JPH01303444A - 感光体および画像形成方法 - Google Patents
感光体および画像形成方法Info
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- JPH01303444A JPH01303444A JP13505688A JP13505688A JPH01303444A JP H01303444 A JPH01303444 A JP H01303444A JP 13505688 A JP13505688 A JP 13505688A JP 13505688 A JP13505688 A JP 13505688A JP H01303444 A JPH01303444 A JP H01303444A
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- JP
- Japan
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- carrier
- layer
- image
- group
- photoreceptor
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- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/14—Inert intermediate or cover layers for charge-receiving layers
- G03G5/142—Inert intermediate layers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野]
本発明は感光体および該感光体を使用する画像形成方法
に関じ、特に電子写真感光体および該感光体を使用する
電子写真複写方法に関するものである。
に関じ、特に電子写真感光体および該感光体を使用する
電子写真複写方法に関するものである。
し従来技術]
カールソン方法の電子写真複写方法においては、感光体
表面に帯電させた後、露光によって静電潜像を形成する
と共に、その静電潜(象をトナーによって現像し、次い
でその可視像を紙等に転写、定着させる。同時に、感光
体は付着トナーの除去や除電、表面の清浄化が施され、
長期に亘って反復使用される。
表面に帯電させた後、露光によって静電潜像を形成する
と共に、その静電潜(象をトナーによって現像し、次い
でその可視像を紙等に転写、定着させる。同時に、感光
体は付着トナーの除去や除電、表面の清浄化が施され、
長期に亘って反復使用される。
従って、電子写真感光体としては、帯電特性および感度
が良好で暗減衰が小さい等の電子写真特性は勿論である
が、加えて繰返し使用での耐刷性、耐摩耗性、耐湿性等
の物理的性質へ5、コロナ放電時に発生するオゾン、露
光時の紫外線等への耐性(耐環境性)においても良好で
あることが東京される。
が良好で暗減衰が小さい等の電子写真特性は勿論である
が、加えて繰返し使用での耐刷性、耐摩耗性、耐湿性等
の物理的性質へ5、コロナ放電時に発生するオゾン、露
光時の紫外線等への耐性(耐環境性)においても良好で
あることが東京される。
従来、電子写真感光体としては、セレン、酸化亜鉛、硫
化カドミウム等の無機光η電性物質を主成分とする感光
層を有する無機感光体が広く用いられている。
化カドミウム等の無機光η電性物質を主成分とする感光
層を有する無機感光体が広く用いられている。
一方、種々の布層先導電性1カ質を電子写真感光体の感
光層の材料として利用り−ることが近年活発に開発、研
究されている。
光層の材料として利用り−ることが近年活発に開発、研
究されている。
例えば特公昭50−10496号公90には、ポリ−、
N−ビニル力ルバゾールと2.4.7−1〜リニトロ−
9−フルオレノンを含Hした感光層を有する右しく感光
体について記載されている。しかし、この感光体は、感
度及び耐久性において必ずしも満足できるものではない
。このような欠点を改、4Jるために、感光層において
、キャリア発生機能とキレリア輸送機能とを胃なる物質
に個別に分担さけることにより、感度が高くて耐久性の
大きい有機感光体を開発する試みがなされている。この
ようないわば機能分離型の電子写真感光体においては、
各は能を発揮する物質を広い範囲のものから選択するこ
とができるので、任意の特性を有する電子写真感光体を
比較的容易に作製することが可能である。そのため、感
度が高く、耐久性の大きい有機感光体が得られることが
期待されている。
N−ビニル力ルバゾールと2.4.7−1〜リニトロ−
9−フルオレノンを含Hした感光層を有する右しく感光
体について記載されている。しかし、この感光体は、感
度及び耐久性において必ずしも満足できるものではない
。このような欠点を改、4Jるために、感光層において
、キャリア発生機能とキレリア輸送機能とを胃なる物質
に個別に分担さけることにより、感度が高くて耐久性の
大きい有機感光体を開発する試みがなされている。この
ようないわば機能分離型の電子写真感光体においては、
各は能を発揮する物質を広い範囲のものから選択するこ
とができるので、任意の特性を有する電子写真感光体を
比較的容易に作製することが可能である。そのため、感
度が高く、耐久性の大きい有機感光体が得られることが
期待されている。
第6図は、こうした有機光導電性物質を用いる機能分離
型の電子写真感光体を示すものである。
型の電子写真感光体を示すものである。
この電子写真感光体は、導電性基体1の上にキャリア発
生層2、キャリア輸送層3を順次積層した構成とされて
おり、負帯電用として使用されているものである。即ち
、感光層4はキャリア発生N2ど主1アリア輸送層3か
ら構成されている。
生層2、キャリア輸送層3を順次積層した構成とされて
おり、負帯電用として使用されているものである。即ち
、感光層4はキャリア発生N2ど主1アリア輸送層3か
ら構成されている。
上述のような層構成を右する電子写真感光体においては
、負帯電使用の場合に電子よりもホールの移初度が大き
いことから、良好な特性を有するホール輸送性の光導電
材料を使用でき、光感度等の点で有利である。
、負帯電使用の場合に電子よりもホールの移初度が大き
いことから、良好な特性を有するホール輸送性の光導電
材料を使用でき、光感度等の点で有利である。
これに対し、電子輸送性の材料には擾れた特性を持つも
のが殆どなく、あるいは発がん性をhするので使用に適
さない。かかる理由より、上述のような感光体は負帯電
用に使用されている。この場合、高感度を達成する上で
、ホール輸送能の大きな材料を使用することが有利であ
る。
のが殆どなく、あるいは発がん性をhするので使用に適
さない。かかる理由より、上述のような感光体は負帯電
用に使用されている。この場合、高感度を達成する上で
、ホール輸送能の大きな材料を使用することが有利であ
る。
[発明が解決しようとする問題点」
しかしながら、上述のような感光体においては、第6図
に示ずように―帯電時に導電性基体又は下層側からのキ
ャリア注入が生じ易く、このために表面電荷が微視的に
みて消失し、あるいは減少してしまう。こうした局所的
なキャリア注入の生じる原因は定かではないが、導電性
基体表面の欠陥や不均一あるいは電荷発生層の不均一等
が原因として考えられる。
に示ずように―帯電時に導電性基体又は下層側からのキ
ャリア注入が生じ易く、このために表面電荷が微視的に
みて消失し、あるいは減少してしまう。こうした局所的
なキャリア注入の生じる原因は定かではないが、導電性
基体表面の欠陥や不均一あるいは電荷発生層の不均一等
が原因として考えられる。
そして、こうした局所的なキャリア注入によって以下の
問題点が生じている。
問題点が生じている。
即ら、最近、例えばデジタル処理を伴うプリンタ等にお
いて反転現像が多く採用されているが、反転現像法にお
いては、露光部(表面電荷の消失した部分、VL )に
トナー像が形成され、未露光部(表面電荷が保持されて
いる部分、VH)にはトナー像が形成されない。
いて反転現像が多く採用されているが、反転現像法にお
いては、露光部(表面電荷の消失した部分、VL )に
トナー像が形成され、未露光部(表面電荷が保持されて
いる部分、VH)にはトナー像が形成されない。
しかしながら、反転現保法において、上記した如くにし
て未露光部で基体あるいは下層からのキャリア注入等に
より表面電荷が微視的に消失又は減少した場合には、そ
の部分にトナーが現像され、いわゆるカブリ画像となる
。このようなカブリは通常のカブリとは巽なり、上述の
ように反転現像において感光体上の表面電荷が微視的に
消失、減少することにより発生する現象であり、「黒ポ
チ」と呼ばれている。こうした黒ポチは、白地にトナー
が局所的に付着した状態であるから、黒地部分だ白く抜
ける場合と比べて非常に自立も、画像の品質を著しく低
下させるものであって、不適当な画像欠陥である。
て未露光部で基体あるいは下層からのキャリア注入等に
より表面電荷が微視的に消失又は減少した場合には、そ
の部分にトナーが現像され、いわゆるカブリ画像となる
。このようなカブリは通常のカブリとは巽なり、上述の
ように反転現像において感光体上の表面電荷が微視的に
消失、減少することにより発生する現象であり、「黒ポ
チ」と呼ばれている。こうした黒ポチは、白地にトナー
が局所的に付着した状態であるから、黒地部分だ白く抜
ける場合と比べて非常に自立も、画像の品質を著しく低
下させるものであって、不適当な画像欠陥である。
こうした問題を解決する方法として、キャリア輸送層3
において、キャリア輸送物質(以下、CTMと呼ぶこと
がある。)の含有量を減らし、あるいはCTMやバイン
ダー樹脂の種類を変更することか考えられる。これらは
いずれも、キャリア輸送層3のホール輸送能を低下せし
めて感光体表面へのキャリア)主人を抑制しようどする
ものであるが、この感光体でiよ、光感度の低下、残沼
心位の上昇、IVLIの上昇、操り返し使用時のIVL
I安定性の低下をlidき、しかも温度特性の低下を生
じ、低温においては特にIVLIの上背等、感光体特性
が人さく悪化する1゜ 一方、第6図において、キャリア発生層2と導電性基体
1との間に電荷ブロッキング層を設け、導電性基体1か
らのキャリア注入を阻止することも考えられる。しかし
、この場合には、光照射時にも発生した光キレリアの輸
送がブロッキング層によって抑制、阻止され、繰り返し
使用時に残留電位が上昇し、画像i1!准不足をIB
<。また、温度特性も大ぎく劣化し、例えば低温低湿下
においては初期から画像濃度が不足するため、著しく不
都合である。
において、キャリア輸送物質(以下、CTMと呼ぶこと
がある。)の含有量を減らし、あるいはCTMやバイン
ダー樹脂の種類を変更することか考えられる。これらは
いずれも、キャリア輸送層3のホール輸送能を低下せし
めて感光体表面へのキャリア)主人を抑制しようどする
ものであるが、この感光体でiよ、光感度の低下、残沼
心位の上昇、IVLIの上昇、操り返し使用時のIVL
I安定性の低下をlidき、しかも温度特性の低下を生
じ、低温においては特にIVLIの上背等、感光体特性
が人さく悪化する1゜ 一方、第6図において、キャリア発生層2と導電性基体
1との間に電荷ブロッキング層を設け、導電性基体1か
らのキャリア注入を阻止することも考えられる。しかし
、この場合には、光照射時にも発生した光キレリアの輸
送がブロッキング層によって抑制、阻止され、繰り返し
使用時に残留電位が上昇し、画像i1!准不足をIB
<。また、温度特性も大ぎく劣化し、例えば低温低湿下
においては初期から画像濃度が不足するため、著しく不
都合である。
更に、キャリア発生層2をかかる電荷ブロッキング層上
に塗布する際に、キャリア発生物質の杆類によってはキ
ャリア発生物質の凝集を生じて塗布不良となり、黒ポチ
の増加、画像濃度の低下、更に1ま画像ムラをもIGき
、著しい不都合を生じた。
に塗布する際に、キャリア発生物質の杆類によってはキ
ャリア発生物質の凝集を生じて塗布不良となり、黒ポチ
の増加、画像濃度の低下、更に1ま画像ムラをもIGき
、著しい不都合を生じた。
一方、プロセス面からの対策としては、帯電電位Vnと
バイアス電圧VD4どの差を大きくすることが考えられ
るが、これでは露光部の電位VLとバイアス電圧■、c
どの差が小さくなるため、画仰濶度が低下する。
バイアス電圧VD4どの差を大きくすることが考えられ
るが、これでは露光部の電位VLとバイアス電圧■、c
どの差が小さくなるため、画仰濶度が低下する。
以上のように、従来黒ボデ等の画作欠陥を解消し、かつ
良好な感光体特性を有する感光体は知られておらず、か
かる互いに相反する課題の技1(i的解決が望まれてい
たのである。
良好な感光体特性を有する感光体は知られておらず、か
かる互いに相反する課題の技1(i的解決が望まれてい
たのである。
J、た、近年電子写真複写方法において、安価、小型で
i接変調できる等の特徴を有する半導体レーザー光源が
用いられている。
i接変調できる等の特徴を有する半導体レーザー光源が
用いられている。
現在、半導体レーザーとして広範に用いられているガリ
ウムーアルミニウムーヒ素(Ga −Affi−八S)
系発光素子は、発振波長が750nm程度以上である。
ウムーアルミニウムーヒ素(Ga −Affi−八S)
系発光素子は、発振波長が750nm程度以上である。
このような長波長光に高感度の電子写真感光体を得るた
めに、従来数多くの検討がなされてきた。例えば、可視
光領域に高感度を右するセレン、硫化カドミウム等の感
光vU料に、新たに長波長化するための増感剤を添加す
る方法が考えられたが、セレン、硫化カドミウムは温度
、i!ii1度等に対する耐環境性が十分でなく、毒性
もあって実用化には問題がある。また、多数知られてい
る有様系光導電材v1も、その感度が通常700nm以
下の可視光領域に限定され、これより長波長域に十分な
感度を有する材料tま少ないため、高信頼性の期待され
る半導体レーザー)乞諒を用いるレーザープリンタに用
いることは困難であった。
めに、従来数多くの検討がなされてきた。例えば、可視
光領域に高感度を右するセレン、硫化カドミウム等の感
光vU料に、新たに長波長化するための増感剤を添加す
る方法が考えられたが、セレン、硫化カドミウムは温度
、i!ii1度等に対する耐環境性が十分でなく、毒性
もあって実用化には問題がある。また、多数知られてい
る有様系光導電材v1も、その感度が通常700nm以
下の可視光領域に限定され、これより長波長域に十分な
感度を有する材料tま少ないため、高信頼性の期待され
る半導体レーザー)乞諒を用いるレーザープリンタに用
いることは困難であった。
かかるレー+)−−ヒーム等を用いる技術体系はプリン
タへの応用が期待されており、使用な反転現像による画
像形成方法の出現が望まれるゆえんである。
タへの応用が期待されており、使用な反転現像による画
像形成方法の出現が望まれるゆえんである。
本発明の目的は、黒ボデの生じ易い反ΦL現像において
、黒ポチ答の画像欠陥のない良好な画像を1qることか
でき、呂;S高湿・低温低湿等の環境下においてもカブ
リがなく画像濃度の高い高量1ヴの画像を得ることがで
き、かつ繰り返し使用時にも画像に庶が高い均一な画保
を安定して供給することができるような感光体および該
感光体を使用する画像形成方法を捉供することである。
、黒ポチ答の画像欠陥のない良好な画像を1qることか
でき、呂;S高湿・低温低湿等の環境下においてもカブ
リがなく画像濃度の高い高量1ヴの画像を得ることがで
き、かつ繰り返し使用時にも画像に庶が高い均一な画保
を安定して供給することができるような感光体および該
感光体を使用する画像形成方法を捉供することである。
[問題を解決するための手段1
本発明は、有機顔料及びノボラック形71ノール樹脂を
含有する電荷ブロッキング層の上に、フタロシアニン化
合物をキャリア発生物質として含有するキャリア発生層
及びキャリア輸送層を順次設けてなることを特徴とする
感光体に係るものであり、また更に本発明は、キャリア
発生層の上にキャリア輸送層を設けてなる感光層を有す
る感光体を使用する画像形成方法において、 (a)フタロシアニン化合物がキャリア発生物質として
含有されているキャリア発生層と;このキャリア発生層
と導電性基体との間に設置プられ、有1m IsRIt
及びノボラック形フェノール樹脂が含有されている電荷
ブロッキング層とを有する感光体を使用し、 (b)この感光体に帯電電位の絶対値が400V〜90
0Vである帯電を付与した後、露光により静電潜像を形
成し、次いで前記溝層電位の1冶l・1圃よりも0〜2
00V低い絶対値を何する直流バイアス電圧を印加して
、前記静電溝(2)の反転現象を行なうことを特徴とす
る画像形成方法に1系るものである。
含有する電荷ブロッキング層の上に、フタロシアニン化
合物をキャリア発生物質として含有するキャリア発生層
及びキャリア輸送層を順次設けてなることを特徴とする
感光体に係るものであり、また更に本発明は、キャリア
発生層の上にキャリア輸送層を設けてなる感光層を有す
る感光体を使用する画像形成方法において、 (a)フタロシアニン化合物がキャリア発生物質として
含有されているキャリア発生層と;このキャリア発生層
と導電性基体との間に設置プられ、有1m IsRIt
及びノボラック形フェノール樹脂が含有されている電荷
ブロッキング層とを有する感光体を使用し、 (b)この感光体に帯電電位の絶対値が400V〜90
0Vである帯電を付与した後、露光により静電潜像を形
成し、次いで前記溝層電位の1冶l・1圃よりも0〜2
00V低い絶対値を何する直流バイアス電圧を印加して
、前記静電溝(2)の反転現象を行なうことを特徴とす
る画像形成方法に1系るものである。
但し、・慴゛電電位と直流バイアス電圧とは同?3号と
する。
する。
[作用及び効果]
本発明においては、キャリア発生物質としてフタロシア
ニン1ヒ合物をキレ9フ発生舅中にΔNl!しめ、かつ
このキャリア発生層と青電V1基体どの間に設けられた
電荷ブロッキング層の材′何、含有物を特定している点
に顕著な1″+徴を有する。
ニン1ヒ合物をキレ9フ発生舅中にΔNl!しめ、かつ
このキャリア発生層と青電V1基体どの間に設けられた
電荷ブロッキング層の材′何、含有物を特定している点
に顕著な1″+徴を有する。
即ち、導電性基体とキャリア発生層との間に電荷ブロッ
キング層を設ける二とにより、反転現像において黒ポチ
の発生を防止できる。この理由は明らかではないが、−
6次のように考えられる93即ち、第6図に示したよ・
)な従来の感光体にJ5いては、基体1側から注入され
るキャリア(ホール)はキャリア発生層2中を容易に通
過し、ホール輸送性の高いキャリア輸送層3を介して感
光体表面にまで至るのである。言い換えると、キャリア
発生層2は局所的なキャリア注入に対する障壁としては
機能し19ないのである。
キング層を設ける二とにより、反転現像において黒ポチ
の発生を防止できる。この理由は明らかではないが、−
6次のように考えられる93即ち、第6図に示したよ・
)な従来の感光体にJ5いては、基体1側から注入され
るキャリア(ホール)はキャリア発生層2中を容易に通
過し、ホール輸送性の高いキャリア輸送層3を介して感
光体表面にまで至るのである。言い換えると、キャリア
発生層2は局所的なキャリア注入に対する障壁としては
機能し19ないのである。
これに対し、本発明においては、基体とキャリア発生層
との間に電荷ブロッキング層を設置プることにより、導
電性基体側からの局所的なキャリア注入に対するl+!
5壁を設けることができ、局所的なキャリア注入による
表面電荷の消失、減少を■止できると考えられる。従っ
て、反転現像を行った場合に画像上に黒ポチが生ずるこ
とはなく、画像欠陥のない高品質の画像を1するという
顕著な作用効果を奏することができる。
との間に電荷ブロッキング層を設置プることにより、導
電性基体側からの局所的なキャリア注入に対するl+!
5壁を設けることができ、局所的なキャリア注入による
表面電荷の消失、減少を■止できると考えられる。従っ
て、反転現像を行った場合に画像上に黒ポチが生ずるこ
とはなく、画像欠陥のない高品質の画像を1するという
顕著な作用効果を奏することができる。
電荷ブロッキング層がかかる■能を発揮しつるのは、バ
インダー物質及び有機顔r[の作用により、電荷ブロッ
キング層自体の電気抵抗が高く保持されるからであろう
と考えられ、この点で電拘ブロッキング層の処方はIf
fといえる。
インダー物質及び有機顔r[の作用により、電荷ブロッ
キング層自体の電気抵抗が高く保持されるからであろう
と考えられ、この点で電拘ブロッキング層の処方はIf
fといえる。
しかしながら、ここにおいてもう一つ重要なことはキャ
リア発生物質と電荷ブ[lツキング層の14貿との選択
であり、両名の組み合わせなのである。
リア発生物質と電荷ブ[lツキング層の14貿との選択
であり、両名の組み合わせなのである。
叩ら、キャリア発生層は電荷ブロッキング裔の上に直接
塗布形成され、しかもそれ自体極めて簿いものであるか
ら、キャリア発生物質と゛電荷ブロッキング層の材質と
の粗み合わけの如何によっては、キャリア発生物質の凝
集、塗布不良を生じ、黒ポチが著しく増加し、光感度の
低下、史には画像ムラを生じるため、はなはだしく不都
合である。
塗布形成され、しかもそれ自体極めて簿いものであるか
ら、キャリア発生物質と゛電荷ブロッキング層の材質と
の粗み合わけの如何によっては、キャリア発生物質の凝
集、塗布不良を生じ、黒ポチが著しく増加し、光感度の
低下、史には画像ムラを生じるため、はなはだしく不都
合である。
しかし、無数に存在する高分子材料、多数のキャリア発
生物質中から、塗布不良を生じないJ:うな好適な組み
合わせを選択するについて一般的、画一的な選択手段が
あるというのではなく、実験の積み重地により良好な祖
み合わじを決定していく他ないのが実情といえる。
生物質中から、塗布不良を生じないJ:うな好適な組み
合わせを選択するについて一般的、画一的な選択手段が
あるというのではなく、実験の積み重地により良好な祖
み合わじを決定していく他ないのが実情といえる。
ここに、本発明者は種々検討の結果、上記したフタロシ
アニン化合物と、ノボラック形フェノール樹脂との粗み
合わせを特に選択することにより。
アニン化合物と、ノボラック形フェノール樹脂との粗み
合わせを特に選択することにより。
極めて良好な結果が青られることを見出した。
即ち、上記したフタロシアニン化合物は光感度に優れて
おり、この化合物をキャリア発生物質として使用するこ
とにより、感光体の繰り返し使用時の電位安定性が良く
なり、メモリー現象も少なく、残留電位し少なく、かつ
安定となる。しかも、このフタロシアニン化合物は長波
長域に高感度を有することから、半導体レーザーを光源
とする反転現像による画像形成方法に特にマツチングし
た高性能の感光体を提供できる。
おり、この化合物をキャリア発生物質として使用するこ
とにより、感光体の繰り返し使用時の電位安定性が良く
なり、メモリー現象も少なく、残留電位し少なく、かつ
安定となる。しかも、このフタロシアニン化合物は長波
長域に高感度を有することから、半導体レーザーを光源
とする反転現像による画像形成方法に特にマツチングし
た高性能の感光体を提供できる。
また、電荷ブロッキング層に、ノボラック形フェノール
樹脂を含有せしめることにより、上記フタロシアニン化
合物がキャリア発生層の塗布形成時に凝集することがな
く、従って反転現像において黒ポチ、画像ムラを防止で
きると共に、上記フタロシアニン化合物がキャリア発生
層中に均一に分散され、上記フタロシアニン化合物の本
来の光感匹を妨げることなく発揮せしめることができる
。
樹脂を含有せしめることにより、上記フタロシアニン化
合物がキャリア発生層の塗布形成時に凝集することがな
く、従って反転現像において黒ポチ、画像ムラを防止で
きると共に、上記フタロシアニン化合物がキャリア発生
層中に均一に分散され、上記フタロシアニン化合物の本
来の光感匹を妨げることなく発揮せしめることができる
。
従って、高品質かつ均一な画像を提供でき、画像淵鳴す
高くできる。
高くできる。
しかも、電荷ブロッキング層の材質のみならず含有物を
も特定した点が重要であり、これにより上記のように黒
ポチ防止という反転現像に必須の技術的課題を解決しな
がら、かつ温度、湿度特性(耐環境特性)に優れ、高温
部19下、低記低H1下においても良好な画像を提供し
ろる点が注目に110する。
も特定した点が重要であり、これにより上記のように黒
ポチ防止という反転現像に必須の技術的課題を解決しな
がら、かつ温度、湿度特性(耐環境特性)に優れ、高温
部19下、低記低H1下においても良好な画像を提供し
ろる点が注目に110する。
賜ち、プリンター等の機器は種々の条1′F下で艮四間
使用されるものであるため、高温高湿、低温低湿等の環
境に曝される機会は(重めで多く、低湿下等にJ5いて
も良好な画像を提供することが要請されるゆえんである
。
使用されるものであるため、高温高湿、低温低湿等の環
境に曝される機会は(重めで多く、低湿下等にJ5いて
も良好な画像を提供することが要請されるゆえんである
。
この点、本発明においては、光照%1時にキへ・す7発
生層内で発生した負の光キャリアは、有機vn料によっ
て電荷ブロッキング層内を輸送され、))電性基体へと
移送されるものと思われる。叩ら、有機鎖TFIの作用
により、電荷ブロッキング層に重子伝導性が付与された
ものと考えられる。従って、光キャリアの移動は円滑と
なり、光感序の上昇、操り返し使用時の残留゛電位の低
減1画像ぶ度の上昇か可能となる。ゆえに、繰り返し使
用時にも画像濃度が不足せず、また特に低温低潟下にお
いても充分な画像1度が得られる。まlこ、高温高a下
においても、キャリア発生層は薄膜であって昭減哀増大
は抑えることができ、カブリは発生しない。
生層内で発生した負の光キャリアは、有機vn料によっ
て電荷ブロッキング層内を輸送され、))電性基体へと
移送されるものと思われる。叩ら、有機鎖TFIの作用
により、電荷ブロッキング層に重子伝導性が付与された
ものと考えられる。従って、光キャリアの移動は円滑と
なり、光感序の上昇、操り返し使用時の残留゛電位の低
減1画像ぶ度の上昇か可能となる。ゆえに、繰り返し使
用時にも画像濃度が不足せず、また特に低温低潟下にお
いても充分な画像1度が得られる。まlこ、高温高a下
においても、キャリア発生層は薄膜であって昭減哀増大
は抑えることができ、カブリは発生しない。
しかも、電荷ブロッキング層中に右機賄料を含有せしめ
ることによって、層の高抵抗を維持しているのであり、
もし仮に、導電性の無機物質等を使用した場合には、キ
ャリア注入は阻止しえび、画像上に黒ポチが発生し、°
電荷ブOツキング歇能を発揮しえないものと考えられる
。
ることによって、層の高抵抗を維持しているのであり、
もし仮に、導電性の無機物質等を使用した場合には、キ
ャリア注入は阻止しえび、画像上に黒ポチが発生し、°
電荷ブOツキング歇能を発揮しえないものと考えられる
。
更に、本発明の画像形成方法において注目すべきことは
、上記したことに加えて、I5E述したIV)IIで表
される帯電電位の絶対(直をIVHI= 400V〜
900vと特定範囲に限定しているので、既述した如き
結果は生じない。即ちIVHI<400Vでは、必要と
される電界強度を得ることが困ガであるが、l vHl
> 900Vとするとこのためには感光層の膜厚が大
きくなり、これによって感度が低下し、好ましくない。
、上記したことに加えて、I5E述したIV)IIで表
される帯電電位の絶対(直をIVHI= 400V〜
900vと特定範囲に限定しているので、既述した如き
結果は生じない。即ちIVHI<400Vでは、必要と
される電界強度を得ることが困ガであるが、l vHl
> 900Vとするとこのためには感光層の膜厚が大
きくなり、これによって感度が低下し、好ましくない。
また、本発明の画像形成方法ではlVHlとIVI+*
l(直流バイアス電圧の絶対値)との差である1\’e
l IVp。1をO〜200Vと特定していることも
重要である。
l(直流バイアス電圧の絶対値)との差である1\’e
l IVp。1をO〜200Vと特定していることも
重要である。
即ち、IV141 1Vtcl<OVの場合にはカブリ
が発生してしまい、また、iVH1−IVつ、1> 2
00Vの場合はキャリア注入(二成分現像剤のとさ)や
逆1〜性トナーの付着(両泳性−成分現像剤のとき)が
生じてしま゛うのである。
が発生してしまい、また、iVH1−IVつ、1> 2
00Vの場合はキャリア注入(二成分現像剤のとさ)や
逆1〜性トナーの付着(両泳性−成分現像剤のとき)が
生じてしま゛うのである。
従って、本発明の画像形成方法において、l V)1
l = 400〜900V (1マシ<4t 50
0〜700V)、 かつIVn l−1Vocl=O〜
200V (望ましくは50〜150V )という条件
で反転現像を行うことにより高感度を保持しながら、高
画質で黒ポチのない良好な画像を得ることができる。
l = 400〜900V (1マシ<4t 50
0〜700V)、 かつIVn l−1Vocl=O〜
200V (望ましくは50〜150V )という条件
で反転現像を行うことにより高感度を保持しながら、高
画質で黒ポチのない良好な画像を得ることができる。
反転現像法に本発明を適用した場合には、特にプリンタ
に適用した場合等においては、文字部(黒地部)が白地
部よりも面積が小(叩ら、露光面積が小)であり、正規
現像法による場合(こ比べて感光体の劣化防止等の面で
有利である。
に適用した場合等においては、文字部(黒地部)が白地
部よりも面積が小(叩ら、露光面積が小)であり、正規
現像法による場合(こ比べて感光体の劣化防止等の面で
有利である。
次に、本発明をレーザー光源に対して適用した場合の効
果についてjボベる。
果についてjボベる。
前述のように、レーナープリンター等は信望な技術分野
であるが、従来、例えば第6図に承りような感光体を使
用し、半導体レーザー光を照射して画像形成を行った場
合、ベタ画像においてモアレと呼ばれる干渉縞状の11
1度ムラを生じていた。
であるが、従来、例えば第6図に承りような感光体を使
用し、半導体レーザー光を照射して画像形成を行った場
合、ベタ画像においてモアレと呼ばれる干渉縞状の11
1度ムラを生じていた。
このため、モアレを解消できる方法が要望されてい l
こ 。
こ 。
かかるモアレを防止すべく、種々の対策が考えられる。
例えば、導電性基体の表面を適当に粗し、干渉を防止す
ることが考えられる。しかし、この方法では反転現像に
おいて黒ポチが名しく増加し、実用的でない。
ることが考えられる。しかし、この方法では反転現像に
おいて黒ポチが名しく増加し、実用的でない。
一方、キャリア発生層の膜厚を大きくし、キレリア発生
層内での吸光葭を大きくして干渉を防止することも考え
られる。しかし、こうした感光体は特性が不充分で、と
りわけ温度湿度特性の劣化が著しいという欠点がある。
層内での吸光葭を大きくして干渉を防止することも考え
られる。しかし、こうした感光体は特性が不充分で、と
りわけ温度湿度特性の劣化が著しいという欠点がある。
即ら、反転現像において、高湿下では画像上にカブリを
生じ、低湿下では画像濃度の不足を18き、しかも黒ポ
チの発生が顕茗となる。
生じ、低湿下では画像濃度の不足を18き、しかも黒ポ
チの発生が顕茗となる。
これらに対し、本発明においては、レープ−光源の照射
により静電潜像を形成した場合にも、干渉縞状の′J3
度ムラの発生を防止して均一な画像を得ることができる
。
により静電潜像を形成した場合にも、干渉縞状の′J3
度ムラの発生を防止して均一な画像を得ることができる
。
この理由については、以下のように(1[則される。
画像上に干渉縞状の濃度ムラが生ずる原因は明らかでは
ないが、−旧法の」;うに考えられろ。
ないが、−旧法の」;うに考えられろ。
第7図で示すように、第6図の感光体l(而にレーザー
光が照則された場合、大剣光6の一部はキャリア輸送層
3の表面3aで反射されて反(1・j光導となり、一部
は感光14内に入射し基体表面i aで反射されて01
出光8として田川される。このどき、感光層の屈折率を
n 、 IJざ11、半;9体し−1f−光の波長λと
し、レーザー光の入射が感光へ4に垂直に行われるとす
ると、光7と光8との間に(2ncl−λ/′2)の光
学的路程差が生ずる。レーザー光は]ヒーレントである
ため、光7と>t 8との間に干渉が生じ、Odがλ/
・′2の竺教倍のどさ゛は反射光の強度が陽大、づなわ
ちキャリア輸送層3の内部へ入っていく光の強庶が極小
(エネルギー保存則による) 、ndがλ/4の奇数倍
のときは反射光が極小、すなわち内部へ入っていく光が
(4大となろ。ところで、dには製造上1μm0程度の
場所ムラが避けられない。レーザー光は単色性がよく、
]ヒーレントなため、dの場所ムラに対応して前記の干
渉条件が変化し、キャリア発生層2でのレーザー光の吸
収俤の場所ムラが生じ、それがベタ画像の2度の干渉縞
状のムラとなって現れると考えられる。なお通常の複写
機では、光源が中色光でないため、波長によって干?多
縞状の濃度ムラの幅が変わり、平均化されて見えない。
光が照則された場合、大剣光6の一部はキャリア輸送層
3の表面3aで反射されて反(1・j光導となり、一部
は感光14内に入射し基体表面i aで反射されて01
出光8として田川される。このどき、感光層の屈折率を
n 、 IJざ11、半;9体し−1f−光の波長λと
し、レーザー光の入射が感光へ4に垂直に行われるとす
ると、光7と光8との間に(2ncl−λ/′2)の光
学的路程差が生ずる。レーザー光は]ヒーレントである
ため、光7と>t 8との間に干渉が生じ、Odがλ/
・′2の竺教倍のどさ゛は反射光の強度が陽大、づなわ
ちキャリア輸送層3の内部へ入っていく光の強庶が極小
(エネルギー保存則による) 、ndがλ/4の奇数倍
のときは反射光が極小、すなわち内部へ入っていく光が
(4大となろ。ところで、dには製造上1μm0程度の
場所ムラが避けられない。レーザー光は単色性がよく、
]ヒーレントなため、dの場所ムラに対応して前記の干
渉条件が変化し、キャリア発生層2でのレーザー光の吸
収俤の場所ムラが生じ、それがベタ画像の2度の干渉縞
状のムラとなって現れると考えられる。なお通常の複写
機では、光源が中色光でないため、波長によって干?多
縞状の濃度ムラの幅が変わり、平均化されて見えない。
これに対し、本発明によれば、導電性基体と感光層との
間に電荷ブロッキング層を設け、この電荷ブロッキング
層に上記特定のバインダー樹脂と右し顔料とを含有uし
めているので、石(人頭Hの分散状態によって電荷ブロ
ッキング層内へと入射しIこ光は散乱される。これにJ
、す、干渉は生じなくなり、干渉による反射光の強度の
場所ムラも生しなくなると考えられる。
間に電荷ブロッキング層を設け、この電荷ブロッキング
層に上記特定のバインダー樹脂と右し顔料とを含有uし
めているので、石(人頭Hの分散状態によって電荷ブロ
ッキング層内へと入射しIこ光は散乱される。これにJ
、す、干渉は生じなくなり、干渉による反射光の強度の
場所ムラも生しなくなると考えられる。
[発明の置体的構成]
本発明に使用する感光体、例えば雷子写衰感光体の一般
的な構成を第1図に例示する。
的な構成を第1図に例示する。
第1図の感光体においては、導電性基体1の上に電荷ブ
ロッキング層5を介してキャリア発生層2が設けられ、
キャリア発生!、7i2上にキャリア輸送層3が設けら
れている。、4は感光層を示す。
ロッキング層5を介してキャリア発生層2が設けられ、
キャリア発生!、7i2上にキャリア輸送層3が設けら
れている。、4は感光層を示す。
第1図のような感光体においで、キルリア発生層とキャ
リア輸送層との間に、ブロッキング殿能等を付与された
中間層を設けでも良い。また、耐刷性向上等のため感光
体表面に促護居(筺護膜)を形成しても良く、例えば合
成樹脂肢摸をコーティングして良い。
リア輸送層との間に、ブロッキング殿能等を付与された
中間層を設けでも良い。また、耐刷性向上等のため感光
体表面に促護居(筺護膜)を形成しても良く、例えば合
成樹脂肢摸をコーティングして良い。
次に、本発明でキャリア発生物で1として使用するフタ
ロシアニン化合物について述べる。
ロシアニン化合物について述べる。
即ち、有機系光導電相別の一つであるフタロシアニン系
化合物は、池のちのに比べ感光域が長波長域に拡大して
いることが知られている。そしてα型のフタロシアニン
化合物が結晶形の安定なβ型のフタロシアニン化合物に
変わる過稈で各FI F!j晶形のフタロシアニン化合
物が見出されている。
化合物は、池のちのに比べ感光域が長波長域に拡大して
いることが知られている。そしてα型のフタロシアニン
化合物が結晶形の安定なβ型のフタロシアニン化合物に
変わる過稈で各FI F!j晶形のフタロシアニン化合
物が見出されている。
これらの光導電性を示すフタロシアニン系化合物として
は、例えば特公昭49−4338号公報記載のX型照金
屈フタロシアニン化合物、14開昭58−482639
号公報、11間昭60−19151号公報に記載されて
いるτ、τ′ 、η、η′型型金金属フタロシアニン化
合物特開昭61−295784号明細書に記載されてい
るフタロシアニン化合物等の伯、各種の金属フタロシア
ニン化合物が例示される。例えばチタニルフタロシアニ
ン化合物について特願昭62−241938号明細占に
記載されているものがある。
は、例えば特公昭49−4338号公報記載のX型照金
屈フタロシアニン化合物、14開昭58−482639
号公報、11間昭60−19151号公報に記載されて
いるτ、τ′ 、η、η′型型金金属フタロシアニン化
合物特開昭61−295784号明細書に記載されてい
るフタロシアニン化合物等の伯、各種の金属フタロシア
ニン化合物が例示される。例えばチタニルフタロシアニ
ン化合物について特願昭62−241938号明細占に
記載されているものがある。
この他、特に半導体レーザーに好適なフタロシアニン化
合物を例示する。
合物を例示する。
以下余白
フタロシアニン例示化合物
次に、ノボラック形フェノール樹脂について述べる。
これはフェノール類とアルデヒド類とを酸性触媒下にお
いて反応させて1qられるちのである。
いて反応させて1qられるちのである。
フェノール類としては、フェノール、m−クレゾール、
0−クレゾール、p−クレゾール、キシレノール、レゾ
ルシン等が挙げられ、アルデヒド類としては、ホルムア
ルデヒド、アセトアルデヒド、フルフラール等が挙げら
れる。
0−クレゾール、p−クレゾール、キシレノール、レゾ
ルシン等が挙げられ、アルデヒド類としては、ホルムア
ルデヒド、アセトアルデヒド、フルフラール等が挙げら
れる。
なJシ、ここでフェノール樹脂とは、フェノール変性樹
脂をも含む総称である。
脂をも含む総称である。
具体的商品名としては、5K−1,2,3,4,5,6
,7,8,9,10,101,102,103,104
,105,106,101,108,109,110,
111,112,113,114,115,136,1
37,156,158,159(以上、住友シュレス社
製)等が挙げられる。
,7,8,9,10,101,102,103,104
,105,106,101,108,109,110,
111,112,113,114,115,136,1
37,156,158,159(以上、住友シュレス社
製)等が挙げられる。
本発明において使用する有機顔料としては、例えば、赤
(400〜500nm ) 、緑(500〜600nm
) 、。
(400〜500nm ) 、緑(500〜600nm
) 、。
青く600〜700nm )などの各色の透過率の高い
ものであり、耐熱性があり、ブリードを生じないものが
望ましい。
ものであり、耐熱性があり、ブリードを生じないものが
望ましい。
5色の有殿頭料としては、例えばε型銅フタし]シアニ
ンブルーおよびヒフ1−リアブルーレーキ(C,l 、
Pigment Blue 1 ) 01種b L
< +J2種を主成分とし、メチルバイオレットレー
キ(C,1,Pigment Violet 3)お
よびジ第4゛サジンバーrオレッt−(C,I 、 P
igmentV 1olet 1 )の1種もしくは2
種を分光特性調だ剤として用いたちのなどが宇げられる
。なお、ε型銅フタロシアニンブルーは持聞昭52−6
301号公報などによって公知である赤味の強い鮮明な
11色顔料であり、例えばL 1onol Blne
E (東’+7 インキ製a 1m 、商標名)として
入手可能である。
ンブルーおよびヒフ1−リアブルーレーキ(C,l 、
Pigment Blue 1 ) 01種b L
< +J2種を主成分とし、メチルバイオレットレー
キ(C,1,Pigment Violet 3)お
よびジ第4゛サジンバーrオレッt−(C,I 、 P
igmentV 1olet 1 )の1種もしくは2
種を分光特性調だ剤として用いたちのなどが宇げられる
。なお、ε型銅フタロシアニンブルーは持聞昭52−6
301号公報などによって公知である赤味の強い鮮明な
11色顔料であり、例えばL 1onol Blne
E (東’+7 インキ製a 1m 、商標名)として
入手可能である。
最も汎用されているα、βなどの各種結晶形のフタロシ
アニン顔料の分光特性(可視吸収スペクトル)は、その
主波長が490〜500nmであり、ε型銅フタロシア
ニンブルーでは470〜480 n mど短波長側にあ
り、また、ビクトリアブルーレーキは主波長が430n
mである。
アニン顔料の分光特性(可視吸収スペクトル)は、その
主波長が490〜500nmであり、ε型銅フタロシア
ニンブルーでは470〜480 n mど短波長側にあ
り、また、ビクトリアブルーレーキは主波長が430n
mである。
また、赤色の有機顔11としては例えばナノ1〜−ル系
橙色rAll (C,[、Pigment Qran
ge24)、ピラゾロン系橙色顔料(C,I。
橙色rAll (C,[、Pigment Qran
ge24)、ピラゾロン系橙色顔料(C,I。
p igmcnt Q range 13 、同1)
およUジスアゾ系橙色顔料(C,l 、 Pign+e
nt Orange 13 )から選ばれる1種もし
くは2!iI!以上を主成分とし、必要に応じてナフト
ール系赤色顔料(C,I。
およUジスアゾ系橙色顔料(C,l 、 Pign+e
nt Orange 13 )から選ばれる1種もし
くは2!iI!以上を主成分とし、必要に応じてナフト
ール系赤色顔料(C,I。
p igment Red 22 、同8.同5.
同4.同3゜同31.同112.同114)およびピラ
ゾロン系赤色顔料(C,1,Piuent Red
33)から選ばれる1種もしくは2種以上を分光特性
調整剤として用いたものなどが挙げられる。
同4.同3゜同31.同112.同114)およびピラ
ゾロン系赤色顔料(C,1,Piuent Red
33)から選ばれる1種もしくは2種以上を分光特性
調整剤として用いたものなどが挙げられる。
また、緑色の有機顔オ°1どしては、例えばボリクOロ
ポリブロモフタロシアニングリーン(C,I。
ポリブロモフタロシアニングリーン(C,I。
P igment G reen 38 )を主成
分どし、ジスアゾ系黄色顔料(C,I 、 Pigme
nt ’y’ellow 12゜同13.同14)お
よびイソイントリノン系黄色顔利(C,I 、 pig
ment ’y’ellow 109 、同100)の
群から選ばれる11!もしくは2種以上を分光特性調整
剤として用いたちのなどが挙げられる。縁色顔料として
汎用されているポリクロロフタロシアニングリーン(C
,l 、 PiIIment Green37)は主
波長が510nmにあり、一方ポリクロロポリブロモフ
クロシアニングリーンのこれは!i 3 !10III
にある。
分どし、ジスアゾ系黄色顔料(C,I 、 Pigme
nt ’y’ellow 12゜同13.同14)お
よびイソイントリノン系黄色顔利(C,I 、 pig
ment ’y’ellow 109 、同100)の
群から選ばれる11!もしくは2種以上を分光特性調整
剤として用いたちのなどが挙げられる。縁色顔料として
汎用されているポリクロロフタロシアニングリーン(C
,l 、 PiIIment Green37)は主
波長が510nmにあり、一方ポリクロロポリブロモフ
クロシアニングリーンのこれは!i 3 !10III
にある。
電荷ブロッキング苦の膜;フは01・〜5μmと引るの
が好ましく、05〜2flllIの範囲内とするのが更
に好ましい。また、電荷ブロッキング間中にJ3いて、
有′eA顔料どバ1′ン・ヌー吻質との倉n慴比(重量
化)は(1:10)へ・(10:1)の範囲内とするの
が好ましい。
が好ましく、05〜2flllIの範囲内とするのが更
に好ましい。また、電荷ブロッキング間中にJ3いて、
有′eA顔料どバ1′ン・ヌー吻質との倉n慴比(重量
化)は(1:10)へ・(10:1)の範囲内とするの
が好ましい。
キャリア発生層に、おいて、キャリア発生1173 i
’t f7)バインター物質に対する倉行吊比は3/′
1〜110と1−るのが好ましく、2′1へ−173ど
すると更に好ましい。
’t f7)バインター物質に対する倉行吊比は3/′
1〜110と1−るのが好ましく、2′1へ−173ど
すると更に好ましい。
キャリア発生層のQQすは01μm以−Lどすることが
好ましく、02へ一5μmの範囲内とすることがより好
ましい。
好ましく、02へ一5μmの範囲内とすることがより好
ましい。
キャリア輸送層の膜厚は10μm以上であることが好ま
しい。
しい。
感光層全体の膜厚は10〜40μmの範囲内とするのが
好ましく、15〜30μmの範囲内とすると更に好まし
い。このII!厚が上記範囲よりも小さいと、薄いため
に帯電電位が小さくなり、耐刷性も低下する傾向がある
。また、膜厚が上記範囲よりも大きいと、かえって残留
電位は上昇する上に、上記したキャリア発生層が厚すぎ
る場合と同様の現象が発生して、十分な輸送能が得がた
くなる傾向が現れ、このため繰り返し使用時には残留電
位の上界が起こり易くなる。
好ましく、15〜30μmの範囲内とすると更に好まし
い。このII!厚が上記範囲よりも小さいと、薄いため
に帯電電位が小さくなり、耐刷性も低下する傾向がある
。また、膜厚が上記範囲よりも大きいと、かえって残留
電位は上昇する上に、上記したキャリア発生層が厚すぎ
る場合と同様の現象が発生して、十分な輸送能が得がた
くなる傾向が現れ、このため繰り返し使用時には残留電
位の上界が起こり易くなる。
キャリア発生層中にキャリア輸送物質をも含有せしめる
ことも可能である。
ことも可能である。
粒状のキャリア発生物質を分子i!l!けじめて感光層
を形成する場合において1よ、当該キャリア発生物質は
2μm以下、好ましくは1μ01以下、更に好ましくは
0.5μ清の平均粒径の粉粒体とされるのが好ましい。
を形成する場合において1よ、当該キャリア発生物質は
2μm以下、好ましくは1μ01以下、更に好ましくは
0.5μ清の平均粒径の粉粒体とされるのが好ましい。
また、キャリア輸送層において、キャリア輸送物質はバ
インダー物質との相溶性に優れたものが好ましい。これ
により、バインダー物質に対する母を多くして6濁り及
び不)δ明化を生ずることがないので、バインダー1勿
質との混合V[合を非常に広くとることができ、また、
相:8性が優れ−Cいることから電荷発生相が均一、か
つ安定であり、結零的に感度、帯電特性がより良好どな
り、更に高感度で鮮明な画像を形成でさる感光体をうろ
ことができる。更に、特に反@転写式電子写真に用いた
とき、疲労劣化を生ずることが少ないとい゛う作用効果
を奏することができる。
インダー物質との相溶性に優れたものが好ましい。これ
により、バインダー物質に対する母を多くして6濁り及
び不)δ明化を生ずることがないので、バインダー1勿
質との混合V[合を非常に広くとることができ、また、
相:8性が優れ−Cいることから電荷発生相が均一、か
つ安定であり、結零的に感度、帯電特性がより良好どな
り、更に高感度で鮮明な画像を形成でさる感光体をうろ
ことができる。更に、特に反@転写式電子写真に用いた
とき、疲労劣化を生ずることが少ないとい゛う作用効果
を奏することができる。
本発明においては、フタロシアニン化合物と共に、他の
キャリア発生物質の一種又は二種以上を併用することも
可能である。併用できるキャリア発生物質としては、ア
ン1−ラキノン顔利、ペリレン顔料、多環キノン顔11
.スクアリック故メチン顔料、シアニン色素、アズレニ
ウム化合物等が挙げられる。
キャリア発生物質の一種又は二種以上を併用することも
可能である。併用できるキャリア発生物質としては、ア
ン1−ラキノン顔利、ペリレン顔料、多環キノン顔11
.スクアリック故メチン顔料、シアニン色素、アズレニ
ウム化合物等が挙げられる。
本発明で使用する4−11リア輸送物質は、カルバゾー
ル誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導
体、チアゾール誘導体、チアジアゾール誘導体、トリア
ゾールH24体、イミダゾール誘導体、イミダゾ0ン誘
導体、イミダゾリジン誘導体、ビスイミダゾリジン誘導
体、スチリル化合物、ヒドラゾン化合物、ピラゾリン誘
導体、オキサシロン誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、
ベンズイミダゾール誘導体、キナゾリン誘導体、ベンゾ
フラン誘導体、アクリジン誘導体、フェナジン誘導体、
アミノスチルベン誘導体、トリアリールアミン誘導体、
フェニレンジアミン誘導体、スチルベン誘導体、ポリ−
N−ビニルカルバゾール、ポリ−1−ビニルピレン、ポ
リ−9−ビニルアントラセン等から選ばれた一種又は二
種以上であってよい。
ル誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導
体、チアゾール誘導体、チアジアゾール誘導体、トリア
ゾールH24体、イミダゾール誘導体、イミダゾ0ン誘
導体、イミダゾリジン誘導体、ビスイミダゾリジン誘導
体、スチリル化合物、ヒドラゾン化合物、ピラゾリン誘
導体、オキサシロン誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、
ベンズイミダゾール誘導体、キナゾリン誘導体、ベンゾ
フラン誘導体、アクリジン誘導体、フェナジン誘導体、
アミノスチルベン誘導体、トリアリールアミン誘導体、
フェニレンジアミン誘導体、スチルベン誘導体、ポリ−
N−ビニルカルバゾール、ポリ−1−ビニルピレン、ポ
リ−9−ビニルアントラセン等から選ばれた一種又は二
種以上であってよい。
かかるキャリア輸送物質の具体的化合物例は1)随昭6
1−195881号明細書に記載されている。以下にそ
の一般式を掲げる。
1−195881号明細書に記載されている。以下にそ
の一般式を掲げる。
キャリア輸送物質としての次の一般式[I]又は[11
]のスチリル化合物が使用可能である。
]のスチリル化合物が使用可能である。
以下余白
−船人[■]:
R1
\
(fB、この−船人中、
R1、R2、置換若しくは装置1灸のアルキル基、アリ
ール基を表わし、置換基としてはアルキル基、アルコキ
シ基、置換アミノ基、水111fil、ハロゲン原子、
アリール基を用いる。
ール基を表わし、置換基としてはアルキル基、アルコキ
シ基、置換アミノ基、水111fil、ハロゲン原子、
アリール基を用いる。
Ar l 、 Ar 2 :置換若しくは未置換のアリ
ール基を表わし、置換基としてはアルキル基、アルコキ
シ基、置換アミムL水酸基、ハロゲン原子、アリール基
を用いる。
ール基を表わし、置換基としてはアルキル基、アルコキ
シ基、置換アミムL水酸基、ハロゲン原子、アリール基
を用いる。
R3、R4、置換若しくは未置換のアリール基、水素原
子を表わし、iff換基として番、1アルキル基、アル
:1キシ基、置換アミノ基、水酸基、ハロゲン原子、ア
リール基を用いる。) 一般式[■]: (但、この−船人中、 R5:置換若しくは未置換のアリール基、R6、水素原
子、ハロゲン原子、置換若しくは未置換のアルキル基、
アルコキシ基、アミノ基、置換アミノ基、水酸基、 R? :置換若しくは未買換のアリール基、51条若
しくは未置換の複索環基を表わず。)また、キャリア輸
送物質として次の一般式%式%[] のヒドラゾン化合物も使用可能である 一般式[■]: (lli、この−船人中、 R8及びR9:それぞれ水素原子又はハロゲン原子、 RIQ及び[テ11:それぞれ置換若しくは未置換のア
リール基、 Ar3 :置換若しくは未置換のアリーレン基を表わす
、) (但、この−船人中、 R12:置換若しくは未置換のアリール基、1u換若し
くは未置換のカルバゾリル基、又は置換若しくは未置換
の複索環基を表し、 R+3.R14及びRI5:水素原子、フルキル基、置
換若しくは未置換のアリール基、又は置換若しくは未置
換のアラルキル基を表す、、)−船人[IVal: ■ R+ 7 (旧、この−船人巾、 R16:メチル基、エチル基、2−ヒドロキシエチル基
又は2−クロルエチル基、 R17:メチル基、エチル基、ベンジル基又はフェニル
基、 R18:メチル基、エチル基、ベンジル基又はフェニル
基を示す。) 一般式[IVbl: (但、この−船人中、R19は置換若しくは未置換のナ
フチル基:R20は置換若しくは未置換のアルキル基、
アラルキル基又はアリール基;R21は水素原子、アル
キル基又はアルコキシ4 : R22及びR23は置換
若しくは未置換のアルキル基、アラルキル基又はアリー
ル基からなる互いに同一の若しくは異なる基を示す。) 一般式[V]: I(6+ (但、この−船人中、 R24:置換若しくは未置換のアリール基又は置換若し
くは未置換の複素環基、 R25:水素原子、置換若しくは未置換のアルキル基又
は置換若しくは未置換のアリール基、Q:水素原子、ハ
ロゲン原子、アルキル基、置換アミノ基、アルコキシ基
又はシアノ基、S:0又は1の整数を表ず。) また、キャリア輸送物質として、次の一般式[v1]の
ピラゾリン化合物も使用可能である。
子を表わし、iff換基として番、1アルキル基、アル
:1キシ基、置換アミノ基、水酸基、ハロゲン原子、ア
リール基を用いる。) 一般式[■]: (但、この−船人中、 R5:置換若しくは未置換のアリール基、R6、水素原
子、ハロゲン原子、置換若しくは未置換のアルキル基、
アルコキシ基、アミノ基、置換アミノ基、水酸基、 R? :置換若しくは未買換のアリール基、51条若
しくは未置換の複索環基を表わず。)また、キャリア輸
送物質として次の一般式%式%[] のヒドラゾン化合物も使用可能である 一般式[■]: (lli、この−船人中、 R8及びR9:それぞれ水素原子又はハロゲン原子、 RIQ及び[テ11:それぞれ置換若しくは未置換のア
リール基、 Ar3 :置換若しくは未置換のアリーレン基を表わす
、) (但、この−船人中、 R12:置換若しくは未置換のアリール基、1u換若し
くは未置換のカルバゾリル基、又は置換若しくは未置換
の複索環基を表し、 R+3.R14及びRI5:水素原子、フルキル基、置
換若しくは未置換のアリール基、又は置換若しくは未置
換のアラルキル基を表す、、)−船人[IVal: ■ R+ 7 (旧、この−船人巾、 R16:メチル基、エチル基、2−ヒドロキシエチル基
又は2−クロルエチル基、 R17:メチル基、エチル基、ベンジル基又はフェニル
基、 R18:メチル基、エチル基、ベンジル基又はフェニル
基を示す。) 一般式[IVbl: (但、この−船人中、R19は置換若しくは未置換のナ
フチル基:R20は置換若しくは未置換のアルキル基、
アラルキル基又はアリール基;R21は水素原子、アル
キル基又はアルコキシ4 : R22及びR23は置換
若しくは未置換のアルキル基、アラルキル基又はアリー
ル基からなる互いに同一の若しくは異なる基を示す。) 一般式[V]: I(6+ (但、この−船人中、 R24:置換若しくは未置換のアリール基又は置換若し
くは未置換の複素環基、 R25:水素原子、置換若しくは未置換のアルキル基又
は置換若しくは未置換のアリール基、Q:水素原子、ハ
ロゲン原子、アルキル基、置換アミノ基、アルコキシ基
又はシアノ基、S:0又は1の整数を表ず。) また、キャリア輸送物質として、次の一般式[v1]の
ピラゾリン化合物も使用可能である。
−船人[Vll:
(但、この−船人中、
y:0又は1、
R26及びR27:置換若しくは未置換のアリール基、
R28:置換若しくは未置換のアリール基、若しくは複
素環基、 R29及びR30:水素原子、炭素原子数1〜4のアル
キル基、又は置換若しくは未置換のアリール基若しくは
アラルキル基(但、R29及びR30は共に水素原子で
あることはなく、また前記fがOのときはR29は水素
原子ではない。)]更に、次の一般式[Vl ]のアミ
ン誘導体もキャリア輸送物質として使用できる。
素環基、 R29及びR30:水素原子、炭素原子数1〜4のアル
キル基、又は置換若しくは未置換のアリール基若しくは
アラルキル基(但、R29及びR30は共に水素原子で
あることはなく、また前記fがOのときはR29は水素
原子ではない。)]更に、次の一般式[Vl ]のアミ
ン誘導体もキャリア輸送物質として使用できる。
一般式[■]:
Ar’
\
N−Ar’
/
Ar’
(1目、この−船人中、
7’l、R4,△r5 :置換若しくは未置換のフェニ
ル基を表し、置換基としてはハロゲン原子、アルキル基
、二1・0基、アルコキシ基を用いる。
ル基を表し、置換基としてはハロゲン原子、アルキル基
、二1・0基、アルコキシ基を用いる。
A R6:置換若しくは未置換のフェニル基、ナフチル
基、アントリル基、フルオレニル基、浚素IMMを表し
、:置換基としてはアルキル基、アルコキシ基、ハロゲ
ン原子、水[、アリールオキシ基、アリールJ、!、ア
ミノ塁、二1・0塁、ピペリジノ基、モルホリノ基、ナ
フチル基、アンスリル基及び置換アミノ基を用いる。(
口、置換アミン基の置換基としてアシル基、アルキル基
、アリール基、アラルキル基を用いる。) 更に、次の一般式[■]の化合物もキャリア輸送物質と
して使用できる。
基、アントリル基、フルオレニル基、浚素IMMを表し
、:置換基としてはアルキル基、アルコキシ基、ハロゲ
ン原子、水[、アリールオキシ基、アリールJ、!、ア
ミノ塁、二1・0塁、ピペリジノ基、モルホリノ基、ナ
フチル基、アンスリル基及び置換アミノ基を用いる。(
口、置換アミン基の置換基としてアシル基、アルキル基
、アリール基、アラルキル基を用いる。) 更に、次の一般式[■]の化合物もキャリア輸送物質と
して使用できる。
一般式[■]:
([Fl、この−船人中、
A r? :置換又は未置換のアリーレン基を表し、
R3+ 、 R32,R33及び1で34;置換若しく
は未置換のアルキル基、置換若しくは未置換のアリール
基、又は置換若しくは未置換のアラルキル基を表す。) 更に、次の一般式[IX]の化合物もキャリア輸送物質
どして使用できる。
R3+ 、 R32,R33及び1で34;置換若しく
は未置換のアルキル基、置換若しくは未置換のアリール
基、又は置換若しくは未置換のアラルキル基を表す。) 更に、次の一般式[IX]の化合物もキャリア輸送物質
どして使用できる。
一般式[IX]:
(但、この−船人中、R35、R36、R37及びR3
8は、それぞれ水素原子、置換若しくは未置換のアルキ
ル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アリール基、
ベンジル基又はアラルキル基、R39及びR40は、そ
れぞれ水素原子、置換若しくは未置換の炭素原子数1〜
40の)フルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基
、シクロアルケニル基、アリール基又はアラルキル基(
但、R39とR40どが共同して炭素原子数3〜1oの
飽和若しくは不飽和の炭化水素環を形成してもよい。)
R41、R42、R43及びR44は、それぞれ水素原
子、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、置換若しくは未1
7%のアルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、
アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、アミノ基、
アルキルアミノ21yはアリールアミノ基である。] キ1Fリア輸送層、キャリア発生層中に酸化防止剤を含
有せしめることができる。これにより放電で発生するオ
ゾンの影響を抑制でき、操り返し使用時の残留電位1菅
や帯電電位の低下を防止できる。
8は、それぞれ水素原子、置換若しくは未置換のアルキ
ル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アリール基、
ベンジル基又はアラルキル基、R39及びR40は、そ
れぞれ水素原子、置換若しくは未置換の炭素原子数1〜
40の)フルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基
、シクロアルケニル基、アリール基又はアラルキル基(
但、R39とR40どが共同して炭素原子数3〜1oの
飽和若しくは不飽和の炭化水素環を形成してもよい。)
R41、R42、R43及びR44は、それぞれ水素原
子、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、置換若しくは未1
7%のアルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、
アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、アミノ基、
アルキルアミノ21yはアリールアミノ基である。] キ1Fリア輸送層、キャリア発生層中に酸化防止剤を含
有せしめることができる。これにより放電で発生するオ
ゾンの影響を抑制でき、操り返し使用時の残留電位1菅
や帯電電位の低下を防止できる。
酸化防止剤としては、ヒンダードフェノール、ヒンダー
ドアミン、バラフェニレンジアミン、アリールアJレカ
ン、ハイドロキノン、スピロクロマン、スピロインダノ
ン及びそれらの誘′p4体、n1硫黄化合物、有数燐化
合物等が挙げられる。
ドアミン、バラフェニレンジアミン、アリールアJレカ
ン、ハイドロキノン、スピロクロマン、スピロインダノ
ン及びそれらの誘′p4体、n1硫黄化合物、有数燐化
合物等が挙げられる。
これらの具体的化合物としては、特願昭61i6286
6号、同61−188975号、同131−194+8
78号、同61−157644号、同67−19587
9号、回61−162867号、同61−204469
号、同61−217493号、恒161−217492
号及び同61−221541号に2或がある。
6号、同61−188975号、同131−194+8
78号、同61−157644号、同67−19587
9号、回61−162867号、同61−204469
号、同61−217493号、恒161−217492
号及び同61−221541号に2或がある。
感光層中に高分子有機半導体を含有せしめることもでき
る。こうした高分子有機半59体のうちポリ−N−ビニ
ルカルバゾール又はその誘導体が効宋が大であり、好ま
しく用いられる。かかるポリ−N−ビニルカルバゾール
誘導体とは、その繰り返し中位における全部又は一部の
カルバゾールロが種々の置換基、例えばアルキル基、ニ
トロ基、アミン基、ヒドロキシ基又はハロゲン原子によ
って置換されたちのである。
る。こうした高分子有機半59体のうちポリ−N−ビニ
ルカルバゾール又はその誘導体が効宋が大であり、好ま
しく用いられる。かかるポリ−N−ビニルカルバゾール
誘導体とは、その繰り返し中位における全部又は一部の
カルバゾールロが種々の置換基、例えばアルキル基、ニ
トロ基、アミン基、ヒドロキシ基又はハロゲン原子によ
って置換されたちのである。
また、感光層内に感度の向上、残留電位ないし反復使用
時の疲労低減等を目的として、少なくとも1種の電子受
容性物質を含有せしめることができる。
時の疲労低減等を目的として、少なくとも1種の電子受
容性物質を含有せしめることができる。
本発明の感光体に使用可能な電子受容性物質として(は
、例えば無水こはく酸、無水マレイン酸、ジブロム無水
マレイン酸、無水フタル酸、iトラクロル無水フタル酸
、テトラブロム無水フタル酸、3−ニトロ無水フタル酸
、4−二1〜O無水フクル酸、無水ピロメリット酸、無
ホメリッ1〜酸、テトラシアノエチレン、テI〜ラシア
ノキノジメタン、0−ジニトロベンゼン、m−ジニトロ
ベンゼン、1.3.5−t−ジニトロベンゼン、バラニ
トロベンゾニトリル、ビクリルクロライド、キノンクロ
ルイミド、クロラニル、ブルマニル、2−メチルナフト
キノン、ジクロロジシアノバラベンゾキノン、アシ1〜
ラキノン、ジニトロアントラキノン、トリニトロフルオ
レノン、9−フルオレニリデン=[ジシアノメチレンマ
ロノジニトリル1、ポリニトロ−9−フルオレニリデン
−[ジシアノメチレンマロノジニトリル]、ピクリン酸
、0−二1・O安息香酸、p−二1・口支息香酸、3.
5−921〜口安息香酸、ペンタフルオロ安息香酸、5
−二トロサリチル酸、3.5−ジニトロサリチル酸、フ
タル酸、メリット酸、その池の電子親和力の大きい化合
物の一種又は二種以上を挙げることができる。これらの
うら、フルオレノン系、キノン系や、C2、CN、NO
2等の電子吸引性の置換基のあるベンゼン誘導体が特に
よい。
、例えば無水こはく酸、無水マレイン酸、ジブロム無水
マレイン酸、無水フタル酸、iトラクロル無水フタル酸
、テトラブロム無水フタル酸、3−ニトロ無水フタル酸
、4−二1〜O無水フクル酸、無水ピロメリット酸、無
ホメリッ1〜酸、テトラシアノエチレン、テI〜ラシア
ノキノジメタン、0−ジニトロベンゼン、m−ジニトロ
ベンゼン、1.3.5−t−ジニトロベンゼン、バラニ
トロベンゾニトリル、ビクリルクロライド、キノンクロ
ルイミド、クロラニル、ブルマニル、2−メチルナフト
キノン、ジクロロジシアノバラベンゾキノン、アシ1〜
ラキノン、ジニトロアントラキノン、トリニトロフルオ
レノン、9−フルオレニリデン=[ジシアノメチレンマ
ロノジニトリル1、ポリニトロ−9−フルオレニリデン
−[ジシアノメチレンマロノジニトリル]、ピクリン酸
、0−二1・O安息香酸、p−二1・口支息香酸、3.
5−921〜口安息香酸、ペンタフルオロ安息香酸、5
−二トロサリチル酸、3.5−ジニトロサリチル酸、フ
タル酸、メリット酸、その池の電子親和力の大きい化合
物の一種又は二種以上を挙げることができる。これらの
うら、フルオレノン系、キノン系や、C2、CN、NO
2等の電子吸引性の置換基のあるベンゼン誘導体が特に
よい。
また更に表面改質剤としてシリコーンオイル、フッ素系
界面活性剤を存在させてもよい。また耐久性向上剤とし
てアンモニウム化合物が含有されていてもよい。
界面活性剤を存在させてもよい。また耐久性向上剤とし
てアンモニウム化合物が含有されていてもよい。
更に紫外線吸収剤を用いてもよい。好ましい紫外線吸収
剤としては、安息香酸、スチルベン化合物等及びその誘
導体、1〜リアゾ一ル化合物、イミダゾール化合物、1
〜リアジン化合物、クマリン化合物、オキサジアゾール
化合物、チアゾール化合物及びその誘導体等の含窒素化
合物類が用いられる。
剤としては、安息香酸、スチルベン化合物等及びその誘
導体、1〜リアゾ一ル化合物、イミダゾール化合物、1
〜リアジン化合物、クマリン化合物、オキサジアゾール
化合物、チアゾール化合物及びその誘導体等の含窒素化
合物類が用いられる。
感光体の構成層に使用可能なバインダ樹脂としては、例
えばポリエチレン、ポリプロピレン、アクリル樹脂、メ
タクリル樹脂、塩化ビニル樹脂、酢酸ビニル樹脂、エポ
キシ樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、アル
キッド樹脂、ポリカーボネート樹脂、メラミン樹脂、メ
タクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニリデン、ポ
リスチレン等の付加重合型樹脂、重付加型樹脂、重縮合
型樹脂並びにこれらの繰り返し単位のうちの2つ以上を
含む共重合体樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体樹
脂等の絶縁性樹脂、スチレン−ブタジェン共重合体樹脂
、塩化ビニリデンーアクリロニ1〜リル共重合体困脂等
、更にはN−ビニルカルバゾール等の高分子右礪半導[
ikを猶げることがでざる。
えばポリエチレン、ポリプロピレン、アクリル樹脂、メ
タクリル樹脂、塩化ビニル樹脂、酢酸ビニル樹脂、エポ
キシ樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、アル
キッド樹脂、ポリカーボネート樹脂、メラミン樹脂、メ
タクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニリデン、ポ
リスチレン等の付加重合型樹脂、重付加型樹脂、重縮合
型樹脂並びにこれらの繰り返し単位のうちの2つ以上を
含む共重合体樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体樹
脂等の絶縁性樹脂、スチレン−ブタジェン共重合体樹脂
、塩化ビニリデンーアクリロニ1〜リル共重合体困脂等
、更にはN−ビニルカルバゾール等の高分子右礪半導[
ikを猶げることがでざる。
上記のバインダーは、中伸で(もろいは二腫以上の混合
物とし−C用いることができる。
物とし−C用いることができる。
必要に応じて設けられる保護層のバインターとしては、
体(4抵抗10−3Ω・cm以上、好まし・(は101
0Ω−cm以上、より好ましくは゛10130−cm以
上の透明樹脂が用いらiLろ。又前記バインダーは光又
は熱により硬化する樹脂を用いてらよく、かかる光又は
熱により硬化りる冶1脂として(31、(91えば熱硬
化性アクリル(5(脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、
尿素樹脂、ポリエステル樹脂、アルキッド樹脂、メラミ
ン樹脂、光硬化性tI E M樹脂簀又はこれらの共重
合若しく【よ11δ合じ(脂があり、その他電子写真材
料に供さhる光又(ま熱硬化性樹脂の全てが利用される
。又前記pl 、、4 B中に(よ加工性及び物性の改
良(亀裂防出、柔軟性付与等)を目的として必要により
熱可塑性樹脂を50重量%未満含有せしめることができ
ろ。かかる熱可塑性樹脂としては、例えばポリプロピレ
ン、アクリル什1脂、メタクリル樹脂、塩化ビニル樹脂
、酢酸ビニル樹脂、エポキシ樹脂、ポリカーボネー1〜
(口(脂、又(よごれらの共重合樹脂、ポリ−N−ビニ
ルカルバゾール等のへ分子M1半導体、その他電子写真
(イロに供される熱可塑性樹脂の全てが利用される。
体(4抵抗10−3Ω・cm以上、好まし・(は101
0Ω−cm以上、より好ましくは゛10130−cm以
上の透明樹脂が用いらiLろ。又前記バインダーは光又
は熱により硬化する樹脂を用いてらよく、かかる光又は
熱により硬化りる冶1脂として(31、(91えば熱硬
化性アクリル(5(脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、
尿素樹脂、ポリエステル樹脂、アルキッド樹脂、メラミ
ン樹脂、光硬化性tI E M樹脂簀又はこれらの共重
合若しく【よ11δ合じ(脂があり、その他電子写真材
料に供さhる光又(ま熱硬化性樹脂の全てが利用される
。又前記pl 、、4 B中に(よ加工性及び物性の改
良(亀裂防出、柔軟性付与等)を目的として必要により
熱可塑性樹脂を50重量%未満含有せしめることができ
ろ。かかる熱可塑性樹脂としては、例えばポリプロピレ
ン、アクリル什1脂、メタクリル樹脂、塩化ビニル樹脂
、酢酸ビニル樹脂、エポキシ樹脂、ポリカーボネー1〜
(口(脂、又(よごれらの共重合樹脂、ポリ−N−ビニ
ルカルバゾール等のへ分子M1半導体、その他電子写真
(イロに供される熱可塑性樹脂の全てが利用される。
キャリア発生層は、次のような方法によって設【プるこ
とができる。
とができる。
(イ)キャリア発生物質等にバインダー、溶媒を加えて
混合溶解した溶液を塗布する方法。
混合溶解した溶液を塗布する方法。
(ロ)キャリア発生物質等をボールミル、ホモミキサー
、サンドミル、超音波分散ぼ、71ヘライタ等によって
分散媒中で微細粒子どし、バインダーを加えて混合分散
して17らねる分散液を塗布する方法。
、サンドミル、超音波分散ぼ、71ヘライタ等によって
分散媒中で微細粒子どし、バインダーを加えて混合分散
して17らねる分散液を塗布する方法。
これらの方法にJ3いて超音波の作用下に粒子を分散さ
せると、均一分散が可能になる。
せると、均一分散が可能になる。
また、キャリア輸送層は、既述のキャリア輸送物質を単
独であるいは既述したバインダー(5(脂と共に溶解、
分散せしめたちのを塗布、乾燥して形成することができ
る。
独であるいは既述したバインダー(5(脂と共に溶解、
分散せしめたちのを塗布、乾燥して形成することができ
る。
この揚台、キャリア発生層中にキャリア輸送1カ買を3
有せしめる場合には、上記(イ)の、・8液、(ロ)の
分散液中に予めキャリア輸送1カ買を溶解又は分散せし
める方法、即ちキャリア発生層中にキャリア輸送19J
J質を添加する方法がある。この場合は、キャリア輸送
物質の添加量をバインダー100重塁部に対して1〜1
00重最部の第囲内とり−るのが好ましい。また、キャ
リア輸送物質を占有する溶液をキャリア発生層上に塗布
し、キャリア発生層を膨潤あるいは一部溶解せしめてギ
1アリア輸送りA質をキャリア発生層内に拡散けしめる
方法がある。この方法を採用した場合は、上述のにうに
キャリア発生層中にキャリア輸送物質を添加しておく必
要はないが、上)本の二方法を同時に行うことも差し支
えない。
有せしめる場合には、上記(イ)の、・8液、(ロ)の
分散液中に予めキャリア輸送1カ買を溶解又は分散せし
める方法、即ちキャリア発生層中にキャリア輸送19J
J質を添加する方法がある。この場合は、キャリア輸送
物質の添加量をバインダー100重塁部に対して1〜1
00重最部の第囲内とり−るのが好ましい。また、キャ
リア輸送物質を占有する溶液をキャリア発生層上に塗布
し、キャリア発生層を膨潤あるいは一部溶解せしめてギ
1アリア輸送りA質をキャリア発生層内に拡散けしめる
方法がある。この方法を採用した場合は、上述のにうに
キャリア発生層中にキャリア輸送物質を添加しておく必
要はないが、上)本の二方法を同時に行うことも差し支
えない。
層の形成に使用される溶剤あるいは分散媒としては、n
−ブチルアミン、ジエチルアミン、エチレンジアミン、
イソプロパツールアミン、トリエタノールアミン、トリ
エヂレンジアミン、N、N−ジメチルホルムアミド、ア
t71−ン、メヂルエヂルケトン、シクロヘキサノン、
ベンゼン、トルエン、キシレン、クロロホルム、1.2
−ジクロロエタン、ジクロロメタン、テ1〜ラヒドロフ
ラン、ジオキサン、メタノール、エフノール、イソプロ
パツール、酢酸エチル、酢酸ブチル、ジメチルスルホキ
シド等を挙げることができる。
−ブチルアミン、ジエチルアミン、エチレンジアミン、
イソプロパツールアミン、トリエタノールアミン、トリ
エヂレンジアミン、N、N−ジメチルホルムアミド、ア
t71−ン、メヂルエヂルケトン、シクロヘキサノン、
ベンゼン、トルエン、キシレン、クロロホルム、1.2
−ジクロロエタン、ジクロロメタン、テ1〜ラヒドロフ
ラン、ジオキサン、メタノール、エフノール、イソプロ
パツール、酢酸エチル、酢酸ブチル、ジメチルスルホキ
シド等を挙げることができる。
上記感光層、下引き層、中間層、保護層等は、例えばブ
レード塗布、デイツプ塗布、スプレー塗布、ロール塗布
、スパイラル塗布等により設けることができる。
レード塗布、デイツプ塗布、スプレー塗布、ロール塗布
、スパイラル塗布等により設けることができる。
なお、導電性基体は金属板、全屈ドラム又は導4性ポリ
マー、酸化インジウム等の々電性化合物若しくはアルミ
ニウム、パラジウム、金等の金属にり成る導電性薄層を
塗布、蒸着、ラミネー1へ等の手段により、紙、プラス
チックフィルム等の基体に設けて成るものが用いられる
。
マー、酸化インジウム等の々電性化合物若しくはアルミ
ニウム、パラジウム、金等の金属にり成る導電性薄層を
塗布、蒸着、ラミネー1へ等の手段により、紙、プラス
チックフィルム等の基体に設けて成るものが用いられる
。
次に、本発明の好ましい実施の態様について説明する。
第2図は本発明の画保形成方法を実施でる記録装置の一
例を示す構成概要図、第3図は像露光のためのレーザー
ビームスキ17すの霞要溝成図、第4図は現像器の一例
を示す部分断面図、第5図は本発明の画像形成方法の実
施フローヂV−1・である。
例を示す構成概要図、第3図は像露光のためのレーザー
ビームスキ17すの霞要溝成図、第4図は現像器の一例
を示す部分断面図、第5図は本発明の画像形成方法の実
施フローヂV−1・である。
第2図の装置において、10は上述した有機光導電性物
質の感光層を有し、矢印方向に回転するドラム状の像担
持体、9は像担持体10の表面を−F毛帯電する帯電器
、11は(lぐ露光、12は現像器である。13は像担
持体10十にトナー像が形成された画像を記録体P1.
:転写し易くするために必要に応じて設けられる転写重
露光ランプ、14は転写器、15は分離用コロナh1電
藩、18は記録体Pに転写された1〜ナー像を定着させ
る定着器である。16は除電ランプと除雪用コロナ11
1電器の一方又は両者の組合せからなる除電器、17は
像担持体10の画像を転写した後の表面の残留トノ−−
を除去するためのクリーニングブレードやファーブラシ
を有するクリーニング装置である。像露光を半導体レー
ザーで行う場合、第2図の記録装置のようにドラム状の
像担持体10を用いるものにあっては、像露光11は、
第3図に示したようなレーザービームスキャナによるも
のが好ましい。
質の感光層を有し、矢印方向に回転するドラム状の像担
持体、9は像担持体10の表面を−F毛帯電する帯電器
、11は(lぐ露光、12は現像器である。13は像担
持体10十にトナー像が形成された画像を記録体P1.
:転写し易くするために必要に応じて設けられる転写重
露光ランプ、14は転写器、15は分離用コロナh1電
藩、18は記録体Pに転写された1〜ナー像を定着させ
る定着器である。16は除電ランプと除雪用コロナ11
1電器の一方又は両者の組合せからなる除電器、17は
像担持体10の画像を転写した後の表面の残留トノ−−
を除去するためのクリーニングブレードやファーブラシ
を有するクリーニング装置である。像露光を半導体レー
ザーで行う場合、第2図の記録装置のようにドラム状の
像担持体10を用いるものにあっては、像露光11は、
第3図に示したようなレーザービームスキャナによるも
のが好ましい。
第3図のレーザービームスキャナのaJ作を次に述べる
。
。
半導体レーザー19で発生されたレーザービームは、駆
動モータ22により回転されるポリゴンミラー23によ
り回転走査され、[−θレンズ24を経て反射鏡26に
より光路を曲げられて像担持体10の表面上に投射さ4
1輝線27を形成する。28はビーム走査開始を検出す
るためのインデックスセンυで、20.25は倒れ色補
正用のシリンドリカルレンズである。2Lll 、 2
1b、21cは反射鏡でビーム走査光路及びビーム検知
の光路を形成する。
動モータ22により回転されるポリゴンミラー23によ
り回転走査され、[−θレンズ24を経て反射鏡26に
より光路を曲げられて像担持体10の表面上に投射さ4
1輝線27を形成する。28はビーム走査開始を検出す
るためのインデックスセンυで、20.25は倒れ色補
正用のシリンドリカルレンズである。2Lll 、 2
1b、21cは反射鏡でビーム走査光路及びビーム検知
の光路を形成する。
走査が開始されるとビームがインデックスセンサ28に
よって検知され、信号【こよるビームの変調が図示省略
した変調部によって開始される。変調されIζビームは
、帯電器9にJ:り予め一様に帯電されている像担持体
10上を走査する。レーザービーム29による主走査と
像担持体10の回転による副走査によりドラム表面に潜
像が形成されてゆく。
よって検知され、信号【こよるビームの変調が図示省略
した変調部によって開始される。変調されIζビームは
、帯電器9にJ:り予め一様に帯電されている像担持体
10上を走査する。レーザービーム29による主走査と
像担持体10の回転による副走査によりドラム表面に潜
像が形成されてゆく。
また、像担持体がベル1〜状のように平面状態をとり1
qる記録装置にあっては、像露光をフラッシュ露光どす
ることもできる。
qる記録装置にあっては、像露光をフラッシュ露光どす
ることもできる。
現像器12としては第4図に示したような構jΔのもの
が好ましく用いられる。第4図において現像剤りは磁石
体3゛1が矢印F方向、スリーブ30が矢印G方向に回
転することにより矢印Gh向に搬送される。現像剤り警
ま、搬送途中で穂立規制ブレード32によりその厚さt
が規制される。穂立規制ブレード32は弾性金属板製で
スリーブ30の表面を押圧し、搬送される現象剤の厚さ
を制御する。現像剤溜り35内にtよ現象剤りの攪i′
I−が十分に行われるよう攪拌スクリュー33が設けら
れており、現ビ9剤溜り35内の現像剤りが消費された
時には、トナー供給ローラ34が回転することによりト
ナーホッパー36から1゛・ナーTが補給される。そし
て、スリーブ30に現像バイアスを印加する直流電源3
7及び保護抵抗38が直列に接続されている。また、ス
リーブ30と像担持体10とは間隔dを隔てて対向配列
され、現像領域Eで現像剤が像担持体10に対し接触し
、t>dとなっている。この際、現像は、いわゆる非接
触条件(t <d )で行ってもよい。
が好ましく用いられる。第4図において現像剤りは磁石
体3゛1が矢印F方向、スリーブ30が矢印G方向に回
転することにより矢印Gh向に搬送される。現像剤り警
ま、搬送途中で穂立規制ブレード32によりその厚さt
が規制される。穂立規制ブレード32は弾性金属板製で
スリーブ30の表面を押圧し、搬送される現象剤の厚さ
を制御する。現像剤溜り35内にtよ現象剤りの攪i′
I−が十分に行われるよう攪拌スクリュー33が設けら
れており、現ビ9剤溜り35内の現像剤りが消費された
時には、トナー供給ローラ34が回転することによりト
ナーホッパー36から1゛・ナーTが補給される。そし
て、スリーブ30に現像バイアスを印加する直流電源3
7及び保護抵抗38が直列に接続されている。また、ス
リーブ30と像担持体10とは間隔dを隔てて対向配列
され、現像領域Eで現像剤が像担持体10に対し接触し
、t>dとなっている。この際、現像は、いわゆる非接
触条件(t <d )で行ってもよい。
図は現像スリーブ30と磁石体31がそれぞれ矢印G、
F方向に回転するものであることを示しているが、現像
スリーブ30が固定であっても、磁石体31が固定であ
っても、或いは現像スリーブ30と磁石体31が同方向
に回転するようなものであってもよい。磁石体31を固
定とする場合1ま、通常、像担持体10に対向する!i
極のE41束密度合他の磁極の磁束密度よりも大きくす
るために、磁化を強くしたり、そこに同極或いは74極
の2I1711の磁極を近接させて設けたりすることが
行4つれる。
F方向に回転するものであることを示しているが、現像
スリーブ30が固定であっても、磁石体31が固定であ
っても、或いは現像スリーブ30と磁石体31が同方向
に回転するようなものであってもよい。磁石体31を固
定とする場合1ま、通常、像担持体10に対向する!i
極のE41束密度合他の磁極の磁束密度よりも大きくす
るために、磁化を強くしたり、そこに同極或いは74極
の2I1711の磁極を近接させて設けたりすることが
行4つれる。
上記した装置において、本発明の画像形成方法に基づい
て、静電潜像のIVHIが400〜900 Vとなるよ
うに帯電せしめ、かつ反転現像性のl V Hl l
Vo、l = O〜200Vとする3、促し、V匹は
像担持体10に対向する現像剤W1送1旦体としてのス
リーブ30に印+10する直流バイアス゛i七圧である
。
て、静電潜像のIVHIが400〜900 Vとなるよ
うに帯電せしめ、かつ反転現像性のl V Hl l
Vo、l = O〜200Vとする3、促し、V匹は
像担持体10に対向する現像剤W1送1旦体としてのス
リーブ30に印+10する直流バイアス゛i七圧である
。
直流バイアス電圧(こ1よ交流バイアス電圧を重畳する
ことが好ましい。この際、交流バ、rアス電圧の実効1
直は0.5−4KVが好ましく、周液数は0.1KH7
〜1〜IH2/)1好ましい。
ことが好ましい。この際、交流バ、rアス電圧の実効1
直は0.5−4KVが好ましく、周液数は0.1KH7
〜1〜IH2/)1好ましい。
以上のような記録装置にJ、って、第5図に示したよう
な本発明の画像形成方法を実施することかできる。
な本発明の画像形成方法を実施することかできる。
第5図は、象露光部が背憬部より6低電位の静電像とな
る静電像形成法によって静電像が形成され、現象が静電
像に背頃部電位と同州性に帯電Jるトナ〜が付着するこ
とによって行われる、本発明の反転現象の例を示しでい
る。
る静電像形成法によって静電像が形成され、現象が静電
像に背頃部電位と同州性に帯電Jるトナ〜が付着するこ
とによって行われる、本発明の反転現象の例を示しでい
る。
第2図の記録装置を用いた揚aの第5図の例について説
明する。
明する。
最初に、除霜器コロで除電され、クリーニング装置17
でクリーニングされて、電1ひがOとな1ている初明状
態の像担持体10の表面に、帯電器9によって一様に帯
電を茄し、その帯電面に像露光11を投影して静電像部
の電位が略Oとなる象露光を行い、得られた静電像を現
像器12(1−ナー1)1こよって現像する。
でクリーニングされて、電1ひがOとな1ている初明状
態の像担持体10の表面に、帯電器9によって一様に帯
電を茄し、その帯電面に像露光11を投影して静電像部
の電位が略Oとなる象露光を行い、得られた静電像を現
像器12(1−ナー1)1こよって現像する。
なお、本発明の感光体および画像形成方法は、ハロゲン
ランプ、タングステンランプ、LED(発光ダイオード
)、ヘリウム−ネオン、アルゴン、l\ツリウム−ドミ
ウム等の気体レーザー、半導体レーザー等の各種光源に
対し適用できる。
ランプ、タングステンランプ、LED(発光ダイオード
)、ヘリウム−ネオン、アルゴン、l\ツリウム−ドミ
ウム等の気体レーザー、半導体レーザー等の各種光源に
対し適用できる。
本発明の感光体および画像形成方法は、電子写真複写医
、プリンタ等の多種5洋の用途を右するものである。
、プリンタ等の多種5洋の用途を右するものである。
[実施例]
以下、本発明を実施例について更に詳細に説明づるが、
これにより本発明は限定されるもので(まない。
これにより本発明は限定されるもので(まない。
くキャリア発生層の塗布性の評価〉
〈実施例1・比較例1)
まず以下のようにして電荷ブロッキング層(又は下引層
)を形成した。
)を形成した。
表1に示す所定のバインダー樹脂400りを溶媒100
01(lに溶解させた溶液に表1に示り°1力質301
Jを加えてボールミルで211時間ヅナ敗ヒしめて1゛
9られた電?Iクブロッキング府(又(ユ下引凶)用塗
缶液を用い、シー11−プリンク−rLfPs−’10
PLUSJ (]ニカ社製)用アルミニウム木管(径
60m1ll)上にデイツプ塗布し、IIPIt杓2μ
mの電荷ブロッキング層(又は下引層)を形成した。
01(lに溶解させた溶液に表1に示り°1力質301
Jを加えてボールミルで211時間ヅナ敗ヒしめて1゛
9られた電?Iクブロッキング府(又(ユ下引凶)用塗
缶液を用い、シー11−プリンク−rLfPs−’10
PLUSJ (]ニカ社製)用アルミニウム木管(径
60m1ll)上にデイツプ塗布し、IIPIt杓2μ
mの電荷ブロッキング層(又は下引層)を形成した。
つぎに表1に示すキャリア発生1勿質20りをボールミ
ルにて20Orpmで15時間扮砕した後、アクリル樹
脂[グイヤナールBR−854(三菱レーヨン社製)2
09を1.2−ジクロロエタン100019に溶解せし
めた)8液を加えて更に20時間分散せしめて得られた
キレリア発生用川孕布液を前記電荷ブロッキング層(又
は下引層)上にデイツプ塗布し、キャリア発生層を形成
し、キャリア発生層の塗布性を評11IIiシた。
ルにて20Orpmで15時間扮砕した後、アクリル樹
脂[グイヤナールBR−854(三菱レーヨン社製)2
09を1.2−ジクロロエタン100019に溶解せし
めた)8液を加えて更に20時間分散せしめて得られた
キレリア発生用川孕布液を前記電荷ブロッキング層(又
は下引層)上にデイツプ塗布し、キャリア発生層を形成
し、キャリア発生層の塗布性を評11IIiシた。
キャリア発生層の塗布性の良・不良については、キャリ
ア発生層のデイツプ塗布時にCおける・鼻缶液液面の相
対的時下速度(C/S )を0.6 (cm/sec
)、1、2 (cm/sec )としてキャリア発生層
を塗イhしたときの100c、y (1di2)当りの
キャリアl’l生層の付臭を測定し、この値が相対的時
下速度1.2(cmハDC)の場合にも2mQ/ di
d2未満の場合は、塗布不良とした。またキャリア発生
層の凝集についてtまキャリア発生層の濃度ムラの有無
を目視により確認し、凝集がみられる場合、塗布不良と
じノ;。
ア発生層のデイツプ塗布時にCおける・鼻缶液液面の相
対的時下速度(C/S )を0.6 (cm/sec
)、1、2 (cm/sec )としてキャリア発生層
を塗イhしたときの100c、y (1di2)当りの
キャリアl’l生層の付臭を測定し、この値が相対的時
下速度1.2(cmハDC)の場合にも2mQ/ di
d2未満の場合は、塗布不良とした。またキャリア発生
層の凝集についてtまキャリア発生層の濃度ムラの有無
を目視により確認し、凝集がみられる場合、塗布不良と
じノ;。
結果を表1に示す。
以下余白
(α1)有機顔料rKET Red305J(大日本
インキ化学工業社製) (α2)有機顔料rKET Red309J(大日本
インキ化学工業社製) (α 3 ) 有 機 顔 f、1rKET R
ed311J(大日本インキ化学工業社製) (α4)有機顔料rKET Yellow 403
J(大日本インキ化学工業社製) (α 5)WLtllmFlrKET Yel
low4Q6J(大日本インキ化学工業社製) (α6)有機顔料r K E T Green 20
1」(大日本インキ化学工業社製) (α7)下記横道の有Ili顔料 (β) 導電性酸化チタンl’ 500WJ(6原産業
社製) (γ) カーボンブラック「モーガルし」(キャボット
社製) バインダー(X) フェノール樹1 rSK−1034 (住友シュレス相製) バインダー(Y) フェノール樹脂rSK−3J (住友シュレス社¥J) バインダー<2) フェノールtfi4脂rSK−107J(住友シュレス
?J装) バインダー(S) シリコン樹脂rKR−251J (信越化学社製)バ
インダー(T) ポリビニルブチラール[エスレックBM−2J(積水化
学工業君〒]) 溶剤(1) テ1−ラヒドロフラン(T l−I F
)CGM(1) リチウムフタロシアニン50qを0℃で600i12の
f:16jt Mに加え2時間撹拌し続けた。この溶液
を拉い焼結されたガラス濾斗で濾過し、4りの氷水の中
へ撹拌しながら徐々に注入した。生成した塊をメタノー
ルで数回洗浄し、空気中で乾燥させた後、24時間′&
続1d+出装置中でアセトン油出を行ない、空気中で乾
燥さけて金睨を含まないα型フタロシアニン化合物を1
7だ。このα型フタロシアニン化合物309を直径13
/ 16インヂのボールで半分満たされた内容1900
dの[ボールミル中に仕込み、約80 rpmで164
時間シリングして無金属フタロシアニン化合物CGM(
1)を1qた。
インキ化学工業社製) (α2)有機顔料rKET Red309J(大日本
インキ化学工業社製) (α 3 ) 有 機 顔 f、1rKET R
ed311J(大日本インキ化学工業社製) (α4)有機顔料rKET Yellow 403
J(大日本インキ化学工業社製) (α 5)WLtllmFlrKET Yel
low4Q6J(大日本インキ化学工業社製) (α6)有機顔料r K E T Green 20
1」(大日本インキ化学工業社製) (α7)下記横道の有Ili顔料 (β) 導電性酸化チタンl’ 500WJ(6原産業
社製) (γ) カーボンブラック「モーガルし」(キャボット
社製) バインダー(X) フェノール樹1 rSK−1034 (住友シュレス相製) バインダー(Y) フェノール樹脂rSK−3J (住友シュレス社¥J) バインダー<2) フェノールtfi4脂rSK−107J(住友シュレス
?J装) バインダー(S) シリコン樹脂rKR−251J (信越化学社製)バ
インダー(T) ポリビニルブチラール[エスレックBM−2J(積水化
学工業君〒]) 溶剤(1) テ1−ラヒドロフラン(T l−I F
)CGM(1) リチウムフタロシアニン50qを0℃で600i12の
f:16jt Mに加え2時間撹拌し続けた。この溶液
を拉い焼結されたガラス濾斗で濾過し、4りの氷水の中
へ撹拌しながら徐々に注入した。生成した塊をメタノー
ルで数回洗浄し、空気中で乾燥させた後、24時間′&
続1d+出装置中でアセトン油出を行ない、空気中で乾
燥さけて金睨を含まないα型フタロシアニン化合物を1
7だ。このα型フタロシアニン化合物309を直径13
/ 16インヂのボールで半分満たされた内容1900
dの[ボールミル中に仕込み、約80 rpmで164
時間シリングして無金属フタロシアニン化合物CGM(
1)を1qた。
フクロシアニン化合物cGM(1)のX線回折スペクト
ルを第8図に示した。
ルを第8図に示した。
CGM(2)
α型無金属フタロシアニン化合物(ICNI!J七ノラ
イトファーストブルGS)を、加熱したジメチルホルム
アルデヒドにより3回抽社シシて精製した。この操作に
より精製物はβ型に転移した。次に、このβ型無金属フ
タロシアニン化合物の一部分をilJ硫酸に溶解し、こ
の溶液を氷水中に注いで再沈澱させることにより、α型
に転移させlζ。この再沈澱物をアンモニア水、メタノ
ール等で洗浄後10℃で乾燥した。次に、上記により精
製したα型無金属フタロシアニン化合物な磨砕助剤及び
分散剤とともにサンドミルに入れ、温度100±20℃
で15〜25時間混練した。この操作により結晶形がτ
型に転移したのを確認後、容器より取り出し、水及びメ
タノール等で磨砕助剤及び分散剤を十分除去した後、乾
燥して、鮮明な青味を帯びたτ型無金底フタロシアニン
CGM(2)の青色結晶を得た。
イトファーストブルGS)を、加熱したジメチルホルム
アルデヒドにより3回抽社シシて精製した。この操作に
より精製物はβ型に転移した。次に、このβ型無金属フ
タロシアニン化合物の一部分をilJ硫酸に溶解し、こ
の溶液を氷水中に注いで再沈澱させることにより、α型
に転移させlζ。この再沈澱物をアンモニア水、メタノ
ール等で洗浄後10℃で乾燥した。次に、上記により精
製したα型無金属フタロシアニン化合物な磨砕助剤及び
分散剤とともにサンドミルに入れ、温度100±20℃
で15〜25時間混練した。この操作により結晶形がτ
型に転移したのを確認後、容器より取り出し、水及びメ
タノール等で磨砕助剤及び分散剤を十分除去した後、乾
燥して、鮮明な青味を帯びたτ型無金底フタロシアニン
CGM(2)の青色結晶を得た。
このフタロシアニン化合物CGM(2>のX線回折スペ
クトルを第9図に示した。
クトルを第9図に示した。
CGM(3)
α型チタニルフタロシアニン10部と磨砕助剤として食
塩5乃至20部、分散媒として(ポリエチレングリコー
ル)10部をサンドグラインターに入れ、60℃乃至1
20℃で7乃至15時間磨砕した。この場合、高温でグ
ラインダすると、β型結晶形を示し易くなり、また、分
解し易くなる。
塩5乃至20部、分散媒として(ポリエチレングリコー
ル)10部をサンドグラインターに入れ、60℃乃至1
20℃で7乃至15時間磨砕した。この場合、高温でグ
ラインダすると、β型結晶形を示し易くなり、また、分
解し易くなる。
容器より取り出し、水及びメタノールで磨砕助剤、分散
媒を取り除いた後、2%の希laM水溶液で精y1シ、
ろ過、水洗、乾燥して鮮明な緑味の青色結晶チタニルフ
タロシアニンCGM(3)を得た。
媒を取り除いた後、2%の希laM水溶液で精y1シ、
ろ過、水洗、乾燥して鮮明な緑味の青色結晶チタニルフ
タロシアニンCGM(3)を得た。
このチタニルフタロシアニンCGM(3)のX線回折ス
ペクトルを第10図に示した。
ペクトルを第10図に示した。
CGM(4)
表1に承りように、ノボラック形フェノール樹脂を含有
する電荷ブロッキング層(又はF用層)上にフタロシア
ニン化合物をキル9フ発生物質として含何するキレリア
発生層を形成Vしめた場合はいずれも塗布性良好であっ
た。これに対して、ノボラック形フェノール樹脂とフタ
ロシアニン化合物の組合せ以外の場合は塗布性不良であ
った。
する電荷ブロッキング層(又はF用層)上にフタロシア
ニン化合物をキル9フ発生物質として含何するキレリア
発生層を形成Vしめた場合はいずれも塗布性良好であっ
た。これに対して、ノボラック形フェノール樹脂とフタ
ロシアニン化合物の組合せ以外の場合は塗布性不良であ
った。
く感光体の作製〉
表1においてCGL付量が2m(1/ dm’以上確保
できた組合せのみについて感光体を作製した。電荷ブロ
ッキング層(又は下引層)及びキャリア発生層の形成方
法は前記と同じであるが、CGLの付量が2±9.1m
g/ dfになるようにC/S (デイツプ塗布時の
液面の相対的降下速度)を調節した。
できた組合せのみについて感光体を作製した。電荷ブロ
ッキング層(又は下引層)及びキャリア発生層の形成方
法は前記と同じであるが、CGLの付量が2±9.1m
g/ dfになるようにC/S (デイツプ塗布時の
液面の相対的降下速度)を調節した。
また、族1以外の組合せとして下引層中に含有物を入れ
ないものも同様に作製した。
ないものも同様に作製した。
さらに、前記キャリア発生層上に、下記I1414部5
)で示されるキャリア輸送物質100(Iとポリカーボ
ネート樹脂「ユーピOンZ−2001(三菱瓦斯化学社
製) 200Qとを1.2−ジクロロエタン1000
dに溶解して得られたキャリア輸送層用塗布液を用いて
デイツプ塗布し、温度90℃で1詩間乾燥させ、膜厚的
25μmのキャリア輸送層を形成し、本発明の感光体及
び比較用の感光体を作製し lこ 。
)で示されるキャリア輸送物質100(Iとポリカーボ
ネート樹脂「ユーピOンZ−2001(三菱瓦斯化学社
製) 200Qとを1.2−ジクロロエタン1000
dに溶解して得られたキャリア輸送層用塗布液を用いて
デイツプ塗布し、温度90℃で1詩間乾燥させ、膜厚的
25μmのキャリア輸送層を形成し、本発明の感光体及
び比較用の感光体を作製し lこ 。
ffI造式(5)
1投下、余白
〈画14+評価(1)>(実施例2・比較例2)感光体
A〜I及びa〜「 (但しg、h、iはなし)のそれぞ
れを、半導体レーザー(波長7801+ IIl、出力
2mW>を光源とするレーザープリンター[しIPs−
10PLUSJ (コニカ社製)改造機に搭載し、V
Hが一650±1o [V ]になるようにグリッド電
圧を調節した後、現像バイアスDC−500[V]+A
C1000[V] <2KHz )を印加して非接触
で反転現像し、得られた画像の白地部分の黒ポチ、網点
部分のモアレ及び黒地部分の画像濃度を評価した。
A〜I及びa〜「 (但しg、h、iはなし)のそれぞ
れを、半導体レーザー(波長7801+ IIl、出力
2mW>を光源とするレーザープリンター[しIPs−
10PLUSJ (コニカ社製)改造機に搭載し、V
Hが一650±1o [V ]になるようにグリッド電
圧を調節した後、現像バイアスDC−500[V]+A
C1000[V] <2KHz )を印加して非接触
で反転現像し、得られた画像の白地部分の黒ポチ、網点
部分のモアレ及び黒地部分の画像濃度を評価した。
黒ポチの評価は、画像解析装置[オムニコン3000形
」 (島)′l!製作PR社製)を用いて黒ポチの粒径
ど個数を測定し、φ(径)005IIlff1以上の黒
ポチがi Cff12当たり何個あるかにより判定した
。黒ポチ評価の判定基準は表3に示す通りである。
」 (島)′l!製作PR社製)を用いて黒ポチの粒径
ど個数を測定し、φ(径)005IIlff1以上の黒
ポチがi Cff12当たり何個あるかにより判定した
。黒ポチ評価の判定基準は表3に示す通りである。
以下余白゛
表 3
またモアレの評価は、黒地面積率30%の網点画酸の部
分についてモアレ発生の有無を目視で評価し、○はモア
レのないことを、×はモアレの発生を示ず。
分についてモアレ発生の有無を目視で評価し、○はモア
レのないことを、×はモアレの発生を示ず。
各感光体における画像評価の結果は表4の通りである。
I
以下余白・・
・−25,1
表 4
表4に承り通り、本発明の感光体を使用した場合、黒ポ
チ、モアレ、画像濃度とも満足のいく結果が11られた
。これに対し、比較用の感光体a〜「 (下引層中の含
有物が導電性酸化チタン又はカーボンブラック)を使用
した場合はいずれも電位がのらず画@評洒できなかった
。また比較用の感光体j〜o (CGM凝集あり〉を
使用した場合はいずれも黒ポチが発生した。ざらに比較
用の感光体p−r(下引層中の含有物なし)を使用した
場合は下引層のブロッキング効果のため黒ポチに対して
は良好な結果が得られたものの、低感磨であるため画像
濃度が極めて低く、モアレち発生した。
チ、モアレ、画像濃度とも満足のいく結果が11られた
。これに対し、比較用の感光体a〜「 (下引層中の含
有物が導電性酸化チタン又はカーボンブラック)を使用
した場合はいずれも電位がのらず画@評洒できなかった
。また比較用の感光体j〜o (CGM凝集あり〉を
使用した場合はいずれも黒ポチが発生した。ざらに比較
用の感光体p−r(下引層中の含有物なし)を使用した
場合は下引層のブロッキング効果のため黒ポチに対して
は良好な結果が得られたものの、低感磨であるため画像
濃度が極めて低く、モアレち発生した。
〈画像評1i11i (2) > (実1JlI例3)
本発明の感光体A−1を前記rLIPs−10PLLJ
SJ改造機に搭載し、10℃20%の低温低湿葭蚤境下
及び30℃80%の高温高湿度環境下でそれぞれ1万サ
イクルのロングラン試験を行なったところ、いずれの環
境下においても、黒ポチ、モアレ、カブリ等のない高濃
度の画像が安定して1qられた。
本発明の感光体A−1を前記rLIPs−10PLLJ
SJ改造機に搭載し、10℃20%の低温低湿葭蚤境下
及び30℃80%の高温高湿度環境下でそれぞれ1万サ
イクルのロングラン試験を行なったところ、いずれの環
境下においても、黒ポチ、モアレ、カブリ等のない高濃
度の画像が安定して1qられた。
なお画像形成条件は次の通りである。
グリッド電圧ニー600[V]
帯電のトータル電流:0.6mA
現像バイアス:
DC−5oO[V] +AC1000[V](2KHz
) 現像:非接触−成分磁気ブラシ現仰
) 現像:非接触−成分磁気ブラシ現仰
第1図は本発明の感光体の断面図、第2図は像形成装置
の構成概要図、第3図は像露光のためのシー11−ビー
ムスキャナの構成概要図、第4図は現像器の要部断面図
、第5図は像形成の過程を示すフローチャー1〜、第6
図は従来使用されている感光体の断面図、第7図(まモ
アレの発生原因を説明するための感光体の断面図である
。 第8図〜第10図はそれぞれフタロシアニン化合物のX
線回折スペクトル図である。 1・・・導電性基体 3・・・キャリア輸送層2・
・・キャリア発生!i!i 5・・・電荷ブロッキング
層4・・・感光層 18・・・定着器16・・
・除電器 17・・・クリーニング装置12;・
・現像器 13・・・転写前露光ランプ14・・
・転写器 9・・・帯電器10・・・像担持体
19・・・レーザー23・・・ポリゴンミラー 24・・・結像用 f−θレンズ 20.25・・・シリンドリカルレンズ29・・・レー
ザービーム 30・・・現像スリーブ
の構成概要図、第3図は像露光のためのシー11−ビー
ムスキャナの構成概要図、第4図は現像器の要部断面図
、第5図は像形成の過程を示すフローチャー1〜、第6
図は従来使用されている感光体の断面図、第7図(まモ
アレの発生原因を説明するための感光体の断面図である
。 第8図〜第10図はそれぞれフタロシアニン化合物のX
線回折スペクトル図である。 1・・・導電性基体 3・・・キャリア輸送層2・
・・キャリア発生!i!i 5・・・電荷ブロッキング
層4・・・感光層 18・・・定着器16・・
・除電器 17・・・クリーニング装置12;・
・現像器 13・・・転写前露光ランプ14・・
・転写器 9・・・帯電器10・・・像担持体
19・・・レーザー23・・・ポリゴンミラー 24・・・結像用 f−θレンズ 20.25・・・シリンドリカルレンズ29・・・レー
ザービーム 30・・・現像スリーブ
Claims (2)
- (1)有機顔料及びノボラック形フェノール樹脂を含有
する電荷ブロッキング層の上に、フタロシアニン化合物
をキャリア発生物質として含有するキャリア発生層及び
キャリア輸送層を順次設けてなることを特徴とする感光
体。 - (2)キャリア発生層の上にキャリア輸送層を設けてな
る感光層を有する感光体を使用する画像形成方法におい
て、 (a)フタロシアニン化合物がキャリア発生物質として
含有されているキャリア発生層と;このキャリア発生層
と導電性基体との間に設けられ、有機顔料及びノボラッ
ク形フェノール樹脂が含有されている電荷ブロツキング
層とを有する感光体を使用し、 (b)この感光体に帯電電位の絶対値が400V〜90
0Vである帯電を付与した後、電光により静電潜像を形
成し、次いで前記帯電電位の絶対値よりも0〜200V
低い絶対値を有する直流バイアス電圧を印加して、前記
静電潜像の反転現像を行なうことを特徴とする画像形成
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13505688A JPH01303444A (ja) | 1988-06-01 | 1988-06-01 | 感光体および画像形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13505688A JPH01303444A (ja) | 1988-06-01 | 1988-06-01 | 感光体および画像形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01303444A true JPH01303444A (ja) | 1989-12-07 |
Family
ID=15142874
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13505688A Pending JPH01303444A (ja) | 1988-06-01 | 1988-06-01 | 感光体および画像形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01303444A (ja) |
-
1988
- 1988-06-01 JP JP13505688A patent/JPH01303444A/ja active Pending
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