JPH01309332A - エッチングの自動制御装置 - Google Patents
エッチングの自動制御装置Info
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- JPH01309332A JPH01309332A JP14092388A JP14092388A JPH01309332A JP H01309332 A JPH01309332 A JP H01309332A JP 14092388 A JP14092388 A JP 14092388A JP 14092388 A JP14092388 A JP 14092388A JP H01309332 A JPH01309332 A JP H01309332A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はエツチング液を基板、例えばＳｉ基板の片面に
噴射させて所定の深さのエツチングを行うエツチングの
自動制御装置に関するものである。
噴射させて所定の深さのエツチングを行うエツチングの
自動制御装置に関するものである。
エツチング液をＳｉ基板に噴射あるいはエツチング液に
浸してエツチングを行う場合、処理液が次第に変質して
きて所定枚数の最後の方では最初の処理分に比べ処理時
間を多く要す。
浸してエツチングを行う場合、処理液が次第に変質して
きて所定枚数の最後の方では最初の処理分に比べ処理時
間を多く要す。
この解決策としである枚数の処理が行われたのち新らし
いエツチング液と交換したり、あるいは前もって実験デ
ータを作成したエツチングレートと基板の溶解量から、
エツチングレートの低下に伴う処理時間を予想してエツ
チングが行われている。
いエツチング液と交換したり、あるいは前もって実験デ
ータを作成したエツチングレートと基板の溶解量から、
エツチングレートの低下に伴う処理時間を予想してエツ
チングが行われている。
しかし、かような手段では次のような点に問題がある。
（イ）所定枚数のエツチングを行ったのちのエツチング
液は新しいエツチング液と交換するので、多量の液を必
要とするばかりか、これに伴う人件費などの諸経費がか
かる。
液は新しいエツチング液と交換するので、多量の液を必
要とするばかりか、これに伴う人件費などの諸経費がか
かる。
（Ｅ エツチングレートの低下に伴って、いちいち処
理時間を実験データから読みとり、それに合わせてエツ
チングをやらなければならない面倒さ並びにこの作業を
人手で行わなければならない。
理時間を実験データから読みとり、それに合わせてエツ
チングをやらなければならない面倒さ並びにこの作業を
人手で行わなければならない。
（ハ）同じ時間処理である場合には、エツチング液の種
類や温度などによってエツチング液さが異り、どうして
もバラツキが生じる。
類や温度などによってエツチング液さが異り、どうして
もバラツキが生じる。
本発明は上述した点に鑑みて創案されたもので、その目
的とするところは、エツチング液が変質してきても新し
いものと交換する必要もなく、また処理時間を読みとっ
てエツチングを行う手作業もなく、エツチングムラの許
容限界内で総てが解決するという種種の利点を備えたエ
ツチングの自動制御装置を提供するものである。
的とするところは、エツチング液が変質してきても新し
いものと交換する必要もなく、また処理時間を読みとっ
てエツチングを行う手作業もなく、エツチングムラの許
容限界内で総てが解決するという種種の利点を備えたエ
ツチングの自動制御装置を提供するものである。
つまり、その目的を達成するための手段は、エツチング
液を循環させて連続的にエツチング処理を行う装置にお
いて、あらかじめエツチングレートＹと基板の溶解ｔＸ
および定数Ａ、Ｂから％Ｙ＝Ａ＋Ｂ−Ｘの関係式、すな
わち、エツチングレートがエツチング物質溶解量に対し
直線的に減少する性質を利用した特性線を作成し、これ
を半導体などからなる演算装置に記憶させ、基板のエツ
チング深さの信号を演算装置に与えることによって、前
記特性線から処理時間；Ｔ＝（エツチング深さ）／（エ
ツチングレート）を演算装置で算出し、基板のエツチン
グ処理が進行するに従って基板の処理時間が遂次自動的
に異っていくようにしたことを特徴とするエツチングの
自動制御装置である。なお、特性線の複数種類を演算装
置に記憶させ、基板の枚数を自動的に検出すると共に、
特性線の使い分けをその検出した基板に対応させるよう
にしてもよい。
液を循環させて連続的にエツチング処理を行う装置にお
いて、あらかじめエツチングレートＹと基板の溶解ｔＸ
および定数Ａ、Ｂから％Ｙ＝Ａ＋Ｂ−Ｘの関係式、すな
わち、エツチングレートがエツチング物質溶解量に対し
直線的に減少する性質を利用した特性線を作成し、これ
を半導体などからなる演算装置に記憶させ、基板のエツ
チング深さの信号を演算装置に与えることによって、前
記特性線から処理時間；Ｔ＝（エツチング深さ）／（エ
ツチングレート）を演算装置で算出し、基板のエツチン
グ処理が進行するに従って基板の処理時間が遂次自動的
に異っていくようにしたことを特徴とするエツチングの
自動制御装置である。なお、特性線の複数種類を演算装
置に記憶させ、基板の枚数を自動的に検出すると共に、
特性線の使い分けをその検出した基板に対応させるよう
にしてもよい。
その作用は、次に述べる実施例の説明で併せて詳述する
。
。
以下、本発明のものの一実施例を、図面に基づいて説明
する〇 〔実 施 例〕 第１図は本発明のエツチング自動制御装置の一実施例を
説明するための説明図、第２図はその技術的思想を説明
するためのブロック図である。
する〇 〔実 施 例〕 第１図は本発明のエツチング自動制御装置の一実施例を
説明するための説明図、第２図はその技術的思想を説明
するためのブロック図である。
第１図は本発明にかかるものの基板のエツチング工程の
概略が示されており、第２図を参照して本発明の構成を
下記す。
概略が示されており、第２図を参照して本発明の構成を
下記す。
すなわち、エツチング液１を矢印のごとく基板、例えば
Ｓｉ基板２の片面を噴射させて連続的に工。
Ｓｉ基板２の片面を噴射させて連続的に工。
チングを行う装置において、あらかじめ、エツチングレ
ートＹとＳｉ基板２の溶解量Ｘから、Ｙ＝Ａ＋Ｂ −Ｘ Ａ、Ｂは定数 の関係式を有する特性線ａが作成される。この特性線ａ
の作成に当っては、同一時間、同一温度および同−エツ
チング混合液によって行われ、断差測定機などを用いて
エツチング液さ４による８ｉ基板の溶解量Ｘが算出され
る。
ートＹとＳｉ基板２の溶解量Ｘから、Ｙ＝Ａ＋Ｂ −Ｘ Ａ、Ｂは定数 の関係式を有する特性線ａが作成される。この特性線ａ
の作成に当っては、同一時間、同一温度および同−エツ
チング混合液によって行われ、断差測定機などを用いて
エツチング液さ４による８ｉ基板の溶解量Ｘが算出され
る。
すなわち、この特性線ａの作成に当っては種種の方法が
とられるが、例えば、所定のエツチング深さ、面積でも
って数十枚のエツチングを行う。
とられるが、例えば、所定のエツチング深さ、面積でも
って数十枚のエツチングを行う。
この深さ１面積から溶解量が算出され、Ｓｉ基板の時間
当りのエツチング液さを測定する。そして、順次エツチ
ングの枚数を処理していったときの値をプロットし、こ
れを直線に示したものが特性線ａである。なお、エツチ
ングレートＹと溶解量Ｘの関係は公知のものであるため
、詳細な説明はここでは省略する。
当りのエツチング液さを測定する。そして、順次エツチ
ングの枚数を処理していったときの値をプロットし、こ
れを直線に示したものが特性線ａである。なお、エツチ
ングレートＹと溶解量Ｘの関係は公知のものであるため
、詳細な説明はここでは省略する。
このようにして得られた特性線ａは半導体などからなる
演算装置３に記憶される。そして、８ｉ基板２のエツチ
ング深さ４を演算装置３に与えることによって、特性線
ａから 処理時間：Ｔ＝（エツチング深さ）／（エツチングレー
ト）が演算装置３で算出し、８ｉ基板２のエツチング処
理が進行するに従ってＳｉ基板２の処理時間Ｔが遂次自
動的に異った値となっていくよう本装置は構成されてい
る。
演算装置３に記憶される。そして、８ｉ基板２のエツチ
ング深さ４を演算装置３に与えることによって、特性線
ａから 処理時間：Ｔ＝（エツチング深さ）／（エツチングレー
ト）が演算装置３で算出し、８ｉ基板２のエツチング処
理が進行するに従ってＳｉ基板２の処理時間Ｔが遂次自
動的に異った値となっていくよう本装置は構成されてい
る。
以下、その作用について説明する。
まず始めに、演算装置３に入力されている特性線の選定
を行う。特性線はエツチング液の混合比、例えばＨＦ：
ＨＮＯｓ：０ＨｓＯＯＯＨ，これらの混合比や温度など
によって異ったものが作成され、各種類のものが入力さ
れているが、この中から、第２図に示す特性線ａが選定
される。もちろん特性線ａでの工、チング処理完了後別
の特性線など順次エツチング処理が可能なよう演算装置
に記憶装置が入力可能なようになっているのは言うまで
もない。なお、エツチング液１とＳｉ基板２との反応式
４式％ 次に、エツチング深さ４が演算装置３に入力される。そ
の前後に、第１図に示すように数段重ねのＳｉ基板２を
収納したケース５がエツチング装置にセットされる。
を行う。特性線はエツチング液の混合比、例えばＨＦ：
ＨＮＯｓ：０ＨｓＯＯＯＨ，これらの混合比や温度など
によって異ったものが作成され、各種類のものが入力さ
れているが、この中から、第２図に示す特性線ａが選定
される。もちろん特性線ａでの工、チング処理完了後別
の特性線など順次エツチング処理が可能なよう演算装置
に記憶装置が入力可能なようになっているのは言うまで
もない。なお、エツチング液１とＳｉ基板２との反応式
４式％ 次に、エツチング深さ４が演算装置３に入力される。そ
の前後に、第１図に示すように数段重ねのＳｉ基板２を
収納したケース５がエツチング装置にセットされる。
このような状態で演算装置３の運転開始釦をオンすると
、ケース５１こ収納されている８ｉ基板２の有無並びに
枚数が自動的にセンサ（図示せず）によって検出され、
その後ケース５に収納されたＳｉ基板２は自動的にエツ
チング台６に移送される。
、ケース５１こ収納されている８ｉ基板２の有無並びに
枚数が自動的にセンサ（図示せず）によって検出され、
その後ケース５に収納されたＳｉ基板２は自動的にエツ
チング台６に移送される。
そして、セットが完了するとエツチング台６は回転し、
エツチング液１が傾斜ノズル７から８ｉ基板２へ矢印の
ごとく噴射される。噴射されたエツチング液１′は下部
に備えた受はタンク８に貯留され、これを循環ポンプ９
で吸い上げ、図示されていない上部の傾斜ノズル７側の
タンクに送り込まれ、さらにこれをポンプで傾斜ノズル
７へ流出させる。
エツチング液１が傾斜ノズル７から８ｉ基板２へ矢印の
ごとく噴射される。噴射されたエツチング液１′は下部
に備えた受はタンク８に貯留され、これを循環ポンプ９
で吸い上げ、図示されていない上部の傾斜ノズル７側の
タンクに送り込まれ、さらにこれをポンプで傾斜ノズル
７へ流出させる。
そして、所定時間経過したのち、すなわち特性線ａに乗
っとっての処理時間が完了すると、噴射するポンプは停
止すると共に、例えばこのエツチング台６上で水洗を行
う場合には洗浄水がエツチング液１と混らないようウィ
ング１０がエツチング台６のテーパ部分に密着してエツ
チング液１の流出経路と分離される。その後、水洗が完
了すると自動的にＳｉ基板２は移送されて次の工程、水
切り。
っとっての処理時間が完了すると、噴射するポンプは停
止すると共に、例えばこのエツチング台６上で水洗を行
う場合には洗浄水がエツチング液１と混らないようウィ
ング１０がエツチング台６のテーパ部分に密着してエツ
チング液１の流出経路と分離される。その後、水洗が完
了すると自動的にＳｉ基板２は移送されて次の工程、水
切り。
乾燥へと進む。
次に、二枚目のＳｉ基板がケース５より自動的にエツチ
ング台６に移送される。そして、前述した段取りで自動
的にエツチングが行われるわけであるが、エツチング液
１の活性が弱まってくると、特性線ａに従って処理時間
が少しずつ長くなっていく。
ング台６に移送される。そして、前述した段取りで自動
的にエツチングが行われるわけであるが、エツチング液
１の活性が弱まってくると、特性線ａに従って処理時間
が少しずつ長くなっていく。
このようにして、ケース５に納められているＳｉ基板２
は順次エツチングされ、一方工、チング液１が除徐に変
質してくるので特性線ａに乗っとってエツチングレート
Ｙが低下する。そして、総てのＳｉ基板２のエツチング
が完了するわけであるが、エツチング液さ４やＳｉ基板
の溶解量のパターンによっては次のセットもののＳｉ基
板のエツチングをエツチング液１の交換を行わずにエツ
チングすることができる。また、プログラムの組み方に
よっ ｌては例えば、５枚までをある深さ、溶解量で行
い、それが完了すると、前もってエツチング深さ４の値
とは別の値の深さ、溶解量でもって次の５枚のエツチン
グが行われるというように種種のエツチングを行うこと
ができる。
は順次エツチングされ、一方工、チング液１が除徐に変
質してくるので特性線ａに乗っとってエツチングレート
Ｙが低下する。そして、総てのＳｉ基板２のエツチング
が完了するわけであるが、エツチング液さ４やＳｉ基板
の溶解量のパターンによっては次のセットもののＳｉ基
板のエツチングをエツチング液１の交換を行わずにエツ
チングすることができる。また、プログラムの組み方に
よっ ｌては例えば、５枚までをある深さ、溶解量で行
い、それが完了すると、前もってエツチング深さ４の値
とは別の値の深さ、溶解量でもって次の５枚のエツチン
グが行われるというように種種のエツチングを行うこと
ができる。
以上説明したように本発明によれば、従来上。
チング液１が変質してくると新しい液に交換したり、ま
たエツチングの処理時間が判っていてもこれに伴うエツ
チング作業があったりして人手を要したが、本発明の特
性線ａによるエツチングの自動化が可能となり、入手を
要するのは始めの工。
たエツチングの処理時間が判っていてもこれに伴うエツ
チング作業があったりして人手を要したが、本発明の特
性線ａによるエツチングの自動化が可能となり、入手を
要するのは始めの工。
チングプログラムの設定と運転開始の操作のみとなった
。また、深さ、溶解量のパターン化により、無駄に消費
されていたエツチング液１が効率よく回転するので、経
費のコストダウン化が図れた。
。また、深さ、溶解量のパターン化により、無駄に消費
されていたエツチング液１が効率よく回転するので、経
費のコストダウン化が図れた。
更に、手作業で解消されなかったエツチングムラが、特
性線ａにより自動制御されるので、均一なエツチング化
が可能となった。
性線ａにより自動制御されるので、均一なエツチング化
が可能となった。
第１図は本発明のエツチング自動制御装置の一実施例を
説明するための説明図、第２図はその技術的思想を説明
するためのプロ、り図である。 １・・・・・・エツチング液、２・・・・・・Ｓｉ基板
、３・・・・・・演算装置、４・・・・・・エツチング
液さ、５・・・・・・ケース、６・・・・・・エツチン
グ台、７・・・・・・傾斜ノズル、８・・・・・・受は
タンク、９・−・・・・循環ポンプ、１０・・・・−ウ
ィング。
説明するための説明図、第２図はその技術的思想を説明
するためのプロ、り図である。 １・・・・・・エツチング液、２・・・・・・Ｓｉ基板
、３・・・・・・演算装置、４・・・・・・エツチング
液さ、５・・・・・・ケース、６・・・・・・エツチン
グ台、７・・・・・・傾斜ノズル、８・・・・・・受は
タンク、９・−・・・・循環ポンプ、１０・・・・−ウ
ィング。
Claims (2)
- （１）エッチング液を循環させて連続的にエッチング処
理を行う装置において、あらかじめエッチングレートＹ
と基板の溶解量Ｘおよび定数Ａ、Ｂから、Ｙ＝Ａ＋Ｂ・
Ｘの関係式を有する特性線を作成し、これを半導体など
からなる演算装置に記憶させ、基板のエッチング深さの
信号を前記演算装置に与えることによって、前記特性線
から処理時間；Ｔ＝（エッチング深さ）／（エッチング
レート）を演算装置で算出し、基板のエッチング処理が
進行するに従って基板の処理時間が遂次自動的に異って
いくようにしたことを特徴とするエッチングの自動制御
装置。 - （２）前記特性線の複数種類を前記演算装置に記憶させ
、基板の枚数を自動的に検出すると共に、特性線の使い
分けをその検出した基板に対応させるようにしたことを
特徴とする請求項第（１）項記載のエッチングの自動制
御装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14092388A JPH01309332A (ja) | 1988-06-08 | 1988-06-08 | エッチングの自動制御装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14092388A JPH01309332A (ja) | 1988-06-08 | 1988-06-08 | エッチングの自動制御装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01309332A true JPH01309332A (ja) | 1989-12-13 |
Family
ID=15279958
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14092388A Pending JPH01309332A (ja) | 1988-06-08 | 1988-06-08 | エッチングの自動制御装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01309332A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005091346A1 (ja) * | 2004-03-22 | 2005-09-29 | Mimasu Semiconductor Industry Co. Ltd. | スピンエッチングにおける工程管理方法及びスピンエッチング装置 |
| JP2007220980A (ja) * | 2006-02-17 | 2007-08-30 | Mitsubishi Electric Corp | 太陽電池セルの製造方法および製造装置 |
| DE102004059123B4 (de) * | 2004-12-08 | 2015-07-16 | Infineon Technologies Austria Ag | Vorrichtung und Verfahren zum Dünnen von Substraten oder von Schichten |
| JP2015135861A (ja) * | 2014-01-16 | 2015-07-27 | 株式会社東芝 | 薬液処理装置及び薬液処理方法 |
| JP2019106476A (ja) * | 2017-12-13 | 2019-06-27 | オムロン株式会社 | 監視システム、学習装置、学習方法、監視装置及び監視方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61287124A (ja) * | 1985-06-13 | 1986-12-17 | Oki Electric Ind Co Ltd | 基板の薬液加工方法および薬液加工装置 |
-
1988
- 1988-06-08 JP JP14092388A patent/JPH01309332A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61287124A (ja) * | 1985-06-13 | 1986-12-17 | Oki Electric Ind Co Ltd | 基板の薬液加工方法および薬液加工装置 |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| WO2005091346A1 (ja) * | 2004-03-22 | 2005-09-29 | Mimasu Semiconductor Industry Co. Ltd. | スピンエッチングにおける工程管理方法及びスピンエッチング装置 |
| US7659212B2 (en) | 2004-03-22 | 2010-02-09 | Mimasu Semiconductor Industry Co., Ltd. | Process control method in spin etching and spin etching apparatus |
| EP1729332A4 (en) * | 2004-03-22 | 2010-09-15 | Mimasu Semiconductor Ind Co | DRAIN PLANNING CONTROL PROCEDURE FOR SPIN EQUIPMENT AND SPIN EATING SYSTEM |
| KR101010532B1 (ko) * | 2004-03-22 | 2011-01-24 | 미마스 한도타이 고교 가부시키가이샤 | 스핀 에칭에서의 공정 관리방법 및 스핀 에칭 장치 |
| DE102004059123B4 (de) * | 2004-12-08 | 2015-07-16 | Infineon Technologies Austria Ag | Vorrichtung und Verfahren zum Dünnen von Substraten oder von Schichten |
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