JPH01307239A - ウェハー表面保護絶縁膜欠陥のスクリーニング方法 - Google Patents
ウェハー表面保護絶縁膜欠陥のスクリーニング方法Info
- Publication number
- JPH01307239A JPH01307239A JP13822388A JP13822388A JPH01307239A JP H01307239 A JPH01307239 A JP H01307239A JP 13822388 A JP13822388 A JP 13822388A JP 13822388 A JP13822388 A JP 13822388A JP H01307239 A JPH01307239 A JP H01307239A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- surface protecting
- insulative film
- film
- voltage
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 9
- 230000007547 defect Effects 0.000 title claims description 13
- 238000012216 screening Methods 0.000 title claims description 7
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 7
- 230000002950 deficient Effects 0.000 claims abstract description 7
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims abstract description 7
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 5
- 238000011179 visual inspection Methods 0.000 abstract description 3
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 21
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- JAJIPIAHCFBEPI-UHFFFAOYSA-N 9,10-dioxoanthracene-1-sulfonic acid Chemical compound O=C1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=CC=C2S(=O)(=O)O JAJIPIAHCFBEPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Other Investigation Or Analysis Of Materials By Electrical Means (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、拡散途中及び拡散済半導体ウェハーのスクリ
ーニング方法に関するものであり、特にウェハー表面保
護絶縁膜の厚さ異常、ピンホール・クラック等・ウェハ
ー表面保護絶縁膜欠陥を拡散途中及び拡散済ウェハー状
態でスクリーニングする方法に関する。
ーニング方法に関するものであり、特にウェハー表面保
護絶縁膜の厚さ異常、ピンホール・クラック等・ウェハ
ー表面保護絶縁膜欠陥を拡散途中及び拡散済ウェハー状
態でスクリーニングする方法に関する。
従来、この種のウェハー表面保護絶縁膜の欠陥は、金属
顕微鏡・電子顕微鏡によるウェハー表面保護絶縁膜の外
観チエツクによりスクリーニングするか、拡散済ウェハ
ーの回路動作試験により電気的特性が正常か異常かによ
りスクリーニングしていた。
顕微鏡・電子顕微鏡によるウェハー表面保護絶縁膜の外
観チエツクによりスクリーニングするか、拡散済ウェハ
ーの回路動作試験により電気的特性が正常か異常かによ
りスクリーニングしていた。
上述した従来の金属顕微鏡・電子顕微鏡によるウェハー
表面保護絶縁膜の外観チエツクは、長時間を要するため
外観チエツク数に限度がある。また表面保護絶縁膜をウ
ェハー上に段階的に積層するため、下に積層した表面保
護絶縁欠陥が見えず、そのまま該欠陥品が次工程に流出
する問題があった。さらに拡散済ウェハーの回路動作試
験の電気的特性によるへクリーニング方法は、表面保護
絶縁膜を直接測定していないため、該欠陥が電気的特性
に影響する場合にのみ限定される。したがって該欠陥が
小さい場合は、検出されない問題があった。
表面保護絶縁膜の外観チエツクは、長時間を要するため
外観チエツク数に限度がある。また表面保護絶縁膜をウ
ェハー上に段階的に積層するため、下に積層した表面保
護絶縁欠陥が見えず、そのまま該欠陥品が次工程に流出
する問題があった。さらに拡散済ウェハーの回路動作試
験の電気的特性によるへクリーニング方法は、表面保護
絶縁膜を直接測定していないため、該欠陥が電気的特性
に影響する場合にのみ限定される。したがって該欠陥が
小さい場合は、検出されない問題があった。
上述の問題によりエンドユーザーに半導体デバイスが渡
ってから表面保護欠陥が進行し電気的特性劣化となり、
半導体デバイスの信頼性低下の欠点があった。
ってから表面保護欠陥が進行し電気的特性劣化となり、
半導体デバイスの信頼性低下の欠点があった。
上述した従来のウェハー表面保護絶縁膜欠陥のスクリー
ニングに対し、本発明は従来の方法では検出できなかっ
たウェハー表面保護絶縁膜欠陥部分を破壊せしめ外観チ
エツクか電気的なチエツクにより完全に不良を麟去する
相違点を有する。
ニングに対し、本発明は従来の方法では検出できなかっ
たウェハー表面保護絶縁膜欠陥部分を破壊せしめ外観チ
エツクか電気的なチエツクにより完全に不良を麟去する
相違点を有する。
本発明のウェハー表面保護絶縁膜欠陥のスクリーニング
方法は、拡散途中で形成する表面保護絶縁膜及び拡散済
の表面保護絶縁膜を対象としている。
方法は、拡散途中で形成する表面保護絶縁膜及び拡散済
の表面保護絶縁膜を対象としている。
ウェハーの表面、裏面に導電性物質を接触させ導電性物
質を電極として外部より電圧を印加することによって、
ウェハー内部に電界をかける。表面保護絶縁膜の耐電電
圧は、表面保護絶縁膜の厚さに依存し厚さが薄いと低く
なる。電界の強さが表面保護絶縁膜の耐電電圧以上にな
ると破壊が生じウェハーにバターニングされた電気回路
は、電気的にオープンかショート状態になり外観検査に
て容易に認識できることを利用するものである。
質を電極として外部より電圧を印加することによって、
ウェハー内部に電界をかける。表面保護絶縁膜の耐電電
圧は、表面保護絶縁膜の厚さに依存し厚さが薄いと低く
なる。電界の強さが表面保護絶縁膜の耐電電圧以上にな
ると破壊が生じウェハーにバターニングされた電気回路
は、電気的にオープンかショート状態になり外観検査に
て容易に認識できることを利用するものである。
表面保護絶縁膜の厚さ異常、ピンホール・クラック部分
は耐電電圧が低下するため、外部より印加する電圧は、
表面保護絶縁膜の厚さ異常、ピンホール・クラック部分
の、耐電電圧以上に設定し破壊せしめる。その後、従来
の方法の外観チエツクか電気的チエツクにより完全に不
良を除去する方法である。
は耐電電圧が低下するため、外部より印加する電圧は、
表面保護絶縁膜の厚さ異常、ピンホール・クラック部分
の、耐電電圧以上に設定し破壊せしめる。その後、従来
の方法の外観チエツクか電気的チエツクにより完全に不
良を除去する方法である。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例の概念図である。
ウェハー１の表、裏に導電性物質２を接触させ、その導
電性物質２に外部印加電圧３をかける。外部印加電圧は
正常な表面保護絶縁膜が破壊しない電圧以下とする。
電性物質２に外部印加電圧３をかける。外部印加電圧は
正常な表面保護絶縁膜が破壊しない電圧以下とする。
第２図は、第１図のウェハーの一部縦断面図である。シ
リコン基板１４に１２のゲート層を配線し、表面保護絶
縁膜１１がつけられている。導電性物質２′に電圧を印
加するとシリコン基板とゲート層に電荷の再分布が起り
、表面保護絶縁膜に電界がかかる。
リコン基板１４に１２のゲート層を配線し、表面保護絶
縁膜１１がつけられている。導電性物質２′に電圧を印
加するとシリコン基板とゲート層に電荷の再分布が起り
、表面保護絶縁膜に電界がかかる。
以上説明したように本発明は、ウェハーに導電性物質を
介して電圧を印加することにより、表面保護絶縁膜に電
界がかかり、表面保護絶縁膜欠陥部分を破壊せしめる。
介して電圧を印加することにより、表面保護絶縁膜に電
界がかかり、表面保護絶縁膜欠陥部分を破壊せしめる。
金塩検出できなかった表面保護絶縁膜の欠陥を排除でき
、信頼度の高いデバイスをユーザーに供給することがで
きる効果がある。
、信頼度の高いデバイスをユーザーに供給することがで
きる効果がある。
第１図は、本発明の一実施例の概念図、第２図は、第１
図中のウェハーの一部拡大縦断面図である。 １．１′・・・・・・ウェハー、２，２′・・・・・・
導電性物質、３・・・・・・外部印加電圧、１１・・・
・・・表面保護絶縁膜、１２・・・・・・ゲート層、１
３・・・・・・拡散層、１４・・・ｌ・・シリコン基板
。 代理人 弁理士 内 原 音
図中のウェハーの一部拡大縦断面図である。 １．１′・・・・・・ウェハー、２，２′・・・・・・
導電性物質、３・・・・・・外部印加電圧、１１・・・
・・・表面保護絶縁膜、１２・・・・・・ゲート層、１
３・・・・・・拡散層、１４・・・ｌ・・シリコン基板
。 代理人 弁理士 内 原 音
Claims (1)
- 拡散途中及び拡散済半導体ウェハーの表面と裏面から
導電性物質を介し外部より電界をかけることによって表
面保護絶縁膜欠陥個所を破壊し完全不良とすることを特
徴とするウェハー表面保護絶縁膜欠陥のスクリーニング
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13822388A JPH01307239A (ja) | 1988-06-03 | 1988-06-03 | ウェハー表面保護絶縁膜欠陥のスクリーニング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13822388A JPH01307239A (ja) | 1988-06-03 | 1988-06-03 | ウェハー表面保護絶縁膜欠陥のスクリーニング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01307239A true JPH01307239A (ja) | 1989-12-12 |
Family
ID=15216968
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13822388A Pending JPH01307239A (ja) | 1988-06-03 | 1988-06-03 | ウェハー表面保護絶縁膜欠陥のスクリーニング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01307239A (ja) |
-
1988
- 1988-06-03 JP JP13822388A patent/JPH01307239A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0479138B2 (ja) | ||
| JP3194375B2 (ja) | 特性評価用半導体装置および特性評価方法 | |
| JP2009524925A (ja) | 異なるコンポーネントを備える集積回路の製造方法 | |
| JP3219147B2 (ja) | コンタクト不良箇所特定方法 | |
| JPH0450674A (ja) | 絶縁破壊評価用試験素子 | |
| JPS63169735A (ja) | ウエ−ハ表面保護絶縁膜欠陥のスクリ−ニング方法 | |
| JPH0251245A (ja) | 半導体集積回路の欠陥検出方法及び欠陥検出用回路 | |
| JP2585556B2 (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JP3799792B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP4655504B2 (ja) | 積層型圧電体素子の検査方法 | |
| JPH036661B2 (ja) | ||
| JPH04354145A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0997910A (ja) | アクティブマトリクス基板及び該基板の検査方法 | |
| JPH0317218B2 (ja) | ||
| JP4599776B2 (ja) | ワイヤボンディング評価方法とそれに用いる評価用治具 | |
| JP2985525B2 (ja) | 多層配線構造を有する半導体装置の製造方法 | |
| JPH0992698A (ja) | スクリーニング方法および半導体装置 | |
| KR100265841B1 (ko) | 포토마스크를 이용한 반도체 소자의 공정 모니터 방법 | |
| JPH0725725Y2 (ja) | 高密度マイクロパッド | |
| JP3223516B2 (ja) | 帯電量測定用半導体装置 | |
| JPS61259534A (ja) | 半導体装置のスクリ−ニング方法 | |
| JPH02168642A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JPS61242031A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH09203716A (ja) | 半導体装置の試験方法 | |
| JP2000012776A (ja) | 半導体装置の製造方法 |