JPH01309973A - 薄膜形成装置 - Google Patents
薄膜形成装置Info
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- JPH01309973A JPH01309973A JP13854988A JP13854988A JPH01309973A JP H01309973 A JPH01309973 A JP H01309973A JP 13854988 A JP13854988 A JP 13854988A JP 13854988 A JP13854988 A JP 13854988A JP H01309973 A JPH01309973 A JP H01309973A
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- thin film
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/05—Organic bonding materials; Methods for coating a substrate with a photoconductive layer; Inert supplements for use in photoconductive layers
- G03G5/0525—Coating methods
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
同軸型空胴共振器を用いた有磁場μ波薄膜形成装置の改
良に関し、 真空容器に設けられたμ波導入部の窓への膜の付着が少
なくなるようにすることを目的とし、真空容器内のプラ
ズマ室に導入した原料ガスを前記真空容器に設けられた
マイクロ波導入部の窓から導入されるマイクロ波により
プラズマ化し、前記真空容器内にセットされた円筒基体
上に薄膜を堆積させる薄膜形成装置において、前記マイ
クロ波導入部の窓を前記プラズマ室から遠ざけるととも
に、前記マイクロ波導入部内をパージ用ガスを用いてパ
ージするパージ手段を設けた構成とする。
良に関し、 真空容器に設けられたμ波導入部の窓への膜の付着が少
なくなるようにすることを目的とし、真空容器内のプラ
ズマ室に導入した原料ガスを前記真空容器に設けられた
マイクロ波導入部の窓から導入されるマイクロ波により
プラズマ化し、前記真空容器内にセットされた円筒基体
上に薄膜を堆積させる薄膜形成装置において、前記マイ
クロ波導入部の窓を前記プラズマ室から遠ざけるととも
に、前記マイクロ波導入部内をパージ用ガスを用いてパ
ージするパージ手段を設けた構成とする。
または、上記構成に、前記マイクロ波導入部を磁気シー
ルドする超伝導体を付加した構成とする。
ルドする超伝導体を付加した構成とする。
本発明は同軸型空胴共振器を用いた有磁場マイクロ波（
μ波）薄膜形成装置の改良に関する。
μ波）薄膜形成装置の改良に関する。
円筒基体上に感光層を形成した感光体の表面を一様に帯
電させ、この上に印字情報に基づいてレーザ光等を選択
的に照射し感光層の帯電電位を選択的に減衰させて潜像
を形成した後、これを現像して得られた１−ナー像を記
録紙に転写、走者して記録する電子写真装置は周知であ
るが、この場合に使用される感光体としては、近年、セ
レン系よりも、機械的強度の強いアモルファスシリコン
膜の感光層を備えたものが用いられるようになってきて
いる。
電させ、この上に印字情報に基づいてレーザ光等を選択
的に照射し感光層の帯電電位を選択的に減衰させて潜像
を形成した後、これを現像して得られた１−ナー像を記
録紙に転写、走者して記録する電子写真装置は周知であ
るが、この場合に使用される感光体としては、近年、セ
レン系よりも、機械的強度の強いアモルファスシリコン
膜の感光層を備えたものが用いられるようになってきて
いる。
このアモルファスシリコン膜形成に使用される従来の同
軸型空胴共振器を用いた有磁場μ波ＣＶＤ装置（薄膜形
成装置）の構造を第３図に示す。この装置は、本出願人
の出願に係る特願昭６１−１８７７１０号に開示された
もので、第３図（ａ）は要部平面図、第３図（ｂ）は全
体概要を示す正面図である。図中、３１は真空容器、１
００は電子写真用感光体の円筒基体である。この装置に
よる円筒基体１００の表面へのアモルファスシリコン膜
の形成は次のように行われる。
軸型空胴共振器を用いた有磁場μ波ＣＶＤ装置（薄膜形
成装置）の構造を第３図に示す。この装置は、本出願人
の出願に係る特願昭６１−１８７７１０号に開示された
もので、第３図（ａ）は要部平面図、第３図（ｂ）は全
体概要を示す正面図である。図中、３１は真空容器、１
００は電子写真用感光体の円筒基体である。この装置に
よる円筒基体１００の表面へのアモルファスシリコン膜
の形成は次のように行われる。
まず、図示のように真空容器３１内で円筒基体１００を
支持台３２に支持させてセットし、真空容器３１内を真
空ポンプ等により所定の真空度に達するまでバルブ３３
を介し排気する。次に、モータ３４により円筒基体１０
０を支持台３２とともに回転させるとともに、円筒基体
１００の内側に配置されたヒータ３５により円筒基体１
００を１５０℃〜３５０ ”Ｃに加熱する。この場合、
ヒータ電＃３６は基体温度をモニタして一定温度になる
ように調整する。ここで、バルブ３７を開き原料ガス供
給口３１ａから原料ガスであるシリコン原子含有ガス（
ジシラン等）を真空容器３１内にら導入し、μ被電源３
８で発生したμ波を導波管３９で導いて真空容器３１に
設けられたμ波涛入部４３の窓４０から真空容器３１内
のプラズマ室４１に入れる。真空容器３１と円筒基体１
００は同軸型空胴共振器を構成しているので、これらの
間のプラズマ室４１に入ったμ波は共振し、これにより
、プラズマ室内の原料ガスは励起されてプラズマ化する
。このμ波導入と同時に、所定波形の電流Ｉ ｍａｇ、
ｒ ’ ｍａｇをマグネット４２．４２’に流し磁界
を発生させてプラズマを基体付近に閉じ込める。そこで
、導入ガスが効率よく分解され、円筒基体１００上にア
モルファスシリコン膜が形成される。この場合、電源に
μ波が使用され、ガス圧が１０−’〜１０−’ｔｏｒｒ
程度の低圧で成膜が可能であるため、ＲＦ電源の場合に
問題となる粉状物質が装置内にたまるごとはなくなる。
支持台３２に支持させてセットし、真空容器３１内を真
空ポンプ等により所定の真空度に達するまでバルブ３３
を介し排気する。次に、モータ３４により円筒基体１０
０を支持台３２とともに回転させるとともに、円筒基体
１００の内側に配置されたヒータ３５により円筒基体１
００を１５０℃〜３５０ ”Ｃに加熱する。この場合、
ヒータ電＃３６は基体温度をモニタして一定温度になる
ように調整する。ここで、バルブ３７を開き原料ガス供
給口３１ａから原料ガスであるシリコン原子含有ガス（
ジシラン等）を真空容器３１内にら導入し、μ被電源３
８で発生したμ波を導波管３９で導いて真空容器３１に
設けられたμ波涛入部４３の窓４０から真空容器３１内
のプラズマ室４１に入れる。真空容器３１と円筒基体１
００は同軸型空胴共振器を構成しているので、これらの
間のプラズマ室４１に入ったμ波は共振し、これにより
、プラズマ室内の原料ガスは励起されてプラズマ化する
。このμ波導入と同時に、所定波形の電流Ｉ ｍａｇ、
ｒ ’ ｍａｇをマグネット４２．４２’に流し磁界
を発生させてプラズマを基体付近に閉じ込める。そこで
、導入ガスが効率よく分解され、円筒基体１００上にア
モルファスシリコン膜が形成される。この場合、電源に
μ波が使用され、ガス圧が１０−’〜１０−’ｔｏｒｒ
程度の低圧で成膜が可能であるため、ＲＦ電源の場合に
問題となる粉状物質が装置内にたまるごとはなくなる。
しかし、この従来方式では、成膜時に、石英ガラス等で
形成される窓４０にも薄膜が堆積し、このため、ここで
μ波の吸収や反射が起こってμ波の導入効率が低下して
いく。そして、最終的には、導入されるμ被電力が著る
しく減じ、放電を維持することができな（なってしまう
。このため、１回あたりの成膜時間が制限され、アモル
ファスシリコン感光体のような比較的厚い膜の場合は、
成膜の初期と後期で条件が変わり、膜質に分布ができて
しまう。また、窓部分の膜が厚くなると、掃除や交換が
必要になる。
形成される窓４０にも薄膜が堆積し、このため、ここで
μ波の吸収や反射が起こってμ波の導入効率が低下して
いく。そして、最終的には、導入されるμ被電力が著る
しく減じ、放電を維持することができな（なってしまう
。このため、１回あたりの成膜時間が制限され、アモル
ファスシリコン感光体のような比較的厚い膜の場合は、
成膜の初期と後期で条件が変わり、膜質に分布ができて
しまう。また、窓部分の膜が厚くなると、掃除や交換が
必要になる。
本発明は真空容器に設けられたμ波導入部の窓への膜の
付着が少なくなるようにすることのできる薄膜形成装置
を提供することを目的とするものである。
付着が少なくなるようにすることのできる薄膜形成装置
を提供することを目的とするものである。
上述の目的を達成するため、本発明では、真空容器内の
プラズマ室に導入した原料ガスを前記真空容器に設けら
れたμ波導入部の窓から導入されるμ波によりプラズマ
化し、前記真空容器内に七ノドされた円筒基体上に薄膜
を堆積させる薄膜形成装置において、前記μ波導入部の
窓を前記プラズマ室から遠ざけるとともに、前記μ波導
入部内をパージ用ガスを用いてパージするパージ手段を
設けた構成とする。
プラズマ室に導入した原料ガスを前記真空容器に設けら
れたμ波導入部の窓から導入されるμ波によりプラズマ
化し、前記真空容器内に七ノドされた円筒基体上に薄膜
を堆積させる薄膜形成装置において、前記μ波導入部の
窓を前記プラズマ室から遠ざけるとともに、前記μ波導
入部内をパージ用ガスを用いてパージするパージ手段を
設けた構成とする。
または、上記構成に前記μ波導入部を磁気シールドする
超伝導体を付加した構成とする。
超伝導体を付加した構成とする。
円筒基体の表面への成膜に際しては、原料ガス供給口か
ら原料ガスを、窓から７１波電力を、それぞれプラズマ
室内に導入して成膜を行う。この場合、実際には、円筒
基体をヒータ等により所定温度に加熱するとともに、該
円筒基体をモータ等により回転させて成膜を行う。
ら原料ガスを、窓から７１波電力を、それぞれプラズマ
室内に導入して成膜を行う。この場合、実際には、円筒
基体をヒータ等により所定温度に加熱するとともに、該
円筒基体をモータ等により回転させて成膜を行う。
この成膜時に、μ波導入部の窓はプラズマ室から離れて
おり、さらにμ波導入部内はパージ用ガスを用いたパー
ジ手段によりパージされるため、プラズマ室で発生した
プラズマに窓がさらされない。従って、窓への膜の付着
はほとんどなくなる。
おり、さらにμ波導入部内はパージ用ガスを用いたパー
ジ手段によりパージされるため、プラズマ室で発生した
プラズマに窓がさらされない。従って、窓への膜の付着
はほとんどなくなる。
ここで重要なことは、μ波エネルギを全てプラズマ室に
伝えるため、μ波型力の最も強いμ波導入部でパージガ
スが放電を起こさない条件にすることである。そこでパ
ージガスとしては、放電を起こしにくい（電離エネルギ
、解離エネルギが高い）こと、そして膜に対して不純物
にならないことが必要である。具体的には、例えば、ａ
−Ｓｉ ：Ｈ（水素化アモルファスシリコン）を成膜
する場合、＋１２希釈、Ａｒ希釈等の５ｉＨｔ、５ｉ２
１Ｔｏ等が用いられていることから、パージガスとして
ｌｌｚガス、Ａｒガス等が考えられるが、１（２ガスが
最も適している。
伝えるため、μ波型力の最も強いμ波導入部でパージガ
スが放電を起こさない条件にすることである。そこでパ
ージガスとしては、放電を起こしにくい（電離エネルギ
、解離エネルギが高い）こと、そして膜に対して不純物
にならないことが必要である。具体的には、例えば、ａ
−Ｓｉ ：Ｈ（水素化アモルファスシリコン）を成膜
する場合、＋１２希釈、Ａｒ希釈等の５ｉＨｔ、５ｉ２
１Ｔｏ等が用いられていることから、パージガスとして
ｌｌｚガス、Ａｒガス等が考えられるが、１（２ガスが
最も適している。
＋＋、とＡｒを比較して見ると、電離エネルギは計原子
１５．７ｅＶ、 Ｈ原子１３．６ｅνとほぼ等しいが、
電離断面積は計原子が約３倍大きい。また、Ａｒは準安
定準位を経由した累積電離も生じるので低電力で放電し
やすい。これに対し、１１□は分子の解離エネルギ４．
４７ｅＶも必要なため放電しにくいガスである。
１５．７ｅＶ、 Ｈ原子１３．６ｅνとほぼ等しいが、
電離断面積は計原子が約３倍大きい。また、Ａｒは準安
定準位を経由した累積電離も生じるので低電力で放電し
やすい。これに対し、１１□は分子の解離エネルギ４．
４７ｅＶも必要なため放電しにくいガスである。
また、ガスを放電しにくい圧力にすることも重要であり
、マグネット等により磁場をかけられたプラズマ室だけ
で放電させることが可能である。
、マグネット等により磁場をかけられたプラズマ室だけ
で放電させることが可能である。
このとき、前記磁場がμ波導入部に入らないように超伝
導体で磁気シールドすることで、μ波４人部でパージガ
スが放電−しないようにできる。
導体で磁気シールドすることで、μ波４人部でパージガ
スが放電−しないようにできる。
さらに、μ波導入部を磁気シールドする超伝導体を設け
れば、パージガスがμ波放電部で放電を起こさないよう
にすることができ、原料ガスの分解効率が向上する。
れば、パージガスがμ波放電部で放電を起こさないよう
にすることができ、原料ガスの分解効率が向上する。
以下、第１図及び第２図に関連して本発明の詳細な説明
する。
する。
第１図に第１の実施例を示す。
第１図（ａ）は薄膜形成装置の要部構造を示す平面図、
第１図（ｂ）は同全体概要を示す正面図で、図中、ｌは
μ波導入部、２はパージ手段である。なお、従来と同様
の部材には同じ符号を付している。
第１図（ｂ）は同全体概要を示す正面図で、図中、ｌは
μ波導入部、２はパージ手段である。なお、従来と同様
の部材には同じ符号を付している。
μ波導入部１に設けられた窓４０は従来に比ベプラズマ
室４１から遠ざかっており、パージ手段２は、窓４０の
近くでμ波導入部１に接続するパージガス供給管３と、
該パージガス供給管３にバルブ４等を介し接続する図示
しないパージガス供給源とより構成されている。
室４１から遠ざかっており、パージ手段２は、窓４０の
近くでμ波導入部１に接続するパージガス供給管３と、
該パージガス供給管３にバルブ４等を介し接続する図示
しないパージガス供給源とより構成されている。
成膜に際しては、従来と同様に、真空容器３１内をバル
ブ３３を介して真空排気し、ヒータ３５′により円筒基
体１００を１５０〜３５０°Ｃに加熱するとともに、該
円筒基体１００をモータ３４により回転させ、バルブ３
７を介して真空容器３１内にシラン系ガス例えば５ｉＨ
ａを供給するが、このとき、バルブ４を介してμ波導入
部１にＨ２ガス等のパージ用ガスを供給する。そして、
マイクロ波型ａ３８から導波管３９、窓４０を介してμ
波をプラズマ室４１に導入し、原料ガスを分解して円筒
基体１００上にａ−Ｓｔ：Ｈ膜を堆積させる。
ブ３３を介して真空排気し、ヒータ３５′により円筒基
体１００を１５０〜３５０°Ｃに加熱するとともに、該
円筒基体１００をモータ３４により回転させ、バルブ３
７を介して真空容器３１内にシラン系ガス例えば５ｉＨ
ａを供給するが、このとき、バルブ４を介してμ波導入
部１にＨ２ガス等のパージ用ガスを供給する。そして、
マイクロ波型ａ３８から導波管３９、窓４０を介してμ
波をプラズマ室４１に導入し、原料ガスを分解して円筒
基体１００上にａ−Ｓｔ：Ｈ膜を堆積させる。
この成膜時に、窓４０はプラズマ室４１から離れており
、さらにμ波導入部１内はパージ手段２により供給され
るパージ用ガスによってパージされるため、プラズマ室
４１で発生したプラズマに窓４０がさらされず、窓４０
への膜の付着はほとんどなくなる。
、さらにμ波導入部１内はパージ手段２により供給され
るパージ用ガスによってパージされるため、プラズマ室
４１で発生したプラズマに窓４０がさらされず、窓４０
への膜の付着はほとんどなくなる。
上述の手順を従来の第３図の装置で行った場合、円筒基
体ｌＯＯ上の膜厚が５μｍ程度になったところで整合が
とれなくなり、３０μｍで放電が維持できなくなってし
まった。これに対し、本例の装置による成膜では、３０
．ｃｒｍ堆積堆積成電は安定であり、窓４０への膜の付
着も従来の１／１０以下になることが確かめられた。
体ｌＯＯ上の膜厚が５μｍ程度になったところで整合が
とれなくなり、３０μｍで放電が維持できなくなってし
まった。これに対し、本例の装置による成膜では、３０
．ｃｒｍ堆積堆積成電は安定であり、窓４０への膜の付
着も従来の１／１０以下になることが確かめられた。
第２図に第２の実施例を示す。
第２図は薄膜形成装置の要部構造を示す平面図で、図中
、１１はμ波導入部１に設けられた磁気シールド用の円
筒状の超伝導体、１２は超伝導体１１の冷却手段である
。また、前例と同様に、窓４０は、プラズマ室４１から
離れており、パージ手段２によりパージされるようにな
っている。
、１１はμ波導入部１に設けられた磁気シールド用の円
筒状の超伝導体、１２は超伝導体１１の冷却手段である
。また、前例と同様に、窓４０は、プラズマ室４１から
離れており、パージ手段２によりパージされるようにな
っている。
成膜時に重要なことは、前述したように、μ波エネルギ
を全てプラズマ室に伝えるため、μ被電力の最も強いμ
波導入部１でパージガスが放電を起こさない条件にする
ことである。また、本例のような有磁場μ波ＣＶＤによ
る成膜では、一般に１０−’ｔｏｒｒ以下（好適には１
０−’ｔｏｒｒ以下）の低い圧力を使っており、磁場な
しでは放電が起こらない。
を全てプラズマ室に伝えるため、μ被電力の最も強いμ
波導入部１でパージガスが放電を起こさない条件にする
ことである。また、本例のような有磁場μ波ＣＶＤによ
る成膜では、一般に１０−’ｔｏｒｒ以下（好適には１
０−’ｔｏｒｒ以下）の低い圧力を使っており、磁場な
しでは放電が起こらない。
そこで、本例では、プラズマ室４１に磁場を作るように
設けられたマグネット４２．４２’の磁場がμ波導入部
１に入らないように超伝導体１１で磁気シールドするこ
とで問題を解決している。
設けられたマグネット４２．４２’の磁場がμ波導入部
１に入らないように超伝導体１１で磁気シールドするこ
とで問題を解決している。
磁気シールドの材料としては強磁性体（鉄、ニッケル、
コバルト等）があるが、これを用いると、その周辺に強
い磁界が発生するため、プラズマ室内のプラズマに強い
かたよりを生じさせ、好ましくない。これに対し、超伝
導体１１を用いる場合は、そのマイスナー効果により磁
束が該超伝導体１１を避けて通るため、超伝導体１１で
囲まれたμ波導入部１には磁束が進入できず、磁気シー
ルドができる。この場合、μ波導入部１の付近で若干の
磁界の乱れは発生するが、強磁性体のように強い磁界が
集中することはないので、プラズマに与える影響は少な
い。超伝導体１１は、冷却手段１２に液体窒素を供給す
ることで、超伝導状態となる温度に冷却される。１３及
び１４は液体窒素の流入口及び排出口である。
コバルト等）があるが、これを用いると、その周辺に強
い磁界が発生するため、プラズマ室内のプラズマに強い
かたよりを生じさせ、好ましくない。これに対し、超伝
導体１１を用いる場合は、そのマイスナー効果により磁
束が該超伝導体１１を避けて通るため、超伝導体１１で
囲まれたμ波導入部１には磁束が進入できず、磁気シー
ルドができる。この場合、μ波導入部１の付近で若干の
磁界の乱れは発生するが、強磁性体のように強い磁界が
集中することはないので、プラズマに与える影響は少な
い。超伝導体１１は、冷却手段１２に液体窒素を供給す
ることで、超伝導状態となる温度に冷却される。１３及
び１４は液体窒素の流入口及び排出口である。
本例の場合も、前例と同様の手順により成膜が行われる
が、超伝導体１１によりμ波導入部１を磁気シールドし
ているため、パージガスがμ波放電部１で放電を起こさ
ないようにすることができ、μ波エネルギを全てプラズ
マ室４１に伝えることができる。従って、前例と同様の
効果の他に、原料ガスの分解効率を向上させることがで
きるという効果が得られる。
が、超伝導体１１によりμ波導入部１を磁気シールドし
ているため、パージガスがμ波放電部１で放電を起こさ
ないようにすることができ、μ波エネルギを全てプラズ
マ室４１に伝えることができる。従って、前例と同様の
効果の他に、原料ガスの分解効率を向上させることがで
きるという効果が得られる。
以上述べたように、本発明によれば、μ波導入部の窓へ
の膜付着が少なくなるため、成膜時間によるμ波導入効
率の変化がなく、長時間安定したプラズマを得ることが
できる。また窓材の交換や掃除の回数も少なくすること
ができる。
の膜付着が少なくなるため、成膜時間によるμ波導入効
率の変化がなく、長時間安定したプラズマを得ることが
できる。また窓材の交換や掃除の回数も少なくすること
ができる。
さらに、μ波導入部を磁気シールドする超伝導体を設け
れば、プラズマ室に作用する磁場がμ波導入部に入らな
いようにしてμ波導入部におけるパージガスの放電を防
止することができ、原料ガスの分解効率を向上させるこ
とができる。
れば、プラズマ室に作用する磁場がμ波導入部に入らな
いようにしてμ波導入部におけるパージガスの放電を防
止することができ、原料ガスの分解効率を向上させるこ
とができる。
第１図（ａ） 、 （ｂ）は本発明の第１の実施例の薄
膜形成装置の構造説明図、 第２図は本発明の第２の実施例の薄膜形成装置の要部構
造を示す平面図、 第３図（ａ） 、 （ｂ）は従来のアモルファスシリコ
ン膜形成装置の構造説明図で、 図中、 １はμ波導入部、 ２はパージ手段、 １１は超伝導体、 ３１は真空容器、 ３８はμ波電源、 ３９は導波管、 ４０は窓、 ４１はプラズマ室、 １００は円筒基体である。
膜形成装置の構造説明図、 第２図は本発明の第２の実施例の薄膜形成装置の要部構
造を示す平面図、 第３図（ａ） 、 （ｂ）は従来のアモルファスシリコ
ン膜形成装置の構造説明図で、 図中、 １はμ波導入部、 ２はパージ手段、 １１は超伝導体、 ３１は真空容器、 ３８はμ波電源、 ３９は導波管、 ４０は窓、 ４１はプラズマ室、 １００は円筒基体である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、真空容器（３１）とその中にセットされた円筒基体
（１００）とより形成される同軸空胴共振器のプラズマ
室（４１）内に導入した原料ガスを、前記真空容器（３
１）に設けられたマイクロ波導入部（１）の窓（４０）
から導入されるマイクロ波によりプラズマ化し、前記円
筒基体（１００）上に薄膜を堆積させる薄膜形成装置に
おいて、 前記窓（４０）を前記プラズマ室（４１）から遠ざける
とともに、 前記マイクロ波導入部（１）をパージ用ガスを用いてパ
ージするパージ手段（２）を設けたことを特徴とする薄
膜形成装置。 ２、前記マイクロ波導入部（１）に該部を磁気シールド
する超伝導体（１１）を設けたことを特徴とする請求項
１記載の薄膜形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13854988A JPH01309973A (ja) | 1988-06-07 | 1988-06-07 | 薄膜形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13854988A JPH01309973A (ja) | 1988-06-07 | 1988-06-07 | 薄膜形成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01309973A true JPH01309973A (ja) | 1989-12-14 |
Family
ID=15224747
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13854988A Pending JPH01309973A (ja) | 1988-06-07 | 1988-06-07 | 薄膜形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01309973A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0564359A1 (fr) * | 1992-04-03 | 1993-10-06 | Commissariat A L'energie Atomique | Dispositif d'application de micro-ondes et réacteur à plasma utilisant ce dispositif |
| WO2003063216A1 (en) * | 2002-01-23 | 2003-07-31 | Ips Ltd. | Method of forming a thin film using atomic layer deposition(ald) |
| JP2016036020A (ja) * | 2014-07-30 | 2016-03-17 | ラム リサーチ コーポレーションＬａｍ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ | 二次パージ対応ａｌｄシステムにおけるシャワーヘッド裏側の寄生プラズマを抑制するための方法及び装置 |
| US11111581B2 (en) | 2012-06-25 | 2021-09-07 | Lam Research Corporation | Suppression of parasitic deposition in a substrate processing system by suppressing precursor flow and plasma outside of substrate region |
| US12087573B2 (en) | 2019-07-17 | 2024-09-10 | Lam Research Corporation | Modulation of oxidation profile for substrate processing |
-
1988
- 1988-06-07 JP JP13854988A patent/JPH01309973A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0564359A1 (fr) * | 1992-04-03 | 1993-10-06 | Commissariat A L'energie Atomique | Dispositif d'application de micro-ondes et réacteur à plasma utilisant ce dispositif |
| FR2689717A1 (fr) * | 1992-04-03 | 1993-10-08 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif d'application de micro-ondes et réacteur à plasma utilisant ce dispositif. |
| WO2003063216A1 (en) * | 2002-01-23 | 2003-07-31 | Ips Ltd. | Method of forming a thin film using atomic layer deposition(ald) |
| KR100449645B1 (ko) * | 2002-01-23 | 2004-09-22 | 주식회사 아이피에스 | 자기 ａｌｄ 박막증착방법 |
| US11111581B2 (en) | 2012-06-25 | 2021-09-07 | Lam Research Corporation | Suppression of parasitic deposition in a substrate processing system by suppressing precursor flow and plasma outside of substrate region |
| US11725282B2 (en) | 2012-06-25 | 2023-08-15 | Novellus Systems, Inc. | Suppression of parasitic deposition in a substrate processing system by suppressing precursor flow and plasma outside of substrate region |
| JP2016036020A (ja) * | 2014-07-30 | 2016-03-17 | ラム リサーチ コーポレーションＬａｍ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ | 二次パージ対応ａｌｄシステムにおけるシャワーヘッド裏側の寄生プラズマを抑制するための方法及び装置 |
| US12087573B2 (en) | 2019-07-17 | 2024-09-10 | Lam Research Corporation | Modulation of oxidation profile for substrate processing |
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