JPH01305816A - 高温超伝導体 - Google Patents
高温超伝導体Info
- Publication number
- JPH01305816A JPH01305816A JP63134909A JP13490988A JPH01305816A JP H01305816 A JPH01305816 A JP H01305816A JP 63134909 A JP63134909 A JP 63134909A JP 13490988 A JP13490988 A JP 13490988A JP H01305816 A JPH01305816 A JP H01305816A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- superconductor
- temperature
- temperature superconductor
- present
- toxicity
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/08—Oxides
- C23C14/087—Oxides of copper or solid solutions thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/45—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on copper oxide or solid solutions thereof with other oxides
- C04B35/4512—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on copper oxide or solid solutions thereof with other oxides containing thallium oxide
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/01—Manufacture or treatment
- H10N60/0268—Manufacture or treatment of devices comprising copper oxide
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/01—Manufacture or treatment
- H10N60/0268—Manufacture or treatment of devices comprising copper oxide
- H10N60/0296—Processes for depositing or forming copper oxide superconductor layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/01—Manufacture or treatment
- H10N60/0268—Manufacture or treatment of devices comprising copper oxide
- H10N60/0296—Processes for depositing or forming copper oxide superconductor layers
- H10N60/0408—Processes for depositing or forming copper oxide superconductor layers by sputtering
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/01—Manufacture or treatment
- H10N60/0268—Manufacture or treatment of devices comprising copper oxide
- H10N60/0296—Processes for depositing or forming copper oxide superconductor layers
- H10N60/0436—Processes for depositing or forming copper oxide superconductor layers by chemical vapour deposition [CVD]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/80—Constructional details
- H10N60/85—Superconducting active materials
- H10N60/855—Ceramic superconductors
- H10N60/857—Ceramic superconductors comprising copper oxide
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は高温超伝導体に関し、特に液体窒素温度以上で
使用することができるTit jn、Ga、Sbおよび
Bi系超超伝導体関する。
使用することができるTit jn、Ga、Sbおよび
Bi系超超伝導体関する。
従来のTu系超伝導体には、 Tl22(:a2Ba、
Cu30y(通称2213) 、 Tl12Ca2B
a2Cu30y (通称2223)およびTl22Ca
Ba2Cu20y(通称2122)などがあった。この
うち、TJI 、Ca2Ba2Cu30yの超伝導臨界
温度Tcは120にであり、高いTc値をもつが、従来
のTJ2系超伝導体はT4の含有濃度が高いものが多か
フた。
Cu30y(通称2213) 、 Tl12Ca2B
a2Cu30y (通称2223)およびTl22Ca
Ba2Cu20y(通称2122)などがあった。この
うち、TJI 、Ca2Ba2Cu30yの超伝導臨界
温度Tcは120にであり、高いTc値をもつが、従来
のTJ2系超伝導体はT4の含有濃度が高いものが多か
フた。
第3図は従来の74系超伝導体の電気抵抗と温度との関
係を示す。
係を示す。
第3図において曲線AはTll 2Ca2Ba、[:u
30yの電気抵抗と温度との関係を、曲線BはTfl
2Ca2Ba2Cu30yのそれを示す、Tc(超伝導
臨界温度)は両者共に約110にである。
30yの電気抵抗と温度との関係を、曲線BはTfl
2Ca2Ba2Cu30yのそれを示す、Tc(超伝導
臨界温度)は両者共に約110にである。
TJlは毒性がある上に資源的にも乏しいにもかかわら
ず、従来のTJZ系超伝導体はTl2の使用量が多く、
作製技術上の除毒対策、コストの低減および資源確保の
困デ「等の点で大きな問題があった。
ず、従来のTJZ系超伝導体はTl2の使用量が多く、
作製技術上の除毒対策、コストの低減および資源確保の
困デ「等の点で大きな問題があった。
本発明の目的は上述の問題点を解決し、 Txia度の
低いTll 、In、Ga、SbおよびBi系超超伝導
体提供することにある。
低いTll 、In、Ga、SbおよびBi系超超伝導
体提供することにある。
このような目的を達成するために、本発明の高温超伝導
体は、組成式Tx C8gBa2Cux++Oy (た
だし、x=O〜10)で表わされることを特徴とする。
体は、組成式Tx C8gBa2Cux++Oy (た
だし、x=O〜10)で表わされることを特徴とする。
また、組成式rn 2ca、1aa2cux+ 103
1 <ただし、x=O〜10)で表されることを特徴と
する。Xを増加させることにより Tl濃度を減少させ
、Tcを向上させることができる。またTl2をIn、
Ga、SbあるいはBiで置き換えることにより毒性の
低減を図るものである。
1 <ただし、x=O〜10)で表されることを特徴と
する。Xを増加させることにより Tl濃度を減少させ
、Tcを向上させることができる。またTl2をIn、
Ga、SbあるいはBiで置き換えることにより毒性の
低減を図るものである。
本発明によれば、 1℃の使用量を従来のTlL系超伝
導体よりも減少することにより、Tll、の毒性の低下
、Tβ資源の節約および超伝導体のコストの低減を実現
し、かつCu−0の層数を増加させることによって超伝
導特性を向上させることができる。またTlをIn、G
a、SbあるいはBiで置き換えることにより毒性を低
減させることもできる。
導体よりも減少することにより、Tll、の毒性の低下
、Tβ資源の節約および超伝導体のコストの低減を実現
し、かつCu−0の層数を増加させることによって超伝
導特性を向上させることができる。またTlをIn、G
a、SbあるいはBiで置き換えることにより毒性を低
減させることもできる。
以下に、図面を参照して本発明の詳細な説明する。
まず、7 JZ CazBa2Cuz+IOyの製造法
について説明する。製造方法は、以下の(1) 、 (
2)および(3)に示す方法がある。
について説明する。製造方法は、以下の(1) 、 (
2)および(3)に示す方法がある。
(1)■TJZ203.II;aOおよびBaCu30
4それぞれの粉末を、TJ12CaxBa2CuX+
IOyの組成で混合し、直径10mm、厚さ1mmのベ
レットに成型する。
4それぞれの粉末を、TJ12CaxBa2CuX+
IOyの組成で混合し、直径10mm、厚さ1mmのベ
レットに成型する。
■このベレットを890℃において10分間酸素気流中
で焼成した後、 100℃/hの速さで炉冷する。
で焼成した後、 100℃/hの速さで炉冷する。
Tlの濃度は焼成時間および温度を調節することにより
制御することができる。
制御することができる。
■焼成したベレットを400℃において高圧の酸素雰囲
気中で3時間焼鈍する。ただしこの工程は省くことも可
能である。
気中で3時間焼鈍する。ただしこの工程は省くことも可
能である。
(2) TjZ 2(1+、CaO,Ba0zおよび
CuOそれぞれの粉末をTi 2Ca、1Ba2Cux
+10yの組成で混合し、以下上述の製造方法(1)と
同様のプロセスによって超伝導体を作製する。
CuOそれぞれの粉末をTi 2Ca、1Ba2Cux
+10yの組成で混合し、以下上述の製造方法(1)と
同様のプロセスによって超伝導体を作製する。
(1)および(2)の製造方法において、原料となる粉
末をTl2CaxBa2CuXL10yの組成となるよ
うに混合するが、TjZ nCaxBa2Cu、l+1
0y (n = 0.5〜2)とTuを少なくするこ
とも可能である。
末をTl2CaxBa2CuXL10yの組成となるよ
うに混合するが、TjZ nCaxBa2Cu、l+1
0y (n = 0.5〜2)とTuを少なくするこ
とも可能である。
また、原料粉末の混合をベレット成型したが、これに限
らずファイバー成型してもよい。成型後の焼成温度は8
90℃で行なったが、 880〜920℃の範囲であれ
ばよい。
らずファイバー成型してもよい。成型後の焼成温度は8
90℃で行なったが、 880〜920℃の範囲であれ
ばよい。
(3) Tl2−(:a−Ba−Cu−0系のターゲ
ットを用い、スパッタ法によって基板温度500℃前後
で超伝導体を作製する。
ットを用い、スパッタ法によって基板温度500℃前後
で超伝導体を作製する。
以上の製造方法により作製した
Tx CjlI3Ba2CuaO,のTiLi度は、従
来の742系超伝導体(TJZ、Ca、Ba、Cu2O
,)と比較すると約騎に減少している。
来の742系超伝導体(TJZ、Ca、Ba、Cu2O
,)と比較すると約騎に減少している。
第1図は本発明の実施例のTJI Ca3Ba2Cu4
0.の電気抵抗と温度との関係を示す。超伝導臨界温度
は120〜131にを示している。
0.の電気抵抗と温度との関係を示す。超伝導臨界温度
は120〜131にを示している。
第2図は本発明の実施例の超伝導体のX線回折図を示す
。格子定数は、a=5.45人、 c=38.2人また
はa°= a//T= 3.as人、 c’=c/2
=19.1人を示している。
。格子定数は、a=5.45人、 c=38.2人また
はa°= a//T= 3.as人、 c’=c/2
=19.1人を示している。
以上はTl2 [:a)IBa2CuX+10yについ
ての実施例の説明であるが、Xを増やしていけばTcは
向上する。
ての実施例の説明であるが、Xを増やしていけばTcは
向上する。
Tlを従来の組成の約局とした
TJ121;ayBa2cuX+10y (X = 3
〜10) としてもTJZ (:aJa2Cux+ l
Oyと同様の高い丁Cを示す。
〜10) としてもTJZ (:aJa2Cux+ l
Oyと同様の高い丁Cを示す。
さらに14をIn、Ga、SbあるいはBiで置換すれ
ば毒性の低減に役立つ。
ば毒性の低減に役立つ。
(発明の効果)
以上説明したように、本発明においては次のような効果
を得ることができる。
を得ることができる。
■本発明によれば、従来不可能であったTJ2系超伝導
体の低濃度領域の高温超伝導体を実現することができる
。
体の低濃度領域の高温超伝導体を実現することができる
。
■また1℃をIn、Ga、SbあるいはBiで置換する
ことにより原料の選択性の拡大、毒性の低下が可能であ
る。
ことにより原料の選択性の拡大、毒性の低下が可能であ
る。
■しかも、超伝導特性は低下させず、高T、iNQ度の
超伝導体と同等もしくはそれ以上の超伝導時ζ 性を発揮することができる。
超伝導体と同等もしくはそれ以上の超伝導時ζ 性を発揮することができる。
■これにより、Tll、超伝導体の毒性の低減、製造プ
ロセスの防毒設備費の低減、 Tj2資源の節約、
Ba資源の節約、原料の選択性の拡大およびコストの低
減を図ることができる。
ロセスの防毒設備費の低減、 Tj2資源の節約、
Ba資源の節約、原料の選択性の拡大およびコストの低
減を図ることができる。
第1図は本発明の実施例の超伝導体の電気抵抗と温度と
の相関図、 第2図は本発明の実施例の超伝導体のX線回折図、 第3図は従来の超伝導体の電気抵抗と温度との相関図で
ある。
の相関図、 第2図は本発明の実施例の超伝導体のX線回折図、 第3図は従来の超伝導体の電気抵抗と温度との相関図で
ある。
Claims (4)
- (1)組成式TlCa_xBa_2Cu_x_+_1O
_y(ただし、x=0〜10)で表わされることを特徴
とする高温超伝導体。 - (2)前記組成式TlCa_xBa_2Cu_x_+_
1O_yのTlをIn、Ga、SbあるいはBiで置換
したことを特徴とする請求項1記載の高温超伝導体。 - (3)組成式Tl_2Ca_xBa_2Cu_x_+_
1O_y(ただしx=0〜10)で表わされることを特
徴とする高温超伝導体。 - (4)前記組成式Tl_2Ca_xBa_2Cu_x_
+_1O_yのTlをIn、Ga、SbあるいはBiで
置換したことを特徴とする請求項3記載の高温超伝導体
。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63134909A JPH01305816A (ja) | 1988-06-01 | 1988-06-01 | 高温超伝導体 |
| DE68926549T DE68926549T2 (de) | 1988-06-01 | 1989-02-16 | Tl-Kupferoxid-Supraleiter |
| EP89102644A EP0344406B1 (en) | 1988-06-01 | 1989-02-16 | Tl-based copper oxide superconductor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63134909A JPH01305816A (ja) | 1988-06-01 | 1988-06-01 | 高温超伝導体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01305816A true JPH01305816A (ja) | 1989-12-11 |
| JPH0574531B2 JPH0574531B2 (ja) | 1993-10-18 |
Family
ID=15139365
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63134909A Granted JPH01305816A (ja) | 1988-06-01 | 1988-06-01 | 高温超伝導体 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0344406B1 (ja) |
| JP (1) | JPH01305816A (ja) |
| DE (1) | DE68926549T2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0365512A (ja) * | 1989-08-02 | 1991-03-20 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 高温超電導材料およびその作製方法 |
| JPH0393624A (ja) * | 1989-09-04 | 1991-04-18 | Hitachi Ltd | In―Ba―Y及び/又はCa―Cu―O系超電導物質 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CA2004576C (en) * | 1988-12-05 | 1995-10-24 | Yasuko Torii | Oxide superconducting material, process for preparing the same and applications thereof |
| GB2232664A (en) * | 1989-06-17 | 1990-12-19 | Atomic Energy Authority Uk | Oxide materials |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01264953A (ja) * | 1988-04-13 | 1989-10-23 | Fujikura Ltd | タリウム系酸化物超電導体の製造方法 |
| JPH01294560A (ja) * | 1988-05-20 | 1989-11-28 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 複合酸化物系超電導材料の製造方法 |
| JPH029719A (ja) * | 1988-03-08 | 1990-01-12 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 超伝導物質 |
| JPH03503402A (ja) * | 1988-03-14 | 1991-08-01 | イー・アイ・デユポン・デ・ニモアス・アンド・カンパニー | 超伝導性組成物及びその製造方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5061683A (en) * | 1987-06-09 | 1991-10-29 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Process for making superconductors using barium hydroxide |
| EP0299870B1 (en) * | 1987-07-13 | 1994-04-13 | Sumitomo Electric Industries Limited | Method for preparing a superconducting thin film |
-
1988
- 1988-06-01 JP JP63134909A patent/JPH01305816A/ja active Granted
-
1989
- 1989-02-16 EP EP89102644A patent/EP0344406B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-02-16 DE DE68926549T patent/DE68926549T2/de not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH029719A (ja) * | 1988-03-08 | 1990-01-12 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 超伝導物質 |
| JPH03503402A (ja) * | 1988-03-14 | 1991-08-01 | イー・アイ・デユポン・デ・ニモアス・アンド・カンパニー | 超伝導性組成物及びその製造方法 |
| JPH01264953A (ja) * | 1988-04-13 | 1989-10-23 | Fujikura Ltd | タリウム系酸化物超電導体の製造方法 |
| JPH01294560A (ja) * | 1988-05-20 | 1989-11-28 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 複合酸化物系超電導材料の製造方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0365512A (ja) * | 1989-08-02 | 1991-03-20 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 高温超電導材料およびその作製方法 |
| JPH0393624A (ja) * | 1989-09-04 | 1991-04-18 | Hitachi Ltd | In―Ba―Y及び/又はCa―Cu―O系超電導物質 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE68926549D1 (de) | 1996-07-04 |
| EP0344406A3 (en) | 1990-07-18 |
| DE68926549T2 (de) | 1996-10-31 |
| EP0344406B1 (en) | 1996-05-29 |
| EP0344406A2 (en) | 1989-12-06 |
| JPH0574531B2 (ja) | 1993-10-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5047391A (en) | Process for producing a high-temperature superconductor and also shaped bodies composed thereof | |
| EP0332309B1 (en) | Compositions electrically superconducting above 120 degree k and processes for their preparation | |
| JPH01188456A (ja) | 酸化物高温超電導体 | |
| CA1335236C (en) | Method of manufacturing oxide superconductor, and method of manufacturing composite oxide powder which is the precursor of the oxide superconductor | |
| JP2804039B2 (ja) | 化合物超電導体およびその製造方法 | |
| US5236889A (en) | Process for producing bi-ca-sr-cu-o, tl-ca-sr-cu-o and tl-ba-ca-cu-o superconducting ceramics | |
| JPH0574531B2 (ja) | ||
| JPH02107520A (ja) | Tl―Ba―Ca―CuーO超電導体の製造方法 | |
| JPH02296767A (ja) | 高温超電導体を製造する方法 | |
| US4988668A (en) | Ti-Ca-Ba-Cu-D compositions electrically superconducting above 120 degrees K and processes for their preparation | |
| US5354921A (en) | Single crystalline fibrous superconductive composition and process for preparing the same | |
| EP0389086B1 (en) | Single crystalline fibrous superconductive composition and process for preparing the same | |
| JPH04139026A (ja) | 酸化物超伝導材料およびその製造方法 | |
| JP2648524B2 (ja) | セラミックス及びその製法 | |
| US5378682A (en) | Dense superconducting bodies with preferred orientation | |
| JPH01242419A (ja) | Bi−Pb−Ca−Sr−Cu−O系超電導物質 | |
| EP0446552B1 (en) | Superconductive compounds and process for producing said compounds | |
| JP3165162B2 (ja) | 酸化物超電導体厚膜の製造方法 | |
| JP2696691B2 (ja) | 酸化物系超電導材料 | |
| JPH01111766A (ja) | 高温超伝導セラミックス | |
| EP0374689A2 (en) | High temperature superconductor materials and method for preparation | |
| JPH01313326A (ja) | 超電導体およびその製造方法 | |
| Alyokhina et al. | Stabilization of the high temperature phase in Bi-Ca-Sr-Cu-O system | |
| JPH01172259A (ja) | セラミックス超電導成形体の製造方法 | |
| JPH02239120A (ja) | ビスマス系酸化物超電導材の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |