JPH0423823B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0423823B2 JPH0423823B2 JP56143859A JP14385981A JPH0423823B2 JP H0423823 B2 JPH0423823 B2 JP H0423823B2 JP 56143859 A JP56143859 A JP 56143859A JP 14385981 A JP14385981 A JP 14385981A JP H0423823 B2 JPH0423823 B2 JP H0423823B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plasma processing
- processing chamber
- plasma
- side wall
- cleaning
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、被処理物に対してプラズマ処理を施
した際、プラズマ処理室の内壁付着した反応生成
物をガス化して排気することができるようにした
プラズマ処理装置に関するものである。
した際、プラズマ処理室の内壁付着した反応生成
物をガス化して排気することができるようにした
プラズマ処理装置に関するものである。
先ず、従来の平行平板電極を有するプラズマ処
理装置の構成を説明し、つづいて、そのクリーニ
ング方法の問題点について述べる。
理装置の構成を説明し、つづいて、そのクリーニ
ング方法の問題点について述べる。
第１図は従来の平行平板電極を有するプラズマ
処理装置の構成図である。処理室１内には被処理
物を載置する載置電極２とこれに対向する対向電
極４が設けられている。載置電極２は処理室１と
絶縁材３により絶縁され、高周波電源に接続され
ている。対向電極４及び処理室は接地されてい
る。処理室１内は排気口６より排気され、ガス供
給口７より処理用のガスが供給される。
処理装置の構成図である。処理室１内には被処理
物を載置する載置電極２とこれに対向する対向電
極４が設けられている。載置電極２は処理室１と
絶縁材３により絶縁され、高周波電源に接続され
ている。対向電極４及び処理室は接地されてい
る。処理室１内は排気口６より排気され、ガス供
給口７より処理用のガスが供給される。
この装置によるプラズマ処置に際しては、載置
電極６に高周波電源５より高周波電圧を印加し、
プラズマ領域８に示すように電極間にプラズマを
発生させて行うため、プラズマにさらされない処
理室１の内壁や対向電極４の裏側に反応生成物が
付着する。従来、これら反応生成物の除去は、処
理室内の圧力を低くし、プラズマ領域を拡大さ
せ、プラズマが処理室内壁に接するようにして行
つていた。しかしながら、このような方法では、
発生するプラズマの主な部分が、先に示したプラ
ズマ領域８と同じ両電極の平行平板間であり、プ
ラズマが処理室内壁に接する部分も拡大プラズマ
発生領域９に示すように限られるため、反応生成
物を十分に除去することはできなかつた。
電極６に高周波電源５より高周波電圧を印加し、
プラズマ領域８に示すように電極間にプラズマを
発生させて行うため、プラズマにさらされない処
理室１の内壁や対向電極４の裏側に反応生成物が
付着する。従来、これら反応生成物の除去は、処
理室内の圧力を低くし、プラズマ領域を拡大さ
せ、プラズマが処理室内壁に接するようにして行
つていた。しかしながら、このような方法では、
発生するプラズマの主な部分が、先に示したプラ
ズマ領域８と同じ両電極の平行平板間であり、プ
ラズマが処理室内壁に接する部分も拡大プラズマ
発生領域９に示すように限られるため、反応生成
物を十分に除去することはできなかつた。
そのため、最終的には処理室を大気に開放し、
人手により掃除する必要があり、掃除自体に多大
の時間を要すると共に、処理室を大気に開放する
ため、処理室内壁に大気中の水分等が吸着され、
掃除後処理室内を真空に排気するのに約12時間も
の多大の時間を必要としていた。更に、プラズマ
処理中にも壁面より水分等が放出されるためプラ
ズマ処理自体が不安定となり、例えば安定稼動状
態になるまで１日要す、などより、従来のクリー
ニング方法は装置の安定稼動、稼動率向上を計る
上で大きな問題となつていた。
人手により掃除する必要があり、掃除自体に多大
の時間を要すると共に、処理室を大気に開放する
ため、処理室内壁に大気中の水分等が吸着され、
掃除後処理室内を真空に排気するのに約12時間も
の多大の時間を必要としていた。更に、プラズマ
処理中にも壁面より水分等が放出されるためプラ
ズマ処理自体が不安定となり、例えば安定稼動状
態になるまで１日要す、などより、従来のクリー
ニング方法は装置の安定稼動、稼動率向上を計る
上で大きな問題となつていた。
本発明の目的は、被処理物に対してプラズマ処
理を施した際、プラズマ処理室の側壁により多く
付着した反応生成物をクリーニングして除去する
作業を、プラズマ処理室を大気に開放することな
く、プラズマ処理室の側壁のほぼ全面に亘つて自
動的にできるようにして安定した高品質のプラズ
マ処理ができるようにしたプラズマ処理装置を提
供することにある。
理を施した際、プラズマ処理室の側壁により多く
付着した反応生成物をクリーニングして除去する
作業を、プラズマ処理室を大気に開放することな
く、プラズマ処理室の側壁のほぼ全面に亘つて自
動的にできるようにして安定した高品質のプラズ
マ処理ができるようにしたプラズマ処理装置を提
供することにある。
即ち、本発明は、上記目的を達成するために、
プラズマ処理室内に設置された載置電極上に載置
された被処理物に対してプラズマ処理を施すプラ
ズマ処理装置において、被処理物に対してプラズ
マ処理を施した際、プラズマ処理室内の内壁に付
着した反応生成物と反応するクリーニング用ガス
を供給するクリーニング用ガス供給手段と、上記
プラズマ処理室内に設置され、且つ電気的結合状
態切換え手段により接地から高周波電圧に切り換
えて印加され、更にプラズマ処理室の側壁と対向
させて該側壁との間隙に高密度プラズマが発生す
る長さを有する側面を有し、該側壁に沿つて移動
するように構成されたクリーニング電極を備え、
該クリーニング電極と、接地されたプラズマ処理
室の側壁のほぼ全面に亘つての間隙に、高周波放
電による高密度プラズマを発生させて、プラズマ
処理室の側壁のほぼ全面に亘つて、付着した反応
生成物を上記供給されたクリーニング用ガスとの
反応によりガス化して排気するクリーニング手段
とを備えたことを特徴とするプラズマ処理装置で
ある。
プラズマ処理室内に設置された載置電極上に載置
された被処理物に対してプラズマ処理を施すプラ
ズマ処理装置において、被処理物に対してプラズ
マ処理を施した際、プラズマ処理室内の内壁に付
着した反応生成物と反応するクリーニング用ガス
を供給するクリーニング用ガス供給手段と、上記
プラズマ処理室内に設置され、且つ電気的結合状
態切換え手段により接地から高周波電圧に切り換
えて印加され、更にプラズマ処理室の側壁と対向
させて該側壁との間隙に高密度プラズマが発生す
る長さを有する側面を有し、該側壁に沿つて移動
するように構成されたクリーニング電極を備え、
該クリーニング電極と、接地されたプラズマ処理
室の側壁のほぼ全面に亘つての間隙に、高周波放
電による高密度プラズマを発生させて、プラズマ
処理室の側壁のほぼ全面に亘つて、付着した反応
生成物を上記供給されたクリーニング用ガスとの
反応によりガス化して排気するクリーニング手段
とを備えたことを特徴とするプラズマ処理装置で
ある。
以下、本発明のプラズマ処理装置の一実施例に
ついて図面の第２図に基いて説明する。
ついて図面の第２図に基いて説明する。
処理室１Ａは胴部１０、底ぶた１１、上ぶた１
２により密閉構造としてある。胴部１０に排気口
６及びガス供給口７が取付けてある。排気口６よ
り図示しない真空ポンプにより処理室１Ａ内を排
気し、ガス供給口７より処理用ガス及びクリーニ
ングガスを図示しない供給装置及び切換装置から
供給できるようになつている。底ぶた１１には載
置電極２が絶縁材３を介して固定されている。上
ぶた１２の中央には孔があけられ、孔を取巻いて
ベローズ１３が固着され、ベローズ１３の上端に
は円形リング１４を固着し、円形リング１４の上
面には下端に円筒を付したねじ付シヤフト１５が
取付けてある。ねじ付シヤフト１５は上ぶた１２
に固定した支桿１６の孔に挿通され、その上側で
上下ハンドル１７のめねじ孔に螺合せしめられ
て、支持されている。
２により密閉構造としてある。胴部１０に排気口
６及びガス供給口７が取付けてある。排気口６よ
り図示しない真空ポンプにより処理室１Ａ内を排
気し、ガス供給口７より処理用ガス及びクリーニ
ングガスを図示しない供給装置及び切換装置から
供給できるようになつている。底ぶた１１には載
置電極２が絶縁材３を介して固定されている。上
ぶた１２の中央には孔があけられ、孔を取巻いて
ベローズ１３が固着され、ベローズ１３の上端に
は円形リング１４を固着し、円形リング１４の上
面には下端に円筒を付したねじ付シヤフト１５が
取付けてある。ねじ付シヤフト１５は上ぶた１２
に固定した支桿１６の孔に挿通され、その上側で
上下ハンドル１７のめねじ孔に螺合せしめられ
て、支持されている。
ベローズ１３上部の円形リング１４の内側に
は、絶縁材３を介して対向電極（クリーニング電
極）４Ａの支持桿が固定されている。従つて、上
ぶた１２の孔は、ベローズ１３、円形リング１
４、絶縁材３及び対向電極４Ａの支持桿により密
閉され、対向電極４Ａは上下ハンドル１７を廻す
ことにより、載置電極２に対して垂直方向に移動
する。
は、絶縁材３を介して対向電極（クリーニング電
極）４Ａの支持桿が固定されている。従つて、上
ぶた１２の孔は、ベローズ１３、円形リング１
４、絶縁材３及び対向電極４Ａの支持桿により密
閉され、対向電極４Ａは上下ハンドル１７を廻す
ことにより、載置電極２に対して垂直方向に移動
する。
対向電極４Ａは従来の電極のように載置電極２
に対向しこれに平行な面を有すると共に、処理室
１Ａの内壁、即ち胴部１０にも対向する面４ａを
有する。
に対向しこれに平行な面を有すると共に、処理室
１Ａの内壁、即ち胴部１０にも対向する面４ａを
有する。
載置電極２と対向電極４Ａとは切換スイツチ１
８を介して高周波電源５およびアースに接続され
ている。また処理室１Ａ全体もアース電位に接続
されている。
８を介して高周波電源５およびアースに接続され
ている。また処理室１Ａ全体もアース電位に接続
されている。
次に本発明のプラズマ処理装置のクリーニング
方法を第２図の装置のクリーニング方法の実施例
に基づいて説明する。
方法を第２図の装置のクリーニング方法の実施例
に基づいて説明する。
処理室１Ａ内を排気口６より図示しない真空ポ
ンプで排気しながら、ガス供給管７よりクリーニ
ング用のガス、例えば酸素等、を供給する。切換
スイツチ１８を操作し、載置電極２をアースに接
続し、対向電極４Ａを高周波電源５に接続する。
ンプで排気しながら、ガス供給管７よりクリーニ
ング用のガス、例えば酸素等、を供給する。切換
スイツチ１８を操作し、載置電極２をアースに接
続し、対向電極４Ａを高周波電源５に接続する。
以上の状態に設定後、高周波電源をオンにする
と、対向電極４Ａと載置電極２の間だけでなく、
胴部１０内壁の間、及び対向電極４Ａ裏面と上ぶ
た１２の間のほぼ全面に亘つて高密度のプラズマ
が発生し、該プラズマにより、処理室の内壁の全
体に亘つて付着した反応生成物が、供給された酸
素等のクリーニング用ガスと反応してガス化して
排気口６より排気され、処理室全体がクリーニン
グされる。特に、高周波電圧が印加される対向電
極４Ａに、接地された胴部１０と平行になつた部
分４ａを形成したことにより、胴部１０と対向す
る面積が相当量得られ、対向電極４Ａの４ａ部分
と胴部１０との間隙に強い高密度のプラズマを発
生させることができ、更に上下ハンドル１７を回
転させて対向電極４Ａ、即ち対向電極４Ａの４ａ
部分を上下に移動させることにより、胴部１０の
内壁全面に亘つて高密度のプラズマを発生させる
ことができ、胴部１０の内壁の全体に亘つて付着
した反応生成物が、供給された酸素等のクリーニ
ング用ガスと反応してガス化してクリーニングす
ることができる。
と、対向電極４Ａと載置電極２の間だけでなく、
胴部１０内壁の間、及び対向電極４Ａ裏面と上ぶ
た１２の間のほぼ全面に亘つて高密度のプラズマ
が発生し、該プラズマにより、処理室の内壁の全
体に亘つて付着した反応生成物が、供給された酸
素等のクリーニング用ガスと反応してガス化して
排気口６より排気され、処理室全体がクリーニン
グされる。特に、高周波電圧が印加される対向電
極４Ａに、接地された胴部１０と平行になつた部
分４ａを形成したことにより、胴部１０と対向す
る面積が相当量得られ、対向電極４Ａの４ａ部分
と胴部１０との間隙に強い高密度のプラズマを発
生させることができ、更に上下ハンドル１７を回
転させて対向電極４Ａ、即ち対向電極４Ａの４ａ
部分を上下に移動させることにより、胴部１０の
内壁全面に亘つて高密度のプラズマを発生させる
ことができ、胴部１０の内壁の全体に亘つて付着
した反応生成物が、供給された酸素等のクリーニ
ング用ガスと反応してガス化してクリーニングす
ることができる。
以上説明したように、本発明によれば、プラズ
マ処理装置において、プラズマ処理室の側壁のほ
ぼ全面に亘つて高密度のプラズマを発生させるこ
とが実現でき、その結果プラズマ処理室の側壁に
より多く付着した反応生成物について、プラズマ
処理室を大気に開放することなく、ほぼ自動的に
クリーニングすることができ、プラズマ処理装置
の稼働率の向上と安定稼働とを計ることができる
と共に安定して高品質のプラズマ処理を行うこと
ができる効果を奏する。
マ処理装置において、プラズマ処理室の側壁のほ
ぼ全面に亘つて高密度のプラズマを発生させるこ
とが実現でき、その結果プラズマ処理室の側壁に
より多く付着した反応生成物について、プラズマ
処理室を大気に開放することなく、ほぼ自動的に
クリーニングすることができ、プラズマ処理装置
の稼働率の向上と安定稼働とを計ることができる
と共に安定して高品質のプラズマ処理を行うこと
ができる効果を奏する。
第１図は従来のプラズマ処理装置の構成図、第
２図は本発明のプラズマ処理装置の実施例の断面
図である。 １，１Ａ……処理室、２……載置電極、３……
絶縁材、４，４Ａ……対向電極、５……高周波電
源、６……排気口、７……ガス供給口、１３……
ベローズ、１５……ねじ付シヤフト、１７……上
下ハンドル、１８……切換スイツチ。
２図は本発明のプラズマ処理装置の実施例の断面
図である。 １，１Ａ……処理室、２……載置電極、３……
絶縁材、４，４Ａ……対向電極、５……高周波電
源、６……排気口、７……ガス供給口、１３……
ベローズ、１５……ねじ付シヤフト、１７……上
下ハンドル、１８……切換スイツチ。
Claims (1)
- １ プラズマ処理室内に設置された載置電極上に
載置された被処理物に対してプラズマ処理を施す
プラズマ処理装置において、被処理物に対してプ
ラズマ処理を施した際、プラズマ処理室内の内壁
に付着した反応生成物と反応するクリーニング用
ガスを供給するクリーニング用ガス供給手段と、
上記プラズマ処理室内に設置され、且つ電気的結
合状態切換え手段により接地から高周波電圧に切
り換えて印加され、更にプラズマ処理室の側壁と
対向させて該側壁との間隙に高密度プラズマが発
生する長さを有する側面を有し、該側壁に沿つて
移動するように構成されたクリーニング電極を備
え、該クリーニング電極と、接地されたプラズマ
処理室の側壁のほぼ全面に亘つての間隙に、高周
波放電による高密度プラズマを発生させて、プラ
ズマ処理室の側壁のほぼ全面に亘つて、付着した
反応生成物を上記供給されたクリーニング用ガス
との反応によりガス化して排気するクリーニング
手段とを備えたことを特徴とするプラズマ処理装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14385981A JPS5846639A (ja) | 1981-09-14 | 1981-09-14 | プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14385981A JPS5846639A (ja) | 1981-09-14 | 1981-09-14 | プラズマ処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5846639A JPS5846639A (ja) | 1983-03-18 |
| JPH0423823B2 true JPH0423823B2 (ja) | 1992-04-23 |
Family
ID=15348627
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14385981A Granted JPS5846639A (ja) | 1981-09-14 | 1981-09-14 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5846639A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8877865B2 (en) | 2009-03-30 | 2014-11-04 | Kuraray Co., Ltd. | Resin composition and multilayered structure |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6348832A (ja) * | 1986-08-19 | 1988-03-01 | Tokyo Electron Ltd | Ｃｖｄ装置 |
| JPS6376434A (ja) * | 1986-09-19 | 1988-04-06 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置及びプラズマクリーニング方法 |
| JPH0831442B2 (ja) * | 1987-03-11 | 1996-03-27 | 株式会社日立製作所 | プラズマ処理方法及び装置 |
| US7393432B2 (en) * | 2004-09-29 | 2008-07-01 | Lam Research Corporation | RF ground switch for plasma processing system |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55119175A (en) * | 1979-03-07 | 1980-09-12 | Toshiba Corp | Reactive ion etching method |
-
1981
- 1981-09-14 JP JP14385981A patent/JPS5846639A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8877865B2 (en) | 2009-03-30 | 2014-11-04 | Kuraray Co., Ltd. | Resin composition and multilayered structure |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5846639A (ja) | 1983-03-18 |
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