JPH01310541A - エツチング装置 - Google Patents
エツチング装置Info
- Publication number
- JPH01310541A JPH01310541A JP14099388A JP14099388A JPH01310541A JP H01310541 A JPH01310541 A JP H01310541A JP 14099388 A JP14099388 A JP 14099388A JP 14099388 A JP14099388 A JP 14099388A JP H01310541 A JPH01310541 A JP H01310541A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- vacuum
- vacuum pump
- low
- exhaust
- exhaust system
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
この発明は例えば半導体ｙリコンウエハ上に形成された
被膜の微細加工等の処理をするエツチング装置の改良に
関するものである。
被膜の微細加工等の処理をするエツチング装置の改良に
関するものである。
（従来の技術ｊ
第２図は例えば特開昭５９−１１２６２３号公報に示！
ｖ全おいて、１〕はエツチング機構が内蔵された真空容
器、ｃ２）は真空容器α〕と大気とを連通して設けられ
た排気管（２ａ）ないしく２ｄ）でなる排気系路、（３
）はこの排気系路（２ｂ）、 （２ｃ）間に設けられ
真空容器（１）内を高真空に排気する例えばメカニカル
ブースタボングなどの高真空ポンプ、（４）は排気系路
（２Ｃ）、（２ｄ）聞即ち高真空ポンプ（３）よシ大気
側に設けられ真空容器内を低真空に排気する例えばロー
タリーポンプなどの低真空ポンプ、（５）は排気系路（
２！Ｌ）。
器、ｃ２）は真空容器α〕と大気とを連通して設けられ
た排気管（２ａ）ないしく２ｄ）でなる排気系路、（３
）はこの排気系路（２ｂ）、 （２ｃ）間に設けられ
真空容器（１）内を高真空に排気する例えばメカニカル
ブースタボングなどの高真空ポンプ、（４）は排気系路
（２Ｃ）、（２ｄ）聞即ち高真空ポンプ（３）よシ大気
側に設けられ真空容器内を低真空に排気する例えばロー
タリーポンプなどの低真空ポンプ、（５）は排気系路（
２！Ｌ）。
（２ｂ）閣で真空容器Ｕ）と高真空ポンプ（３）との間
に設けられエツチング中における真空容器内の圧力を調
整する圧力制御装置である。
に設けられエツチング中における真空容器内の圧力を調
整する圧力制御装置である。
次に作用について説明する。例えば半導体シリコンウェ
ハ上に形成された被膜の微細加工等のエツチング処理は
、まず事前に真空容器（１）内を低真空ポンプ（４）の
作動によυ荒引き真空に排気し、ついで高真空ポンプ（
３）の作動で高真空に排気し圧力制御装置（５）で所定
の真空度を得てエツチング処理が開始される。これと同
時に真空容器（１）内ではズ応生成物（図示せず）が発
生し、この反応生成物が云 真猛排気されている排ガス（＠示せず）とともに排気系
路（２）を通過して排気される。
ハ上に形成された被膜の微細加工等のエツチング処理は
、まず事前に真空容器（１）内を低真空ポンプ（４）の
作動によυ荒引き真空に排気し、ついで高真空ポンプ（
３）の作動で高真空に排気し圧力制御装置（５）で所定
の真空度を得てエツチング処理が開始される。これと同
時に真空容器（１）内ではズ応生成物（図示せず）が発
生し、この反応生成物が云 真猛排気されている排ガス（＠示せず）とともに排気系
路（２）を通過して排気される。
〔発明が解決しようとする課題Ｊ
従来のエツチング装置は以上のように構成されているの
で、排ガス中に含まれた反応生成物が排気系路を通過す
る際、その一部は各機器および配管の内部に付着する。
で、排ガス中に含まれた反応生成物が排気系路を通過す
る際、その一部は各機器および配管の内部に付着する。
特にロータリポンプなどの油回転ポンプを使用している
低真空ポンプにおいて反応生成物が油に混入すること、
温度が反応生成物の付着しやすい条件（常温以下の低温
）等でポンプ内への付着、堆積が著しい。この状態で比
較的真空度の低い低真空ポンプ内部は大気に晒される機
会も多く付着し九反応生成物は大気中の水分を吸収して
強酸となシ金属腐食をおこしポンプ寿命を低下させる。
低真空ポンプにおいて反応生成物が油に混入すること、
温度が反応生成物の付着しやすい条件（常温以下の低温
）等でポンプ内への付着、堆積が著しい。この状態で比
較的真空度の低い低真空ポンプ内部は大気に晒される機
会も多く付着し九反応生成物は大気中の水分を吸収して
強酸となシ金属腐食をおこしポンプ寿命を低下させる。
このためポンプ内の清掃、油交換等のメンテナンスの周
期を極端に短縮しなければならず手間と時間を要する等
の課題があったこの発明は上記のよ、うな課題を解消す
るためになされたもので、低真空ポンプのメンテナンス
周期の延長ができメンテナンスに要する手間と時間を少
なくできるエツチング装置を得ることを目的とする。
期を極端に短縮しなければならず手間と時間を要する等
の課題があったこの発明は上記のよ、うな課題を解消す
るためになされたもので、低真空ポンプのメンテナンス
周期の延長ができメンテナンスに要する手間と時間を少
なくできるエツチング装置を得ることを目的とする。
〔課題を解決するための手段」
この発明に係るエツチング装置は、エツチング機構が内
蔵された真空容器と、この真空容器と大気とを連通して
設けられた排気系路と、この排気系路に設けられ真空容
器内を高真空に排気する高真空ポンプと、排気系路の真
空ポンプよシ大気側に設けられ真空容器内を低真空に排
気する低真空ポンプと、排気糸路の両真空ポンプ間に設
けられ真空排ガス中の排ガスを浄化する浄化装置とで構
成したものである。
蔵された真空容器と、この真空容器と大気とを連通して
設けられた排気系路と、この排気系路に設けられ真空容
器内を高真空に排気する高真空ポンプと、排気系路の真
空ポンプよシ大気側に設けられ真空容器内を低真空に排
気する低真空ポンプと、排気糸路の両真空ポンプ間に設
けられ真空排ガス中の排ガスを浄化する浄化装置とで構
成したものである。
〔作用ｊ
この発明のエツチング装置は、浄化装置が排ガス中に含
まれる反応生成物を低真空ポンプ手前で捕獲する。
まれる反応生成物を低真空ポンプ手前で捕獲する。
〔発明の実施例］
以下この発明の一実施例を図について説明する。
第１図はこの発明におけるエツチング装置の概略系統を
示した図であシ、図において、（１）ないしく５）は第
２図に示す従来の構成と同様であるのでその説明は省略
する。（６）は内部に例えば真空オイルなどの浄化液（
７）を空間（６ａ）を余して蓄溜した浄化容器、（８）
は一方を排気系路（２Ｃ）と高真空ポンプ（３〕側分岐
点（８ｂ）で連通し、他方は浄化容器（６）を貫通し先
端が泡だてノズ／’ （８ａ）形状をして浄化液（７）
中に浸漬し浄化液と連通した入側連通管、（９）は一方
を排気系路（２）と低真空ポンプ（４） （ｊ１１１分
岐点（９ｂ）で連通し、他方は浄化容器（６）を貫通し
先端の吸入口（９ａ）が空間（６ａ）と連通した出側連
通管、（１０）は排気系路（２ｃ）の分岐点（８ｂ）と
（９ｂ）間゛および入側連通管にそれぞれ設置された真
空バルブである。そしてこれ等浄化容器（６）、浄化液
（７）、入側連通管（８）、出典連通管（９）で浄化装
置（１１）を構成している。
示した図であシ、図において、（１）ないしく５）は第
２図に示す従来の構成と同様であるのでその説明は省略
する。（６）は内部に例えば真空オイルなどの浄化液（
７）を空間（６ａ）を余して蓄溜した浄化容器、（８）
は一方を排気系路（２Ｃ）と高真空ポンプ（３〕側分岐
点（８ｂ）で連通し、他方は浄化容器（６）を貫通し先
端が泡だてノズ／’ （８ａ）形状をして浄化液（７）
中に浸漬し浄化液と連通した入側連通管、（９）は一方
を排気系路（２）と低真空ポンプ（４） （ｊ１１１分
岐点（９ｂ）で連通し、他方は浄化容器（６）を貫通し
先端の吸入口（９ａ）が空間（６ａ）と連通した出側連
通管、（１０）は排気系路（２ｃ）の分岐点（８ｂ）と
（９ｂ）間゛および入側連通管にそれぞれ設置された真
空バルブである。そしてこれ等浄化容器（６）、浄化液
（７）、入側連通管（８）、出典連通管（９）で浄化装
置（１１）を構成している。
上記のように構成された一実施例の作用について説明す
る。
る。
エツチング処理において、まず事前に真空容器（１）内
を低真空ポンプ（５）の作動によシ荒引き真空排気する
が、この場合反応生成物は発生しないので入側連通管（
８）Ｑ真空バルブ（１０）を閉じ排気系路（２ｃ）の真
空バμブ（１０） ｔ−開くことで真空排ガスは排気系
路（２ｃ）を通過し低真空ポンプ（４）よシ系外へ放出
される。次に高真空ポンプ（３）を作動し所定真空度を
得てエツチング処理がなされるがこの場合各真空バルブ
（１０）は入側連通管（８）側を開き排気系路（２ｃ）
（Ｑｌｌを閉じることで真空排ガスを浄化装置（１１）
を通す糸路に変換する。この状態でエツチング処理によ
シ真空容器（１）内で発生し九反応生成物は真空排ガス
とともに入側連通管（８）を経て泡だてノズ／Ｌ／ （
８ａ）よシ浄化液（７）中に細かな気泡とな）吐出され
る。液中に吐出された真空徘ガス中の反応生成物は浄化
液（７）中に溶解または沈殿して除去され浄化された真
空排ガスが空間（６ａ）を経て吸入口（９ａ）よシ出側
連通管（９）を通って低真空ポンプ（４）よシ系外に放
出される。なお上記夾施例の浄化液中に冷却管等の冷却
機構（図示せず）を設は浄化液を冷却すると反応生成物
の液中での捕獲がよ）効果的である。
を低真空ポンプ（５）の作動によシ荒引き真空排気する
が、この場合反応生成物は発生しないので入側連通管（
８）Ｑ真空バルブ（１０）を閉じ排気系路（２ｃ）の真
空バμブ（１０） ｔ−開くことで真空排ガスは排気系
路（２ｃ）を通過し低真空ポンプ（４）よシ系外へ放出
される。次に高真空ポンプ（３）を作動し所定真空度を
得てエツチング処理がなされるがこの場合各真空バルブ
（１０）は入側連通管（８）側を開き排気系路（２ｃ）
（Ｑｌｌを閉じることで真空排ガスを浄化装置（１１）
を通す糸路に変換する。この状態でエツチング処理によ
シ真空容器（１）内で発生し九反応生成物は真空排ガス
とともに入側連通管（８）を経て泡だてノズ／Ｌ／ （
８ａ）よシ浄化液（７）中に細かな気泡とな）吐出され
る。液中に吐出された真空徘ガス中の反応生成物は浄化
液（７）中に溶解または沈殿して除去され浄化された真
空排ガスが空間（６ａ）を経て吸入口（９ａ）よシ出側
連通管（９）を通って低真空ポンプ（４）よシ系外に放
出される。なお上記夾施例の浄化液中に冷却管等の冷却
機構（図示せず）を設は浄化液を冷却すると反応生成物
の液中での捕獲がよ）効果的である。
又上記夾施例では反応生成物の捕獲を浄化液でしたが、
排気系路の同等位置に液体窒素トラップ等の極低温条件
を有する反応生成物除去装置を設けることでも実施例と
同じ効果が得られる。
排気系路の同等位置に液体窒素トラップ等の極低温条件
を有する反応生成物除去装置を設けることでも実施例と
同じ効果が得られる。
ｆ発明の効果Ｊ
以上のように、この発明によればエツチング機構が内蔵
された真空容器と、この真空容器と大気とを連通して設
けられた排気系路と、この排気系路に設けられ真空容器
内を高真空に排気する高真空ポンプと、排気系路の真空
ボンデよシ大気側に設けられ真空容器内を低真空に排気
する低真空ポンプと、排９Ｃ系路の両真空ポンプ間に設
けられ真空排ガス中の排ガスを浄化する浄化装置とで構
成したので、低真空ポンプのメンテナンス周期の延長が
できメンテナンスに要する手間と時間が少なくてすむエ
ツチング装置を得られる効果がある。
された真空容器と、この真空容器と大気とを連通して設
けられた排気系路と、この排気系路に設けられ真空容器
内を高真空に排気する高真空ポンプと、排気系路の真空
ボンデよシ大気側に設けられ真空容器内を低真空に排気
する低真空ポンプと、排９Ｃ系路の両真空ポンプ間に設
けられ真空排ガス中の排ガスを浄化する浄化装置とで構
成したので、低真空ポンプのメンテナンス周期の延長が
できメンテナンスに要する手間と時間が少なくてすむエ
ツチング装置を得られる効果がある。
第１図はこの発明の一実施例によるエツチング装置の概
略系路を示す図、第２図は従来のエラをング装置の概略
系路を示す図である。 図において、α）は真空容器、（２）は排気系路、（３
）は高真空ポン１、（４）は低真空ポンプ、（１２）は
浄化装置である。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。 代 理 人 大 岩 増 雄第１図 第２図
略系路を示す図、第２図は従来のエラをング装置の概略
系路を示す図である。 図において、α）は真空容器、（２）は排気系路、（３
）は高真空ポン１、（４）は低真空ポンプ、（１２）は
浄化装置である。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。 代 理 人 大 岩 増 雄第１図 第２図
Claims (1)
- エッチング機構が内蔵された真空容器と、この真空容
器と大気とを連通して設けられた排気系路と、この排気
系路に設けられ上記真空容器内を高真空に排気する高真
空ポンプと、上記排気系路の上記真空ポンプより大気側
に設けられ上記真空容器内を低真空に排気する低真空ポ
ンプと、上記排気系路の上記両真空ポンプ間に設けられ
真空排気中の排ガスを浄化する浄化装置とを備えたエッ
チング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14099388A JPH01310541A (ja) | 1988-06-08 | 1988-06-08 | エツチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14099388A JPH01310541A (ja) | 1988-06-08 | 1988-06-08 | エツチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01310541A true JPH01310541A (ja) | 1989-12-14 |
Family
ID=15281658
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14099388A Pending JPH01310541A (ja) | 1988-06-08 | 1988-06-08 | エツチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01310541A (ja) |
-
1988
- 1988-06-08 JP JP14099388A patent/JPH01310541A/ja active Pending
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