JPH01309369A - 固体撮像素子の製造方法 - Google Patents
固体撮像素子の製造方法Info
- Publication number
- JPH01309369A JPH01309369A JP63140691A JP14069188A JPH01309369A JP H01309369 A JPH01309369 A JP H01309369A JP 63140691 A JP63140691 A JP 63140691A JP 14069188 A JP14069188 A JP 14069188A JP H01309369 A JPH01309369 A JP H01309369A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light receiving
- wiring
- solid
- ccd
- manufacturing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
マトリックス状に配置された複数の受光部と、各受光部
列のそれぞれの傍らに沿って配置され受光部に蓄積され
た電荷を転送するＣＣＤとを有し、受光部列内の隣接す
る受光部の間に、並列するＣＣＤ間の電極同志を接続す
る複数の配線が配置される固体撮像素子の製造方法に関
し、 画素面積に対する受光部面積を相対的に大きくなし得る
ようにすることを目的とし、 上記複数の配線を絶縁膜の介在で相互に重ねて配置し、
該配線の下層側配線を上層側配線にセルフ・アラインさ
せたエツチングでパターニングして形成するように構成
する。
列のそれぞれの傍らに沿って配置され受光部に蓄積され
た電荷を転送するＣＣＤとを有し、受光部列内の隣接す
る受光部の間に、並列するＣＣＤ間の電極同志を接続す
る複数の配線が配置される固体撮像素子の製造方法に関
し、 画素面積に対する受光部面積を相対的に大きくなし得る
ようにすることを目的とし、 上記複数の配線を絶縁膜の介在で相互に重ねて配置し、
該配線の下層側配線を上層側配線にセルフ・アラインさ
せたエツチングでパターニングして形成するように構成
する。
本発明は、マトリックス状に配置された複数の受光部と
、各受光部列のそれぞれの傍らに沿って配置され受光部
に蓄積された電荷を転送するＣＣＤとを有し、受光部列
内の隣接する受光部の間に、並列するＣＣＤ間の電極同
志を接続する複数の配線が配置される固体撮像素子の製
造方法に関する。
、各受光部列のそれぞれの傍らに沿って配置され受光部
に蓄積された電荷を転送するＣＣＤとを有し、受光部列
内の隣接する受光部の間に、並列するＣＣＤ間の電極同
志を接続する複数の配線が配置される固体撮像素子の製
造方法に関する。
上記固体撮像素子は、光学的影像を電気的信号に変換す
る素子で、テレビカメラなどに用いられる。そして、解
像力向上のための受光部数（画素数）の増大化や、ハン
ディカメラのための素子の小型化が要請されているが、
その要請に応える際、出力信号の品質を確保するために
、画素面積の中に占める受光部面積を大きくするように
素子を製造することが重要である。
る素子で、テレビカメラなどに用いられる。そして、解
像力向上のための受光部数（画素数）の増大化や、ハン
ディカメラのための素子の小型化が要請されているが、
その要請に応える際、出力信号の品質を確保するために
、画素面積の中に占める受光部面積を大きくするように
素子を製造することが重要である。
第３図は、上述した固体撮像素子例及びその製造方法従
来例を説明する要部平面図である。
来例を説明する要部平面図である。
第３図において、１．２、及び３は、それぞれＳｉｉ仮
にイオン注入して形成された受光部、ＣＣＤ活性領域、
及び転送ゲート活性領域、であり、複数の受光部１はマ
トリックス状の配置をなし、ＣＣＤ活性領域２は受光部
１が構成する縦方向列のそれぞれの傍らに沿い、転送ゲ
ート活性領域３は受光部１とＣＣＤ活性領域２との間を
繋いでいる。そして、基板表面の上記以外の領域を分離
絶縁膜４が占めている。また５及び６は、ゲート絶縁膜
を介して上記活性領域上を覆うポリＳｉの第１電極及び
第２電極、であり、画電極５及び６の間には絶縁膜が介
在する。
にイオン注入して形成された受光部、ＣＣＤ活性領域、
及び転送ゲート活性領域、であり、複数の受光部１はマ
トリックス状の配置をなし、ＣＣＤ活性領域２は受光部
１が構成する縦方向列のそれぞれの傍らに沿い、転送ゲ
ート活性領域３は受光部１とＣＣＤ活性領域２との間を
繋いでいる。そして、基板表面の上記以外の領域を分離
絶縁膜４が占めている。また５及び６は、ゲート絶縁膜
を介して上記活性領域上を覆うポリＳｉの第１電極及び
第２電極、であり、画電極５及び６の間には絶縁膜が介
在する。
そして、ＣＣＤ活性領域２とその上の電極５及び６がＣ
ＣＤを構成し、転送ゲート活性領域３とその上の電極６
が転送ゲートを構成する。電極５はＣＣＤに専用であり
、電極６はＣＣＤと転送ゲートに共用である。
ＣＤを構成し、転送ゲート活性領域３とその上の電極６
が転送ゲートを構成する。電極５はＣＣＤに専用であり
、電極６はＣＣＤと転送ゲートに共用である。
各受光部１は光の入射により電荷を蓄積し、各転送ゲー
トは電極６の電圧印加によりこの各電荷を一斉にＣＣＤ
に転送し、各ＣＣＤは、電極５及び６に反対位相のクロ
ックφ１及びφ２が印加されて、上記電荷をＣＣＤ内の
所定方向に順次転送する。転送ゲートの作動は、その際
の電極６の電圧を上記クロックより高レベルにしてＣＣ
Ｄの作動と区別される。
トは電極６の電圧印加によりこの各電荷を一斉にＣＣＤ
に転送し、各ＣＣＤは、電極５及び６に反対位相のクロ
ックφ１及びφ２が印加されて、上記電荷をＣＣＤ内の
所定方向に順次転送する。転送ゲートの作動は、その際
の電極６の電圧を上記クロックより高レベルにしてＣＣ
Ｄの作動と区別される。
そして、この素子は、並列した上記ＣＣＤが内部転送の
電荷を受光部１群の外側に配置された横方向のＣＣＤ
（図示省略）に並行して転送し、この横方向のＣＣＤの
終端で出力信号にする。
電荷を受光部１群の外側に配置された横方向のＣＣＤ
（図示省略）に並行して転送し、この横方向のＣＣＤの
終端で出力信号にする。
そこで、並列したＣＣＤを並行して作動ざ廿るため、Ｃ
ＣＤ間の電極同志即ち横並びしてそれぞれ対応する電極
５または６同志を連通接続させるように、電極５同志を
接続する第１配線５ａと電極６同志を接続する第２配線
６ａを、縦方向に隣接する受光部１の間に配置している
。
ＣＤ間の電極同志即ち横並びしてそれぞれ対応する電極
５または６同志を連通接続させるように、電極５同志を
接続する第１配線５ａと電極６同志を接続する第２配線
６ａを、縦方向に隣接する受光部１の間に配置している
。
この固体撮像素子は、従来衣のようにして製造している
。
。
即ち、ＣＣＤ活性領域２、転送ゲート活性領域３、分離
絶縁膜４、及びゲート絶縁膜が形成された基板上に、第
１ポリＳｔ膜を被着し、これをパターニングして第１電
極５及びこれと一体にした第１配綿５ａを完成させる。
絶縁膜４、及びゲート絶縁膜が形成された基板上に、第
１ポリＳｔ膜を被着し、これをパターニングして第１電
極５及びこれと一体にした第１配綿５ａを完成させる。
次いで、露出Ｓｉの表面に絶縁膜を形成してから第２ポ
リＳｉ膜を被着し、これをパターニングして第２電極６
及びこれと一体にした第２配綿６Ｊ１を完成させる。そ
の際、受光部１の面積が小さくなるのを少なくするため
、第４図に示すように、第２配線６ａが第１配線５ ａ
−Ｊ二に重なるようにする。受光部１のイオン注入は、
電極６の形成の後に行う。
リＳｉ膜を被着し、これをパターニングして第２電極６
及びこれと一体にした第２配綿６Ｊ１を完成させる。そ
の際、受光部１の面積が小さくなるのを少なくするため
、第４図に示すように、第２配線６ａが第１配線５ ａ
−Ｊ二に重なるようにする。受光部１のイオン注入は、
電極６の形成の後に行う。
ここで第１配線５ａ及び第２配綿６ａは、抵抗を所定以
下にする必要性から許容最小幅が通常の場合同じになる
。
下にする必要性から許容最小幅が通常の場合同じになる
。
しかしながら上述の製造方法では、第１配線５ａの上に
くる第２配線６ａを形成する際にパターニングの位置合
わせ余裕を取る必要があることから、第１配線５ａの幅
を第２配線６ａの幅より大きくせざるを得ない。
くる第２配線６ａを形成する際にパターニングの位置合
わせ余裕を取る必要があることから、第１配線５ａの幅
を第２配線６ａの幅より大きくせざるを得ない。
このことは、゛縦方向に隣接する受光部１の間の間隙を
大きくして受光部１の面積をその分だけ縮小させること
になり、画素面積が小さくなった場合にその縮小が無視
できなくなる問題がある。
大きくして受光部１の面積をその分だけ縮小させること
になり、画素面積が小さくなった場合にその縮小が無視
できなくなる問題がある。
そこで本発明は、マトリックス状に配置された複数の受
光部と、各受光部列のそれぞれの傍らに沿って配置され
受光部に蓄積された電荷を転送するＣＣＤとを有し、受
光部列内の隣接する受光部の間に、並列するＣＣＤ間の
電極同志を接続する複数の配線が配置されろ固体撮像素
子を製造するに際して、画素面積に対する受光部面積を
相対的に大きくなし得るようにする製造方法の提供を目
的とする。
光部と、各受光部列のそれぞれの傍らに沿って配置され
受光部に蓄積された電荷を転送するＣＣＤとを有し、受
光部列内の隣接する受光部の間に、並列するＣＣＤ間の
電極同志を接続する複数の配線が配置されろ固体撮像素
子を製造するに際して、画素面積に対する受光部面積を
相対的に大きくなし得るようにする製造方法の提供を目
的とする。
上記目的は、」二記複数の配線を絶縁膜の介在で相互に
重ねて配置し、該配線の下層側配線を−Ｆ層側配線にセ
ルフ・アラインさせたエツチングでパターニングして形
成する本発明の製造方法によって解決される。
重ねて配置し、該配線の下層側配線を−Ｆ層側配線にセ
ルフ・アラインさせたエツチングでパターニングして形
成する本発明の製造方法によって解決される。
従来例でｉｔべた製造方法では、第２配線６ａを第１配
線５ａの上に重ねて受光部１の面積を太き（しているも
のの、更に受光部１の面積を大きくするように第２配線
６ａの幅を先に述べた許容最小幅まで狭めても、第１配
線５ａの幅をそこまで狭めることができないため、第１
配線５ａの幅が第２配線６ａの幅より太き（なる分だけ
無駄になっている。
線５ａの上に重ねて受光部１の面積を太き（しているも
のの、更に受光部１の面積を大きくするように第２配線
６ａの幅を先に述べた許容最小幅まで狭めても、第１配
線５ａの幅をそこまで狭めることができないため、第１
配線５ａの幅が第２配線６ａの幅より太き（なる分だけ
無駄になっている。
これに対して本発明の製造方法では、相互に重ねる配線
の幅を等しくすることができるため、従来例に相当する
場合では、第１配線５ａ及び第２配線６ａの両者の幅が
等しくなって上記の無駄が無くなり、その分だけ画素面
積に対する受光部１の面積を相対的に大きくすることが
可能になる。
の幅を等しくすることができるため、従来例に相当する
場合では、第１配線５ａ及び第２配線６ａの両者の幅が
等しくなって上記の無駄が無くなり、その分だけ画素面
積に対する受光部１の面積を相対的に大きくすることが
可能になる。
そしてこのことは、画素面積が小さくなった場合に出力
信号の品質確保を容易にさせる。
信号の品質確保を容易にさせる。
以下本発明による製造方法の実施例について第１図及び
第２図を用いて説明する。第１図（ａ）〜（ｅ）は実施
例を説明する要部平面図、第２図は実施例による配線部
の断面図、であり、企図を通じ同一符号は同一機能対象
物を示す。
第２図を用いて説明する。第１図（ａ）〜（ｅ）は実施
例を説明する要部平面図、第２図は実施例による配線部
の断面図、であり、企図を通じ同一符号は同一機能対象
物を示す。
実施例は第３図図示に相当する固体撮像素子を製造する
場合である。
場合である。
即ち第１図において、先ず（ａ）を参照して、従来例と
同様に、Ｓｔ基板にＣＣＤ活性領域２、転送ゲート活性
領域３、分離絶縁膜４、及びゲート絶縁膜を形成する。
同様に、Ｓｔ基板にＣＣＤ活性領域２、転送ゲート活性
領域３、分離絶縁膜４、及びゲート絶縁膜を形成する。
受光部１の領域は、主として分離絶縁膜４により画定さ
れるがイオン注入未の状態である。
れるがイオン注入未の状態である。
次いで（ｂｌを参照して、第１ポリＳｉ膜１１を被着し
、これをエツチングでパターニングして、第１電極５の
縦方向に対向する２辺を形成する窓１２を明けろ。その
後、パターニングの際マスクに用いたレジスト膜を除去
し、露出Ｓｉの表面に絶縁膜を形成する。
、これをエツチングでパターニングして、第１電極５の
縦方向に対向する２辺を形成する窓１２を明けろ。その
後、パターニングの際マスクに用いたレジスト膜を除去
し、露出Ｓｉの表面に絶縁膜を形成する。
次いで（Ｃ）を参照して、第２ポリＳｉ膜を被着し、こ
れをエツチングでパターニングして第２電極６及びこれ
と一体の第２配線６ａを完成させる。パターニングの際
マスクに用いたレジスト膜はそのままにしておく。
れをエツチングでパターニングして第２電極６及びこれ
と一体の第２配線６ａを完成させる。パターニングの際
マスクに用いたレジスト膜はそのままにしておく。
次いで（ｄｉを参照して、第１ポリＳｉ膜←の第１電極
５となるべき部分を選択的に覆うようにしたレジスト膜
１３を形成する。レジスト膜１３の第２電極６と接する
部分はその上のレジス１〜膜にオーハーラソプさせる。
５となるべき部分を選択的に覆うようにしたレジスト膜
１３を形成する。レジスト膜１３の第２電極６と接する
部分はその上のレジス１〜膜にオーハーラソプさせる。
図（山では」二記オーバーランプを局部的にしであるが
、第２電極６部分を全て覆ってレジスト膜１３を縦方向
に連通させても良い。
、第２電極６部分を全て覆ってレジスト膜１３を縦方向
に連通させても良い。
次いで（ｃｌ、を参照して、（Ｃ）の工程で残しておい
たレジスト膜とレジスト膜１３をマスクにしたエツチン
グで、第１ポリＳｉ膜ＩＩ上の絶縁膜及び第１ポリＳｉ
膜１１をパターニングして、第１電極５及びこれと一体
の第１配線５ａを完成させる。その後上記両レジスト膜
を除去する。受光部１のイオン注入は、従来例と同様に
この後の工程となる。
たレジスト膜とレジスト膜１３をマスクにしたエツチン
グで、第１ポリＳｉ膜ＩＩ上の絶縁膜及び第１ポリＳｉ
膜１１をパターニングして、第１電極５及びこれと一体
の第１配線５ａを完成させる。その後上記両レジスト膜
を除去する。受光部１のイオン注入は、従来例と同様に
この後の工程となる。
この製造方法によれば、第１配線５ａがその」二の第２
配線６ａにセルフ・アラインさせたエツチングでパター
ニングして形成されるため、第２図に示すように、第１
配線５ａは、従来例（第４図）の場合と異なって、幅を
第２配線６ａの幅と等しくすることができる。
配線６ａにセルフ・アラインさせたエツチングでパター
ニングして形成されるため、第２図に示すように、第１
配線５ａは、従来例（第４図）の場合と異なって、幅を
第２配線６ａの幅と等しくすることができる。
このことは、受光部１の面積の大きさに着目した際に、
先に述べたように、第１配線５ａと第２配綿６ａの幅の
差による無駄を無くすることになり、画素面積に対して
受光部の面積を相対的に大きくする。これは画素面積が
小さくなった場合に出力信号の品質確保を容易にさせろ
。
先に述べたように、第１配線５ａと第２配綿６ａの幅の
差による無駄を無くすることになり、画素面積に対して
受光部の面積を相対的に大きくする。これは画素面積が
小さくなった場合に出力信号の品質確保を容易にさせろ
。
なお、上記実施例は、隣接する受光部１の間に配置する
配線が第１配線５ａと第２配線６ａの二つの場合である
が、本発明は、ＣＣＤが３相クロツクで作動するもので
あったり、転送ゲートの電極が独立であったりして、上
記配線が三つ以上になる場合にも適用可能である。
配線が第１配線５ａと第２配線６ａの二つの場合である
が、本発明は、ＣＣＤが３相クロツクで作動するもので
あったり、転送ゲートの電極が独立であったりして、上
記配線が三つ以上になる場合にも適用可能である。
以−Ｌ説明したように本発明の構成によれば、マトリッ
クス状に配置された複数の受光部と、各受光部列のそれ
ぞれの傍らに沿って配置され受光部に蓄積された電荷を
転送するＣＣＤとを有し、受光部列内の隣接する受光部
の間に、並列するＣＣＤ間の電極同志を接続する複数の
配線が配置される固体撮像素子の製造方法において、画
素面積に対する受光部面積を相対的に大きくなし得るよ
うにすることができて、画素面積が小さくなった場合に
出力信号の品質確保を容易にさせる効果がある。
クス状に配置された複数の受光部と、各受光部列のそれ
ぞれの傍らに沿って配置され受光部に蓄積された電荷を
転送するＣＣＤとを有し、受光部列内の隣接する受光部
の間に、並列するＣＣＤ間の電極同志を接続する複数の
配線が配置される固体撮像素子の製造方法において、画
素面積に対する受光部面積を相対的に大きくなし得るよ
うにすることができて、画素面積が小さくなった場合に
出力信号の品質確保を容易にさせる効果がある。
第１図（１１）〜（ｅｌは実施例を説明する要部平面図
、第２図は実施例による配線部の断面図、第３図は固体
撮像素子例及びその製造方法従来例を説明する要部平面
図、 第４図は従来例による配線部の断面図、である。 図において、 １は受光部、 ２はＣＣＤ活性領域、 ３は転送ゲート活性領域、 ４は分離絶縁膜、 ５は第１電極、 ５ａは第１配線、 ６は第２電極、 ６ａは第２配線、 １１は第１ポリＳｉ膜、 １２は窓、 １３はレジスト膜、 である。 定オ子３イチリ８．説弓回する４宍音Ｐ−？−１ｊジ戻
］＄ ７ り 大翅例と説明ｔかｔ部平面図 第 ｉ 図 実砲例８説明１瞠仰乎面図 第 １ 図 突苑例１はる配線部の断面口 第 ２ 図 イσ）捧ジ記ｒ方立ζ従青（伸Ｉ托言芭日月する平軒面
図第 ３ 図 ネ℃＃夜りによる配利目印の断面口 筒 ４ 図
、第２図は実施例による配線部の断面図、第３図は固体
撮像素子例及びその製造方法従来例を説明する要部平面
図、 第４図は従来例による配線部の断面図、である。 図において、 １は受光部、 ２はＣＣＤ活性領域、 ３は転送ゲート活性領域、 ４は分離絶縁膜、 ５は第１電極、 ５ａは第１配線、 ６は第２電極、 ６ａは第２配線、 １１は第１ポリＳｉ膜、 １２は窓、 １３はレジスト膜、 である。 定オ子３イチリ８．説弓回する４宍音Ｐ−？−１ｊジ戻
］＄ ７ り 大翅例と説明ｔかｔ部平面図 第 ｉ 図 実砲例８説明１瞠仰乎面図 第 １ 図 突苑例１はる配線部の断面口 第 ２ 図 イσ）捧ジ記ｒ方立ζ従青（伸Ｉ托言芭日月する平軒面
図第 ３ 図 ネ℃＃夜りによる配利目印の断面口 筒 ４ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 マトリックス状に配置された複数の受光部と、各受光
部列のそれぞれの傍らに沿って配置され受光部に蓄積さ
れた電荷を転送するＣＣＤとを有し、受光部列内の隣接
する受光部の間に、並列するＣＣＤ間の電極同志を接続
する複数の配線が配置される固体撮像素子を製造するに
際して、 上記複数の配線を絶縁膜の介在で相互に重ねて配置し、
該配線の下層側配線を上層側配線にセルフ・アラインさ
せたエッチングでパターニングして形成することを特徴
とする固体撮像素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63140691A JPH01309369A (ja) | 1988-06-08 | 1988-06-08 | 固体撮像素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63140691A JPH01309369A (ja) | 1988-06-08 | 1988-06-08 | 固体撮像素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01309369A true JPH01309369A (ja) | 1989-12-13 |
Family
ID=15274512
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63140691A Pending JPH01309369A (ja) | 1988-06-08 | 1988-06-08 | 固体撮像素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01309369A (ja) |
-
1988
- 1988-06-08 JP JP63140691A patent/JPH01309369A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7858433B2 (en) | Photoelectric converting film stack type solid-state image pickup device, and method of producing the same | |
| JP2596523B2 (ja) | 固体撮像素子及びその製造方法 | |
| JP2925444B2 (ja) | 固体撮像素子およびその製造方法 | |
| EP0037244B1 (en) | Method for fabricating a solid-state imaging device using photoconductive film | |
| JPH09172156A (ja) | 固体撮像素子及びその製造方法 | |
| JP2003332358A (ja) | 電荷転送素子及びその製造方法 | |
| JPH05315588A (ja) | 固体撮像装置およびその製造方法 | |
| US8120130B2 (en) | Solid-state imaging device and method for manufacturing the same | |
| JP3394878B2 (ja) | 固体撮像装置の製造方法 | |
| JP3028823B2 (ja) | 電荷結合素子およびこれを用いた固体撮像装置 | |
| JP2754668B2 (ja) | 固体撮像素子の製造方法 | |
| JP2936153B2 (ja) | 固体撮像素子の製造方法 | |
| JP3011232B2 (ja) | 固体撮像素子及びその製造方法 | |
| JP2001024179A (ja) | マイクロレンズの製造方法 | |
| JP2531435B2 (ja) | 固体撮像装置及びその製造方法 | |
| JPH06296008A (ja) | 固体撮像素子の製造方法 | |
| JPH01308071A (ja) | 固体撮像素子及びその製造方法 | |
| JP2867469B2 (ja) | 電荷転送装置及びその製造方法 | |
| JP3769101B2 (ja) | 固体撮像素子及びその製造方法 | |
| JP3769101B6 (ja) | 固体撮像素子及びその製造方法 | |
| JPS59172764A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPS5927105B2 (ja) | 赤外線撮像用半導体装置の製造法 | |
| JPS62193277A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPH04258140A (ja) | 電荷転送素子の製造方法 | |
| JPS593068B2 (ja) | 固体撮像素子 |