JPH01305554A - Ic実装装置 - Google Patents
Ic実装装置Info
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- JPH01305554A JPH01305554A JP63136856A JP13685688A JPH01305554A JP H01305554 A JPH01305554 A JP H01305554A JP 63136856 A JP63136856 A JP 63136856A JP 13685688 A JP13685688 A JP 13685688A JP H01305554 A JPH01305554 A JP H01305554A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chip
- connection terminals
- circuit board
- chips
- unit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/754—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
Landscapes
- Credit Cards Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はメモリカードのような複数の多端子ICチップ
を有するIC実装装置に関する。
を有するIC実装装置に関する。
近年ROM、RAM等の半導体メモリが高容積化された
ことに伴い、これら半導体メモリ用のICチップを一枚
の基板に多数個実装したメモリカードが製造され、ゲー
ム用やプロセス管理用等の広い応用分野で使用されてい
る。
ことに伴い、これら半導体メモリ用のICチップを一枚
の基板に多数個実装したメモリカードが製造され、ゲー
ム用やプロセス管理用等の広い応用分野で使用されてい
る。
都
しかるに上¥半導体メモリ用のICチップは、30〜5
0個の接続端子を有し、しかもこれらの接続端子は、チ
ップエネーブル端子等の一部個別端子以外はデータバス
端子やコントロールバス端子等の共通接続端子であり、
狭い基板上に於いてこれらの共通接続端子及び個別接続
端子の接続配線が問題となっていた。
0個の接続端子を有し、しかもこれらの接続端子は、チ
ップエネーブル端子等の一部個別端子以外はデータバス
端子やコントロールバス端子等の共通接続端子であり、
狭い基板上に於いてこれらの共通接続端子及び個別接続
端子の接続配線が問題となっていた。
以下図面により従来の配線構造を説明する。
第8図は従来のメモリカードの平面図、第9図は■dチ
ップ間の接続配線を示す部分平面図、第10図は部分断
面図である。メモリカード5を構成する基板50は第1
0図に示すごとく両面配線基板であり、上面側50aに
はΔ1〜A2oで示す20個のICチップが接着される
とともに、実線で示す上面パターンa、黒丸で示すボン
デングパターンn、白丸で示すスルーホールI’11が
設けられ、又下面側501〕には、点線で示す下面パタ
ーン1〕が設けられるとともにスルーホールmによって
上面側50aに接続されている。
ップ間の接続配線を示す部分平面図、第10図は部分断
面図である。メモリカード5を構成する基板50は第1
0図に示すごとく両面配線基板であり、上面側50aに
はΔ1〜A2oで示す20個のICチップが接着される
とともに、実線で示す上面パターンa、黒丸で示すボン
デングパターンn、白丸で示すスルーホールI’11が
設けられ、又下面側501〕には、点線で示す下面パタ
ーン1〕が設けられるとともにスルーホールmによって
上面側50aに接続されている。
第9図に示すごとく各ICチップ八へ4角形状を有し、
1つの対向辺部C及びdには各20個の接続端子が設け
られ、他の対向辺部e及びfには接続端子が設けられて
いない。そして前記辺部Cに設げられた接続端子は、す
べて共通接続端子であり、又辺部dに設けられた接続端
子はチップエネーブル端子1個を除いて他の19個は共
通接続端子である。
1つの対向辺部C及びdには各20個の接続端子が設け
られ、他の対向辺部e及びfには接続端子が設けられて
いない。そして前記辺部Cに設げられた接続端子は、す
べて共通接続端子であり、又辺部dに設けられた接続端
子はチップエネーブル端子1個を除いて他の19個は共
通接続端子である。
」二記各ICチップ同志の接続配線をICチップA1、
A2、A3について説明する。
A2、A3について説明する。
第9図に示ずごと<ICチップ八への辺部C2に設けら
れた20個の接続端子を各ボンデングパターンn2に、
又辺部d2に設けられた20個の接続端子を各スルーホ
ールm2にそれぞれワイヤーポンチングにより接続する
。同様にしてICチップA、についても辺部c3の接続
端子を各ボンデングパターンn3、辺部d3の接続端子
を各スルーホールm3にワイヤーボンデングする。
れた20個の接続端子を各ボンデングパターンn2に、
又辺部d2に設けられた20個の接続端子を各スルーホ
ールm2にそれぞれワイヤーポンチングにより接続する
。同様にしてICチップA、についても辺部c3の接続
端子を各ボンデングパターンn3、辺部d3の接続端子
を各スルーホールm3にワイヤーボンデングする。
この結果、ICチップA2の接続端子が接続されたボン
デングパターンn2の半分(10個)は、前記スルーホ
ールm2を避けてICチップA2の左側に配設された1
0本の上面パターンa、によって前記ICチップ八への
共通接続端子が接続されている各ボンデングパターンn
3に接続され、又残りのボンデングパターンn2はIC
チップA2の右側に配設された10本の上面パターンa
2によってICチップA3の対応するボンデングパター
ンに接続される。
デングパターンn2の半分(10個)は、前記スルーホ
ールm2を避けてICチップA2の左側に配設された1
0本の上面パターンa、によって前記ICチップ八への
共通接続端子が接続されている各ボンデングパターンn
3に接続され、又残りのボンデングパターンn2はIC
チップA2の右側に配設された10本の上面パターンa
2によってICチップA3の対応するボンデングパター
ンに接続される。
さらにICチップA2の接続端子が接続されたスルーホ
ールm2は基板50の下面側に配設された下面パターン
bにより直接ICチップA3のスルーホールm3に接続
される。
ールm2は基板50の下面側に配設された下面パターン
bにより直接ICチップA3のスルーホールm3に接続
される。
すなわち上記構成はICチップを接着した上面側50a
でICチップの1辺に設けられた接続端子同志の接続を
行い、ICチップの存在しない下面側50bで、他の1
辺に設けられた接続端子同志の接続を行うとともに、個
別接続端子の引回し配線を行うようにしている。
でICチップの1辺に設けられた接続端子同志の接続を
行い、ICチップの存在しない下面側50bで、他の1
辺に設けられた接続端子同志の接続を行うとともに、個
別接続端子の引回し配線を行うようにしている。
以上が各ICチップ間の接続構造であり、次に第8図に
より全体の接続構造を説明する。
より全体の接続構造を説明する。
すなわち20個のICチップA1〜N、。を基板50の
矢印Bで示す配列方向に4列配置して接着する。このと
き各ICチップの向きを矢印で示すごとく1列ごとに逆
向きとしておくことにより、各列間に渡るICチップ間
の接続が交叉することなく平面的に行うことが可能とな
る。
矢印Bで示す配列方向に4列配置して接着する。このと
き各ICチップの向きを矢印で示すごとく1列ごとに逆
向きとしておくことにより、各列間に渡るICチップ間
の接続が交叉することなく平面的に行うことが可能とな
る。
上記のごと〈従来のメモリカードに於いては、−枚の回
路基板上に多数のICチップを直接実装しているため共
通接続端子間の配線は回路基板の上下面に分散させる必
要がある。この結果面路基板には多数のスルーホールと
高密度配線パターンが必要となり、製造コストの高いス
ルーホール工程によるコストアンプと、高密度配線パタ
ーンに対するICチップの高密度実装による歩留り低下
等の問題がある。
路基板上に多数のICチップを直接実装しているため共
通接続端子間の配線は回路基板の上下面に分散させる必
要がある。この結果面路基板には多数のスルーホールと
高密度配線パターンが必要となり、製造コストの高いス
ルーホール工程によるコストアンプと、高密度配線パタ
ーンに対するICチップの高密度実装による歩留り低下
等の問題がある。
又片面プリント基板を使用して共通接続端子間の接続を
ずべてICチノゾ接着面にて行うことも可能だが、この
場合にはICチップの両側にかなり広い配線スペースを
必要とするためICチップ間の距離を充分広くして配列
する必要があり、この結果1枚のカードに実装出来るI
Cチップの数が制限されるという問題が生ずる。
ずべてICチノゾ接着面にて行うことも可能だが、この
場合にはICチップの両側にかなり広い配線スペースを
必要とするためICチップ間の距離を充分広くして配列
する必要があり、この結果1枚のカードに実装出来るI
Cチップの数が制限されるという問題が生ずる。
本発明の目的は上記問題点を解決し、コストが安く、信
頼性があり、かつ実装密度の高いIC実装装置を提供す
ることにある。
頼性があり、かつ実装密度の高いIC実装装置を提供す
ることにある。
上記目的を達成するための本発明に於ける構成は、複数
の共通接続端子を有するメモリ用ICチップを外部接続
端子を有する回路基板上に多数個実装し、各ICチップ
の共通接続端子を前記回路基板の外部接続端子に接続し
てなるIC実装装置に於いて、前記多数のICチップを
複数のグループに分け、各グループを構成する複数のI
Cチップをユニット接続端子の配列位置が異なる2種類
の補助基板上に実装して2種類のチップユニットを構成
するとともに、前記回路基板の上面及び裏面にはスルー
ホールで接続された同一形状のボンデングパターン群を
設け、前記上面及び裏面の各ボンデングパターン群には
、各々種類の異なるチップユニット同志を実装してなる
ことを特徴とする。
の共通接続端子を有するメモリ用ICチップを外部接続
端子を有する回路基板上に多数個実装し、各ICチップ
の共通接続端子を前記回路基板の外部接続端子に接続し
てなるIC実装装置に於いて、前記多数のICチップを
複数のグループに分け、各グループを構成する複数のI
Cチップをユニット接続端子の配列位置が異なる2種類
の補助基板上に実装して2種類のチップユニットを構成
するとともに、前記回路基板の上面及び裏面にはスルー
ホールで接続された同一形状のボンデングパターン群を
設け、前記上面及び裏面の各ボンデングパターン群には
、各々種類の異なるチップユニット同志を実装してなる
ことを特徴とする。
以下図面により本発明の実施例を詳述する。
第1図は本発明の1実施例であるメモリカートの平面図
、第2図は第1図のX−X断面図であり、メモリカード
10を構成する回路基板1には電源装置を収納するため
の切欠部1aとメモリ実装部11〕とデコーダ実装部1
cとが設けられ、又前記メモリ実装部11)の端部には
複数の外部接続端子Tが設けられている。そして前記回
路基板1のメモリ実装部1bには、後述する4個のチッ
プユニットBl、B2.133、B4が整列配設される
とともに、その周囲には複数のチップ部品が配設されて
いる。又デコーダ実装部1cにはデコーダIC2や、コ
ンデンサ6等の各エレメントが実装されている。
、第2図は第1図のX−X断面図であり、メモリカード
10を構成する回路基板1には電源装置を収納するため
の切欠部1aとメモリ実装部11〕とデコーダ実装部1
cとが設けられ、又前記メモリ実装部11)の端部には
複数の外部接続端子Tが設けられている。そして前記回
路基板1のメモリ実装部1bには、後述する4個のチッ
プユニットBl、B2.133、B4が整列配設される
とともに、その周囲には複数のチップ部品が配設されて
いる。又デコーダ実装部1cにはデコーダIC2や、コ
ンデンサ6等の各エレメントが実装されている。
又第2図に示すごとく回路基板1の裏面側のメモリ実装
部11)′にば4個のチップユニットB5、B6.13
7、B8が整列配設されている。
部11)′にば4個のチップユニットB5、B6.13
7、B8が整列配設されている。
第3図及び第4図は第1図に示すチップユニットIB1
〜B4を構成する第]チノプユニッ)Bの平面図及び断
面図であり、チップユニットBは補助基板4上に4個の
メモリ用のiCCチップ1〜D4を1グループとして実
装し、封止樹脂乙により封止したものである。そして前
記補助基板4の長辺方向の一辺には複数のユニット接続
端子tが1、〜t4の4ブロツクに分けて設けられてお
り、このユニット接続端子tの各ブロックt1〜t4に
は前記4個のICチップ])、−B4(本実施例の各1
. Cチップは28個の共通接続端子と1個のチップエ
ネーブル端子を有する)の各共通接続端子どうしが補助
基板4の共通接続パターンによって共通接続された後に
接続されており、又各ブロックには各ICチップD1〜
D4のチップエネーブル端部な接続するだめのチップエ
ネーブル接続端子te(以後CE接続端子と略記する)
が設けられている。
〜B4を構成する第]チノプユニッ)Bの平面図及び断
面図であり、チップユニットBは補助基板4上に4個の
メモリ用のiCCチップ1〜D4を1グループとして実
装し、封止樹脂乙により封止したものである。そして前
記補助基板4の長辺方向の一辺には複数のユニット接続
端子tが1、〜t4の4ブロツクに分けて設けられてお
り、このユニット接続端子tの各ブロックt1〜t4に
は前記4個のICチップ])、−B4(本実施例の各1
. Cチップは28個の共通接続端子と1個のチップエ
ネーブル端子を有する)の各共通接続端子どうしが補助
基板4の共通接続パターンによって共通接続された後に
接続されており、又各ブロックには各ICチップD1〜
D4のチップエネーブル端部な接続するだめのチップエ
ネーブル接続端子te(以後CE接続端子と略記する)
が設けられている。
すなわち第1チツプユニツトBのユニット接続端子tの
数は共通接続端子28個と各ICチップD、〜D4に1
個づつ設けれらたエネーブル端子4個とを合計した32
個の端子数を有し、この32個の端子が各ブロックt1
〜t4に8個づつ分けられている。
数は共通接続端子28個と各ICチップD、〜D4に1
個づつ設けれらたエネーブル端子4個とを合計した32
個の端子数を有し、この32個の端子が各ブロックt1
〜t4に8個づつ分けられている。
第5図は第2図に示す各チップユニットB5、B、 、
B7、B8を構成する第2チップユニットB′の平面図
である。前記第2チツプユニツトB′は第3図に示す第
1チップユニットBと基本的構成は同じだが、そのユニ
ット接続端子tの配列が異なるものである。
B7、B8を構成する第2チップユニットB′の平面図
である。前記第2チツプユニツトB′は第3図に示す第
1チップユニットBと基本的構成は同じだが、そのユニ
ット接続端子tの配列が異なるものである。
すなわち前記2種類のチップユニットB、B′はユニッ
ト接続端子tの各ブロック11〜t4の配列か逆向きに
なるとともに、各ブロック内に於ける端子配列も逆向き
となっている。
ト接続端子tの各ブロック11〜t4の配列か逆向きに
なるとともに、各ブロック内に於ける端子配列も逆向き
となっている。
第6図及び第7図は第1図に示す回路基板1の上面図及
び裏面図であり、各々配線パターンを示すものである。
び裏面図であり、各々配線パターンを示すものである。
第6図に示すごとく回路基板1の上面のメモリ実装部1
1〕には一点鎖線で示すごとくチップユニットB4、B
2、B3、B4が整列配置されたときの各ユニット接続
端子tの位置に対応してボンデングパターンPが形成さ
れるとともに、各チップユニットごとの共通するボンデ
ングパターンPと、そのボンデングパターンPに対応す
る外部接続端子Tとが配線パターンによって共通接続さ
れている。
1〕には一点鎖線で示すごとくチップユニットB4、B
2、B3、B4が整列配置されたときの各ユニット接続
端子tの位置に対応してボンデングパターンPが形成さ
れるとともに、各チップユニットごとの共通するボンデ
ングパターンPと、そのボンデングパターンPに対応す
る外部接続端子Tとが配線パターンによって共通接続さ
れている。
又デコーダ実装部1cには一点鎖線で示すごとくデコー
ダIC2が実装されており、該デコーダIC2には前記
ポンチングパターンPの各チップエネーブル・ボンデン
グパターンP e (以後CEボンデングパターンと略
記する)が接続されている。
ダIC2が実装されており、該デコーダIC2には前記
ポンチングパターンPの各チップエネーブル・ボンデン
グパターンP e (以後CEボンデングパターンと略
記する)が接続されている。
又第7図に示すごとく回路基板1の裏面のメモリ実装部
11〕′にも一点鎖線で示すごとくチノブユニノl−B
、 、B6、B7、B8が整列配置されたときの各ユニ
ット接続端子tの位置に対応してボンデングパターン■
)が形成されるとともに、上面のメモリ実装部11〕と
同様に各チップユニットごとの共通ずるボンデングパタ
ーンPと、そのボンデングパターンP K対応する外部
接続端子′J゛とが配線パターンによって共通接続され
ている。そしてさらに上面の外部接続端子ゴと裏面の外
部接続端子Tとが各々スルーホールPdによって接続さ
れることにより上面と裏面との各チノブユニノI・ごと
の共通ずるボンデングパターンPはすべて共通接続され
ている。
11〕′にも一点鎖線で示すごとくチノブユニノl−B
、 、B6、B7、B8が整列配置されたときの各ユニ
ット接続端子tの位置に対応してボンデングパターン■
)が形成されるとともに、上面のメモリ実装部11〕と
同様に各チップユニットごとの共通ずるボンデングパタ
ーンPと、そのボンデングパターンP K対応する外部
接続端子′J゛とが配線パターンによって共通接続され
ている。そしてさらに上面の外部接続端子ゴと裏面の外
部接続端子Tとが各々スルーホールPdによって接続さ
れることにより上面と裏面との各チノブユニノI・ごと
の共通ずるボンデングパターンPはすべて共通接続され
ている。
すなわち回路基板1の上面及び裏面のメモリ実装部11
〕、1 b’に於ける配線パターンは、前記ボンデング
パターンPと、外部接続端子Tとがいずれも表裏対応し
た位置に設けられているが、その配列順序は逆向きとな
っている。
〕、1 b’に於ける配線パターンは、前記ボンデング
パターンPと、外部接続端子Tとがいずれも表裏対応し
た位置に設けられているが、その配列順序は逆向きとな
っている。
又デコーダ実装部1c′の前記デコーダIC2の裏面パ
ターンには各CEボンデングパターンPeか接続され、
さらに夕1部接続端子′1゛oに接続されて(・る。
ターンには各CEボンデングパターンPeか接続され、
さらに夕1部接続端子′1゛oに接続されて(・る。
次にメモリ実装部11〕及び11〕′に於けるチノブユ
ニノl□の実装及び接続配線を説明する。
ニノl□の実装及び接続配線を説明する。
第6図に於いて一点鎖線で示す位置に前記チンブユニノ
l−T3、〜134す矢印で示す方向をユニット接続端
子として載置する。この結果各チップユニットB1〜B
4の各ユニット接続端子t 、、t2、”3、’4’は
、それぞれ回路基板1上のポンチングパターンPI 、
P2 、P3 、P4 に位置決めされており、この状
態で半田イ」を行うことにより第1図の実装状態となる
。
l−T3、〜134す矢印で示す方向をユニット接続端
子として載置する。この結果各チップユニットB1〜B
4の各ユニット接続端子t 、、t2、”3、’4’は
、それぞれ回路基板1上のポンチングパターンPI 、
P2 、P3 、P4 に位置決めされており、この状
態で半田イ」を行うことにより第1図の実装状態となる
。
この結果ポンチングパターンの各ブロックごとに設けら
れてし・るCEポンチングパターン1? c Kはチン
ブユニノ) B、−B4のユニット接続端子の各ブロッ
クごとに設けられているC E接続端子teが、それぞ
れ半田イ\1される。又CEポンチングパターンPeを
除いた各ボンデングパターンP1、■)2、Pl、P4
は前記のごとくそれぞれ対応する外部接続端子の各ブロ
ックT、、T、、、T3、T4に接続されている。
れてし・るCEポンチングパターン1? c Kはチン
ブユニノ) B、−B4のユニット接続端子の各ブロッ
クごとに設けられているC E接続端子teが、それぞ
れ半田イ\1される。又CEポンチングパターンPeを
除いた各ボンデングパターンP1、■)2、Pl、P4
は前記のごとくそれぞれ対応する外部接続端子の各ブロ
ックT、、T、、、T3、T4に接続されている。
」1記のごとく実装されることにより、各チップユニッ
トの共通するユニット接続端子どうしは配線パターンに
よって直線的に接続が行われ、かつボンデングパターン
P1、P2、Pl、P4と外部接続端子T1、T2、T
3、T4との配列順序を一致させることにより、交叉配
線のない平面接続を可能としている。
トの共通するユニット接続端子どうしは配線パターンに
よって直線的に接続が行われ、かつボンデングパターン
P1、P2、Pl、P4と外部接続端子T1、T2、T
3、T4との配列順序を一致させることにより、交叉配
線のない平面接続を可能としている。
次に裏面の実装について説明する。
第7図に於いて一点鎖線で示す位置に前記チップユニッ
トB、、〜B8を矢印で示す方向をユニット接続端子と
して載置する。この結果各チンブユニソト85〜B、の
各ユニット接続端子II、t2、t3、t4は、それぞ
れ回路基板1上のボンデングパターンP1、P2、P3
、P4に位置決めされており、この状態で半田伺を行う
ことにより第2図の実装状態となる。
トB、、〜B8を矢印で示す方向をユニット接続端子と
して載置する。この結果各チンブユニソト85〜B、の
各ユニット接続端子II、t2、t3、t4は、それぞ
れ回路基板1上のボンデングパターンP1、P2、P3
、P4に位置決めされており、この状態で半田伺を行う
ことにより第2図の実装状態となる。
この結果上面の実装と同様にボンデングパターンの各ブ
ロックごとに設けられているCEボンデングパターンP
cにはチップユニットB5〜B、のニー
ニット接続端子の各ブロックごとに設けられているCE
接続端子teが、それぞれ半田付される。又CEボンデ
ングパターンI〕eを除いた各ボンデングパターンP+
、I〕2 、P3、P4は前記のごとくそれぞれ対応
する外部接続端子の各ブロックT、 、’l’2、’J
’3、T4に接続されている。
ロックごとに設けられているCEボンデングパターンP
cにはチップユニットB5〜B、のニー
ニット接続端子の各ブロックごとに設けられているCE
接続端子teが、それぞれ半田付される。又CEボンデ
ングパターンI〕eを除いた各ボンデングパターンP+
、I〕2 、P3、P4は前記のごとくそれぞれ対応
する外部接続端子の各ブロックT、 、’l’2、’J
’3、T4に接続されている。
すなわち回路基板1の上面及び裏面に於ける各ボンデン
グパターンPは直接スルーホールPdKよって接続され
ることにより、その配列順序が逆向きとなっている。し
かし第3図及び第5図に示すごとく、チソブユニッl−
B及びB′のユニット接続端子1の配列順序も逆向きと
なっているため、前記第6図及び第7図に矢印で示すご
とく、各チップユニットB1〜B4 とB5〜B8 と
を同じ方向に載置することによって正しい接続となる。
グパターンPは直接スルーホールPdKよって接続され
ることにより、その配列順序が逆向きとなっている。し
かし第3図及び第5図に示すごとく、チソブユニッl−
B及びB′のユニット接続端子1の配列順序も逆向きと
なっているため、前記第6図及び第7図に矢印で示すご
とく、各チップユニットB1〜B4 とB5〜B8 と
を同じ方向に載置することによって正しい接続となる。
又前記CE接続端子teはすべてECボンデングパター
ンPcを介して配線パターンによりデコーダ王C2に接
続されている。さらにデコーダiC2には外部接続端子
Toを介してデコーダ制御信号が供給されることにより
前記各チップユニットに実装されたI Cチ、ノブのエ
ネーブル制徊1を行う。
ンPcを介して配線パターンによりデコーダ王C2に接
続されている。さらにデコーダiC2には外部接続端子
Toを介してデコーダ制御信号が供給されることにより
前記各チップユニットに実装されたI Cチ、ノブのエ
ネーブル制徊1を行う。
上記のごとく複数の■Cチア・ブを小ハリパッケージす
るチップユニット構4iどしたことにより、回路基板1
上に於ける配線密度を下げることが可能となる。
るチップユニット構4iどしたことにより、回路基板1
上に於ける配線密度を下げることが可能となる。
又回路基板1の上面と裏面とに同一配線パターンを形成
し、かつ対応1゛るパターン[bJ志を一連のスルーホ
ールによって連結するとともに、ユニット接続端子を逆
向きとした2種類チノブユニノi・を回路基板10両面
に実装することにより、その実装密度は著し、く向上す
る。っ 又前記チップユニットのユニット接続端子tと回路基板
1の外部接続端子Tとの配列順序を回路基板の両面にお
いて一致させることにより配線パターンの平面化及び直
線化を実現し、かつ半田伺を容易にしている。
し、かつ対応1゛るパターン[bJ志を一連のスルーホ
ールによって連結するとともに、ユニット接続端子を逆
向きとした2種類チノブユニノi・を回路基板10両面
に実装することにより、その実装密度は著し、く向上す
る。っ 又前記チップユニットのユニット接続端子tと回路基板
1の外部接続端子Tとの配列順序を回路基板の両面にお
いて一致させることにより配線パターンの平面化及び直
線化を実現し、かつ半田伺を容易にしている。
さらにチップユニット単位での信頼性チエツクを行うこ
とにより、回路基板1上−\の実装歩留りを大巾に向上
させることが出来るため、従来のICチップ独立実装で
の高密度配線、多数ボンデングに伴う総合歩留の悪さを
改善することが出来た。
とにより、回路基板1上−\の実装歩留りを大巾に向上
させることが出来るため、従来のICチップ独立実装で
の高密度配線、多数ボンデングに伴う総合歩留の悪さを
改善することが出来た。
上記のごとく本発明によれば、回路基板の両面に同一パ
ターンを形成し、複数のICチップを実装した2種類の
チップユニットを回路基板の両面に整列配置することに
より回路基板上の配線及び接続密度を下げることによる
IC実装密度の向上と、ユニット管理による信頼性の向
上を同時に達成することが可能となり、IC実装装置の
商品力向上に犬なる効果を有する。
ターンを形成し、複数のICチップを実装した2種類の
チップユニットを回路基板の両面に整列配置することに
より回路基板上の配線及び接続密度を下げることによる
IC実装密度の向上と、ユニット管理による信頼性の向
上を同時に達成することが可能となり、IC実装装置の
商品力向上に犬なる効果を有する。
第1図、第2図は本発明のメモリカードの平面図及UX
−X断面図、第3図及び第5図は本発明のチップユニッ
トの平面図、第4図は第3図の断面図、第6図及び第7
図は本発明の回路基板の上面図及び裏面図、第8図は従
来のメモリカー1・の平面図、第9図及び第10図は従
来のメモリカードの部分平面図及び部分断面図である。 1・ 回路基板、 10 ・・・メモリカート、 B、〜B8 ・・・・チノプユニノ]・、D、〜D4
・・・・・ICチップ。 特許出願人 シチズン時計株式会社
−X断面図、第3図及び第5図は本発明のチップユニッ
トの平面図、第4図は第3図の断面図、第6図及び第7
図は本発明の回路基板の上面図及び裏面図、第8図は従
来のメモリカー1・の平面図、第9図及び第10図は従
来のメモリカードの部分平面図及び部分断面図である。 1・ 回路基板、 10 ・・・メモリカート、 B、〜B8 ・・・・チノプユニノ]・、D、〜D4
・・・・・ICチップ。 特許出願人 シチズン時計株式会社
Claims (1)
- 複数の共通接続端子を有するメモリ用ICチップを外
部接続端子を有する回路基板上に多数個実装し、各IC
チップの共通接続端子を前記回路基板の外部接続端子に
接続してなるIC実装装置に於いて、前記多数のICチ
ップを複数のグループに分け、各グループを構成する複
数のICチップをユニット接続端子の配列位置が異なる
2種類の補助基板上に実装して2種類のチップユニット
を構成するとともに、前記回路基板の上面及び裏面には
スルーホールで接続された同一形状のボンデングパター
ン群を設け、前記上面及び裏面の各ボンデングパターン
群には、各々種類の異なるチップユニット同志を実装し
てなることを特徴とするIC実装装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63136856A JPH01305554A (ja) | 1988-06-03 | 1988-06-03 | Ic実装装置 |
| EP88308502A EP0339154B1 (en) | 1988-04-26 | 1988-09-14 | Memory card |
| DE3852131T DE3852131T2 (de) | 1988-04-26 | 1988-09-14 | Speicherkarte. |
| US07/244,794 US4942453A (en) | 1988-04-26 | 1988-09-15 | IC package |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63136856A JPH01305554A (ja) | 1988-06-03 | 1988-06-03 | Ic実装装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01305554A true JPH01305554A (ja) | 1989-12-08 |
Family
ID=15185111
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63136856A Pending JPH01305554A (ja) | 1988-04-26 | 1988-06-03 | Ic実装装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01305554A (ja) |
-
1988
- 1988-06-03 JP JP63136856A patent/JPH01305554A/ja active Pending
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