JPH0472223B2 - - Google Patents
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Classifications
-
- G—PHYSICS
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Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は、半導体装置等の形成に当り能動素
子、配線パターン等の作製のため用いられるネガ
型フオトレジストに関するものである。 （従来の技術） 近年、半導体装置の高集積化に伴ないこれら装
置の製造工程においてアスペクト比が高くかつ微
細なレジストパターンを形成することが出来る技
術が要求されてきている。特に、多層配線を形成
する際、基板に形成された配線は基板面との間に
段差を構成しこのような段差は、この基板上に次
の配線を形成するため新たなレジストパターンを
形成する場合に弊害となる。 ところで、このような段差を有する基板上にレ
ジストパターンを形成する場合この段差を覆うこ
とが出来得る程度に厚い膜厚で（例えば1.5〜
2.0μm）レジストを形成する必要がある。しか
し、現在主として用いられている縮小投影露光機
は、それに備わるレンズの開口数を高解像なレジ
ストパターンが得られるように大きなものにする
傾向にあり、従つて、焦点深度が大きくとれず、
これがため、このような露光機によつて膜厚の厚
いレジストを高解像にパターニングすることは困
難であつた。又、高解像なレジストパターンを得
ることを目的として短波長の光、例えば200〜
300nmの遠紫外線を用いてレジストを露光するこ
とが行われているが、通常用いられているレジス
トの多くはこのような波長範囲で吸収を有するた
め、レジストの膜厚が厚くなるとこれを高解像に
パターニングすることは困難となる。 上述したような欠点を除去し、膜厚の厚いレジ
スタからであつてもアスペクト比が高くかつ微細
なレジストパターンを得ることが出来るような加
工技術として二層レジストプロセスが提案されて
きている。 以下、第６図Ａ〜Ｃに示す製造工程図を参照し
てこの二層レジストプロセスにつき簡単に説明す
る。尚、これら図をウエハの一部を概略的に示す
断面図で表わしてある。 二層レジストプロセスは、基板１１上の段差１
３を吸収させ平坦化を図るための厚い膜厚に形成
された下層レジスト１５と、この下層レジスト上
に形成され珪素が含有された上層レジスト１７と
を用いてレジストパターンを得るものである。こ
の上層レジスト１７の膜厚を通常は0.2〜0.5μm程
度とし（第６図Ａ参照。）、光露光法等の好適な方
法によつてこの上層レジスト１７をパターニング
しレジストパターン１７ａを得（第６図Ｂ参
照。）、次に、このレジストパターン１７ａをエツ
チングマスクとして用いて下層レジスト１５を酸
素（O2）−リアクテイブ・イオン・エツチング
（RIE）によつて除去して行うものである。これ
によつて、上層レジストのパターンを下層レジス
トへ転写することが出来、アスペクト比が高くか
つ微細な二層のレジストパターン１９が得られる
（第６図Ｃ参照。）。 従来から、このような二層レジストプロセスに
用いられる種々のレジストが提案されているが、
以下、特に上層レジストに用いられるレジストに
ついて説明する。このような上層用のレジストと
しては例えば文献（ジヤーナル オブ ジ エレ
クトロケミカル ソサエテイ（Journal of The
Electrochemical Society）130［９］P.1962
（1983））に開示されているものがある。この文献
によれば、珪素含有フオトレジストとしてトリメ
チルシリルスチレン（SiStと称している。）と、
クロロメチルスチレン（CMSと称している。）と
の共重合体が用いられており、その共重合比が
90：10の共重合体であるＰ（SiSt90−CMS10）の
O2−RIE耐性及び遠紫外線に対する感度が共に優
れているとの報告がある。この報告によれば、Ｐ
（SiSt90−CMS10）に対してO2−RIEを施した場
合、これの膜厚減少量が数Å／minというように
極めて小さな値を示すまでにエツチングされる量
（以下、初期エツチング量と略称することもあ
る。）が220〜290Åであるという。又、遠紫外光
に対する感度（ゲル化開始露光量Di g）が60mJ／
cm2であるという。 （発明が解決しようとする問題点） しかしながら、上述したような従来のフオトレ
ジストでは初期エツチング量が220〜290Å／min
と大きいためエツチングのプロセスラチチユード
を広くとれないという問題点があつた。具体的に
説明すると、このレジストをエツチングマスクと
して用いる場合初期エツチング量が多いため、あ
る程度に厚い膜厚に形成しなければならないが、
反面、この上層レジストの膜厚を必要以上に厚く
すると微細でかつ高アスペクト比を有するレジス
トパターンを得ることが出来なくなる。従つて、
上層レジストの膜厚を厚くすることにも自ら限界
が生ずる。これがため、下層レジストの膜厚もそ
れほど厚い膜厚にすることが出来ない。 又、遠紫外光に対する感度（Di g）も60mJ／cm2
と低いため、高スループツトが得られないという
問題点があつた。 この発明の目的は、上述した問題点を解決し、
O2−RIE耐性と、優れた感度とを有するネガ型フ
オトレジストを提供することにある。 （問題点を解決するための手段） この目的の達成を図るため、この発明のネガ型
フオトレジストによれば、下記(1)式 で表わされる重量平均分子量約3000〜約50000の
ポリ（アリルシルセスキオキサン）と、ビスアジ
ドとを含むことを特徴とする。 このポリ（アリルシルセスキオキサン）とはア
リルシルセスキオキサンのポリマーのことであ
り、例えばアリルトリクロロシラン或いはアリル
トリアルコキシを加水分解して得られるオリゴマ
ーを例えばトリエチルアミン、トリノルマルブチ
ルアミン等の第三級アミンで縮重合させて得るこ
とが出来る。 又、ビスアジド類にはこれらに光を照射した場
合吸収波長が異る種々のものがあるから、ビスア
ジドを選択使用することによつてこの発明のネガ
型レジストの感光波長を変更することが出来る。
この発明の実施に当り、例えば高解像なレジスト
パターンを得ることを目的として短波長の光、例
えば遠紫外線で露光されるようなレジストを得よ
うとする場合であれば、前述のビスアジドを波長
約200〜300nmの遠紫外光によつて光分解するビ
スアジドとすれば良い。 さらに、ビスアジドを前述のポリ（アリルシル
セスキオキサン）に対して約５〜14重量％添加す
るのが好適である。 （作用） この発明のネガ型フオトレジストはビスアジド
と、比較的低分子量のポリ（アリルシルセスキオ
キサン）とを含んでいるものである。 アジド類は光によつて窒素分子を脱離してナイ
トレンを生成し二重結合へ付加したり、或いは、
ベンジル位やアリル位等にある活性水素を引き抜
いたりして、フオトレジスト中のベースポリマ間
に架橋を生じさせることが知られている。さら
に、上述したポリ（アリルシルセスキオキサン）
分子中にはナイトレンとの架橋にあずかる多数の
アリル基が存在するからこれらと、ナイトレンと
で高い密度の架橋構造を形成する。従つて、ポリ
（アリルシルセスキオキサン）分子量が比較的低
分子であり、かつ、ビスアジドの添加量が少ない
にもかかわらず高感度なネガ型レジストが得られ
る。又、光照射されない部分では架橋構造が出現
しないから、現像工程においてこの部分は除去さ
れ、従つて、レジストパターンが形成される。 さらに、光照射された部分では高い密度の架橋
構造が出現するので、この部分が現像時に膨潤す
るようなことが起こりえず、従つて、微細なレジ
ストパターン形成を促す。 又、このポリ（アリルシルセスキオキサン）は
その分子中の珪素含有量が30重量％と高く、か
つ、組成的にみた場合も珪素−原子に対し酸素3/
２原子の組成となつており、これは二酸化珪素の
組成と近いものであるから、ポリ（アリルシルセ
ルキオキサン）のO2−RIE耐性は二酸化珪素のそ
れに近いものが期待される。 （実施例） 以下、図面を参照してこの発明の実施例につき
説明する。しかしながら、以下に述べるこの発明
の説明をこの発明の範囲内の好ましい特定の数値
的条件等で説明しているが、これらは単なる例示
にすぎず、この発明はこれら条件のみに限定され
るものでないこと明らかである。 先ず、下記(1)式 で表わされる重量平均分子量約3000〜約50000の
ポリ（アリルシルセスキオキサン）に、ビスアジ
ドを添加し、これを有機溶媒例えばクロロベンゼ
ン等の溶剤に所定の濃度となるように溶解して、
この発明のネガ型フオトレジストのレジスト溶液
を作製した。 尚、このポリ（アリルシルセスキオキサン）は
例えばアリルトリクロロシラン或いはアリルトリ
アルコキシを加水分解して得られるオリゴマーを
例えばトリエチルアミン、トリノルマルブチルア
ミン等の第三級アミンで縮重合させて得ることが
出来る。又、重量平均分子量約3000〜約50000の
ポリ（アリルシルセスキオキサン）を用いた理由
は、これがこの範囲より少さな分子量であると液
体状であり、この範囲より大きな分子量であると
ゲル状であり、何れの場合もフオトレジストを構
成する物質として不適当なものとなるからであ
る。 又、ビスアジド類にはこれらに光を照射した場
合吸収波長が異る種々のものがあるから、ビスア
ジドを選択使用することによつてこの発明のネガ
型フオトレジストの感光波長を変更することが出
来る。尚、以下に述べる実施例を、遠紫外線を露
光されるようなネガ型フオトレジストとした例で
説明する。このような場合であれば、前述のビス
アジドを波長約200〜300nmの遠紫外光によつて
光分解するビスアジドとすれば良い。例えばアル
キルアジド類は約300nm以下の波長に対して吸収
を示し、このような遠紫外光によつて光分解する
ことが知られているので、現在実用されているビ
スアジドの中の多くのものをこの発明のネガ型フ
オトレジストに添加させ使用することが出来る。
具体例を挙げると、２，６−ビス（4′アジドベン
ジリデン）−４−メチルシクロヘキサノン、２，
６−ビス（4′−アジドベンジリデン）シクロヘキ
サノン等のようにアジド基が芳香環に直接結合し
ている芳香族ビスアジド類、アジド基が芳香環に
結合していない例えば１，３−ジアジド−１，３
−ジメチル−１，３−ジフエニルジシロキサン等
のビスアジド類等がある。 遠紫外光に対する感度実験 先ず、この発明のネガ型フオトレジストの遠紫
外光に対する感度についての実験結果につき説明
する。 実施例１ アリルトリクロロシランを加水分解させた後、
縮重合して得られるポリ（アリルシルセスキオキ
サン）で重量平均分子量W3000のものを5gと、
２，６−ビス（4′アジドベンジリデン）−４−メ
チルシクロヘキサノンを250mgとをクロロベンゼ
ン28gに溶解した後、この溶液を0.2μmの孔径を
有するメンブランフイルタでろ過してレジスト溶
液を調製した。このレジスト溶液を予め用意した
６枚の基板にそれぞれ回転塗布した後、60℃の温
度で30分間ソフトベークを行つて0.5μmの膜厚の
レジスト膜をそれぞれ有する６枚の試料ウエハを
得た。この時のレジスト膜厚を初期膜厚とする。 これらの試料ウエハに対しドーズ量を変え、
種々の線幅の形成が可能なテストパターンを有す
る石英マスクを介してそれぞれ露光を行う。この
露光を500WのXe−Hgランプを用いCM−250コ
ールドミラーによつて280nmより長波長の光を除
去した遠紫外光を用いて行つた。 露光終了後、これら試料ウエハをイソプロパノ
ール／シクロヘキサノの10／1.5（体積比）の混合
溶媒中で現像時間を35秒として現像し、続いて、
イソプロパノール中で５秒間リンスを行つた。 次に、これら試料ウエハに対し100℃の温度で
15分間ポストベークを行つた。 このような処理によつて複数の試料ウエハ上に
それぞれ形成されたレジストパターンの膜厚を、
このパターン中の3μmのラインパターンについて
それぞれ測定し各試料ウエハの残存膜厚を得た。 これらの残存膜厚を上述した初期膜厚によつて
規格化した値（残膜率）を縦軸にとり、該試料ウ
エハに対するドーズ量の常用対数をとつたものを
横軸にとり、ドーズ量に対する残膜率をプロツト
した特性曲線図を第１図に示す。 実施例 ２ ポリ（アリルシルセスキオキサン）で重量平均
分子量W8000のものを5gと、実施例１で用いた
と同様な２，６−ビス（4′−アジドベンジリデ
ン）−４−メチルシクロヘキサノン500mgとをク
ロロベンゼン28gに溶解した後、この溶液を
0.2μmの孔径を有するメンブランフイルタでろ過
してレジスト溶液を調製した。 現像時間を45秒とした以外は実施例１と同様に
して試料ウエハを作製し、さらに、ドーズ量に対
する残膜率の特性曲線を求めた。この結果を第２
図に示す。 実施例 ３ ポリ（アリルシルセスキオキサン）で重量平均
分子量W8000のものを5gと、２，６−ビス
（4′−アジドベンジリデン）シクロヘキサノン
250mgとをクロロベンゼン28gに溶解した後、こ
の溶液を0.2μmの孔径を有するメンブランフイル
タでろ過してレジスト溶液を調製した。 現像時間を45秒とした以外は実施例１と同様に
して試料ウエハを作製し、さらに、ドーズ量に対
する残膜率の特性曲線を求めた。この結果を第３
図に示す。 実施例 ４ ポリ（アリルシルセスキオキサン）で重量平均
分子量W8000のものを5gと、１，３−ジアジド
−１，３−ジメチル−１，３−ジフエニルジシロ
キサン500mgとをクロロベンゼン28gに溶解した
後、この溶液を0.2μmの孔径を有するメンブラン
フイルタでろ過してレジスト溶液を調製した。 現像液をイソプロパノール／シクロヘキサノン
の10／１（体積比）の混合溶媒とし、かつ、現像
時間を32秒とした以外は実施例１と同様にして試
料ウエハを作製し、さらに、ドーズ量に対する残
膜率の特性曲線を求めた。この結果を第４図に示
す。 別表１に実施例１〜実施例４の使用材料及び実
験条件と、各実施例において得た特性曲線図から
求めた感度（残膜率が50％となるドーズ量D0.5 o）
とをそれぞれ示す。 実施例１と、実施例２とを比較することによつ
て理解出来るように、この発明のレジスト中に同
じ種類のビスアジドを添加した場合ではその添加
量が多くなると感度が向上することが分かり、実
施例２において11mJ／cm2の感度が得られた。又、
ビスアジドが添加量をさらに増していつた場合感
度の向上が期待されるが、ビスアジドの有機溶媒
に対する溶解度に起因する問題が生じる。例えば
実施例２においてこのビスアジドをポリ（アリル
シルセスキオキサン）に対して15重量％添加した
レジストで基板上に皮膜を形成したところ、露光
前のベーク中にビスアジドが析出してしまいレジ
ストパターン形成に不適当な皮膜となつた。又、
実施例４においてこのビスアジドを15重量％添加
したレジストで基板上に皮膜を形成したところ、
密着露光を行う際マスクと、ウエハとがくつつく
ステイツキングが起こつた。このようにステイツ
キングが生じた原因は１，３−ジアジド−１，３
−ジメチル−１，３−ジフエニルジシロキサンが
油状物であるためと考えられる。従つて、この発
明のネガ型フオトレジストの構成成分の一つであ
るビスアジドをポリ（アリルシルセスキオキサ
ン）に対して約５〜14重量％好ましくは５〜10重
量％添加するのが好適である。尚、添加量の下限
を５重量％とした理由はこれより添加量が少ない
場合は所望とする感度を得ることが出来ないから
である。 O2−RIE耐性実験 次に、この発明のネガ型フオトレジストのO2
−RIE耐性についての実験結果につき説明する。 実施例 実施例２で調製したレジスト溶液をシリコン基
板上に回転塗布した後、60℃の温度で30分間ソフ
トベークを行い0.5μmの膜厚のレジスト膜を得
る。続いて、ドーズ量20mJ／cm2とし石英のマス
クブランクを介して実施例２と同様な光源を用い
て露光を行つた。次に、現像及びポストベークを
実施例２と同じ条件で行つて試料ウエハを得た。 次に、この試料ウエハを四分割しこの中の三つ
のウエハ部分に対して一つは10分間、一つは20分
間、一つは30分間それぞれO2−RIEを行つた。こ
のエツチング条件をrfパワー密度を0.08W／cm2と
し、ガス圧を5Paとし、ガス流量を20sccmとし
て行つた。 第５図は、それぞれのエツチング時間中にエツ
チングされた各試料ウエハ部分のレジストの膜減
り量を縦軸にとり、エツチング時間を横軸にと
り、エツチング時間に対するレジストの膜減り量
をプロツトして示す特性曲線図であり、第５図中
で示す特性曲線図が実施例２で調製したレジス
トのO2−RIE耐性を示すものである。 実施例 実施例４で調製したレジストを用い、実施例
と同様な処理を行つてこのレジストのO2−RIE耐
性を調査した。ただし、この実施例の場合ドーズ
量を80mJ／cm2とし、又、現像処理に関しては実
施例４と同様な条件で行つた。 第５図中で示す特性曲線図が実施例４で調製
したレジストのO2−RIE耐性を示すものである。 比較例 比較のため、シリコン基板上に二層レジストプ
ロセスで下層レジストとして用いられる例えば
AZ−2400（シツプレー社のレジストの商品名。）
を塗布した後、220℃の温度で１時間ハードベー
クを行い2μmの膜厚のレジスト膜を得た。 このレジスト膜を有するウエハを四分割し、実
施例で行つたO2−RIEの条件と同じ条件で各ウ
エハ部分に対しそれぞれエツチングを行つて、こ
のレジスト膜のO2−RIE耐性を調査した。第５図
中で示す特性曲線図がAZレジストのO2−RIE
耐性を示すものである。尚、このAZレジストは
上述のエツチングにおいてエツチング開始から25
分経過後に全てエツチングされてしまつた。 第５図にそれぞれ示した実施例及びと、比
較例との特性曲線図からも理解出来るように、
エツチングされる速度が実質的に零になるまでの
エツチング量（初期エツチング量）は、実施例
で用いたレジストの場合が140Åであり、実施例
で用いたレジストの場合が100Åであり、何れ
のものも従来の珪素含有フオトレジストのそれの
半分程度の値となつた。従つて、この発明のネガ
型フオトレジストを二層レジストプロセスにおけ
る上層レジストとして用いた場合、充分に薄い膜
厚に形成しても目的を達成することが出来る。 二層レジストパターンの形成実験 以下、この発明のネガ型フオトレジストを二層
レジストプロセスの上層レジストとして用い、レ
ジストパターンの形成を行つた実験結果につき説
明する。 実施例 シリコン基板上にAZ−2400を塗布した後、220
℃の温度で１時間ハードベークを行い3μmの膜厚
の下層レジスト膜を得た。続いて、この下層レジ
スト膜上に実施例１で調製したレジスト溶液を回
転塗布した後、60℃の温度で30分間ソフトベーク
を行い0.3μmの膜厚の上層レジスト膜を得た。 次に、ドーズ量40mJ／cm2とし、実施例１で既
に説明した光源を用い所定の石英マスクを介して
露光を行つた。続いて実施例１の現像条件及びポ
ストベーク条件と同様な条件で現像及びベーキン
グを行つて、上層レジストのレジストパターンを
得た。 続いて、この上層のレジストパターンをエツチ
ングマスクとして用い、下層レジストに対してrf
パワー密度を0.08W／cm2とし、ガス圧を5Paとし、
ガス流量を20sccmとして50分間O2−RIEを施し
た。 エツチング終了後の二層レジストをSEM（走査
電子顕微鏡）を用いて観察したところ厚み3μm、
ライン幅0.5μmつまりアスベクト比６の、用いた
マスクの設計値にほぼ等しい二層レジストパター
ンが得られていることが分つた。 実施例 シリコン基板上に実施例と同様にAZ−2400
を2.0μmの膜厚に形成し、このAZ−2400上に上
層レジストとして実施例２で調製したレジストを
0.35μmの膜厚に形成した。次に、実施例と同
様にして二層レジストパターンの形成を行つた。
尚、この実施例の場合上層レジストに対して行う
露光のドーズ量を20mJ／cm2とし、現像時間を実
施例２と同様な現像時間とした。又、O2−RIEの
条件をエツチング時間を35分とした以外は実施例
と同様のものとした。 エツチング終了後の二層レジストをSEMを用
いて観察したところ厚み2.1μmの0.5μmラインア
ンドスペースの二層レジストパターンが得られて
いることが分つた。 実施例 シリコン基板上に実施例と同様にAZ−2400
を2.0μmの膜厚に形成し、このAZ−2400上に上
層レジストとして実施例４で調製したレジストを
0.25μmの膜厚に形成した。次に、実施例と同
様にして二層レジストパターンの形成を行う。
尚、この実施例の場合上層レジストに対して行う
露光のドーズ量を60mJ／cm2とし、現像時間を実
施例４と同様な現像時間とした。又、O2−RIEの
条件をエツチング時間を35分とした以外は実施例
と同様のものとした。 エツチング終了後の二層レジストをSEMを用
いて観察したところ厚み2.1μmの0.5μmラインア
ンドスペースの二層レジストパターンが得られて
いることが分つた。 実施例〜実施例の実験結果からも明らかな
ように、この発明のネガ型フオトレジストはO2
−RIE耐性が非常に優れている。従つて、この発
明のレジストを上層レジストとして用いた場合従
来のレジストよりも薄い膜厚であつてもエツチン
グマスクとしての使用に耐え得ることが分かる。
又、下層レジストの膜厚を従来よりも厚くするこ
とが可能となる。 尚、この発明は上述した各実施例に限定される
ものではない。 例えば、上述した実施例を遠紫外光用のネガ型
フオトレジストとした例につき説明したが、添加
するビスアジドを実施例の波長とは異る波長で光
分解するビスアジドとすることによつて、他の波
長帯で露光可能なレジストを得ることも可能であ
る。このような場合であつても架橋密度が高いレ
ジストパターンであつて、O2−RIE耐性に優れた
ネガ型フオトレジストを得ることが可能である。 （発明の効果） 上述した説明からも明らかなように、この発明
のネガ型フオトレジストは、架橋反応に関与する
アリル基を多数有するポリ（アリルシルセスキオ
キサン）と、ビスアジドとを含んでいるものであ
り、このレジスト中のビスアジドを例えば遠紫外
光で光分解するビスアジドとしたものであれば、
遠紫外光で露光し50％の残膜率が得られる露光を
11mJ／cm2のドーズ量で行えるというように非常
に高感度なものである。従つて、レジストパター
ンを高スループツトで形成することが出来る。 又、高い架橋密度が出現するから、例えばサブ
ミクロンオーダーの高解像度のレジストパターン
を得ることが出来る。 又、この発明のネガ型レジストに対してO2−
RIEを施した場合、エツチングされる速度が実質
的に零になるまでのエツチング量（初期エツチン
グ量）は100〜140Åであつた。この値は従来の珪
素含有フオトレジストのそれの半分程度の値とな
る。従つて、エツチングのプロセスラチチユード
を広くとることが出来る。 これがため、O2RIE耐性と、優れた感度とを有
するネガ型フオトレジストを提供することが出来
る。 従つて、この発明のネガ型フオトレジストは、
例えば大規模集積回路等の製造工程において、複
雑で大きな段差を有する基板上に高いアスベクト
比でかつサブミクロオーダーのレジストパターン
を形成するための二層レジストプロセスの上層レ
ジストして用いることが可能なものである。 【表】
子、配線パターン等の作製のため用いられるネガ
型フオトレジストに関するものである。 （従来の技術） 近年、半導体装置の高集積化に伴ないこれら装
置の製造工程においてアスペクト比が高くかつ微
細なレジストパターンを形成することが出来る技
術が要求されてきている。特に、多層配線を形成
する際、基板に形成された配線は基板面との間に
段差を構成しこのような段差は、この基板上に次
の配線を形成するため新たなレジストパターンを
形成する場合に弊害となる。 ところで、このような段差を有する基板上にレ
ジストパターンを形成する場合この段差を覆うこ
とが出来得る程度に厚い膜厚で（例えば1.5〜
2.0μm）レジストを形成する必要がある。しか
し、現在主として用いられている縮小投影露光機
は、それに備わるレンズの開口数を高解像なレジ
ストパターンが得られるように大きなものにする
傾向にあり、従つて、焦点深度が大きくとれず、
これがため、このような露光機によつて膜厚の厚
いレジストを高解像にパターニングすることは困
難であつた。又、高解像なレジストパターンを得
ることを目的として短波長の光、例えば200〜
300nmの遠紫外線を用いてレジストを露光するこ
とが行われているが、通常用いられているレジス
トの多くはこのような波長範囲で吸収を有するた
め、レジストの膜厚が厚くなるとこれを高解像に
パターニングすることは困難となる。 上述したような欠点を除去し、膜厚の厚いレジ
スタからであつてもアスペクト比が高くかつ微細
なレジストパターンを得ることが出来るような加
工技術として二層レジストプロセスが提案されて
きている。 以下、第６図Ａ〜Ｃに示す製造工程図を参照し
てこの二層レジストプロセスにつき簡単に説明す
る。尚、これら図をウエハの一部を概略的に示す
断面図で表わしてある。 二層レジストプロセスは、基板１１上の段差１
３を吸収させ平坦化を図るための厚い膜厚に形成
された下層レジスト１５と、この下層レジスト上
に形成され珪素が含有された上層レジスト１７と
を用いてレジストパターンを得るものである。こ
の上層レジスト１７の膜厚を通常は0.2〜0.5μm程
度とし（第６図Ａ参照。）、光露光法等の好適な方
法によつてこの上層レジスト１７をパターニング
しレジストパターン１７ａを得（第６図Ｂ参
照。）、次に、このレジストパターン１７ａをエツ
チングマスクとして用いて下層レジスト１５を酸
素（O2）−リアクテイブ・イオン・エツチング
（RIE）によつて除去して行うものである。これ
によつて、上層レジストのパターンを下層レジス
トへ転写することが出来、アスペクト比が高くか
つ微細な二層のレジストパターン１９が得られる
（第６図Ｃ参照。）。 従来から、このような二層レジストプロセスに
用いられる種々のレジストが提案されているが、
以下、特に上層レジストに用いられるレジストに
ついて説明する。このような上層用のレジストと
しては例えば文献（ジヤーナル オブ ジ エレ
クトロケミカル ソサエテイ（Journal of The
Electrochemical Society）130［９］P.1962
（1983））に開示されているものがある。この文献
によれば、珪素含有フオトレジストとしてトリメ
チルシリルスチレン（SiStと称している。）と、
クロロメチルスチレン（CMSと称している。）と
の共重合体が用いられており、その共重合比が
90：10の共重合体であるＰ（SiSt90−CMS10）の
O2−RIE耐性及び遠紫外線に対する感度が共に優
れているとの報告がある。この報告によれば、Ｐ
（SiSt90−CMS10）に対してO2−RIEを施した場
合、これの膜厚減少量が数Å／minというように
極めて小さな値を示すまでにエツチングされる量
（以下、初期エツチング量と略称することもあ
る。）が220〜290Åであるという。又、遠紫外光
に対する感度（ゲル化開始露光量Di g）が60mJ／
cm2であるという。 （発明が解決しようとする問題点） しかしながら、上述したような従来のフオトレ
ジストでは初期エツチング量が220〜290Å／min
と大きいためエツチングのプロセスラチチユード
を広くとれないという問題点があつた。具体的に
説明すると、このレジストをエツチングマスクと
して用いる場合初期エツチング量が多いため、あ
る程度に厚い膜厚に形成しなければならないが、
反面、この上層レジストの膜厚を必要以上に厚く
すると微細でかつ高アスペクト比を有するレジス
トパターンを得ることが出来なくなる。従つて、
上層レジストの膜厚を厚くすることにも自ら限界
が生ずる。これがため、下層レジストの膜厚もそ
れほど厚い膜厚にすることが出来ない。 又、遠紫外光に対する感度（Di g）も60mJ／cm2
と低いため、高スループツトが得られないという
問題点があつた。 この発明の目的は、上述した問題点を解決し、
O2−RIE耐性と、優れた感度とを有するネガ型フ
オトレジストを提供することにある。 （問題点を解決するための手段） この目的の達成を図るため、この発明のネガ型
フオトレジストによれば、下記(1)式 で表わされる重量平均分子量約3000〜約50000の
ポリ（アリルシルセスキオキサン）と、ビスアジ
ドとを含むことを特徴とする。 このポリ（アリルシルセスキオキサン）とはア
リルシルセスキオキサンのポリマーのことであ
り、例えばアリルトリクロロシラン或いはアリル
トリアルコキシを加水分解して得られるオリゴマ
ーを例えばトリエチルアミン、トリノルマルブチ
ルアミン等の第三級アミンで縮重合させて得るこ
とが出来る。 又、ビスアジド類にはこれらに光を照射した場
合吸収波長が異る種々のものがあるから、ビスア
ジドを選択使用することによつてこの発明のネガ
型レジストの感光波長を変更することが出来る。
この発明の実施に当り、例えば高解像なレジスト
パターンを得ることを目的として短波長の光、例
えば遠紫外線で露光されるようなレジストを得よ
うとする場合であれば、前述のビスアジドを波長
約200〜300nmの遠紫外光によつて光分解するビ
スアジドとすれば良い。 さらに、ビスアジドを前述のポリ（アリルシル
セスキオキサン）に対して約５〜14重量％添加す
るのが好適である。 （作用） この発明のネガ型フオトレジストはビスアジド
と、比較的低分子量のポリ（アリルシルセスキオ
キサン）とを含んでいるものである。 アジド類は光によつて窒素分子を脱離してナイ
トレンを生成し二重結合へ付加したり、或いは、
ベンジル位やアリル位等にある活性水素を引き抜
いたりして、フオトレジスト中のベースポリマ間
に架橋を生じさせることが知られている。さら
に、上述したポリ（アリルシルセスキオキサン）
分子中にはナイトレンとの架橋にあずかる多数の
アリル基が存在するからこれらと、ナイトレンと
で高い密度の架橋構造を形成する。従つて、ポリ
（アリルシルセスキオキサン）分子量が比較的低
分子であり、かつ、ビスアジドの添加量が少ない
にもかかわらず高感度なネガ型レジストが得られ
る。又、光照射されない部分では架橋構造が出現
しないから、現像工程においてこの部分は除去さ
れ、従つて、レジストパターンが形成される。 さらに、光照射された部分では高い密度の架橋
構造が出現するので、この部分が現像時に膨潤す
るようなことが起こりえず、従つて、微細なレジ
ストパターン形成を促す。 又、このポリ（アリルシルセスキオキサン）は
その分子中の珪素含有量が30重量％と高く、か
つ、組成的にみた場合も珪素−原子に対し酸素3/
２原子の組成となつており、これは二酸化珪素の
組成と近いものであるから、ポリ（アリルシルセ
ルキオキサン）のO2−RIE耐性は二酸化珪素のそ
れに近いものが期待される。 （実施例） 以下、図面を参照してこの発明の実施例につき
説明する。しかしながら、以下に述べるこの発明
の説明をこの発明の範囲内の好ましい特定の数値
的条件等で説明しているが、これらは単なる例示
にすぎず、この発明はこれら条件のみに限定され
るものでないこと明らかである。 先ず、下記(1)式 で表わされる重量平均分子量約3000〜約50000の
ポリ（アリルシルセスキオキサン）に、ビスアジ
ドを添加し、これを有機溶媒例えばクロロベンゼ
ン等の溶剤に所定の濃度となるように溶解して、
この発明のネガ型フオトレジストのレジスト溶液
を作製した。 尚、このポリ（アリルシルセスキオキサン）は
例えばアリルトリクロロシラン或いはアリルトリ
アルコキシを加水分解して得られるオリゴマーを
例えばトリエチルアミン、トリノルマルブチルア
ミン等の第三級アミンで縮重合させて得ることが
出来る。又、重量平均分子量約3000〜約50000の
ポリ（アリルシルセスキオキサン）を用いた理由
は、これがこの範囲より少さな分子量であると液
体状であり、この範囲より大きな分子量であると
ゲル状であり、何れの場合もフオトレジストを構
成する物質として不適当なものとなるからであ
る。 又、ビスアジド類にはこれらに光を照射した場
合吸収波長が異る種々のものがあるから、ビスア
ジドを選択使用することによつてこの発明のネガ
型フオトレジストの感光波長を変更することが出
来る。尚、以下に述べる実施例を、遠紫外線を露
光されるようなネガ型フオトレジストとした例で
説明する。このような場合であれば、前述のビス
アジドを波長約200〜300nmの遠紫外光によつて
光分解するビスアジドとすれば良い。例えばアル
キルアジド類は約300nm以下の波長に対して吸収
を示し、このような遠紫外光によつて光分解する
ことが知られているので、現在実用されているビ
スアジドの中の多くのものをこの発明のネガ型フ
オトレジストに添加させ使用することが出来る。
具体例を挙げると、２，６−ビス（4′アジドベン
ジリデン）−４−メチルシクロヘキサノン、２，
６−ビス（4′−アジドベンジリデン）シクロヘキ
サノン等のようにアジド基が芳香環に直接結合し
ている芳香族ビスアジド類、アジド基が芳香環に
結合していない例えば１，３−ジアジド−１，３
−ジメチル−１，３−ジフエニルジシロキサン等
のビスアジド類等がある。 遠紫外光に対する感度実験 先ず、この発明のネガ型フオトレジストの遠紫
外光に対する感度についての実験結果につき説明
する。 実施例１ アリルトリクロロシランを加水分解させた後、
縮重合して得られるポリ（アリルシルセスキオキ
サン）で重量平均分子量W3000のものを5gと、
２，６−ビス（4′アジドベンジリデン）−４−メ
チルシクロヘキサノンを250mgとをクロロベンゼ
ン28gに溶解した後、この溶液を0.2μmの孔径を
有するメンブランフイルタでろ過してレジスト溶
液を調製した。このレジスト溶液を予め用意した
６枚の基板にそれぞれ回転塗布した後、60℃の温
度で30分間ソフトベークを行つて0.5μmの膜厚の
レジスト膜をそれぞれ有する６枚の試料ウエハを
得た。この時のレジスト膜厚を初期膜厚とする。 これらの試料ウエハに対しドーズ量を変え、
種々の線幅の形成が可能なテストパターンを有す
る石英マスクを介してそれぞれ露光を行う。この
露光を500WのXe−Hgランプを用いCM−250コ
ールドミラーによつて280nmより長波長の光を除
去した遠紫外光を用いて行つた。 露光終了後、これら試料ウエハをイソプロパノ
ール／シクロヘキサノの10／1.5（体積比）の混合
溶媒中で現像時間を35秒として現像し、続いて、
イソプロパノール中で５秒間リンスを行つた。 次に、これら試料ウエハに対し100℃の温度で
15分間ポストベークを行つた。 このような処理によつて複数の試料ウエハ上に
それぞれ形成されたレジストパターンの膜厚を、
このパターン中の3μmのラインパターンについて
それぞれ測定し各試料ウエハの残存膜厚を得た。 これらの残存膜厚を上述した初期膜厚によつて
規格化した値（残膜率）を縦軸にとり、該試料ウ
エハに対するドーズ量の常用対数をとつたものを
横軸にとり、ドーズ量に対する残膜率をプロツト
した特性曲線図を第１図に示す。 実施例 ２ ポリ（アリルシルセスキオキサン）で重量平均
分子量W8000のものを5gと、実施例１で用いた
と同様な２，６−ビス（4′−アジドベンジリデ
ン）−４−メチルシクロヘキサノン500mgとをク
ロロベンゼン28gに溶解した後、この溶液を
0.2μmの孔径を有するメンブランフイルタでろ過
してレジスト溶液を調製した。 現像時間を45秒とした以外は実施例１と同様に
して試料ウエハを作製し、さらに、ドーズ量に対
する残膜率の特性曲線を求めた。この結果を第２
図に示す。 実施例 ３ ポリ（アリルシルセスキオキサン）で重量平均
分子量W8000のものを5gと、２，６−ビス
（4′−アジドベンジリデン）シクロヘキサノン
250mgとをクロロベンゼン28gに溶解した後、こ
の溶液を0.2μmの孔径を有するメンブランフイル
タでろ過してレジスト溶液を調製した。 現像時間を45秒とした以外は実施例１と同様に
して試料ウエハを作製し、さらに、ドーズ量に対
する残膜率の特性曲線を求めた。この結果を第３
図に示す。 実施例 ４ ポリ（アリルシルセスキオキサン）で重量平均
分子量W8000のものを5gと、１，３−ジアジド
−１，３−ジメチル−１，３−ジフエニルジシロ
キサン500mgとをクロロベンゼン28gに溶解した
後、この溶液を0.2μmの孔径を有するメンブラン
フイルタでろ過してレジスト溶液を調製した。 現像液をイソプロパノール／シクロヘキサノン
の10／１（体積比）の混合溶媒とし、かつ、現像
時間を32秒とした以外は実施例１と同様にして試
料ウエハを作製し、さらに、ドーズ量に対する残
膜率の特性曲線を求めた。この結果を第４図に示
す。 別表１に実施例１〜実施例４の使用材料及び実
験条件と、各実施例において得た特性曲線図から
求めた感度（残膜率が50％となるドーズ量D0.5 o）
とをそれぞれ示す。 実施例１と、実施例２とを比較することによつ
て理解出来るように、この発明のレジスト中に同
じ種類のビスアジドを添加した場合ではその添加
量が多くなると感度が向上することが分かり、実
施例２において11mJ／cm2の感度が得られた。又、
ビスアジドが添加量をさらに増していつた場合感
度の向上が期待されるが、ビスアジドの有機溶媒
に対する溶解度に起因する問題が生じる。例えば
実施例２においてこのビスアジドをポリ（アリル
シルセスキオキサン）に対して15重量％添加した
レジストで基板上に皮膜を形成したところ、露光
前のベーク中にビスアジドが析出してしまいレジ
ストパターン形成に不適当な皮膜となつた。又、
実施例４においてこのビスアジドを15重量％添加
したレジストで基板上に皮膜を形成したところ、
密着露光を行う際マスクと、ウエハとがくつつく
ステイツキングが起こつた。このようにステイツ
キングが生じた原因は１，３−ジアジド−１，３
−ジメチル−１，３−ジフエニルジシロキサンが
油状物であるためと考えられる。従つて、この発
明のネガ型フオトレジストの構成成分の一つであ
るビスアジドをポリ（アリルシルセスキオキサ
ン）に対して約５〜14重量％好ましくは５〜10重
量％添加するのが好適である。尚、添加量の下限
を５重量％とした理由はこれより添加量が少ない
場合は所望とする感度を得ることが出来ないから
である。 O2−RIE耐性実験 次に、この発明のネガ型フオトレジストのO2
−RIE耐性についての実験結果につき説明する。 実施例 実施例２で調製したレジスト溶液をシリコン基
板上に回転塗布した後、60℃の温度で30分間ソフ
トベークを行い0.5μmの膜厚のレジスト膜を得
る。続いて、ドーズ量20mJ／cm2とし石英のマス
クブランクを介して実施例２と同様な光源を用い
て露光を行つた。次に、現像及びポストベークを
実施例２と同じ条件で行つて試料ウエハを得た。 次に、この試料ウエハを四分割しこの中の三つ
のウエハ部分に対して一つは10分間、一つは20分
間、一つは30分間それぞれO2−RIEを行つた。こ
のエツチング条件をrfパワー密度を0.08W／cm2と
し、ガス圧を5Paとし、ガス流量を20sccmとし
て行つた。 第５図は、それぞれのエツチング時間中にエツ
チングされた各試料ウエハ部分のレジストの膜減
り量を縦軸にとり、エツチング時間を横軸にと
り、エツチング時間に対するレジストの膜減り量
をプロツトして示す特性曲線図であり、第５図中
で示す特性曲線図が実施例２で調製したレジス
トのO2−RIE耐性を示すものである。 実施例 実施例４で調製したレジストを用い、実施例
と同様な処理を行つてこのレジストのO2−RIE耐
性を調査した。ただし、この実施例の場合ドーズ
量を80mJ／cm2とし、又、現像処理に関しては実
施例４と同様な条件で行つた。 第５図中で示す特性曲線図が実施例４で調製
したレジストのO2−RIE耐性を示すものである。 比較例 比較のため、シリコン基板上に二層レジストプ
ロセスで下層レジストとして用いられる例えば
AZ−2400（シツプレー社のレジストの商品名。）
を塗布した後、220℃の温度で１時間ハードベー
クを行い2μmの膜厚のレジスト膜を得た。 このレジスト膜を有するウエハを四分割し、実
施例で行つたO2−RIEの条件と同じ条件で各ウ
エハ部分に対しそれぞれエツチングを行つて、こ
のレジスト膜のO2−RIE耐性を調査した。第５図
中で示す特性曲線図がAZレジストのO2−RIE
耐性を示すものである。尚、このAZレジストは
上述のエツチングにおいてエツチング開始から25
分経過後に全てエツチングされてしまつた。 第５図にそれぞれ示した実施例及びと、比
較例との特性曲線図からも理解出来るように、
エツチングされる速度が実質的に零になるまでの
エツチング量（初期エツチング量）は、実施例
で用いたレジストの場合が140Åであり、実施例
で用いたレジストの場合が100Åであり、何れ
のものも従来の珪素含有フオトレジストのそれの
半分程度の値となつた。従つて、この発明のネガ
型フオトレジストを二層レジストプロセスにおけ
る上層レジストとして用いた場合、充分に薄い膜
厚に形成しても目的を達成することが出来る。 二層レジストパターンの形成実験 以下、この発明のネガ型フオトレジストを二層
レジストプロセスの上層レジストとして用い、レ
ジストパターンの形成を行つた実験結果につき説
明する。 実施例 シリコン基板上にAZ−2400を塗布した後、220
℃の温度で１時間ハードベークを行い3μmの膜厚
の下層レジスト膜を得た。続いて、この下層レジ
スト膜上に実施例１で調製したレジスト溶液を回
転塗布した後、60℃の温度で30分間ソフトベーク
を行い0.3μmの膜厚の上層レジスト膜を得た。 次に、ドーズ量40mJ／cm2とし、実施例１で既
に説明した光源を用い所定の石英マスクを介して
露光を行つた。続いて実施例１の現像条件及びポ
ストベーク条件と同様な条件で現像及びベーキン
グを行つて、上層レジストのレジストパターンを
得た。 続いて、この上層のレジストパターンをエツチ
ングマスクとして用い、下層レジストに対してrf
パワー密度を0.08W／cm2とし、ガス圧を5Paとし、
ガス流量を20sccmとして50分間O2−RIEを施し
た。 エツチング終了後の二層レジストをSEM（走査
電子顕微鏡）を用いて観察したところ厚み3μm、
ライン幅0.5μmつまりアスベクト比６の、用いた
マスクの設計値にほぼ等しい二層レジストパター
ンが得られていることが分つた。 実施例 シリコン基板上に実施例と同様にAZ−2400
を2.0μmの膜厚に形成し、このAZ−2400上に上
層レジストとして実施例２で調製したレジストを
0.35μmの膜厚に形成した。次に、実施例と同
様にして二層レジストパターンの形成を行つた。
尚、この実施例の場合上層レジストに対して行う
露光のドーズ量を20mJ／cm2とし、現像時間を実
施例２と同様な現像時間とした。又、O2−RIEの
条件をエツチング時間を35分とした以外は実施例
と同様のものとした。 エツチング終了後の二層レジストをSEMを用
いて観察したところ厚み2.1μmの0.5μmラインア
ンドスペースの二層レジストパターンが得られて
いることが分つた。 実施例 シリコン基板上に実施例と同様にAZ−2400
を2.0μmの膜厚に形成し、このAZ−2400上に上
層レジストとして実施例４で調製したレジストを
0.25μmの膜厚に形成した。次に、実施例と同
様にして二層レジストパターンの形成を行う。
尚、この実施例の場合上層レジストに対して行う
露光のドーズ量を60mJ／cm2とし、現像時間を実
施例４と同様な現像時間とした。又、O2−RIEの
条件をエツチング時間を35分とした以外は実施例
と同様のものとした。 エツチング終了後の二層レジストをSEMを用
いて観察したところ厚み2.1μmの0.5μmラインア
ンドスペースの二層レジストパターンが得られて
いることが分つた。 実施例〜実施例の実験結果からも明らかな
ように、この発明のネガ型フオトレジストはO2
−RIE耐性が非常に優れている。従つて、この発
明のレジストを上層レジストとして用いた場合従
来のレジストよりも薄い膜厚であつてもエツチン
グマスクとしての使用に耐え得ることが分かる。
又、下層レジストの膜厚を従来よりも厚くするこ
とが可能となる。 尚、この発明は上述した各実施例に限定される
ものではない。 例えば、上述した実施例を遠紫外光用のネガ型
フオトレジストとした例につき説明したが、添加
するビスアジドを実施例の波長とは異る波長で光
分解するビスアジドとすることによつて、他の波
長帯で露光可能なレジストを得ることも可能であ
る。このような場合であつても架橋密度が高いレ
ジストパターンであつて、O2−RIE耐性に優れた
ネガ型フオトレジストを得ることが可能である。 （発明の効果） 上述した説明からも明らかなように、この発明
のネガ型フオトレジストは、架橋反応に関与する
アリル基を多数有するポリ（アリルシルセスキオ
キサン）と、ビスアジドとを含んでいるものであ
り、このレジスト中のビスアジドを例えば遠紫外
光で光分解するビスアジドとしたものであれば、
遠紫外光で露光し50％の残膜率が得られる露光を
11mJ／cm2のドーズ量で行えるというように非常
に高感度なものである。従つて、レジストパター
ンを高スループツトで形成することが出来る。 又、高い架橋密度が出現するから、例えばサブ
ミクロンオーダーの高解像度のレジストパターン
を得ることが出来る。 又、この発明のネガ型レジストに対してO2−
RIEを施した場合、エツチングされる速度が実質
的に零になるまでのエツチング量（初期エツチン
グ量）は100〜140Åであつた。この値は従来の珪
素含有フオトレジストのそれの半分程度の値とな
る。従つて、エツチングのプロセスラチチユード
を広くとることが出来る。 これがため、O2RIE耐性と、優れた感度とを有
するネガ型フオトレジストを提供することが出来
る。 従つて、この発明のネガ型フオトレジストは、
例えば大規模集積回路等の製造工程において、複
雑で大きな段差を有する基板上に高いアスベクト
比でかつサブミクロオーダーのレジストパターン
を形成するための二層レジストプロセスの上層レ
ジストして用いることが可能なものである。 【表】
第１図〜第４図はこの発明の第１〜第４実施例
で説明したネガ型フオトレジストの遠紫外光に対
する感度をそれぞれ示す特性曲線図、第５図はこ
の発明の第２及び第４実施例で説明したそれぞれ
のネガ型フオトレジストと、比較例のレジストと
のO2−RIE耐性をそれぞれ示す特性曲線図、第６
図Ａ〜Ｃは従来及びこの発明の説明に供する、二
層レジストプロセスを説明するための製造工程図
である。 １１……基板、１３……段差、１５……下層レ
ジスト、１７……上層レジスト、１７ａ……上層
レジストのパターン、１９……二層レジストのパ
ターン。
で説明したネガ型フオトレジストの遠紫外光に対
する感度をそれぞれ示す特性曲線図、第５図はこ
の発明の第２及び第４実施例で説明したそれぞれ
のネガ型フオトレジストと、比較例のレジストと
のO2−RIE耐性をそれぞれ示す特性曲線図、第６
図Ａ〜Ｃは従来及びこの発明の説明に供する、二
層レジストプロセスを説明するための製造工程図
である。 １１……基板、１３……段差、１５……下層レ
ジスト、１７……上層レジスト、１７ａ……上層
レジストのパターン、１９……二層レジストのパ
ターン。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 下記(1)式 で表わされる重量平均分子量3000〜50000のポリ
（アリルシルセスキオキサン）と、ビスアジドと
を含むことを特徴とするネガ型フオトレジスト。 ２ 前記ビスアジドを波長200〜300nmの遠紫外
光によつて光分解するビスアジドとしたことを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載のネガ型フオ
トレジスト。 ３ 前記ビスアジドを前記ポリ（アリルシルセス
キオキサン）に対して５〜14重量％添加したこと
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載のネガ型
フオトレジスト。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12763986A JPS62284352A (ja) | 1986-06-02 | 1986-06-02 | ネガ型フォトレジスト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12763986A JPS62284352A (ja) | 1986-06-02 | 1986-06-02 | ネガ型フォトレジスト |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62284352A JPS62284352A (ja) | 1987-12-10 |
| JPH0472223B2 true JPH0472223B2 (ja) | 1992-11-17 |
Family
ID=14965069
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12763986A Granted JPS62284352A (ja) | 1986-06-02 | 1986-06-02 | ネガ型フォトレジスト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62284352A (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63210839A (ja) * | 1987-02-27 | 1988-09-01 | Oki Electric Ind Co Ltd | レジスト材用シリコ−ン樹脂の製造方法 |
| JP2697680B2 (ja) * | 1995-05-31 | 1998-01-14 | 日本電気株式会社 | 珪素含有高分子化合物および感光性樹脂組成物 |
| JPH10319597A (ja) * | 1997-05-23 | 1998-12-04 | Mitsubishi Electric Corp | 感光性シリコーンラダー系樹脂組成物、この樹脂組成物にパターンを転写するパターン転写方法および上記樹脂組成物を用いた半導体装置 |
| US6368400B1 (en) | 2000-07-17 | 2002-04-09 | Honeywell International | Absorbing compounds for spin-on-glass anti-reflective coatings for photolithography |
| US8053159B2 (en) | 2003-11-18 | 2011-11-08 | Honeywell International Inc. | Antireflective coatings for via fill and photolithography applications and methods of preparation thereof |
| JP5161661B2 (ja) * | 2008-06-10 | 2013-03-13 | 互応化学工業株式会社 | 水系感光性樹脂組成物、水系感光性樹脂組成物の製造方法、及びプリント配線板の製造方法 |
| WO2024247627A1 (ja) * | 2023-05-26 | 2024-12-05 | 富士フイルム株式会社 | 組成物、転写フィルム、半導体パッケージ、半導体パッケージの製造方法 |
-
1986
- 1986-06-02 JP JP12763986A patent/JPS62284352A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62284352A (ja) | 1987-12-10 |
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