JPH01304692A - 薄膜ｅｌ素子 - Google Patents
薄膜ｅｌ素子Info
- Publication number
- JPH01304692A JPH01304692A JP63131699A JP13169988A JPH01304692A JP H01304692 A JPH01304692 A JP H01304692A JP 63131699 A JP63131699 A JP 63131699A JP 13169988 A JP13169988 A JP 13169988A JP H01304692 A JPH01304692 A JP H01304692A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- emitting layer
- light emitting
- light
- insulating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、薄膜ＥＬ（エレクトロ・ルミネッセンス）素
子で、特に高効率、高輝度で発光させることができる薄
膜ＥＬ素子に関するものである。
子で、特に高効率、高輝度で発光させることができる薄
膜ＥＬ素子に関するものである。
薄膜ＥＬ素子の一般的な構成は第２図に示すようになっ
ていて、透明基板１上に透明導電膜２、第１の絶縁膜３
、発光層４、第２の絶縁膜５が順次積層され、さらに透
明導電膜２と第２の絶縁膜５にそれぞれ固着した電極６
ａ、６ｂとからなっており、画電極６ａ、６ｂに強電界
を印加することにより発光層４が発光し、その光を透明
基板１側より取り出すようになっている。
ていて、透明基板１上に透明導電膜２、第１の絶縁膜３
、発光層４、第２の絶縁膜５が順次積層され、さらに透
明導電膜２と第２の絶縁膜５にそれぞれ固着した電極６
ａ、６ｂとからなっており、画電極６ａ、６ｂに強電界
を印加することにより発光層４が発光し、その光を透明
基板１側より取り出すようになっている。
この種の薄膜ＥＬ素子において発光輝度を高めるには発
光層４内の移動電荷を多くする必要があり、このための
手段として、従来は、発光層４に、高誘電率の絶縁膜を
隣接させていた。
光層４内の移動電荷を多くする必要があり、このための
手段として、従来は、発光層４に、高誘電率の絶縁膜を
隣接させていた。
一般に誘電率が高い絶縁膜は抵抗率が低いため、絶縁膜
よりリーク電流が生じやすく、発光効率が減少してしま
うという問題があった。
よりリーク電流が生じやすく、発光効率が減少してしま
うという問題があった。
本発明は上記のことにかんがみなされたもので、高効率
、高輝度で発光させることができる薄膜ＥＬ素子を提供
することを目的とするものである。
、高輝度で発光させることができる薄膜ＥＬ素子を提供
することを目的とするものである。
上記目的を達成するために、本発明に係る薄膜ＥＬ素子
は、発光層の両側に絶縁層を積層し、この両絶縁膜の外
側に電極を取付けてなる薄膜ＥＬ素子において、発光層
の少なくとも片側の絶縁膜との間にＺｎＳ、−δ（０＜
δ＜１）層を積層した構成となっている。
は、発光層の両側に絶縁層を積層し、この両絶縁膜の外
側に電極を取付けてなる薄膜ＥＬ素子において、発光層
の少なくとも片側の絶縁膜との間にＺｎＳ、−δ（０＜
δ＜１）層を積層した構成となっている。
両電極に強電界を印加すると発光層が発光するが、この
ときのリーク電流は抑制され、また発光層における移動
電荷の発生は効率がよく得られる。
ときのリーク電流は抑制され、また発光層における移動
電荷の発生は効率がよく得られる。
本発明の実施例を第１図に基づいて説明する。
なおこの実施例において、上記従来例と同一部材は同一
符号を付して説明を省略する。
符号を付して説明を省略する。
発光層４は母材をＺ ｎ Ｓ ｓ発光中心不純物をＭｎ
とした結晶薄膜、すなわちＺｎＳ：Ｍｎ薄膜にて構成し
てあり、またこの発光層４の両側に積層される第１．第
２の絶縁膜３，５はＳｉ３Ｎ４にて構成する。そしてこ
の両絶縁膜３゜５と発光層４の間にＺｎＳ、−δ（ただ
し０゛＜δ＜１）７．８を積層する。
とした結晶薄膜、すなわちＺｎＳ：Ｍｎ薄膜にて構成し
てあり、またこの発光層４の両側に積層される第１．第
２の絶縁膜３，５はＳｉ３Ｎ４にて構成する。そしてこ
の両絶縁膜３゜５と発光層４の間にＺｎＳ、−δ（ただ
し０゛＜δ＜１）７．８を積層する。
上記構成において、両電極６ａ、６ｂに強電界を印加す
ることにより発光層４が発光し、その光は透明基板１よ
り取り出される。
ることにより発光層４が発光し、その光は透明基板１よ
り取り出される。
このとき、発光層４の両側に位置する第１゜第２の絶縁
膜３，５はＳｉ３Ｎ４にて構成され、これは高抵抗、低
誘電率であることにより、この絶縁膜３，５からのリー
ク電流は抑制される。
膜３，５はＳｉ３Ｎ４にて構成され、これは高抵抗、低
誘電率であることにより、この絶縁膜３，５からのリー
ク電流は抑制される。
また発光層４の母材となるＺｎＳの一部がＺｎＳ、−δ
となることにより、発光層４における移動電荷の発生は
効率よく得られる。
となることにより、発光層４における移動電荷の発生は
効率よく得られる。
上記のことから、上記構成の薄膜ＥＬ素子は高効率、高
輝度で発光される。
輝度で発光される。
本発明の上記実施例における薄膜ＥＬ素子と従来の構成
のそれと、電圧に対する発生電荷の大きさと、電圧に対
する輝度を比較すると第３図、第４図に示すようになる
。
のそれと、電圧に対する発生電荷の大きさと、電圧に対
する輝度を比較すると第３図、第４図に示すようになる
。
その結果、本発明の実施例による薄膜ＥＬ素子は、従来
のものに対して同一電圧で発生電荷が高くなり、また輝
度も高くなった。
のものに対して同一電圧で発生電荷が高くなり、また輝
度も高くなった。
なお上記実施例ではＺｎＳ１−δ層を発光層４の両側に
積層した例を示したが、これは発光層４のどちらか一方
側に積層するようにしてもよい。この場合も両側に積層
する場合と略同様の作用効果を得ることができる。
積層した例を示したが、これは発光層４のどちらか一方
側に積層するようにしてもよい。この場合も両側に積層
する場合と略同様の作用効果を得ることができる。
本発明によれば、絶縁層３．５からのリーク電流が抑制
されると共に、発光層４における移動電荷の発生が効率
よく得られることにより、高効率、高輝度で発光させる
ことができる。
されると共に、発光層４における移動電荷の発生が効率
よく得られることにより、高効率、高輝度で発光させる
ことができる。
第１図は本発明の実施例を示す断面図、第２図は従来例
を示す断面図、第３図は電圧に対する発生電荷を示す線
図、第４図は電圧に対する輝度を示す線図である。 ３．５は絶縁層、４は発光層、６ａ、６ｂは電極、７，
８はＺｎ５ｓ−δ（０＜δ＜１）層。 出願人 株式会社 小 松 製 作 所代理人 弁
理士 米 原 正 章
を示す断面図、第３図は電圧に対する発生電荷を示す線
図、第４図は電圧に対する輝度を示す線図である。 ３．５は絶縁層、４は発光層、６ａ、６ｂは電極、７，
８はＺｎ５ｓ−δ（０＜δ＜１）層。 出願人 株式会社 小 松 製 作 所代理人 弁
理士 米 原 正 章
Claims (1)
- 発光層４の両側に絶縁層３、５を積層し、この両絶縁
層３、５の外側に電極６ａ、６ｂを取付けてなる薄膜Ｅ
Ｌ素子において、発光層４の少なくとも片側の絶縁層と
の間にＺｎＳ＿１＿−δ（０＜δ＜１）層７、８を積層
したことを特徴とする薄膜ＥＬ素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63131699A JPH01304692A (ja) | 1988-05-31 | 1988-05-31 | 薄膜ｅｌ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63131699A JPH01304692A (ja) | 1988-05-31 | 1988-05-31 | 薄膜ｅｌ素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01304692A true JPH01304692A (ja) | 1989-12-08 |
Family
ID=15064134
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63131699A Pending JPH01304692A (ja) | 1988-05-31 | 1988-05-31 | 薄膜ｅｌ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01304692A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0414397U (ja) * | 1990-05-28 | 1992-02-05 | ||
| JPH0414398U (ja) * | 1990-05-28 | 1992-02-05 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61284092A (ja) * | 1985-06-07 | 1986-12-15 | アルプス電気株式会社 | 薄膜ｅｌ表示素子 |
-
1988
- 1988-05-31 JP JP63131699A patent/JPH01304692A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61284092A (ja) * | 1985-06-07 | 1986-12-15 | アルプス電気株式会社 | 薄膜ｅｌ表示素子 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0414397U (ja) * | 1990-05-28 | 1992-02-05 | ||
| JPH0414398U (ja) * | 1990-05-28 | 1992-02-05 |
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