JPH01309205A - 高分子ゲル電解質組成物 - Google Patents

高分子ゲル電解質組成物

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JPH01309205A
JPH01309205A JP63138659A JP13865988A JPH01309205A JP H01309205 A JPH01309205 A JP H01309205A JP 63138659 A JP63138659 A JP 63138659A JP 13865988 A JP13865988 A JP 13865988A JP H01309205 A JPH01309205 A JP H01309205A
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Shoichiro Mori
森 彰一郎
Mitsumasa Minafuji
皆藤 光雅
Makoto Ukei
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はイオン伝導性を有する高分子ゲル電解質組成物
に関する。さらに詳しくは、室温で1O−38−cII
K−1以上の高いイオン伝導性と透明性を有し、機械的
強度(可とう性)、耐熱性が優れた薄膜状に成形可能な
固体状電解質であり、固体電解質電池及びエレクトロク
ロミック光示素子(h:cD)などの電解質として好適
に使用できる新規な高分子ゲル電解質に関する。
イオン伝導性材料の用途分野としては、−次電池、二次
電池、電解コンデンサ、センナ、ECDなどの成子部品
として幅広い用途に利用できるものである。
〔従来の技術〕
従来、イオン伝導性材料は、水または有機溶媒に電解質
を溶解して溶液状にして用いているため、漏液の問題が
あった。この耐漏液性を改良し、高信頼性の固体電解質
電池及びECD等の開発のために液体有機電解質差の高
いイオン伝導率を有し、機械的強度(可とう性)が優れ
、耐熱性の良好な固体電解質の開発が望まれている。そ
のため近年、電解質の固体化研究が盛んに行なわれてい
る。
無機系固体電解質としては、リテクム、銀などの・・ロ
ゲン化物をはじめとする各種化合物(特開昭54−12
930号公報)が知られている。また、有機固体電解質
として、クラウンエーテルとハロゲン化アルカリ金属の
錯体系、ポリエチレンオキサイドをマトリックスとして
アルカリ土属塩を複合させた系(ノリツドステートアイ
オニクス)(501id 5tate 1onics 
; 3/1.389(1981) )、ポリアクリロニ
トリルとLictO+及びエチレンカーボネートとの複
合膜(ジャーナルオプボリマーサイエンス) (J、 
Polym、 Set、 ) 、 A2.21.939
(1983))等の報告がある。
しかしながら、いずれも室温におけるイオン伝導率は1
0−8〜10−58.cm”であり、液体有機′電解質
(以下、電解液と略記、10〜10  Sつ)に対して
イオン伝導率が極めて小さい。
一方、電解液にゲル化剤(ジベンジリデンソルビトール
化合物等)を添加して、電解液をゲル化させ、耐漏液性
を改良するとともに高イオン伝導性を得る等の報告←特
開昭49−70139号公報、同60−163373号
公報等)がある。しかしながら、従来のゲル化物は願出
(60℃以上)により液状化すること、脆弱で機械的強
度が劣ること、透明性(光線透過J)が劣る等の欠点が
ある。特に表示素子への応用において、透過型ECD等
には固体成解質が無色透明であることも型費な課題であ
る。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明者らはかかる問題点を解決すべく鋭意検討した結
果、固体電解質電池及びECD素子などの電解質として
好適に使用できる下記の高分子ゲル電解質組成物を提供
するに至った。
すなわち、本発明は、(a)重合性ビニルモノマーを重
合してなるマトリックスポリマーと、(b)電解質塩化
合物と、(c)有機溶媒と、(d)核置換基として一〇
〇〇R基(Rは、炭素数1〜20の炭化水素基を示す。
)を少なくとも1個有する1、3:2.4−ジベンジリ
デンソルビトール誘導体とを含有してなる高分子ゲル電
解質組成物を提供するものである。
本発明の(a)成分のマトリックスポリマーに用いられ
る重合性ビニルモノマーとしては、具体的には、(メタ
)アクリル酸アルキルエステル;(メタ)アクリロニト
リル等の不飽和ニトリル;スチレン等の芳香族オレフィ
ン;塩化ビニル、酢酸ビニル等のビニル化合物;N−ビ
ニルピロリドン、N−ビニルピペリドン等のN−ビニル
ラクタム;(メタ)アクリル酸;(メタ)アクリル酸の
ヒドロキシエチルもしくはヒドコキシグaピルエステル
等のヒドロキシアルキル(メタ)アクリレート;(メタ
)アクリルアミド;グリセリンのモノ(メタ)アクリレ
ート:ポリエチレングリコールモノ(メタ)アクリレー
ト;ポリアルレングリコールジ(メタ)アクリレート;
アルコキシポリエチレングリコールモノ(メタ)アクリ
レート等を挙げることができる。
これらの重合性とニルモノマーを重合開始剤を用いて重
合させることにより(a)成分のマトリックスポリマー
を得ることができる。
高イオン伝導性を得るためには、ポリアルキレングリコ
ール(メタ)アクリレート、アルコキシポリアルキレン
グリコール(メタ)アクリレート及びシロキサン変性ポ
リアルキレングリコール(メタ)アクリレート等のアル
キレンオキサイド基を含有するモノマーを重合(及び共
重合)して祷られるポリマーであることが好ましい。
本発明の組成物において使用される(b)成分の電解質
塩化合物としては、周期律表第1族および/またはH族
の金属塩、アルミニウム塩、4級アンモニウム塩、4級
ホスホニウム塩等が用いられる。具体的には、Liα0
41 Li BF4 、 LiPF、 。
LiAsFa 、  LiCFaSOs 、 KPF6
 * KCNS、 NaPF6 、  ’gcム* A
gCl04e  (czHs)4NBre (c4Hs
)4NCto4+(c4n9)4PBr等から選ばれた
少なくとも1種または2種以上が用いられる。
本発明の組成物において使用される(c)成分の有機溶
媒としては、N−メチルホルムアミド、NpN′−ジメ
チルホルムアミド、N−メチルピロリジノン等のアミド
溶媒、N−メチルオキサゾリジノン等のカルバメート溶
媒、N、N’−ジメチルイミダゾリジノン等のユレア溶
媒、γ−ブチロラクトン、T−バレロラクトン等のラク
トン溶媒、エチレンカーボネート、プロピレンカーボネ
ート、ブチレンカーボネート等のカーボネート溶媒、エ
チレンクリコール、メデルセロソルプ等のアルコール溶
媒、スルホラン、3−メチルスルホラン等のスルホラン
溶媒、アセトニトリル、3−メトキシプロピオニトリル
等のニトリル溶媒、トリメチルホスフェート等のホスフ
ェート溶媒、l、2−ジメトキシエタン、テトラヒドロ
フラン、1,3−ジオキンラン等のエーテル溶媒及びヘ
キサン、ベンゼン、トルエン等の炭化水素溶媒の単独あ
るいは混合溶媒を例示することができる。また、上記有
機溶媒と水との混合溶媒も使用することができる。これ
らの中でもグロビレンカーボネート、エチレンカーボネ
ート、γ−ブチロラクトン、スルホラン、3−メチルス
ルホラン、グライム類等の非プロトン性の高誘電率有機
溶媒を用いることが高イオン伝導性を得る目的で特に好
ましい。
本発明の電解質組成物において、(d)成分として用い
られるソルビトール化合物は、D−ソルビトールとベン
ズアルデヒド類とを酸触媒下、脱水縮合反応を行なうこ
とにより得られる。ベンズアルデヒド類は、ソルビトー
ル1モルに対し2モル反応させるが、その際、ベンズア
ルデヒド類の少なくとも1モル以上は、核置換基として
一〇〇〇R置換基を少なくとも1個有するp−ホルミル
安息香酸エステル等のベンズアルデヒド類である。
−COOR基のベンゼン核での置換位置は、オルト位、
メタ位、パラ位のいずれでもよいが、パラ位のものが入
手が容易で好ましい。
エステル基の残基Rは、炭素数1〜2oの炭化水素基で
あり、アルキル基、アリール基、アラルキル基のいずれ
でも良いが、低級アルキル基であるものが好ましい。
(d)成分の1,3 : 2,4−ジペンジリデンンル
ビトール誘導体の具体例としては、 1.3−(p−メトキシカルボニルベンジリデン)−2
,4−ペンシリテンソルビトール 1.3− (p−メトキシカルボニルベンジリデン)−
2,4−(p−メチルベンジリデン)ソルビトール 1.3− (p−メトキシカルボニルベンジリデン)−
2,4−(p−エチルベンジリチン)ソルビトール 1.3−(p−メトキシカルボニルベンジリデン)−2
,4−(p−メトキシベンジリデン)ソルビトール 1.3−(p−メトキシカルボニルベンジリデン)−2
,4−(p−クロルベンジリデン)ソルビトール 1.3−(p−メトキシカルボニルベンジリデン)−2
,4−(p−カルバモイルベンジリデン)ソルビトール l、a −(p−メトキシカルボニルベンジリデン)−
2,4−(p−N、N−ジメチルカルバモイルベンジリ
デン)ソルビトール 1.3−ベンジリデン−2,4−(p−メトキシカルボ
ニルベンシリテン)ソルビトール 1.3 : 2,4−ビス(p−メトキシカルボニルベ
ンジリデン)ソルビトール 1.3 : 2,4−ビス(p−エトキシカルボニルベ
ンジリデン)ソルビトール 1.3 : 2.4−1:’ス(p−7’ロボキシカル
ボニルベンジリデン)ソルビトール 1.3 : 2.4−ビス(p−ブトキシカルボニルベ
ンジリデン)ソルビトール 1.3 : 2,4−ビス(p−へキシルオキシカルボ
ニルベンジリデン)ソルビトール 1.3 : 2.4−ビス(p−シクロヘキシルオキシ
カルボニルベンジリデン)ソルビトール 1.3 : 2.4−ビス(p−フェノキシカルボニル
ベンジリデン)ソルビトール 等を挙げることができる。
これらの中でも、核置換基が1個又は夫々のベンゼン核
に1個ずつ有するものが好ましく、又、他の置換基を有
しないもの及び他の置換基を有する場合には、アルキル
又はアルコキシ置換基でちるものが好ましい。
本発明において、高イオン伝導性と透明性を有し、機械
的強度(可とう性)、耐熱性の優れた固体状電解質を得
るためには、(a)成分に用いられる重合性ビニルモノ
マーの割合はくb)成分及び(c)成分よりなる電解液
に対し、5重量%〜50重量%、好ましくは10重駄%
〜30重量%含有するように調製することが好ましい。
(4#)成分のソルビトール化合物の割合は上記電解液
に対し、0・5重量%〜10重量%、好ましくは1重量
%〜5重量%含有するように調製することが好ましい。
一方、上記電解液において用いられる(b)成分の電解
質塩化合物の割合は、(c)成分の有機溶媒に対し、5
重量%〜30重量%、好ましくは10重量%〜25重量
%含有するように調製することが好ましい。
本発明の高分子ゲル電解質組成物の製造方法とシテは、
重合性ビニルモノマーを電解液及びソルビトール化合物
の存在下に重合させ固体状電解質組成物を得る方法があ
る。
すなわち、ソルビトール化合物を電解液に添加し、加温
溶解した均一な溶液中に重合性ビニルモノマーを添加混
合し、さらに重合開始剤として、過酸化物、アゾ化合物
等のラジカル重合開始剤あるいは光(UV)重合開始剤
を添加した均一な溶液を流延法あるいは注型法により膜
状物等に成形し、60〜90℃の加熱下、または光(U
V)照射により重合させ、固体状電解質組成物の薄膜を
得る。
他の製造方法としては、あらかじめ重合性ビニルモノマ
ーを重合させてマトリックスポリマーを合成し、該ポリ
マー中に電解液及びソルビトール化合物を添加混合する
方法がある。具体的には、重合性ビニルモノマーを溶媒
中に溶解し、通常のラジカル重合開始剤を添加し、不活
性雰囲気下、40〜80℃にて4〜1 shr、加熱攪
拌してマトリックスポリマーを合成し、膜状物に成形し
た後、該マトリックスポリマーの膜状物を、ソルビトー
ル化合物を加温溶解させた電解液中に浸漬して、高分子
ゲル電解質組成物の薄膜を製造することもできる。
〔発明の効果〕
本発明の高分子ゲル電解質組成物は、無色透明でかつ、
室温でL ms −cm−”以上の高いイオン伝導性を
示し、機械的強度(可とう性)が優れ、加温(〜120
℃)に対し液状化することのない耐熱性の良好な固体状
電解質膜が得られ、特に固体電解質電池、ECD素子及
び電解コンデンサ等の電解質として好適に利用できるも
のである。
〔実施例〕
以下に実施例をもって本発明を説明する。これらの例で
は本発明の範囲について限定をするものではない。
伺イオン伝導度の測定はつぎの方法で行なった。
試料の高分子ゲル電解質組成物の膜状物の厚さをマイク
ロメータで測定したのち、固体状電解質の両面に直径6
++amの円形状の金メツキ測定用電極を密着し、この
全体を25℃に温度制御された窒素雰囲気内に設置して
、LC′fLメータ(横筒ヒューレットパツカード社製
、4274A、4275A)により10”〜lO@Hz
の交流を印加し、複素インピーダンス法によや伝導度を
測定した。
また、耐熱性の評価法としては、所定のセルを110℃
雰囲気下に20時間設置した後、室温(20〜25℃)
に4時間設置するヒートサイクルテストを実施し、外観
(変色、状態等)異常の有無を目視した。
実施例1 (1)  1.3−(p−メトキシカルボニルベンジリ
デン)−2,4−ベンジリデンソルビトールの製造20
0ゴのフラスコにD−ソルビトール36.4f (0,
2モル)、水24.d、ベンズアルデヒド21.2 f
 (0,2モル)及びp−)ルエンスルホン酸−水和物
2.3f(0,012モル)を入れ、窒素雰囲気下、3
5℃にて6時間攪拌した。20℃まで冷却した後、白色
のクリーム状反応液に水100d及び水酸化す) IJ
クム0.5?を入れ、室温にて攪拌した。この白色スラ
リーを濾過して得られた白色固体を水及びエーテルにて
十分に洗浄し、乾燥して2.4−ベンジリデンソルビト
ールの白色粉末46.49を得た。(収″185.9%
)次に、ディーンスターク壓分留管及び強力な攪拌機を
装着した2tのフラスコに2.4−ベンジリデンソルビ
トール46.4f(0,17モル)、p−ホルミル安息
香酸メチル27.9t(0,17モル)、ベンゼンg 
o o f!Lt及’lJ p−)ルエンスルホン酸−
水和物0.32 ? (1,7ミリモル)を入れ、窒素
雰囲気下、ベンゼン還流温度(77℃)にて6時間、加
熱攪拌した。反応中、分留管に留出してきた水は必要に
応じ、抜き出した。反応後室部まで冷却した後、白色ゲ
ル状反応液に、水300d及び水酸化ナトリウム70〜
を加えて室温にて攪拌した。
この白色スラリーを濾過して得られた白色固体を約70
℃の温水及び、エタノールで十分に洗浄し、乾燥して目
的の1.3−(p−メトキシカルボニルベンジリデン)
 −2,4−ベンジリデンソルビトールの白色粉末65
.8Fを得た(例1)。(収率92.0%)(D−ソル
ビトールよ抄の通算収率79.0%) (2)高分子ゲル電解質組成物の製造 γ−ブチロラクトン(GBL)3.oaf(高分子ゲル
電解質に対する組成重量比として60.5wt%)ニ過
塩素酸り+ ラム(LiCl0a ) tD 0.6 
f (12wt%)を溶解した電解液中に、上記ソルビ
トール化合物(例1)の0.075P(1,5wt%)
を添加混合し、70℃にて3時間加温して完全に溶解さ
せた。次いで重合性とニルモノマーとして、メトキシポ
リエチレングリコールメタクリレート(n中2s)(M
PBGM)の1.3 f (26,0wt%)を該溶液
中に添加混合するとともに、重合開始剤としてパーブチ
ル0(PBO1日本油脂製)4■を添加して均一な溶液
とした。
上記調製液の一部をポリエステルフィルムとガラス板で
作製した巾2濡、長さ5偲、厚み1■の空間を有するセ
ル内(セル内面側にポリエステルフィルムを使用し、ス
ペーサーとして10簡のシリコンシートを使用)に注入
し、窒素雰囲気下、80℃で16時間重合を行ないシー
ト状の高分子ゲル電解質組成物を得た。得られた組成物
の特性を表1に示す。
実施例2 ベンズアルデヒドの代りにp−トルアルデヒドを用いて
実施例1−(1)と同様にして得られた1、3−(p−
メトキシカルボニルベンジリデン)−2,4−(p−メ
チルベンジリデン)ソルビトール(例2 ) (L2w
t%)を用い、75℃にて3時間加温して完全に溶解し
た他は実施例1と同様にして固体状電解質膜を得た。得
られた組成物の特性を表1に示す。
実施例3 1.3 : 2,4−ビス(p−メトキシカルボニルベ
ンジリデン)ソルビトール(例3)を用い、加温及び熱
重合温度を90℃Kかえた他は実施例2と同様にして固
体状電解質膜を得た。得られた組成物の特性を表1に示
す。
比較例1 1.3 : 2.4−ジペンジリデンンルビトール(D
BS)0.60?(12wt%)を用いた他は実施例1
と同様にして固体状電解質膜を製造した。得られた組成
物の特性を表1に示す。(尚、電解液をゲル化させるに
は10wt%以上のDBS添加量を要した。) 比較列2 ソルビトール化合物を用いなかった他は、実施例1と同
様にして固体状電解質膜を製造した。得られた組成物の
特性を表1に示す。
比較例3 γ−ブチロラクトン3.89 (76wt%)に過塩素
酸リチウム0.6 f (12wt%)を溶解した電解
液中に、DBSo、6(1’(12wt%)を添加し、
70℃にて3時間加温して完全に溶解させた。次いで上
記調製液の一部を実施例1と同様にして所定のセルに注
入し、室温圧冷却して1昼夜放置してゲル状電解質膜を
製造した。得られた組成物の特性を表1に示す。ゲルは
白濁状態の脆弱なゲルで機械的強度が劣るとともに、再
加温(60℃以上)で液状化した。
実施例4 実施例1において、メトキシポリエチレングリコールメ
タクリレート(MP B GM、  26 wt%)の
かわりに2−ヒドロキシエチルメタクリレート(HEM
A、  13 wt%)を用い、モノマー/溶媒重量比
の(30/70)を(15/85)にかえた他は実施例
1と同様にして固体状電解質膜を得だ。得られた組成物
の特性を表2に示す。
実施例5 実施例3において、メトキシポリエチレングリコールメ
タクリレート(MP EGM、  26 wt%)のか
わりにN−ビニルピロリドン(NVP、26wt%)を
用いた他は実施例3と同様にして固体状電解質膜を得た
。得られた組成物の特性を表2に示す。
実施例6 重合性ビニルモノマーとして、2−ヒドロキシエチルメ
タクリレート(HEMA、  10.4 wt%)とメ
トキシポリエチレングリコールメタクリレ−) (MP
 EGM、  6.9 wt%)の2種(7)モ/?−
ヲ用い、電解質塩化合物としてトリフルオロメタンスル
ホン酸リチウム(LiCFsSO3)用いるとともにモ
ノマー/溶媒重量比を(20/80 )とした他は実施
例1と同様にして固体状電解質膜を得た。
得られた組成物の特性を表2に示す。
実施例7 実施例6において、γ−ブチロラクトン(GBL、  
69.2 wt%)のかわしにプロピレンカーボネート
(PC,69,2wt%)を用いた他は実施例6と同様
にして固体状電解質膜を得た。得られた組成物の特性を
表2に示す。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (a)重合性ビニルモノマーを重合してなるマトリック
    スポリマーと、(b)電解質塩化合物と、(c)有機溶
    媒と、(d)核置換基として−COOR基(Rは、炭素
    数1〜20の炭化水素基を示す。)を少なくとも1個有
    する1,3:2,4−ジベンジリデンソルビトール誘導
    体とを含有してなる高分子ゲル電解質組成物。
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