JPH0225501B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0225501B2 JPH0225501B2 JP56115030A JP11503081A JPH0225501B2 JP H0225501 B2 JPH0225501 B2 JP H0225501B2 JP 56115030 A JP56115030 A JP 56115030A JP 11503081 A JP11503081 A JP 11503081A JP H0225501 B2 JPH0225501 B2 JP H0225501B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- vapor
- developer
- development
- supply nozzle
- developing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
- G03F7/3021—Imagewise removal using liquid means from a wafer supported on a rotating chuck
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はフオトレジスト現像方法および装置に
関する。
関する。
従来、半導体製品の製造過程におけるフオトレ
ジスト現像方式としては、第１図ａに示すように
現像液１を収容した現像槽２の中にウエハ３を浸
漬するデイツプ現像方式、第１図ｂに示すように
ウエハ３を回転させながらスプレーノズル４によ
り現像液１をウエハ３上に供給するスプレー現像
方式等が提案されている。
ジスト現像方式としては、第１図ａに示すように
現像液１を収容した現像槽２の中にウエハ３を浸
漬するデイツプ現像方式、第１図ｂに示すように
ウエハ３を回転させながらスプレーノズル４によ
り現像液１をウエハ３上に供給するスプレー現像
方式等が提案されている。
しかしながら、特にポジ型レジストの現像にお
いては、前者は現像中のウエハに異物が付着する
という問題がある一方、後者はレジストのはがれ
が生じるという問題がある。
いては、前者は現像中のウエハに異物が付着する
という問題がある一方、後者はレジストのはがれ
が生じるという問題がある。
本発明の目的は、フオトレジストの現像におい
て、現像物質を気相でウエハ面に供給することに
よりウエハ全面での均一な現像を行なうことにあ
る。
て、現像物質を気相でウエハ面に供給することに
よりウエハ全面での均一な現像を行なうことにあ
る。
この目的を達成するために、本発明は水蒸気ま
たはキヤリア蒸気と現像剤の蒸気とを別々に供給
するノズルを持ち、チヤンバー内でこれらを混合
し、現像を行なうフオトレジスト現像方法および
装置よりなる。
たはキヤリア蒸気と現像剤の蒸気とを別々に供給
するノズルを持ち、チヤンバー内でこれらを混合
し、現像を行なうフオトレジスト現像方法および
装置よりなる。
以下、本発明を図面に示す一実施例にしたがつ
てさらに詳細に説明する。
てさらに詳細に説明する。
第２図は本発明の一実施例によるフオトレジス
ト現像装置を示す概略断面図である。
ト現像装置を示す概略断面図である。
本実施例の装置は水蒸気またはキヤリア蒸気５
を現像チヤンバ６の中に供給する水蒸気またはキ
ヤリア蒸気供給ノズル７と、現像剤の蒸気８を現
像チヤンバ６の中に供給する現像剤蒸気供給ノズ
ル９とを有している。また、両ノズル７と９とに
は、蒸気の供給流量を調整するための流量調整弁
１０と１１がそれぞれ設けられている。両ノズル
７と９との間には、現像を停止させるためにリン
ス液１３を供給するリンス液供給ノズル１２が設
けられている。
を現像チヤンバ６の中に供給する水蒸気またはキ
ヤリア蒸気供給ノズル７と、現像剤の蒸気８を現
像チヤンバ６の中に供給する現像剤蒸気供給ノズ
ル９とを有している。また、両ノズル７と９とに
は、蒸気の供給流量を調整するための流量調整弁
１０と１１がそれぞれ設けられている。両ノズル
７と９との間には、現像を停止させるためにリン
ス液１３を供給するリンス液供給ノズル１２が設
けられている。
次に、本実施例の作用について説明する。
現像を行う場合、水蒸気またはキヤリア蒸気供
給ノズル７から水蒸気またはキヤリア蒸気、また
現像剤供給ノズル９から現像剤の蒸気をそれぞれ
現像チヤンバ６の中に供給する。これらの蒸気は
現像チヤンバ６内で互いに混合され、ウエハチヤ
ツク１４上に保持されたウエハ３上のレジスト表
面に均一に付着し、レジストの現像を行う。水蒸
気またはキヤリア蒸気と現像剤の蒸気との混合比
は流量調整弁１０と１１の調整により最適な現像
を得るよう調整可能である。
給ノズル７から水蒸気またはキヤリア蒸気、また
現像剤供給ノズル９から現像剤の蒸気をそれぞれ
現像チヤンバ６の中に供給する。これらの蒸気は
現像チヤンバ６内で互いに混合され、ウエハチヤ
ツク１４上に保持されたウエハ３上のレジスト表
面に均一に付着し、レジストの現像を行う。水蒸
気またはキヤリア蒸気と現像剤の蒸気との混合比
は流量調整弁１０と１１の調整により最適な現像
を得るよう調整可能である。
現像を停止させたい場合、リンス液供給ノズル
１２からリンス液１３を供給すればよい。
１２からリンス液１３を供給すればよい。
なお、必要であれば、ウエハチヤツク１４の回
転により、ウエハ３を現像中に回転させてもよ
い。また、現像の均一性をより良好にするために
ノズル７，９を複数本ずつ配置してもよい。
転により、ウエハ３を現像中に回転させてもよ
い。また、現像の均一性をより良好にするために
ノズル７，９を複数本ずつ配置してもよい。
以上説明したように、本発明によれば、現像物
質を気相で供給するので、現像時にレジストに異
物が付着したり、レジストのはがれを起こすこと
がなく、歩留りの向上が可能になり、また均一な
現像が得られ、寸法精度も向上する。
質を気相で供給するので、現像時にレジストに異
物が付着したり、レジストのはがれを起こすこと
がなく、歩留りの向上が可能になり、また均一な
現像が得られ、寸法精度も向上する。
第１図ａは従来のデイツプ現像方式を示す断面
図、第１図ｂは従来のスプレー現像方式の斜視
図、第２図は本発明によるレジスト現像装置の一
実施例を示す概略断面図である。 ３……ウエハ、５……水蒸気またはキヤリア蒸
気、６……現像槽、７……水蒸気またはキヤリア
蒸気供給ノズル、８……現像剤蒸気、９……現像
剤蒸気供給ノズル、１０，１１……流量調整弁、
１２……リンス液供給ノズル、１３……リンス
液、１４……ウエハチヤツク。
図、第１図ｂは従来のスプレー現像方式の斜視
図、第２図は本発明によるレジスト現像装置の一
実施例を示す概略断面図である。 ３……ウエハ、５……水蒸気またはキヤリア蒸
気、６……現像槽、７……水蒸気またはキヤリア
蒸気供給ノズル、８……現像剤蒸気、９……現像
剤蒸気供給ノズル、１０，１１……流量調整弁、
１２……リンス液供給ノズル、１３……リンス
液、１４……ウエハチヤツク。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 現像剤の蒸気と水蒸気またはキヤリア蒸気を
別々に現像チヤンバ内に供給し、これらの蒸気を
前記現像チヤンバ内で混合して現像を行い、その
後前記現像チヤンバ内にリンス液を供給して現像
を停止させるフオトレジスト現像方法。 ２ 現像剤の蒸気を供給する現像剤蒸気供給ノズ
ルと、水蒸気またはキヤリア蒸気を供給する水蒸
気またはキヤリア蒸気供給ノズルと、リンス液を
供給するリンス液供給ノズルとを現像チヤンバ内
に別々に設けたことを特徴とするフオトレジスト
現像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56115030A JPS5817443A (ja) | 1981-07-24 | 1981-07-24 | フオトレジスト現像方法および装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56115030A JPS5817443A (ja) | 1981-07-24 | 1981-07-24 | フオトレジスト現像方法および装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5817443A JPS5817443A (ja) | 1983-02-01 |
| JPH0225501B2 true JPH0225501B2 (ja) | 1990-06-04 |
Family
ID=14652474
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56115030A Granted JPS5817443A (ja) | 1981-07-24 | 1981-07-24 | フオトレジスト現像方法および装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5817443A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3534414A1 (de) * | 1985-09-27 | 1987-04-02 | Standard Elektrik Lorenz Ag | Verfahren und vorrichtung zur erzeugung einer schwarzmatrixschicht |
| JPS63250125A (ja) * | 1987-04-06 | 1988-10-18 | Nec Yamagata Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| EP0443796A3 (en) * | 1990-02-19 | 1992-03-04 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Development process |
| JPH07105336B2 (ja) * | 1992-08-27 | 1995-11-13 | 日本電気株式会社 | レジスト現像方法 |
| US6025118A (en) * | 1998-05-12 | 2000-02-15 | Sony Corporation | Glassmastering photoresist read after write method and system |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5536182B2 (ja) * | 1973-10-15 | 1980-09-19 |
-
1981
- 1981-07-24 JP JP56115030A patent/JPS5817443A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5817443A (ja) | 1983-02-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5376176A (en) | Silicon oxide film growing apparatus | |
| US6402399B2 (en) | Developing method and developing apparatus | |
| US3799179A (en) | Processing apparatus with precisely controlled agitation | |
| JPH0225501B2 (ja) | ||
| JPS623971B2 (ja) | ||
| JPS6053305B2 (ja) | 現像方法 | |
| JPS6253591B2 (ja) | ||
| JPS5511311A (en) | Method of photoresist developing | |
| JPS6232614B2 (ja) | ||
| JPH0462831A (ja) | ホトレジスト塗布方法 | |
| JPH0325938A (ja) | 半導体装置の製造装置 | |
| JPS63310117A (ja) | 半導体製造用現像装置 | |
| JPH0144012B2 (ja) | ||
| JPS6347929A (ja) | 現像装置 | |
| JPH1050595A (ja) | 処理装置 | |
| JP2558490B2 (ja) | 現像装置 | |
| JPH05315237A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0132357Y2 (ja) | ||
| JPH0340418A (ja) | 洗浄装置 | |
| JPS6334620B2 (ja) | ||
| JPH0342816A (ja) | 基板処理装置 | |
| JPS61251134A (ja) | 自動現像装置 | |
| JPH05243145A (ja) | 半導体製造工程の現像方法及び現像装置 | |
| JPS63173327A (ja) | 半導体装置の製造装置 | |
| JPH0740545B2 (ja) | 現像方法 |