JPH01304733A - 半導体ウエハの洗浄装置 - Google Patents
半導体ウエハの洗浄装置Info
- Publication number
- JPH01304733A JPH01304733A JP13618588A JP13618588A JPH01304733A JP H01304733 A JPH01304733 A JP H01304733A JP 13618588 A JP13618588 A JP 13618588A JP 13618588 A JP13618588 A JP 13618588A JP H01304733 A JPH01304733 A JP H01304733A
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- Japan
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- cleaning
- semiconductor wafer
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体装置の製造工程における半導体ウェ
ハの洗浄装置に関するものである。
ハの洗浄装置に関するものである。
従来のこの種の装置としては、第3図に示すものがあっ
た。この図において、1は被洗浄物である半導体ウェハ
(以下、単にウェハという)、2はこのウェハ1を収容
するかごで、両側に溝が切ってあり、この溝でウェハ1
が保持されている。
た。この図において、1は被洗浄物である半導体ウェハ
(以下、単にウェハという)、2はこのウェハ1を収容
するかごで、両側に溝が切ってあり、この溝でウェハ1
が保持されている。
3は液槽、4はこの液槽3内に、例えば水等の洗浄液を
供給するための供給弁、5は前記液槽3の底部に設けら
れた底板で、供給された洗浄液をウェハ1の表面を流れ
るように乱れを生じさせるための多数の穴が所定の配置
で形成されている。
供給するための供給弁、5は前記液槽3の底部に設けら
れた底板で、供給された洗浄液をウェハ1の表面を流れ
るように乱れを生じさせるための多数の穴が所定の配置
で形成されている。
また、第4図は洗浄効果を向上させるために液槽3の底
部に超音波振動子10を設けた他の従来装置を示すもの
である。
部に超音波振動子10を設けた他の従来装置を示すもの
である。
次に動作について説明する。
液槽3へは、供給弁4を開けることにより水等の洗浄液
を供給するが、この洗浄液は底部5に制御されつつ常時
供給され、オーバフローしている。
を供給するが、この洗浄液は底部5に制御されつつ常時
供給され、オーバフローしている。
そこへかご2に入れたウェハ1を入れることにより、底
板5で制御された洗浄液の流れがウェハ1の表面に作用
し、ウェハ1の表面が洗浄される。
板5で制御された洗浄液の流れがウェハ1の表面に作用
し、ウェハ1の表面が洗浄される。
従来の洗浄装置は以上のように構成されているため、ウ
ェハ1の表面に流れをつける目的で洗浄液を底板5の加
減で乱さなければならず、洗浄液の入れ替わり、つまり
洗浄液の乱れの効率が悪くなっていた。また、ウェハ1
がかと2に支持されたままでかと2から離れた状態とな
らないため、かご2とウェハ1との接続部の洗浄液がそ
の部分に残留しやすい上、超音波等を掛は洗浄効果を上
げたい時にも、定在波によりウェハ1の面内の洗浄効率
に差ができるなどの問題点があった。
ェハ1の表面に流れをつける目的で洗浄液を底板5の加
減で乱さなければならず、洗浄液の入れ替わり、つまり
洗浄液の乱れの効率が悪くなっていた。また、ウェハ1
がかと2に支持されたままでかと2から離れた状態とな
らないため、かご2とウェハ1との接続部の洗浄液がそ
の部分に残留しやすい上、超音波等を掛は洗浄効果を上
げたい時にも、定在波によりウェハ1の面内の洗浄効率
に差ができるなどの問題点があった。
この発明は、上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、かごの対向溝内に支持されるクエへの支持
位置を洗浄液中で移動させて洗浄液をウェハとかごの接
触面にも速く到達させるとともに、超音波の定在波をウ
ェハに均一に当てることのできる半導体ウェハの洗浄装
置を得ることを目的とする。
れたもので、かごの対向溝内に支持されるクエへの支持
位置を洗浄液中で移動させて洗浄液をウェハとかごの接
触面にも速く到達させるとともに、超音波の定在波をウ
ェハに均一に当てることのできる半導体ウェハの洗浄装
置を得ることを目的とする。
この発明に係る半導体ウェハの洗浄装置は、液槽内の洗
浄液中に収容されたかごに、複数の半導体ウェハが所定
ピッチで並置され、下方より洗浄液が底板を介して供給
され、半導体クエへを洗浄する洗浄装置において、洗浄
液中の半導体ウェハの下部に、各半導体ウェハの下端に
当接して回転し、各半導体ウェハを回転させながら上方
へ移動せしめる回転駆動体を回転軸に非対称に設けたも
のである。
浄液中に収容されたかごに、複数の半導体ウェハが所定
ピッチで並置され、下方より洗浄液が底板を介して供給
され、半導体クエへを洗浄する洗浄装置において、洗浄
液中の半導体ウェハの下部に、各半導体ウェハの下端に
当接して回転し、各半導体ウェハを回転させながら上方
へ移動せしめる回転駆動体を回転軸に非対称に設けたも
のである。
この発明においては、回転駆動体が回転することにより
半導体ウェハがかご内でランダムに浮遊して揺らぎ、半
導体ウェハが最上位まで移動した後は、回転駆動体とは
接触せずに落下し半導体ウェハが洗浄される。
半導体ウェハがかご内でランダムに浮遊して揺らぎ、半
導体ウェハが最上位まで移動した後は、回転駆動体とは
接触せずに落下し半導体ウェハが洗浄される。
以下、この発明の一実施例を図面について説明する。
第1図はこの発明の一実施例を示す半導体ウェハの洗浄
装置の構成断面図である。この図において、第3図、第
4図と同一符号は同じものを示し、6は前記ウェハ1を
上下に浮遊回転せしめるまが玉形をしたつまり、外形を
曲面状に形成し、非対称に軸支された回転駆動体で、第
2図に拡大して示すように、この回転駆動体6には、か
ご2に並置されるウェハ1の間に位置するピッチで揺ら
ぎを発生する波形状の溝7が形成されて、回転軸8に非
対称に直結されている。9は前記回転軸8を駆動する駆
動モータである。なお、第1図の実施例における底板5
は乱流を作る必要がないのでこの底板5に形成する穴は
均等なピッチであけて良い。
装置の構成断面図である。この図において、第3図、第
4図と同一符号は同じものを示し、6は前記ウェハ1を
上下に浮遊回転せしめるまが玉形をしたつまり、外形を
曲面状に形成し、非対称に軸支された回転駆動体で、第
2図に拡大して示すように、この回転駆動体6には、か
ご2に並置されるウェハ1の間に位置するピッチで揺ら
ぎを発生する波形状の溝7が形成されて、回転軸8に非
対称に直結されている。9は前記回転軸8を駆動する駆
動モータである。なお、第1図の実施例における底板5
は乱流を作る必要がないのでこの底板5に形成する穴は
均等なピッチであけて良い。
次に動作について説明する。
液槽3は常時層流を保ちつつオーバフローし、洗浄液の
滞留を防いでいる。この液槽3に沈められたかと2に並
置されたウェハ1は、回転駆動体6の曲面に接触し、こ
の回転駆動体6の回転に従って回転する。回転駆動体6
は非対称に軸受されているから、ウェハ1はかご2の溝
中を回転に合わせ滑りながら上方へ移動し、最高位まで
移動したウェハ1はその位置からかと2の溝に案内され
て落下する。この時、回転駆動体6に形成された溝7の
揺らぎに合わせウェハ1は前後にも揺らぎ、かご2から
離れた状態になる。したがって、ウェハ1の表面は均一
に洗浄させる。
滞留を防いでいる。この液槽3に沈められたかと2に並
置されたウェハ1は、回転駆動体6の曲面に接触し、こ
の回転駆動体6の回転に従って回転する。回転駆動体6
は非対称に軸受されているから、ウェハ1はかご2の溝
中を回転に合わせ滑りながら上方へ移動し、最高位まで
移動したウェハ1はその位置からかと2の溝に案内され
て落下する。この時、回転駆動体6に形成された溝7の
揺らぎに合わせウェハ1は前後にも揺らぎ、かご2から
離れた状態になる。したがって、ウェハ1の表面は均一
に洗浄させる。
また、超音波振動子10により超音波をかける際は、ウ
ェハ1の回転により定在状の影響を防ぐことにもなる。
ェハ1の回転により定在状の影響を防ぐことにもなる。
この際、回転駆動体6の長軸を液面の174以上にする
と3倍以上の定在波の影響を完全に防ぐことができるが
、ウェハ1が液面より出ないように液槽3を深くする必
要がある。
と3倍以上の定在波の影響を完全に防ぐことができるが
、ウェハ1が液面より出ないように液槽3を深くする必
要がある。
なお、上記実施例では洗浄装置について説明したが、液
槽3が薬品の貯溜槽であってもよく、液中の薬液処理に
使用しても同様の効果がある。
槽3が薬品の貯溜槽であってもよく、液中の薬液処理に
使用しても同様の効果がある。
また、回転駆動体6に形成された溝7は必ずしも必要で
はなく、これがない場合でも洗浄効果は大きく変ること
はない。
はなく、これがない場合でも洗浄効果は大きく変ること
はない。
(発明の効果)
以上説明したように、この発明は液槽内の洗浄液中に収
容されたかごに、複数の半導体ウェハが所定ピッチで並
置され、下方より洗浄液が底板を介して供給され、半導
体クエへを洗浄する洗浄装置において、洗浄液中の半導
体ウェハの下部に、各半導体ウェハの下端に当接して回
転し、各半導体ウェハを回転させながら上方へわ動せし
める回転駆動体を回転軸に非対称に設けたもので、かご
に形成された溝によって支持されているウェハが移動す
ることにより、洗浄液が容易に廻り込み、ウェハ全体が
均一に、かつ効率よく洗浄される。
容されたかごに、複数の半導体ウェハが所定ピッチで並
置され、下方より洗浄液が底板を介して供給され、半導
体クエへを洗浄する洗浄装置において、洗浄液中の半導
体ウェハの下部に、各半導体ウェハの下端に当接して回
転し、各半導体ウェハを回転させながら上方へわ動せし
める回転駆動体を回転軸に非対称に設けたもので、かご
に形成された溝によって支持されているウェハが移動す
ることにより、洗浄液が容易に廻り込み、ウェハ全体が
均一に、かつ効率よく洗浄される。
したがって、洗浄液の使用量を減らすことができ、かつ
洗浄時間を短縮したりできる等の効果が得られる。
洗浄時間を短縮したりできる等の効果が得られる。
第1図はこの発明の一実施例を示す半導体ウェハの洗浄
装置の構成略図、第2図は、第1図の回転駆動体の詳細
をする拡大斜視図、第3図、第4図は従来の半導体ウェ
ハの洗浄装置を示す構成略図である。 図において、1は半導体ウェハ、2はかご、3は液槽、
4は供給弁、5は底板、6は回転駆動体である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 (外2名)第1図 第2図 第3図 第4図
装置の構成略図、第2図は、第1図の回転駆動体の詳細
をする拡大斜視図、第3図、第4図は従来の半導体ウェ
ハの洗浄装置を示す構成略図である。 図において、1は半導体ウェハ、2はかご、3は液槽、
4は供給弁、5は底板、6は回転駆動体である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 (外2名)第1図 第2図 第3図 第4図
Claims (1)
- 液槽内の洗浄液中に収容されたかごに、複数の半導体
ウェハが所定ピッチで並置され、下方より洗浄液が底板
を介して供給され、前記半導体ウェハを洗浄する洗浄装
置において、前記洗浄液中の半導体ウェハの下部に、前
記各半導体ウェハの下端に当接して回転し、前記各半導
体ウェハを回転させながら上方へ移動せしめる回転駆動
体を回転軸に非対称に設けたことを特徴とする半導体ウ
ェハの洗浄装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13618588A JPH01304733A (ja) | 1988-06-01 | 1988-06-01 | 半導体ウエハの洗浄装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13618588A JPH01304733A (ja) | 1988-06-01 | 1988-06-01 | 半導体ウエハの洗浄装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01304733A true JPH01304733A (ja) | 1989-12-08 |
Family
ID=15169332
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13618588A Pending JPH01304733A (ja) | 1988-06-01 | 1988-06-01 | 半導体ウエハの洗浄装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01304733A (ja) |
Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
1988
- 1988-06-01 JP JP13618588A patent/JPH01304733A/ja active Pending
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