JPH01309975A - プラズマｃｖｄ装置 - Google Patents
プラズマｃｖｄ装置Info
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- JPH01309975A JPH01309975A JP63141087A JP14108788A JPH01309975A JP H01309975 A JPH01309975 A JP H01309975A JP 63141087 A JP63141087 A JP 63141087A JP 14108788 A JP14108788 A JP 14108788A JP H01309975 A JPH01309975 A JP H01309975A
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- Japan
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- reaction chamber
- wall
- plasma cvd
- electrode
- film
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、被加工物である試料の表面に薄膜を形成する
プラズマＣＶＤ装置に関するものである。
プラズマＣＶＤ装置に関するものである。
従来の技術
プラズマＣＶＤ法による薄膜形成の課題は、膜欠陥の課
題及び装置稼動率の向上である。
題及び装置稼動率の向上である。
以下図面を参照しながら、従来のプラズマＣＶＤ装置の
一例について説明する。
一例について説明する。
第２図は従来のプラズマＣＶＤ装置の図である。
図において２１は反応室２２２はガス導入０．２３は真
空排気口、２４はＲＦ電力が印加される上部電極、２６
は被加工物である基材の保持具を兼ねた下部電極、２６
はＲＦ電源、２７は反応室２１と上部電極２４を絶縁す
る絶縁物、２８は、被加工物である基材である。
空排気口、２４はＲＦ電力が印加される上部電極、２６
は被加工物である基材の保持具を兼ねた下部電極、２６
はＲＦ電源、２７は反応室２１と上部電極２４を絶縁す
る絶縁物、２８は、被加工物である基材である。
以上のように構成されたプラズマＣＶＤ装置の動作を説
明する。
明する。
真空排気口２３より真空排気を行ないながら。
ガス導入口２２より反応ガスを導入し、反応室２１内を
１〜ｏ、１Ｔｏｒｒ程度に保つ。次に、ＲＦ電源２６に
より上部”直棒２４にＲＦ電力を印加する。
１〜ｏ、１Ｔｏｒｒ程度に保つ。次に、ＲＦ電源２６に
より上部”直棒２４にＲＦ電力を印加する。
この時絶縁物２７により反応室２１と上部電極２４は絶
縁されているので、主な放電は下部電極２４と下部電極
２６の間に発生する。これにより反応ガスが分解され、
基材２８の表面にプラズマＣＶＤ膜を形成する。
縁されているので、主な放電は下部電極２４と下部電極
２６の間に発生する。これにより反応ガスが分解され、
基材２８の表面にプラズマＣＶＤ膜を形成する。
ところで、この時、基材２８の他に上部電極２４や下部
電極２６や１反応室２１の内壁にも類似の＠（無効な膜
）が堆積する。この膜は密着力が弱く、その膜厚増加と
ともに、反応室２１内にフレークを発生させる。その結
果、基材２８のプラズマＣＶＤ膜に欠陥を生じさせる。
電極２６や１反応室２１の内壁にも類似の＠（無効な膜
）が堆積する。この膜は密着力が弱く、その膜厚増加と
ともに、反応室２１内にフレークを発生させる。その結
果、基材２８のプラズマＣＶＤ膜に欠陥を生じさせる。
そこで、定期的に真空容器２１内構成部品に付着した無
効な膜を除去する必要がある。その手段として、プラズ
マクリーニングが用いられる。これは真空容器２１内に
ハロゲンガヌを導入して低温プラズマを発生させて無効
な膜をドライエツチングするものである。
効な膜を除去する必要がある。その手段として、プラズ
マクリーニングが用いられる。これは真空容器２１内に
ハロゲンガヌを導入して低温プラズマを発生させて無効
な膜をドライエツチングするものである。
発明が解決しようとする課題
しかしながら上記のような構成では、次のような問題点
を有していた。プラズマクリーニングは、両電極間では
有効であるが１両電極間から離れたところ特に画電極の
裏側はドライエツチングされにくい。従って、これらの
部分の無効な膜は次第に膜厚が大きくなり、定期的に反
応室の内部を人間が機械的に掃除する必要が発生する。
を有していた。プラズマクリーニングは、両電極間では
有効であるが１両電極間から離れたところ特に画電極の
裏側はドライエツチングされにくい。従って、これらの
部分の無効な膜は次第に膜厚が大きくなり、定期的に反
応室の内部を人間が機械的に掃除する必要が発生する。
そのため装置の稼動率が著しく低下する。
課題を解決するだめの手段
上記問題点を解決するためには、電極が反応室内壁を兼
ねてお・す、電極以外の反応室内壁が電気的に浮いてい
る構成としたものであり、更には。
ねてお・す、電極以外の反応室内壁が電気的に浮いてい
る構成としたものであり、更には。
基材と対向する電極の形状が少なくとも基材と対向する
一部分が突出した形状としたものである。
一部分が突出した形状としたものである。
作用
本発明は上記した構成によって以下のごとく作用する。
先に述べたようにプラズマクリーニングは１両電極間か
ら離れたところ、特に画電極の裏側に対して効果が少な
いが５両電極間に関しては有効である。本発明のプラズ
マＣＶＤ装置は、反応室内の全ての空間が両電極間に相
当するため、プラズマクリーニングの効果は大きく、ク
リーニングされないところはない。しかし、クリーニン
グの時には有効であってもＣＶＤを行なう場合には、問
題が残っていた。すなわち、電極間は放電が最も強いの
で、そこに反応ガスの導入口があると、導入口を放電電
極として強力なプラズマが発生する。
ら離れたところ、特に画電極の裏側に対して効果が少な
いが５両電極間に関しては有効である。本発明のプラズ
マＣＶＤ装置は、反応室内の全ての空間が両電極間に相
当するため、プラズマクリーニングの効果は大きく、ク
リーニングされないところはない。しかし、クリーニン
グの時には有効であってもＣＶＤを行なう場合には、問
題が残っていた。すなわち、電極間は放電が最も強いの
で、そこに反応ガスの導入口があると、導入口を放電電
極として強力なプラズマが発生する。
しかも導入口近くは反応ガスが高密度のため気相反応が
起こり、白粉を生じダスト源となり膜欠陥の原因になる
。本発明では、電極以外の部分を電気的に浮いた状態と
して放電電極となりにくいようにしているので、気相反
応は起こらない。
起こり、白粉を生じダスト源となり膜欠陥の原因になる
。本発明では、電極以外の部分を電気的に浮いた状態と
して放電電極となりにくいようにしているので、気相反
応は起こらない。
更に本発明は、基材と対向する電極の形状が５少なくと
も基材と対向する一部分が突出しているので、その部分
は電極間距離が短かくなっており。
も基材と対向する一部分が突出しているので、その部分
は電極間距離が短かくなっており。
放電が最も強く発生する。従って上記構成に比べて一層
ガス導入口近くの放電を抑える効果がある。
ガス導入口近くの放電を抑える効果がある。
実施例
以下本発明の一実施例のプラズマＣＶＤ装置について図
面を参照しながら説明する。
面を参照しながら説明する。
第１図は本発明のプラズマＣＶＤ装置である。
図において１はアルミ合金製反応室、２はガス導入口。
３は真空排気口、４はＲＦＴ力が印加されるアルミ合金
製上部電極、５は被加工物である基材を保持するアルミ
合金製下部電極、６は周波数４ｏ○ＫＨｚのＲＦ電源、
７は上部電極４と下部電極６以外の反応室内壁を電気的
に浮かすための絶縁物としてのセラミックス、８は被加
工物である基材とシテのシリコンウェハーである。
製上部電極、５は被加工物である基材を保持するアルミ
合金製下部電極、６は周波数４ｏ○ＫＨｚのＲＦ電源、
７は上部電極４と下部電極６以外の反応室内壁を電気的
に浮かすための絶縁物としてのセラミックス、８は被加
工物である基材とシテのシリコンウェハーである。
以上のように構成されたプラズマＣＶＤ装置の動作を説
明する。
明する。
真空排気口３より真空排気を行ないながら、ガス導入口
２よりＳｉＨ４とＮＨ３からなる反応ガスを導入し１反
応室１内を１〜０．１ Ｔｏｒｒ程度に保つ。
２よりＳｉＨ４とＮＨ３からなる反応ガスを導入し１反
応室１内を１〜０．１ Ｔｏｒｒ程度に保つ。
次に、ＲＦＴ源６により」二部電極４にＲＦ定電力印加
する。この時、下部電極５は接地されているが、上部電
極４と下部電極６以外の反応室１の内壁はセラミックス
７によってｔＴｌ 気的に浮いているので、ガス導入口
２の近くに強力なプラズマが発生することはない。まだ
、上部電極４の形状が、基材８と対向する部分だけなめ
らかに１６羽程度突出しているので、主な放電はシリコ
ンウェハー８の上部に発生する。これによシ反応ガヌが
分解され、基材８の表面にシリコン窒化膜を形成する。
する。この時、下部電極５は接地されているが、上部電
極４と下部電極６以外の反応室１の内壁はセラミックス
７によってｔＴｌ 気的に浮いているので、ガス導入口
２の近くに強力なプラズマが発生することはない。まだ
、上部電極４の形状が、基材８と対向する部分だけなめ
らかに１６羽程度突出しているので、主な放電はシリコ
ンウェハー８の上部に発生する。これによシ反応ガヌが
分解され、基材８の表面にシリコン窒化膜を形成する。
ところで、この時、シリコンウェハー８の他に上部Ｔ搾
４や下部電極５や、反応室１の内壁にも類似の膿（無効
な嘆）が堆積する。この膜は密着力が弱く、その膜厚増
加とともに、反応室１内にフレークを発生させる。その
結果、シリコンウェハー８のシリコン窒化膜に欠陥を生
じさせる。
４や下部電極５や、反応室１の内壁にも類似の膿（無効
な嘆）が堆積する。この膜は密着力が弱く、その膜厚増
加とともに、反応室１内にフレークを発生させる。その
結果、シリコンウェハー８のシリコン窒化膜に欠陥を生
じさせる。
そこで、定期的に反応室１内の構成部品に付着した無効
な嘆を除去する必要がある。その手段として、プラズマ
クリーニングが用いられる。これは反応室１内にハロゲ
ンガスであるＳＦ６を導入して低温プラズマを発生させ
て無効な膜をドライエツチングするものである。反応室
１の内壁は上部電極４と下部電極５の間に発生するプラ
ズマにすみずみまで曝露するため１反応室１内部の無効
な膜は完全にドライエツチングされる。
な嘆を除去する必要がある。その手段として、プラズマ
クリーニングが用いられる。これは反応室１内にハロゲ
ンガスであるＳＦ６を導入して低温プラズマを発生させ
て無効な膜をドライエツチングするものである。反応室
１の内壁は上部電極４と下部電極５の間に発生するプラ
ズマにすみずみまで曝露するため１反応室１内部の無効
な膜は完全にドライエツチングされる。
発明の効果
以上のように本発明は、電極が反応室内壁を兼ねており
、電極以外の反応室内壁が電気的に浮いているという構
造のだめ１反応室内のクリーニングが完全に行なえ装置
稼動率が向上する。
、電極以外の反応室内壁が電気的に浮いているという構
造のだめ１反応室内のクリーニングが完全に行なえ装置
稼動率が向上する。
更に本発明では、被加工物である基材と対向する電極の
形状が、少なくとも基材と対向する一部分が突出してい
るので、上記効果に加えてさらに膜欠陥の少ないプラズ
マＣＶＤ膜が得られる。
形状が、少なくとも基材と対向する一部分が突出してい
るので、上記効果に加えてさらに膜欠陥の少ないプラズ
マＣＶＤ膜が得られる。
第１図は本発明の実施例におけるプラズマＣＶＤ装置の
断面図、第２図は従来のプラズマＣＶＤ装置の断面図で
ある。 １・・・・反応室、４・・・・・上部電極、５・・・・
・下部電極、７・・・・・・セラミックス、８・・中・
シリコンウェハー〇
断面図、第２図は従来のプラズマＣＶＤ装置の断面図で
ある。 １・・・・反応室、４・・・・・上部電極、５・・・・
・下部電極、７・・・・・・セラミックス、８・・中・
シリコンウェハー〇
Claims (2)
- （１）ガス供給手段を備え真空排気可能な反応室と、前
記反応室内に低温プラズマを発生させる電極とを備えた
プラズマＣＶＤ装置において、前記電極が反応室内壁を
兼ねており、かつ電極以外の反応室内壁が電気的に浮い
ていることを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。 - （２）被加工物である基材と対向する電極の形状が、少
なくとも基材と対向する一部分が突出した形状である特
許請求の範囲第１項記載のプラズマＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63141087A JPH01309975A (ja) | 1988-06-08 | 1988-06-08 | プラズマｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63141087A JPH01309975A (ja) | 1988-06-08 | 1988-06-08 | プラズマｃｖｄ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01309975A true JPH01309975A (ja) | 1989-12-14 |
Family
ID=15283902
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63141087A Pending JPH01309975A (ja) | 1988-06-08 | 1988-06-08 | プラズマｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01309975A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0538868U (ja) * | 1991-10-29 | 1993-05-25 | 三洋電機株式会社 | 半導体薄膜形成装置 |
| JPH0541135U (ja) * | 1991-11-01 | 1993-06-01 | 三洋電機株式会社 | 半導体薄膜形成装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55102239A (en) * | 1979-01-30 | 1980-08-05 | Matsushita Electronics Corp | Apparatus for plasma-gas-phase growth |
| JPS60114574A (ja) * | 1983-11-25 | 1985-06-21 | Canon Inc | 放電による堆積膜の製造装置 |
| JPS60204880A (ja) * | 1984-03-27 | 1985-10-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 絶縁膜の製造方法 |
-
1988
- 1988-06-08 JP JP63141087A patent/JPH01309975A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55102239A (en) * | 1979-01-30 | 1980-08-05 | Matsushita Electronics Corp | Apparatus for plasma-gas-phase growth |
| JPS60114574A (ja) * | 1983-11-25 | 1985-06-21 | Canon Inc | 放電による堆積膜の製造装置 |
| JPS60204880A (ja) * | 1984-03-27 | 1985-10-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 絶縁膜の製造方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0538868U (ja) * | 1991-10-29 | 1993-05-25 | 三洋電機株式会社 | 半導体薄膜形成装置 |
| JPH0541135U (ja) * | 1991-11-01 | 1993-06-01 | 三洋電機株式会社 | 半導体薄膜形成装置 |
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