JPH0317218B2 - - Google Patents

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JPH0317218B2
JPH0317218B2 JP59124080A JP12408084A JPH0317218B2 JP H0317218 B2 JPH0317218 B2 JP H0317218B2 JP 59124080 A JP59124080 A JP 59124080A JP 12408084 A JP12408084 A JP 12408084A JP H0317218 B2 JPH0317218 B2 JP H0317218B2
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JP
Japan
Prior art keywords
insulating film
semiconductor device
electrode layer
voltage
individual semiconductor
Prior art date
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Expired
Application number
JP59124080A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS611035A (ja
Inventor
Nobuhisa Maki
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
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Publication of JPS611035A publication Critical patent/JPS611035A/ja
Publication of JPH0317218B2 publication Critical patent/JPH0317218B2/ja
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Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P74/00—Testing or measuring during manufacture or treatment of wafers, substrates or devices

Landscapes

  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 この発明はその工程の途中において絶縁膜の欠
陥検出のための所定の電界を印加する工程を設
け、上記欠陥検出を効率よく行うようにした半導
体装置の製造方法に関するものである。
〔従来技術〕
従来の半導体装置の製造方法では、半導体装置
の絶縁膜の欠陥を有するものを検出するのに、製
造工程を完了した個々の半導体装置に対して試験
を実施していた。そして、そのためには個々の半
導体装置毎に所要の電圧を印加することが必要で
あり、大変時間と手数とを要するばかりでなく、
他の構成部品の関連から十分な電圧が加えられな
い例が多く、さらにすべての絶縁膜に電圧を印加
することが困難な場合があるなどの欠点があつ
た。
〔発明の概要〕
この発明は以上のような従来の方法の欠点に鑑
みてなされたもので、ウエーハ状態で絶縁膜を形
成し、その上に電極層を形成し、この電極層に
個々に半導体装置毎のパターニングを施す前に、
全体に一括して電圧を印加し、欠陥を有する部位
は破壊させた後に、個々の半導体装置に完成させ
てから選別のみを行うことによつて、絶縁膜欠陥
検出効率のよい半導体装置の製造方法を提供する
ものである。
〔発明の実施例〕
第１図はこの発明の一実施例の製造工程の要部
を示すフロー図、第２図はその具体的な構成を示
す側面図で、両面を用いて説明する。第１図の段
階１で半導体基板１１の上に絶縁膜１２を形成
し、つづいて段階２でその上に電極層としての多
結晶シリコンSi層１３を形成する。本来は次にこ
の多結晶Si層１３にエツチングを施してパターニ
ングして個々の半導体装置パターンを形成するの
であるが、この実施例では、段階３で絶縁膜１２
の試験を行う。すなわち、この段階では多結晶Si
層１３はウエーハ全域にわたつて共通であるの
で、外部端子１４，１５を用いて電源１６によつ
て電圧を印加すると、絶縁膜１２全域に均等にス
トレスを印加できる。この段階では、多結晶Si層
１３は半導体基板１１との間に絶縁膜１２を介し
ているだけであるので、その本来の破壊電圧以内
なら高電圧を印加できる。その結果、絶縁膜１２
中で欠陥を有する箇所は破壊される。従つて、そ
の後に、第１図の段階４において多結晶Si層１３
にパターニングを施して個々の半導体装置パター
ンを完成させた上で、個々の半導体装置（チツ
プ）に分割すると、上述の欠陥個所を有していた
半導体装置はその後の簡単な検査で簡単に除去さ
れる。
なお、ここで使用する電源１６は絶縁膜１２の
破壊によつて外部インピーダンスが低下した場合
にも、規定の電圧を保ち続ける性能を有するもの
を用いる。
更に、上記実施例では電極材に多結晶Siを用い
たが、これに限るものではなく導電体であればよ
く、また、電源１６には必要ならば一定時間電圧
を印加するためにパルス発生器を用いてもよい。
〔発明の効果〕
以上説明したように、この発明の半導体装置の
製造方法ではウエーハ段階で、絶縁膜の上に形成
した電極層に個々の半導体装置毎のパターニング
を施す前に、全体に一括して電圧を印加し、欠陥
を有する部位は破壊させた後に、個々の半導体装
置に完成させてからは耐圧試験を施すことなく破
壊部分を含む半導体装置を選別除去するようにし
たので、絶縁膜の欠陥を短時間で効率よく除去で
きる。
【図面の簡単な説明】
第１図はこの発明の一実施例の製造工程の要部
を示すフロー図、第２図はその具体的構成を示す
側面図である。 図において、１１は半導体基板、１２は絶縁
膜、１３は電極層（多結晶Si層）。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １ 半導体基板上の絶縁膜上に電極層を形成し、
    この電極層に個々の半導体装置毎のパターニング
    を施す前に上記電極層を介して上記絶縁膜に所要
    電圧を印加して欠陥を有する部位は破壊させた後
    に、上記個々の半導体装置を完成させ、その後に
    は上記個々の半導体装置について耐圧試験は行わ
    ず単に上記破壊部位に対応する半導体装置の選別
    除去のみを行うことを特徴とする半導体装置の製
    造方法。
JP59124080A 1984-06-13 1984-06-13 半導体装置の製造方法 Granted JPS611035A (ja)

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JPS611035A JPS611035A (ja) 1986-01-07
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JPS611035A (ja) 1986-01-07

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