JPH01305531A - 改良されたボンディングパッドを有する半導体装置 - Google Patents

改良されたボンディングパッドを有する半導体装置

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JPH01305531A
JPH01305531A JP63137728A JP13772888A JPH01305531A JP H01305531 A JPH01305531 A JP H01305531A JP 63137728 A JP63137728 A JP 63137728A JP 13772888 A JP13772888 A JP 13772888A JP H01305531 A JPH01305531 A JP H01305531A
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JP
Japan
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bonding pad
thickness
bonding
insulating layer
layer
Prior art date
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Pending
Application number
JP63137728A
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English (en)
Inventor
Koichi Togashi
富樫　孝市
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
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Publication of JPH01305531A publication Critical patent/JPH01305531A/ja
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    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/90—Bond pads, in general
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • H10W72/90—Bond pads, in general
    • H10W72/951—Materials of bond pads
    • H10W72/952—Materials of bond pads comprising metals or metalloids, e.g. PbSn, Ag or Cu
    • H—ELECTRICITY
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    • H10W72/90—Bond pads, in general
    • H10W72/981—Auxiliary members, e.g. spacers
    • H10W72/983—Reinforcing structures, e.g. collars

Landscapes

  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体素子とボデングパッドの構造に関し、特
にＡｐ（アルミニウム）線ワイヤーボンデンダ時にボン
デングパッド部のＡＡ　（アルミニウム）がパッド部以
外にあふれ出ることを防止するためのボンデングパッド
の構造に関する。
〔従来の技術〕
従来のボンデングパッドの構造について、第４図、第５
図を用いて説明する。半導体素子１は公知の半導体素子
製造技術により形成される。Ａβ層６は比較的電流容量
を必要とするためへρ厚膜が１．５μｍ〜２．５μｍ形
成され、ボンデング部以外を絶縁層７で覆う構造となっ
ていた。
〔発明が解決しようとする課題〕
上述した従来のボンデングパッド構造は、ボンデング部
のＡｊ２膜厚が比較的厚く、ＡＩ！線ワビワイヤーボン
デング時ンデング部がズして絶縁層部にかかるとパッド
部分以外にあふれ出し、隣接のパッドやスクライブ縁端
に達してショートする危険があるため、パッド間隔及び
パッドとスクライブ縁端までの距離を大きくしなければ
ならないという欠点がある。
〔発明の従来技術に対する相違点〕
上述した従来のボンデングパッド構造に対し、本発明は
Ａｊ２線ワイヤーボンデンダ時にパッド部のＡｆｆｌが
パッド部分以外にあふれ出ないという相違点を有する。
〔課題を解決するための手段〕
本発明のボンデングパッドの構造は、ボンデングパッド
の少なくとも３辺お周辺部のＡｌ膜厚をボンデングパッ
ド部の他の部分より薄く形成することを有している。
〔実施例〕
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例の正面図であり、第２図は第
１図の縦断面図である。第１図及び第２図において、半
導体素子１は公知の半導体技術によって形成されている
。第１Ａｐ層２は蒸着、スパッタ法等により０．８μｍ
〜１．３μｍの厚さで形成される。第１絶縁層３は５ｉ
０２．Ｐ　　ＳｉＮ膜で約０．５μｍ〜１０μｍの厚さ
で形成される。
第２ＡＡ層４は第１Ａｌ層２と同様に同程度の膜厚で形
成される。第２絶縁層５は第１絶縁層３と同様の方法で
約１．０μｍ〜１．５μｍの膜厚でボンデングパッド部
以外を反覆する。
第３図は本発明の実施例２の正面図である。第１の絶縁
層３は隣接のパッド側とスクライブ縁端を覆うだけで内
部配線側は反覆しないようにする。
この実施例では内部配線側に第１の絶縁層を設けないた
め、ボンデング時が平坦でありボンデング性が向上する
とともにポンチングパッドの縮少化が図れる利点がある
。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明は、半導体素子のボンデング
パッドの周辺部をボンデングパッドの他の部分よりＡｆ
ｌ膜厚を薄く形成することにより、ボンデング時にボン
デングパッドのＡｌがボンデングパッド以外にあふれ出
すことを防止できるため、パッドとパッドの間隔及びパ
ッドとスクライブ縁端間の距離を小さくできる効果があ
る。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明のボンデングパッドの構造の実施例１を
説明するための正面図、第２図は第１図の縦断面図、第
３図は実施例２を説明するための正面図、第４図は従来
のポンチングパッドの構造を説明するための正面図、第
５図は第４図の縦断面図である。 １・・・・・・半導体素子、２・・・・・・第１Ａβ層
、３・・・・・・第１絶縁層、４・・・・・・第２Ａ、
ｆ２層、訃・・・・・第２絶縁層、６・・・・・・Ａ４
層、７・・・・・・絶縁層。 代理人　弁理士　　内　原　　　晋

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 　半導体素子のボンデングパッドの構造において、ボン
    デングパッドの少なくとも３辺の周辺部のＡｌ膜厚をボ
    ンデングパッド部の他の部分より薄く形成したボンデン
    グパッドを有する半導体装置。
JP63137728A 1988-06-03 1988-06-03 改良されたボンディングパッドを有する半導体装置 Pending JPH01305531A (ja)

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