JPH01303432A - 感光性樹脂組成物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） この発明は、半導体装置等の製造特にこれの能動素子、
配線パターン等の作製のため用いられるレジスト材料と
して好適な感光性樹脂組成物に関するものである。

（従来の技術） 半導体装置の製造においては、半導体基板に対し？！々
の加工が行われる。その中でもレジストパターンを用い
ての微細加工は重要なものの一つであり、半導体装置の
能動素子や配線パターン等を形成するためには不可欠な
ものである。この加工例を以下に示す。

第１図（Ａ）〜（Ｄ）は、半導体装置の製造工程中の金
属配線パターンを形成する工程の一例を基板の断面図を
用いて概略的に示した図である。

１１で示す被加工基板上の全面に１３で示す配線用金属
膜か形成され、この配線用金属膜１３上に１５で示すレ
ジスト膜が形成される（第１図（Ａ））。次いてこのレ
ジスト膜１５に対し露光、現像等の所定の処理か行われ
１５ａで示すレジストパターンが形成され（第１図（Ｂ
））　、次いでこのレジストパターン１５ａ　’Ｆｒマ
スクとし配線用金属１３がエツチングされる（第１図（
Ｃ））。その後レジストパターン１５ａが除去され、１
３ａで示す所望の金属配線パターンが得られる（第１図
（Ｄ））。

ところで、近年の半導体装ゴ特にＩＣ（集積回路）にお
いては、高集積化、高速化を図るため多層配線の採用、
配線パターンの微細化が行われている。そしてこの傾向
は今後ますます進むと考えられ、このため、ＩＣの製造
にはさらに像細なレジストパターンが必要になる。しか
し一方では、微細化に伴う配線抵抗値の増大を防止する
ために、配線パターンのアスペクト比は高く即ち金４膜
の膜厚は厚くされる傾向にあり、この結果この種の配線
パターンが積層される多層配線を有する基板では、基板
上の段差はますます大きくなる。

これかためこのような段差を有する基板上に微細なレジ
ストパターンを形成する場合には例えば次のような弊害
か生しる。即ち、縮小投影露光装百を用い目的とする寸
法のレジストパターンを許容焦点深度の範囲内で段差の
存在に関係なく精度良く形成することか困難になるとい
うことである。

特にサブミクロンルールのレジストパターンを得ようと
する場合は開口数の大きなレンズを装備した縮小投影露
光袋＝が有利であり用いられるが、このような装置では
焦点深度はますます浅くなる。従って、凹部凸部共に焦
点を合わすことは難しくなり、従来のような一層のレジ
ストのみてはレジストパターンを形成出来なくなる場合
がある。このような不具合を解決するための方法として
二層レジスト法かあった。

第２図（△）〜（Ｆ）は、この二層レジスト法の工程％
ＩＣの一部分の斜視図を用いて示した図であり、第一層
目の金属配線上に絶縁膜を介し第二層目の金属配線を形
成する場合を示したものである。２＋で示す基板上には
２３て示す第一層目の金属配線が形成され、ざらにこの
第−層間線２３上に２５で示す絶縁膜を介して２７で示
す第二層目の金属配線用の薄膜が形成される（第２図（
Ａ））。この結果、第一層目の金属配線２３と基板２１
との間には２９で示す段差が構成される。従って二層レ
ジストプロセスにおいては、先ず、段差２９を有する基
板２１上に、３１で示す熱硬化性樹脂を厚い膜厚に形成
し下地の平坦化を図り（第２図（８））　、その後この
熱硬化性樹脂３１上に、酸素プラズマに対し高い耐性を
示す３３で示す感光性樹脂を極めて薄い膜厚に形成する
（第２図（Ｃ：）　）　、次いで、この感光性樹脂３３
に対し露光及び現像等の所定の処理を行い３３ａで示す
感光性樹脂パターンを得る（第２図（Ｄ））、次いで、
この感光性樹脂パターン３３ａをマスクとし熱硬化性樹
脂３１を反応性酸素ガスを用いたイオンエツチング（０
□−ＲＩＥ）によってエツチングして、高アスペクト比
の３５で示す二層レジストパターンを得る（第２図（Ｅ
））。その後、この二層レジストパターン３５をマスク
としで用いて合圧薄膜２７ヲエツチングし２７ａで示す
第二層目の金属配線が得られる（第２図（Ｆ））。この
二層レジスト法の利点は、下地を層３１で平坦化しこの
層３１上に極めで薄い感光性樹脂層３３のパターンを形
成するので下地の段差の影響を受けることがないことで
あり、寸法変動のない微細で高アスペクト比の微細パタ
ーンが形成出来ることである。感光性樹脂層３３として
用いられるレジストとしては、珪素を含有したレジスト
があり、例えばこの出願人に係る特開昭６２−２８４３
２号公報に開示されているネガ型レジストがある。この
ネガ型レジストは、ポリアリルシルセスキオキサンに、
ビスアジド化合物例えば２．６−ビス（４′−アジドベ
ンジリデン）−４−メチルシクロヘキサノンを混合した
ものであり、遠紫外線に対しＩ　ＩｍＪ／ｃｍ２の感度
と、０．５ｕｍの解像力を有するものであった。

（発明が解決しようとする課題） しかしなから、特開昭６２−２８４３２号公報に開示さ
れているレジストは膜形成した後に放置しておくと、ヒ
スアジドが析出するという現象か生した。

即ち、ポリアリルシルセスキオキサンと、ヒシアジトと
の相溶性が低いという問題点かあった。ビスアジドか析
出した場合の塗膜は、レジストバターン形成のためには
好ましいものではないため、改善か望まれる。

また、ビスアジドを添加するため、ポリシルセスキオキ
サン本来の耐０２−ＲＩＥ性を低下させることになり、
初期エツチング量が１５ｕｍに達する。

したかって、エツチング条件によってはエツチング時の
寸法変換差が大きくなってしまうという問題点かあった
。

この発明はこのような点に鑑みなされたものであり、従
ってこの発明の目的は、上述した問題点を解決し、優れ
た膜質、加工精度及び解像性を示す感光性樹脂組成物を
提供することにある。

（課題を解決するための手段） この目的の達成を図るため、この発明の感光性樹脂組成
物は、ラジカル重合性置換基を有するポリシロキサンと
、ポリシランとを含むことを特徴とする。

ここで、ポリシロキサンとしては１重々のものか考えら
れるが、例えば珪素含有率の高いポリシルセスキオキサ
ンが好ましい。また、線状のポリシロキサンであること
も出来る。また、ポリシロキサンが有する重合基としで
はラジカル重合性のものであれば原理的にはどのような
ものでも良いか、ラジカル重合性が高い例えばアリル基
やビニル基等が好ましい。このようなことを考慮したと
き、例えば後述の（Ｉ）式で示されるポリアリルシルセ
スキオキサンは好適なポリシロキサンと云える。この樹
脂（ポリアリｌリシルセスキオキサン）は、重合条件に
よって平均重量分子量Ｍｗか２０００〜１０００００の
ものまで制御性良く得ることが出来る。なお、この樹脂
は、例えばアリルトリクロロシラン或いはアリルトリア
ルコキシを加水分解して得られるオリゴマーを例えばト
リエチルアミン、トリノルマルブチルアミン等の第三級
アミンで縮重合させで得ることか出来る。

また、感光剤として用いるポリシランは、紫外線照射に
よって分子量の低下を起すものであっても分子量の増加
を起すものであってもどちらのものでも良い。なぜなら
ば、分子量か低下または増加するいずれの反応において
も紫外線照射による５ｉ−３ｉの切断によって生成する
シリルラジカルが、または電子構造的にカルベンに類似
するシリレンか、ポリシロキサンのラジカル重合性置換
基（例えばポリアリルシルセスキオキサンのアリル基）
にラジカル的に付加することを利用するからである。従
って、有機溶剤に可溶なものであればどのようなポリシ
ランでも使用可能である。そのようなポリシランを例示
すれば以下のようなものがある。

下記（ＩＩ　）式で示されるヘキサフエニルジシラン、
下記（■）式で示されるテトラフエニルジメチルジシラ
ン、下記（ＩＶ）式て示されるテトラメチルジフェニル
ジジシラン、下記（Ｖ）式で示されるヘキサメチルジシ
ラン等のようなジシラン。

Ｃｓ　Ｈ５Ｃ６Ｈ５ Ｃｅ　Ｈｓ　　Ｃｔ；　Ｈｓ ｌ ＣＨ３Ｃｔ−＋３ ｌ ＣＨ３ＣＨ３ Ｎａ（ナトリウム）でカップリングして得られる下記（
Ｖ［）式で示されるようなポリシラン。

ジメチルジクロロシラフとフェニルメチルジクロロシラ
ンとｔＮａでカップリングしで得られる下記（■）式で
示されるポリシラスチレンのようなポリシラン。

１．４−ヒス（ジメチルウロロシリル）ベンゼンをクロ
スカップリングして得られる下記（■）式で示されるよ
うなポリジシラニレンフエニレン類。

下記（ＩＸ）で示されるオクタメチルシクロテトラシラ
ン、下記（Ｘ）で示されるトデカメチルシクリヘキサシ
ラン等のようなシリレン発生剤としてのシクロポリシラ
ン。

ＣＨ３０Ｈ３ なお、上述の各種ポリシランの中でより好ましいものと
しては、ラジカル又はシリレン発生効率の高いものがレ
ジスト感度を向上させること力く出来有利であることか
ら、（Ｖｌ）式及び（Ｖｆｌｌ）式で示すような線状ポ
リシラン、また（ＩＸ）式及び（Ｘ）式で示すような環
状ポリシランを挙（することか出来る。

また：この発明の突流に当たり、ポリシランのポリシロ
キサンに対する含有率を５〜５０重量％とするのか好適
である。この理由としては前記含有率が５％より少ない
と所望の感度が得られず、５０％より多いとレジスト膜
として用いた場合の密着性等に問題が生じるからである
。

ざらに、この発明の寅施に当たり上述のポリシルセスキ
オキサンを、重量平均分子量Ｍｗが２０００〜１０００
００のものとするのが好適である。

（作用） この発明の感光性樹脂組成物によれば、感光剤として含
ませるものが珪素含有率の高いポリシランでありこれ自
体も０２−ＲＩε耐性に優れることから、ポリシロキサ
ンの持つ０２−ＲＩＥ耐牲ａ低下させることがない。

また、ポリシロキサン、ポリシラン共に例えば芳香族系
溶媒やエーテル系溶媒に対する溶解性が比較的似ている
ことがら相溶性か高くなり相分離が起きにくくなる。

また、後述する実験結果からも明らかなように感光性樹
脂としての感度を、ポリシロキサンの分子量と、ポリシ
ランのポリシロキサンに対する含有率との双方によって
制御できる。ここで、ポリシランの含有率を高めること
で感度を向上させても、上述の理由から高い相溶性を示
すため相分離は起きない。

（実施例） 以下、この発明の感光性樹脂組成物の実施例につき説明
する。しかしながら、以下の実施例中で述べる数値的条
件、使用装置、薬品名等は単なる例示にすぎず、この発
明がこれら条件のみに限定されるものでないことは理解
されたい。

東ＪＬ例」−＜相溶性の評価〉 先ず、ポリシロキサンとポリシランとの相溶゛けの評価
を以下に説明するような方法で行った。

上述した（Ｉ）式で示されるポリアリルシルセスキオキ
サンであって重量平均分子量Ｍｗが２０４００であり比
分散が４．６であるポリアリルシルセスキオキサンと、
感光剤としての（ＩＩ　”）式で示されるヘキサフェニ
ルジシラン、（ＩＩＩ）式で示されるテトラフエニルジ
メチルジシラン、（Ｘ）式て示されるドテカメチルシウ
ロヘキサシラン、まｒ、：：（ＩＸ）式で示されるオク
タメチルシクロテトラシランとを、別表１に示すように
それぞれ混合し、各混合物をクロロベンゼンに１０重里
％の溶液となるように溶Ｍさせ、試料番号■〜■で示す
実施例の溶液を調製した。一方、実施例のものと同様な
ポリアリルシルセスキオキサンと、感光剤としての下記
（ＸＩ）式で示される２、６−ビス（４゛　−アジトヘ
ンジリデン）−４−メチルシクロヘキサノンとを別表１
に示すようにそれぞれ混合し各混合物をクロロベンゼン
に溶解させ、試料番号■〜■で示す比較例の溶液を調製
した。

次に試料番号■〜■で示す各溶液を、それぞれ個別の直
径２インチ（１インチは約２．５４ｃｍ）のシリコンウ
ェハ上にスピンコーティング法によって塗布して皮膜を
形成し、これらウェハをホットプレート上で１００℃の
温度で１分間ソフトへ−りした。そして、ヘーク直後と
、室温にて１日放言した後とにおける各ウェハ上の皮膜
を光学顕微鏡によってそれぞれ観察し、析出物の有無及
びストリエーション（ウェハの中心部から外周に向けて
生じる膜厚ムラ）の有無を調べた。その結果を別表１に
示す。別表１の結果からも理解できるように実施例の溶
液を用いて形成した皮膜はいずれも良好な膜であること
が確認された。なお、（ＩＩ）式で示すジシランの添加
量が少ない理由は、このもの自体がクロロベンゼンに溶
けにくいからである。

見塞■ユ＜０２−ＲＩＥ耐性の評価〉 次に、この発明の感光性樹脂組成物の、反応性酸素ガス
によるイオンエツチング（０□−ＲＩＥ）耐性の評価を
以下に説明するような方法で行った。

実施例１て用いたと同様なポリアリルシルセスキオキサ
ンのみをクロロベンゼンに溶解させた溶液と、実施例１
で調製した試料番号■の溶液と、実施例１で調製したも
のであり従来の感光剤を含む試料番号［相］の溶液とを
それぞれ用い、個別のシリコンウェハ上に０．２ｕｍの
膜厚の乾燥皮膜を形成した。次いで、各ウェハ上の皮膜
に対し、ＤＥＭ４５１平行平板型ドライエツチャー（日
型アネルバ■製の装百）ヲ用い０２ガスで２０分間のエ
ツチングをそれぞれ行った。その条件は、０２ガス圧が
１、ＯＰａ、ガス流量が２０ＳＣＣＭ、旺パワー密度が
０．１２Ｗ／ｃｍ２である。

工・ンチング終了後の各ウェハの皮膜の残存膜厚を膜厚
計（タリステップ（テーラーポブソン社製を使用）で測
定しエツチングされた量を求めた。

その結果は下表の通りであった。なお表中Δｔで示す項
はエツチングされｐ量である。

上述の結果から理解できるように、ドデカメチルへキサ
シラン（Ｘ）を感光剤として含有する実施例の皮膜の０
２−ＲＩＥ耐性は、ビスアジド（ＸＩ）　Ｖ含有する比
較例の皮膜のそれに比し３倍の耐性向上が確認され、然
も、母体であるシロキサシの０２−ＲＩＥ耐性と同等で
あることが確認された。

犬血猶ユ〈レジスト感度の評価〉 次に、この発明の感光性樹脂組成物の感度の評価を以下
に説明するような方法で行った。

（実施例３−（１）） （Ｉ）式で示されるポリアリルシルセスキオキサンであ
って重ｌ平均分子量Ｍｗか２０４００であり比分散か４
．６であるボリアリルシルセスキオキサン１８９と、（
Ｘ）式で示されるドデカメチルシクロへキサシラン２９
との混合物を、ウロロヘンセンに、１０重量％の溶液と
なるように溶解させレジスト溶液を調製した。次に、フ
ォトレジスト膜そ１．５ｕｍの膜厚に予め形成しである
シリコン基板のこのフォトレジスト膜上に、上述のレジ
スト溶液をスピンコーティング法により塗布し、ホット
プレート上で１００°Ｃの温度で１分間ヘーキングし０
．２ｕｍの膜厚の皮膜を形成した。これと同様な条件で
複数の試料ウェハを作製し、各試料ウェハ上の皮膜に対
し？！々の線幅のテストパターンを有するフォトマスク
を用いそれぞれ露光Ｊを変えて露光を行った。用いた露
光袋フは、Ｘｅ−８９ランプとＣＭ２５０コールドミラ
ーとを装着したキャノン製のＰＬＡ　５０１コンタクト
露光装＝である。次いて、メチルイソブチルケトン（Ｍ
ＩＳＫ）と２−プロパツール（ＩＰＡ）との１：１（体
積比）混合液を用いて２０秒間現像を行った後、２−プ
ロパツールを用いて１５秒間リンスを行った。各ウェハ
上に形成されたレジストパターンのｌｕｍラインアンド
スペースに相当する部分の膜厚をウリステップ（膜厚計
）を用い各ウェハ毎に測定した。その結果、残膜率か５
０％となるドーズｆｆ１Ｄ、は２４０ｍＪ／ｃｍ２テア
’）、１ＬＩｍのラインアンドスペースを設計通り解像
するドーズ量は４４０ｍＪ／ｃｍ２であることが分った
。

（実施例３−（２）） （Ｘ）式で示される感光剤の（Ｉ）式で示されるポリア
リルシルセスキオキサンに対する含有率を実施例３−（
１）とは異らせた場合の感度を調べる。この例においで
は、ポリアリルシルセスキオキサンヲ１６９とし、（Ｘ
）式で示されるドデカメチルシクロヘキサシランを４９
とする。それ以外の条件は実施例３−（１）と同様にし
て試料ウェハの作製、露光及び現像をそれぞれ行った。

その結果、残膜率か５０％となるドーズｊｌＤ。は１７
０ｍＪ／Ｃｍ２てあり、ｌｕｍのラインアンドスペース
を設計通り解像するドーズ１は３６０ｍＪ／ｃｍ２であ
ることが分った。

（実施例３−（３）） ＣＩ）式で示されるポリアリルシルセスキオキサンを重
量平均分子量Ｍｗが５３０００であり比分散が５．６の
ものとしこれを１８９用い、（Ｘ）式で示されるドデカ
メチルシクロヘキサンを２９用いる。それ以外の条件は
実施例３−（１）と同様にして試料ウェハの作製、露光
及び現像をそれぞれ行った。その結果、残膜率が５０％
となるドーズ量り、は８０ｍＪ／ｃｍ２であり、ｌｕｍ
のラインアンドスペースを設計通り解像するドーズ量は
Ｉ　４０ｍＪ／ｃｍ２であることが分った。

（実施例３−（４）） （１）式で示されるポリアリルシルセスキオキサンを重
量平均分子量Ｍｗが２０４００であり比分散が４．６の
ものとしこれヲ１６９用い、感光剤としで（ＩＩＩ）式
で示されるテトラフエニルジメチルジシランを４９用い
る。それ以外の条件は実施例３−（１）と同様にして試
料ウェハの作製、露光及び現像をそれぞれ行った。その
結果、残膜率か５０％となるドーズ量り、ｌは８４０ｍ
Ｊ／ｃｍ２であり、ｌｕｍのラインアンドスペースを設
計通り解像するドーズ量はＩ　９００ｍＪ／ｃｍ２であ
ることが分った。

（実施例３−（５）） （Ｉ）式で示されるポリアリルシルセスキオキサンを重
量平均分子量Ｍｗが２０４００であり比分散が４．６の
ものとしこれヲ１８９用い、感光剤として（ＩＸ）式で
示されるオクタメチルシクロテトラシランを２９用いる
。それ以外の条件は実施例３−（１）と同様にして試料
ウェハの作製、露光及び現像をそれぞれ行った。その結
果、残膜率が５０％となるドーズ量り。は２６０ｍＪ／
ｃｍ２であり、ｌｕｍのラインアンドスペースを設計通
り解像するドーズ量は４４０ｍＪ／ａｍ２であることが
分った。

（実施例３−（６）） （Ｉ）式で示されるポリアリルシルセスキオキサンを重
量平均分子量Ｍｗが５３０００であり比分散か５．６の
ものとしこれヲ１６９用い、感光剤として（ＩＸ）式で
示されるオクタメチルシクロテトラシランを４９用いる
。それ以外の条件は実施例３−（１）と同様にして試料
ウェハの作製、露光及び現像をそれぞれ行った。その結
果、残膜率が５０％となるドーズｆｆ１Ｄ、はｌｏｏｍ
Ｊ／ｃｍ２であり、ｌｕｍのラインアンドスペースを設
計通り解像するドーズ１は１６００ｍＪ／ｃｍ２である
ことが分った。

実施例３−（＋）〜実施例３−（６）の各実験条件及び
結果を別表２に示す。例えば実施例３−（＋）及び実施
例３−（２）の結果を比較することにより、ポリシラン
含有率が高くなるに従いレジスト感度か向上することか
分る。また、実施例３−（１）及び実施例３−（３）の
結果を比較することにより、樹脂（Ｉ）の分子量が高く
なるに従いレジスト感度が向上することが分る。また、
実施例３−（２）及び実施例３−（４）の結果を比較す
ることにより、ポリシランの種類により感度に差が出る
ことか分る。

？ＺＪＬ例４＜二層レジストパターン形成〉（実施例４
−（１）） シリコンウェハ上（こＭＰ２４００）オドレジスト（シ
ラプレー社製のフォトレジスト）を熱硬化後の膜厚か１
．５ｕｍとなるように形成した。以下、説明の都合上Ｍ
Ｐ２４００フォトレジスト層を下層レジスト層と称する
。次いで、この下層レジスト層上に実施例３−（＋）で
調製したレジスト液をスピンコーティング法により塗布
し、ホットプレート上で１００°Ｃの温度で１分間ベー
キングを行い、厚さ０．２ｕｍのレジスト膜（以下、上
層レジスト層と称する）を形成した６次いで、Ｘｅ−Ｈ
ｑクランプＣＭコールドミラーとを用い波長が３００ｎ
ｍ以下の紫外線によってコンタクト法による露光を行っ
た。

ドーズ量は４２０ｍＪ／ｃｍ２とした。次いて、露光済
みウェハをＭＩＢＫとＩＰＡとの１＝１（体積比）混合
液を用いて２０秒間現像を行った後、ＩＰＡを用いて１
５秒間リンスを行った。これにより上層レジストパター
ン得る。次いて、このウェハをホットプレート上て１０
０°Ｃの温度て１分間ベーキングを行った。次に、上層
レジストパターンをマスクとし、下層レジストに対しド
ライエツチャーＤＥＭ４５１ｕ用い０□−ＲＩＥによる
エツチングを行った。その条件は、０□ガス圧が１．Ｏ
Ｐａ　、ガス流量が２０ＳＣＣＭ、　ＲＦパワー９度か
０．１２Ｗ／ｃｍ２、エツチング時間か４０分である。

このようにして形成した二層レジストパターンの厚さ方
向と平行にとった断面を走査型の電子顕微鏡（ＳＥＭ）
を用いで観察したところ、０．２５ｕ　ｍのラインアン
ドスペースが矩形形状に形成されていることか分った。

（実施例４−（２）） 実施例３−（２）で調製したレジスト液を用いて上層レ
ジストを形成し３２０ｍＪ／ａｍ２のドーズ量で露光を
行った以外は実施例４−（＋）と同様の工程で二層レジ
ストパターンを形成した。この二層レジストパターンを
ＳＥＭで観察したところ実施例４−（１）と同様に０．
２５ｕ　ｍのラインアンドスペースが矩形形状に形成さ
れており、また、直径０．３５ｕｍのホールパターンが
形成されていることが分った。

（発明の効果） 上述した説明からも明らかなように、この発明の感光性
樹脂組成物は、これに含有させる感光剤として溶剤可溶
性のポリシランを用いたため、この感光性樹脂組成物の
膜中で層分離が起きることもなく、またこの膜から感光
剤が析出したりすることも起きない。従って、均質な膜
が得られ、これがため良好なレジストパターンを形成す
ることか出来る。

ざらに、相溶性があるためにポリシランの含有率を増ヤ
してレジスト感度の向上を図れること、また、ポリシラ
ン自体がポリシロキサンと同等の０２−ＲＩＥ耐性を示
すためポリシロキサンの０２−ＲＩＥ耐性を低下させる
ことがない等の効果か得られる。

また、ポリシラン類は波長２５０ｎｍの光に対しても吸
収を有していることから、この発明の感光性樹脂組成物
は、ＫｒＦエキシマレーザリソグラフィー技術にも対応
出来る可能性があり、ハーフミクロン以下の超高集積回
路の製造を可能とするレジストとして有望である。

【図面の簡単な説明】

１図（Ａ）〜（Ｄ）は、従来及びこの発明の説明に供す
る図であり、レジストプロセスの説明に供する工程図、 菓２図（△）〜（Ｆ）は、従来及びこの発明の説明に供
する図であり、二層レジストプロセスの説明に供する工
程図である。 １１・・・基板、　　　　　　１３・・・配線用金属膜
１３ａ・・・金層配線パターン １５・・・レジスト膜、　　１５ａ・・・レジストパタ
ーン２１・・・基板、　　　　　２３・・・篤−層配線
２５・・・絶縁膜 ２７・・・第二層目の金属配線用の膜 ２７ａ・・・第二層配線 ２９・・・段差、　　　　　３１・・・熱硬化性樹脂３
３・・・感光性樹脂、　　３３ａ・・・感光性樹脂パタ
ーン３５・・・二層レジストパターン。 １シａ　　　　　　１５ａ　　レジストパターンレジス
トプロセスの説明に供する工程図第１図 千吊売ネ甫正書 １事件の表示　　昭和６３年特許ＩＩ　１３４２６４号
２発明の名称 感光性樹脂組成物 ３補正をする者 事件との間係　　特許出願人 ４主所　（〒　−１０５） 東京都港区虎ノ門１丁目７番１２号 名称（０２９）沖電気工業株式会社 代表者　串杆　偏光 ４代理人　〒１７０　　　ｆｆｉ　（９８８）５５６３
住所　東京都豊島区東池袋１丁目２０番地５池袋ホワイ
トハウスビル９０５号 ′Ｓ１１廓比の通り （１）、明細書第７頁第５行目のＮ５ｕ　ｍＪ％　［ｉ
’１５ｎｍ」と訂正する。 （２）、明細Ｍ第８頁第１２行目の［アルコキシを加水
分解」ヲ「アルコキシシランを加水分解Ｊと訂正する。 （３）、明細書第１１頁の下から第２行目の「クリへキ
ザシラン」ｔｆｆ’クロヘキサシラシＪと訂正する。 以上

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. （１）ラジカル重合性置換基を有するポリシロキサンと
   、ポリシランとを含むことを特徴とする感光性樹脂組成
   物。
2. （２）前記ポリシロキサンがポリシルセスキオキサンで
   ある請求項１に記載の感光性樹脂組成物。
3. （３）前記ポリシルセスキオキサンの珪素上の置換基が
   ラジカル重合性の基である請求項２に記載の感光性樹脂
   組成物。
4. （４）前記ポリシランが溶剤可溶性を有する、ジシラン
   、線状ポリシラン及び環状ポリシランの中から選ばれた
   １種のポリシランである請求項１に記載の感光性樹脂組
   成物。
5. （５）前記ポリシランの前記ポリシロキサンに対する含
   有率が５〜５０重量％である請求項１に記載の感光性樹
   脂組成物。
6. （６）前記ポリシルセスキオキサンが、重量平均分子量
   ２０００〜１０００００のものである請求項３に記載の
   感光性樹脂組成物。