５の
いずれかの一方でもよい。誘電体層が一層の場合
は、発光輝度、絶縁破壊電圧の点で、二層構造の
ものより多少劣るが、駆動電圧は低くできる。
５で挟んであるのは、発光層１０４に、その発光
中心を励起するに足る電界を有効に印加するため
であつて、誘電材料としては、酸化イツトリウム
（Y2O3）や窒化シリコン（Si3N4）などが従来か
ら用いられている。また、誘電体層としては、第
３図に示すように発光層を挟んだ二重構造とせ
ず、誘電体層１０３、あるいは誘電体層１０５の
いずれかの一方でもよい。誘電体層が一層の場合
は、発光輝度、絶縁破壊電圧の点で、二層構造の
ものより多少劣るが、駆動電圧は低くできる。
ところで、上述したように薄膜交流EL素子は、
一種のコンデンサといえる。したがつていま、誘
電体層１０３，１０５を同一誘電材料で形成する
ものとしてその比誘電率をεd、トータルの厚み
をDd、また、発光層１０４の比誘電率をεe、そ
の厚みをDeとすれば、第３図に示す構造のEL素
子は、それぞれ容量が、εd・Ａ／Dd、εe・Ａ／
De（Ａは各層の面積）のコンデンサを直列に接続
したものとみなせる。
一種のコンデンサといえる。したがつていま、誘
電体層１０３，１０５を同一誘電材料で形成する
ものとしてその比誘電率をεd、トータルの厚み
をDd、また、発光層１０４の比誘電率をεe、そ
の厚みをDeとすれば、第３図に示す構造のEL素
子は、それぞれ容量が、εd・Ａ／Dd、εe・Ａ／
De（Ａは各層の面積）のコンデンサを直列に接続
したものとみなせる。
したがつて、EL素子に印加する外部駆動電圧
をVaとすれば、この駆動電圧Vaと実際に発光層
１０４に分配される電圧Veとの関係は、下式の
ようになる。
をVaとすれば、この駆動電圧Vaと実際に発光層
１０４に分配される電圧Veとの関係は、下式の
ようになる。
Va＝（εe／εd・Dd／De＋１）Ve …(1)
ところで、発光層１０４は、前述したZnS：
Mnや、その他ZnSe、CaS、SrS等の母体にMnや
希土類元素を付活剤としてドープした螢光体が用
いられる。例えば、ZnSを母体とする螢光体は、
比誘電率εeが８〜９にあることが知られている。
Mnや、その他ZnSe、CaS、SrS等の母体にMnや
希土類元素を付活剤としてドープした螢光体が用
いられる。例えば、ZnSを母体とする螢光体は、
比誘電率εeが８〜９にあることが知られている。
また、誘電体層１０３，１０５は、Y2O3、
SiO2、Si3N4、Al2O3、Ta2O5などの誘電材料が
使用されるが、これらの比誘電率εdは、４〜25
程度である。
SiO2、Si3N4、Al2O3、Ta2O5などの誘電材料が
使用されるが、これらの比誘電率εdは、４〜25
程度である。
一方、発光層１０４に対してEL発光を生じさ
せるには、106V／cm以上の電界を印加すること
が必要であると一般に言われている。
せるには、106V／cm以上の電界を印加すること
が必要であると一般に言われている。
したがつていま、第３図に示す構造のEL素子
において、誘電体層１０３，１０５及び発光層１
０４の各層の厚みをそれぞれ0.5μｍ（＝0.5×10-4
cm）程度と薄く形成し、かつそれぞれの比誘電率
が等しい（Dd＝2De、かつεe＝εd）とすれば、
(1)式より Va＝3Ve ＝３×106V/cm×0.5×10-4cm＝150V …(2) となり、少なくともVa＝150V以上の電圧を印加
することが必要となる。しかも、この場合発光層
１０４に分配される電圧は、外部駆動電圧の1/3
となり、効率が悪い。
において、誘電体層１０３，１０５及び発光層１
０４の各層の厚みをそれぞれ0.5μｍ（＝0.5×10-4
cm）程度と薄く形成し、かつそれぞれの比誘電率
が等しい（Dd＝2De、かつεe＝εd）とすれば、
(1)式より Va＝3Ve ＝３×106V/cm×0.5×10-4cm＝150V …(2) となり、少なくともVa＝150V以上の電圧を印加
することが必要となる。しかも、この場合発光層
１０４に分配される電圧は、外部駆動電圧の1/3
となり、効率が悪い。
ところで、(1)式から明らかなように、駆動電圧
を下げる、あるいは、発光層に対する分配電圧を
上げるには、誘電体層１０３，１０５の厚みDd
を薄くする、あるいはその比誘電率εdが大きな
材料を選定することが考えられる。
を下げる、あるいは、発光層に対する分配電圧を
上げるには、誘電体層１０３，１０５の厚みDd
を薄くする、あるいはその比誘電率εdが大きな
材料を選定することが考えられる。
しかしながら、絶縁耐圧上の問題から、誘電体
層１０３，１０５の膜厚を薄くすることは得策で
なく、主として比誘電率εdの大きな材料を中心
に、従来より誘電体層材料の検討が種々行われて
きている。
層１０３，１０５の膜厚を薄くすることは得策で
なく、主として比誘電率εdの大きな材料を中心
に、従来より誘電体層材料の検討が種々行われて
きている。
例えば、特公昭57−41200号においては、誘電
体層を強誘電体であるチタン酸ジルコン酸鉛
（PZT）で形成する例が開示されており、特公昭
58−49995号では、チタン酸鉛（PbTiO3）で、
また特開昭59−228397号には、誘電体層をチタン
酸ストロンチウム（SrTiO3）で形成する例が述
べられている。
体層を強誘電体であるチタン酸ジルコン酸鉛
（PZT）で形成する例が開示されており、特公昭
58−49995号では、チタン酸鉛（PbTiO3）で、
また特開昭59−228397号には、誘電体層をチタン
酸ストロンチウム（SrTiO3）で形成する例が述
べられている。
上述したように、EL素子の低電圧駆動化を目
指して、主として強誘電材料を中心に誘電体層に
適する材料の検討が種々行われている。
指して、主として強誘電材料を中心に誘電体層に
適する材料の検討が種々行われている。
しかしながら、PbTiO3やBaTiO3等の誘電体
薄膜は、その作製条件がむつかしく、またPZT
などでは、絶縁耐圧が低いため、その膜厚を厚く
しなければならないという問題点があつた。
薄膜は、その作製条件がむつかしく、またPZT
などでは、絶縁耐圧が低いため、その膜厚を厚く
しなければならないという問題点があつた。
すなわち、EL素子用の誘電体層が具備すべき
条件として、その比誘電率が大きいことも必要で
あるが、同時に、絶縁耐圧が高く、また第３図に
示す透明電極１０２側に介在させる場合は、光学
的に透明でなければならないという条件もある。
条件として、その比誘電率が大きいことも必要で
あるが、同時に、絶縁耐圧が高く、また第３図に
示す透明電極１０２側に介在させる場合は、光学
的に透明でなければならないという条件もある。
さらに、製造上、その成膜が容易であることも
必要であり、これらの基本的な要件を満し、かつ
比誘電率の大きな誘電体層が求められている。
必要であり、これらの基本的な要件を満し、かつ
比誘電率の大きな誘電体層が求められている。
したがつて本発明は、比誘電率が高く、しかも
絶縁耐圧も高く、成膜の容易なEL用誘電体層を
得ることを目的としたものである。
絶縁耐圧も高く、成膜の容易なEL用誘電体層を
得ることを目的としたものである。
この目的を達成するため、本発明者は、比誘電
率が40以上あり、しかも絶縁耐圧がEL発光に必
要な106V／cm以上ある材料を種々検討した結果、
ある種のニオブ酸化合物が、EL素子の誘電体層
として適することを見出し、本発明をなすに至つ
たものである。
率が40以上あり、しかも絶縁耐圧がEL発光に必
要な106V／cm以上ある材料を種々検討した結果、
ある種のニオブ酸化合物が、EL素子の誘電体層
として適することを見出し、本発明をなすに至つ
たものである。
すなわち本発明は、EL発光を生ずる発光層に
接する、あるいは発光層をサンドイツチ状に挟み
込む誘電体層として、AB2Nb5O15（Ａは、Li、
Na、Ｋ、Rb、Csから選ばれた少なくとも一種、
Ｂは、Be、Mg、Ca、Sr、Baより選ばれた少な
くとも一種）で表わされるアルカリ金属及びアル
カリ土類金属を含むニオブ酸化合物を用いた構成
になるものである。
接する、あるいは発光層をサンドイツチ状に挟み
込む誘電体層として、AB2Nb5O15（Ａは、Li、
Na、Ｋ、Rb、Csから選ばれた少なくとも一種、
Ｂは、Be、Mg、Ca、Sr、Baより選ばれた少な
くとも一種）で表わされるアルカリ金属及びアル
カリ土類金属を含むニオブ酸化合物を用いた構成
になるものである。
本発明のEL素子は、発光層に接する誘電体層
としてAB2Nb5O15（Ａは、Li、Na、Ｋ、Rb、Cs
から選ばれた少なくとも一種、Ｂは、Be、Mg、
Ca、Sr、Baより選ばれた少なくも一種）で表わ
されたニオブ酸化合物を用いている。
としてAB2Nb5O15（Ａは、Li、Na、Ｋ、Rb、Cs
から選ばれた少なくとも一種、Ｂは、Be、Mg、
Ca、Sr、Baより選ばれた少なくも一種）で表わ
されたニオブ酸化合物を用いている。
この種のニオブ酸化合物は、その比誘電率が40
以上あり、例えばＡとしてRbを選択し、ＢにSr
を選んだRbSr2Nb5O15は、比誘電率が60と高く、
しかも透明で成膜も容易である。絶縁破壊電圧も
２×106V／cm以上あり、EL素子の誘電体層とし
て、十分使用でき得る絶縁耐圧をもつている。
以上あり、例えばＡとしてRbを選択し、ＢにSr
を選んだRbSr2Nb5O15は、比誘電率が60と高く、
しかも透明で成膜も容易である。絶縁破壊電圧も
２×106V／cm以上あり、EL素子の誘電体層とし
て、十分使用でき得る絶縁耐圧をもつている。
したがつて例えば、このRbSr2Nb5O15を用い
て、比誘電率εeが８〜９程度のZnS：Mn発光層
をサンドイツチ状に挟んでEL素子を形成した場
合を考える。この構造で、各層の厚みをそれぞれ
5000Åに設定すれば、外部印加電圧VaとEL素子
に分配される電圧Veとの関係は、前述した(1)式
より、 Va4/3Ve …(3) すなわち、外部印加電圧の75％程度を発光層に
分配することが可能となる。したがつて、低電圧
駆動を行うことができるようになるものである。
て、比誘電率εeが８〜９程度のZnS：Mn発光層
をサンドイツチ状に挟んでEL素子を形成した場
合を考える。この構造で、各層の厚みをそれぞれ
5000Åに設定すれば、外部印加電圧VaとEL素子
に分配される電圧Veとの関係は、前述した(1)式
より、 Va4/3Ve …(3) すなわち、外部印加電圧の75％程度を発光層に
分配することが可能となる。したがつて、低電圧
駆動を行うことができるようになるものである。
第１図は、本発明により作製した薄膜EL素子
の構造を説明するための断面模式図である。ここ
では、簡単のため、誘電体層を一層とした構造の
EL素子を示している。
の構造を説明するための断面模式図である。ここ
では、簡単のため、誘電体層を一層とした構造の
EL素子を示している。
第１図において、１は、ガラス等の透明絶縁材
料からなる基板であり、この基板１上に透明電極
２として、例えばITO膜が被着される。３は、本
発明の要旨となる誘電体層であり、ここでは
AB2Nb5O15で表わされるニオブ酸化合物のうち、
RbSr2Nb5O15を用いた。また、この誘電体層の
被着手段として、高周波スパツタリング法を採用
した。蒸着条件は、以下の通りである。
料からなる基板であり、この基板１上に透明電極
２として、例えばITO膜が被着される。３は、本
発明の要旨となる誘電体層であり、ここでは
AB2Nb5O15で表わされるニオブ酸化合物のうち、
RbSr2Nb5O15を用いた。また、この誘電体層の
被着手段として、高周波スパツタリング法を採用
した。蒸着条件は、以下の通りである。
まず真空チヤンバ内にAr：O2＝１：１の混合
気体を、ガス圧が1.5×10-2Torr程度まで導入し、
150Wの高周波電力を印加してスパツタを行つた。
ターゲツトはRbSr2Nb5O15化合物粉末を、ステ
ンレス製シヤーレにしきつめたものを使用した。
得られた誘電体層３の厚みは、4200Åである。な
お、蒸着時の基板１の温度は100℃〜300℃程度と
した。
気体を、ガス圧が1.5×10-2Torr程度まで導入し、
150Wの高周波電力を印加してスパツタを行つた。
ターゲツトはRbSr2Nb5O15化合物粉末を、ステ
ンレス製シヤーレにしきつめたものを使用した。
得られた誘電体層３の厚みは、4200Åである。な
お、蒸着時の基板１の温度は100℃〜300℃程度と
した。
このようにして得られたRbSr2Nb5O15誘電体
層は透明であり、その比誘電率εdは60であつた。
また絶縁破壊電圧は、２×106V／cmである。
層は透明であり、その比誘電率εdは60であつた。
また絶縁破壊電圧は、２×106V／cmである。
次に、第１図において４は、前記誘電体層３上
に被着積層された螢光体からなる発光層である。
この実施例では、ZnS：Mn螢光体粉末をシヤー
レ内にしきつめたものをターゲツトとし、誘電体
層３の形成と同様に、高周波スパツタリング法に
より蒸着している。膜厚は6000Åである。
に被着積層された螢光体からなる発光層である。
この実施例では、ZnS：Mn螢光体粉末をシヤー
レ内にしきつめたものをターゲツトとし、誘電体
層３の形成と同様に、高周波スパツタリング法に
より蒸着している。膜厚は6000Åである。
発光層４の形成後、500℃、１時間真空中でア
ニールし、発光層４上に背面電極５となるAl膜
を被着し、本発明による薄膜EL素子とした。そ
して駆動電圧Vaは、透明電極２と背面電極５間
に印加される。
ニールし、発光層４上に背面電極５となるAl膜
を被着し、本発明による薄膜EL素子とした。そ
して駆動電圧Vaは、透明電極２と背面電極５間
に印加される。
第２図に、上述して得られた本発明による薄膜
EL素子の電圧−輝度特性を示す。図中実線で示
す曲線ａが本発明よる薄膜EL素子の電圧−輝度
特性であり、破線で示す曲線ｂは、誘電体層３に
Y2O3を使用した従来の薄膜EL素子の電圧−輝度
特性を参考に示したものである。印加した駆動電
圧は50Hzの正弦波交流電圧であり、電圧値はピー
ク値（Vp）で示してある。
EL素子の電圧−輝度特性を示す。図中実線で示
す曲線ａが本発明よる薄膜EL素子の電圧−輝度
特性であり、破線で示す曲線ｂは、誘電体層３に
Y2O3を使用した従来の薄膜EL素子の電圧−輝度
特性を参考に示したものである。印加した駆動電
圧は50Hzの正弦波交流電圧であり、電圧値はピー
ク値（Vp）で示してある。
この第２図から明らかなように、本発明による
薄膜EL素子は、80V程度から発光を開始し、90
〜100V程度で十分な発光輝度が得られることが
わかる。これは、曲線ｂで同時に示す従来の薄膜
EL素子と比較してみても明らかであり、外部駆
動電圧の大幅な低電圧化が実現されたことにな
る。なお、この実施例では、電圧値が前述した(1)
式で算出される値よりも高電圧側にずれている
が、これは成膜が必ずしも理想的な状態で行われ
ているとはいえないことによるものであり、膜作
製条件を検討することにより、さらに低電圧化が
可能となる。
薄膜EL素子は、80V程度から発光を開始し、90
〜100V程度で十分な発光輝度が得られることが
わかる。これは、曲線ｂで同時に示す従来の薄膜
EL素子と比較してみても明らかであり、外部駆
動電圧の大幅な低電圧化が実現されたことにな
る。なお、この実施例では、電圧値が前述した(1)
式で算出される値よりも高電圧側にずれている
が、これは成膜が必ずしも理想的な状態で行われ
ているとはいえないことによるものであり、膜作
製条件を検討することにより、さらに低電圧化が
可能となる。
ところで、AB2Nb5O15で表わされるニオブ酸
化合物としては、上述したRbSr2Nb5O15以外に
も種々の化合物があり、そのうちの代表例につい
て、薄膜EL素子の誘電体層３として用いた場合
の特性を以下に示す。
化合物としては、上述したRbSr2Nb5O15以外に
も種々の化合物があり、そのうちの代表例につい
て、薄膜EL素子の誘電体層３として用いた場合
の特性を以下に示す。
KSr2Nb5O15
このニオブ酸化合物を上述したと同様にして
4000Åの膜厚で第１図に示す透明電極２上に被着
した場合、その膜は透明となり、比誘電率εdは
約55である。また絶縁破壊電圧は2.1×106V／cm
である。
4000Åの膜厚で第１図に示す透明電極２上に被着
した場合、その膜は透明となり、比誘電率εdは
約55である。また絶縁破壊電圧は2.1×106V／cm
である。
したがつて、このKSr2Nb5O15誘電体層３上
に、第１図に示すと同様に発光層４、背面電極５
を積層して薄膜EL素子とした場合、第２図に示
す曲線ａとほぼ同様の電圧−輝度特性が得られ
た。
に、第１図に示すと同様に発光層４、背面電極５
を積層して薄膜EL素子とした場合、第２図に示
す曲線ａとほぼ同様の電圧−輝度特性が得られ
た。
NaBa2Nb5O15
NaBa2Nb5O15も誘電体層として透明であり、
その比誘電率は60である。また絶縁破壊電圧は
1.9×106V／cmであつた。したがつてこの
NaBa2Nb5O15誘電体層を誘電体層３として、第
１図に示す構造の薄膜EL素子を構成しても、第
２図に曲線ａで示すと同様の電圧−輝度特性が得
られた。
その比誘電率は60である。また絶縁破壊電圧は
1.9×106V／cmであつた。したがつてこの
NaBa2Nb5O15誘電体層を誘電体層３として、第
１図に示す構造の薄膜EL素子を構成しても、第
２図に曲線ａで示すと同様の電圧−輝度特性が得
られた。
KBa2Nb5O15
KBa2Nb5O15誘電体層は、透明であり、比誘電
率は50、絶縁破壊電圧は2.2×106V／cmである。
この誘電体層を用いて、第１図に示す構造の薄膜
EL素子を形成した場合、その電圧−輝度特性は、
第２図中の曲線ａよりも多少高電圧側にシフトす
る。しかしながら、上述した各例と同様な特性を
示し、十分実用可能であり、低電圧駆動が実現で
きる。
率は50、絶縁破壊電圧は2.2×106V／cmである。
この誘電体層を用いて、第１図に示す構造の薄膜
EL素子を形成した場合、その電圧−輝度特性は、
第２図中の曲線ａよりも多少高電圧側にシフトす
る。しかしながら、上述した各例と同様な特性を
示し、十分実用可能であり、低電圧駆動が実現で
きる。
そのほか、上述した各例以外にもAB2Nb5O15
（Ａは、Li、Na、Ｋ、Rb、Csから選ばれた少な
くとも一種、Ｂは、Be、Mg、Ca、Sr、Baから
選ばれた少なくとも一種）で表わされるニオブ酸
化合物は、比誘電率が高く、膜も透明である。ま
た106V／cm以上の絶縁破壊電圧を有し、上述し
た各実施例と同様に、薄膜EL素子の誘電体層３
として使用できるものである。
（Ａは、Li、Na、Ｋ、Rb、Csから選ばれた少な
くとも一種、Ｂは、Be、Mg、Ca、Sr、Baから
選ばれた少なくとも一種）で表わされるニオブ酸
化合物は、比誘電率が高く、膜も透明である。ま
た106V／cm以上の絶縁破壊電圧を有し、上述し
た各実施例と同様に、薄膜EL素子の誘電体層３
として使用できるものである。
本発明による薄膜EL素子は、ABNb5O15（Ａ
は、Li、Na、Ｋ、Rb、Csから選ばれた少なくと
も一種、Ｂは、Be、Mg、Ca、Sr、Baから選ば
れた少なくとも一種）で表わされるニオブ酸化合
物を誘電体層として用いた構造を有する。
は、Li、Na、Ｋ、Rb、Csから選ばれた少なくと
も一種、Ｂは、Be、Mg、Ca、Sr、Baから選ば
れた少なくとも一種）で表わされるニオブ酸化合
物を誘電体層として用いた構造を有する。
このニオブ酸化合物は、比誘電率が少なくとも
40以上あり、また膜質は透明である。さらに絶縁
破壊電圧も、少なくとも106V／cm以上と高い。
したがつて、交流駆動形の薄膜EL素子において、
発光層に接する誘電体層として用いれば、発光層
側に高い分配電圧を与えることができ、EL素子
の低電圧駆動化が可能となる効果がある。
40以上あり、また膜質は透明である。さらに絶縁
破壊電圧も、少なくとも106V／cm以上と高い。
したがつて、交流駆動形の薄膜EL素子において、
発光層に接する誘電体層として用いれば、発光層
側に高い分配電圧を与えることができ、EL素子
の低電圧駆動化が可能となる効果がある。
また、このニオブ酸化合物は、通常のスパツタ
リング法等で形成でき、成膜化が容易であつて、
EL素子を量産化する上で、すぐれた効果が得ら
れる。
リング法等で形成でき、成膜化が容易であつて、
EL素子を量産化する上で、すぐれた効果が得ら
れる。
第１図は、本発明の一実施例を示す断面構造の
模式図、第２図は、同実施例の特性を従来素子と
比較して示す図、第３図は、薄膜EL素子の一般
構造の一例を示す断面模式図である。 ３……誘電体層、４……発光層。
模式図、第２図は、同実施例の特性を従来素子と
比較して示す図、第３図は、薄膜EL素子の一般
構造の一例を示す断面模式図である。 ３……誘電体層、４……発光層。
Claims (1)
- １ 発光層の少なくとも一面側に誘電体層を積層
し、交流電圧を印加することによつて前記発光層
を発光させる薄膜エレクトロルミネツセンス素子
において、前記誘電体層が、AB2Nb5O15（Ａは、
Li、Na、Ｋ、Rb、Csから選ばれた少なくとも一
種、Ｂは、Be、Mg、Ca、Sr、Baから選ばれた
少なくとも一種）で表わされるニオブ酸化合物を
主成分とする透光性の薄膜からなることを特徴と
する薄膜エレクトロルミネツセンス素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60288968A JPS62147694A (ja) | 1985-12-20 | 1985-12-20 | 薄膜エレクトロルミネツセンス素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60288968A JPS62147694A (ja) | 1985-12-20 | 1985-12-20 | 薄膜エレクトロルミネツセンス素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62147694A JPS62147694A (ja) | 1987-07-01 |
| JPH0130279B2 true JPH0130279B2 (ja) | 1989-06-19 |
Family
ID=17737128
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60288968A Granted JPS62147694A (ja) | 1985-12-20 | 1985-12-20 | 薄膜エレクトロルミネツセンス素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62147694A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102417137B1 (ko) * | 2021-05-07 | 2022-07-06 | 한국과학기술연구원 | 유전 분산이 없는 칼슘 리튬 나이오베이트 유전체 조성물 및 그 제조방법 |
-
1985
- 1985-12-20 JP JP60288968A patent/JPS62147694A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62147694A (ja) | 1987-07-01 |
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