JPH01311608A - 電圧電流変換回路 - Google Patents

電圧電流変換回路

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JPH01311608A
JPH01311608A JP1093286A JP9328689A JPH01311608A JP H01311608 A JPH01311608 A JP H01311608A JP 1093286 A JP1093286 A JP 1093286A JP 9328689 A JP9328689 A JP 9328689A JP H01311608 A JPH01311608 A JP H01311608A
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current
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supply voltage
voltage
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JP1093286A
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James T Doyle
ジェームス・ティー・ドイル
Bart R Mcdaniel
バート・アール・マクダニエル
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Motorola Inc
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Publication date
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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F1/00Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/34DC amplifiers in which all stages are DC-coupled
    • H03F3/343DC amplifiers in which all stages are DC-coupled with semiconductor devices only
    • H03F3/345DC amplifiers in which all stages are DC-coupled with semiconductor devices only with field-effect devices

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  • Amplifiers (AREA)
  • Control Of Electrical Variables (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、一般にトランスコンダクタンス増幅回路に関
し、更に詳しくは、基準電流を与える金属酸化半導体(
MOS>!圧電流変換回路に関する。この基準電流の大
きさは、供給電圧レール(rail)の値まで変化しう
る入力電圧に対して直線的に変化する。本電圧電流変換
回路は、補償、オフセット修正、外部フィードバック、
または入力電圧の容母結合を必要とすることなく、広い
帯域幅に渡って安定したシングル・エンド入力8もして
いる。
(従来技術および解決すべき課題) オペアンプは、高いA−プン・ループ・ゲイン、高い入
力インピーダンス、8にび低い出力インピーダンスを含
むその多くの優れた特性のため、電子産業界で広範に使
用されている。オペアンプの一般的な用途には、電圧お
よび電流増幅器、微分器および積分器、比較器、アクテ
ィブ・フィルター、発信器、ならびにAD変換器および
DA変換器のような回路構成がある。オペアンプはさら
に、電圧を電流に変換するl〜ランスコンダクタンス増
幅器に使用することが可能でおる。そこでは、変換され
るべき電圧をオペアンプの非反転入力に入力し、オペア
ンプの出力によってダーリントン・トランジスタ対を駆
動し所望の出力電流を供給する。このオペアンプの1つ
の欠点は、速度と精度との間で1ヘレードオフが必要な
ことである。より高い速度は、直流の精度を押えること
によって達成される。同様に、直流の誤差は、帯域幅を
削減するという犠牲によって低く押えられる。更に、オ
ペアンプはこれを実行する場合に、差動入力、補償、オ
フセット修正、外部フィードバック、および相当母のシ
リコン領域を必要とする。
ごく最近開発された回路であるオペレーション・トラン
スコンダクタンス増幅器(OTA>によって、オペアン
プの特性のあるものが改善されている。オペアンプと同
様に、OTAは幅広い回路とシステムの用途に使用する
ことが可能である。
しかし、OTAはより高い性能を提供すると共に、その
性能は負荷の状態から独立している。OTAの1つの大
きな利点は、個々のOTAの入力で電圧を加算、減算、
または乗算するために、幾つかのOTAの出力を共に結
合することができる能力にある。OTAの出力は、電流
であるから、別の出力を結合しても性能を劣化させるこ
とはない。
また、入力は別個のものでおるから、入力数を増加して
も性能を劣化させることはない。しかし、オペアンプと
同様に、OTAは差動入力および外部フィードバック、
および相当最のシリコン領域を必要とし、VSSまたは
VDD供給レールにまで達する入力電圧に対して、直線
的に動作することができない。従って、オペアンプおよ
びOTAに必要とされる差動入力に対してシングル・エ
ンド入力を使用することによって、外部フィードバック
の必要性をなくし、端子の要求数を削減することが望ま
(〕い。
かくして、その大きさが供給電圧レール値まで変化する
可能性のある入力電圧に対して直線的に変化するような
基準電流を与え、かつ補償、オフセット修正、外部フィ
ードバック、または入力電圧の容量結合を必要とするこ
となく広い帯域幅に渡って安定したシングル・エンド入
力を有している、電圧電流変換器を提供することが望ま
れている。
(発明の概要) 従って、本発明の目的は、改良した電圧電流変換器を提
供することである。
本発明の伯の目的は、供給電圧レール値まで変化しうる
入力電圧に対して直線的な動作を与える、改良した電圧
電流変換器を提供することである。
本発明の更に他の目的は、閉ループ・ゲインおよびシン
グル・エンド入力を有する電圧電流変換器を提供するこ
とである。
本発明の更に他の目的は、外部フィードバック、補償ま
たはオフセット修正を必要どすることなく、改良された
帯域幅および直流精度を有する電圧電流変換器を提供す
ることである。
本発明の上記およびその他の目的は、第1または第2供
給電圧端子の1つに接続されると共に、第3供給電圧端
子に接続された電圧分割ネットワークを有するMO3電
圧電流変換器によって達成される。この電圧分割ネット
ワークはでの出力として、第1または第2供給電圧端子
に対しである比率(割合)の変換電圧である基準電圧を
第3供給電圧端子において有している。電圧分割ネット
ワークの出力は、高いインピーダンスを有づ゛る直線基
準電流発生回路に接続される。この直線基準電流発生回
路は、基準電圧に対して直線的に変化する電流を与える
。公称値からの電流の変化に対して基準電流発生回路自
身を補償するために、ここでは、基準電流発生回路に正
のフィードバックが使用され、これによって外部フィー
ドバックの必要性をなくしている。出力回路が第1、第
2、および第3供給電圧端子に接続されると共に直線基
準電流発生回路に接続される。出力回路によって、高い
インピーダンス出力電流シンクおよび出力電流ソース端
子が設けられ、直線基準電流発生回路で発生した直線基
準電流にもとづく出力シンク電流および出力ソース電流
がそれぞれ1ワられる。
本発明の上記およびその他の目的、特徴、および効果は
、添付図面を参照した下記の実施例の詳細な説明から更
によく理解される。
(実施例) 第1図は、標準のMO3工程を使用して製作可能である
電圧電流変換回路10を示す。電界効果トランジスタ4
は、第3供給電圧端子である供給電圧端子3に接続され
たソース、イネーブル端子5に接続されたゲート、およ
び抵抗6によって電圧基準ノード8に接続されたドレイ
ンを有している。電圧!、!(Lノード8は、第2供給
電圧端子である供給電圧端子2に接続されている。電界
効果トランジスタ4と抵抗6および7は、電圧基準ノー
ド8に基準電圧(V    )を加えるために、電EF 圧分割器を構成し、この基準電圧の大きさは供給電圧端
子3に於【プる変換電圧(vcoNV)および抵抗6と
7の抵抗値の比率によって決定される。
M OS工程では、工程と温度の変化のため抵抗値か2
0パ一セント程度変化するのが一般的である。
もし2つの抵抗6および7を相互に近接して取付けるな
らば、抵抗6 (R6)の値の変化を抵抗7(R7)の
値の対応する変化によって補償することができ、またそ
の逆も可能である。従って、モノリシック集積抵抗を使
用することによって、安定した基準電圧を電圧基準ノー
ド8に発生させることが可能である。この構成に於ける
基準電圧は、下記の関係式によって決定される。
VREF=VCONV(R7/(R7 十R6)) 基準電圧を1ηる他の方法には、比率を与えられた電界
効果トランジスタを使用する方法、または切り替え容量
回路を使用する方法がある。電圧電流変換回路は、イネ
ーブル端子5に論理1の信号を加えることによって低電
カスタンバイ・モードにすることが可能であり、これに
よって電界効果トランジスタ4は、非導通状態となり、
抵抗6および7を介して電流が流れず、従って基準電圧
は0.0ボルトに等しくなる。
直線基準電流発生回路は、カスコードカレントミラー1
1、カレントミラー12、およびデバイス13.14.
15、および16によって構成される。カスコードカレ
ントミラー11は、電界効果トランジスタ22.23.
24、および25、によって構成され、カレントミラー
12は電界効果トランジスタ1つおよび21によって構
成される。カスコードカレントミラー11の場合、電界
効果トランジスタ23は供給電圧端子3に接続されたソ
ース、および電流基準ノード18に接続されたゲートと
ドレインを有するダイオードを形成する。供給電圧端子
3に接続されたソース、電流基準ノード18に接続され
たゲート、J”?よび電界効果トランジスタ24のソー
スに接続されたドレインを有する電界効果トランジスタ
22は、電界効果トランジスタ23で発生される直線基
準電流をミラー(反映)する。電界効果トランジスタ2
4は、ソースに接続されたゲート、および電圧基準ノー
ド8に接続されたドレインを有するダイオードを形成す
る。電流基準ノード18に接続されたソース、電界効果
トランジスタ24のゲートに接続されたゲート、および
ゲイン端子17に接続されたドレインを有する電界効果
トランジスタ25は、電界効果トランジスタ24を流れ
るミラーされた直線基準電流をミラーする。
カレントミラー12の場合、電界効果トランジスタ21
は供給電圧端子2に接続されたソース、ならびに電界効
果トランジスタ19のゲートに接続されたゲートおよび
ドレインを有するダイオードを形成する。供給電圧端子
2に接続されたソース、および電圧基準ノード8に接続
されたドレインを有する電界効果トランジスタ19は、
電界効果トランジスタ21を流れるフィードバック電流
をミラーする。ゲイン抵抗]4(R14)は、ゲイン端
子17と供給電圧端子2との間に接続され、カスコード
カレントミラー11を流れる直線基準電流の大きさを設
定する。このゲイン抵抗14は、チップ上のモノリシッ
ク集積抵抗としてまたは直線領域で動作する電界効果ト
ランジスタとして実現することも可能である。または、
外部抵抗(モノリシックに集積されていない)をゲイン
抵抗14(正確な精度を与える)として使用することも
可能である。
電界効果トランジスタ15は、供給電圧端子3に接続さ
れたソース、電流基準ノード18に接続されたゲート、
および電界効果トランジスタ16のソースに接続された
ドレインを有する。電界効果トランジスタ16は、ゲイ
ン端子17に接続されたゲート、および電界効果トラン
ジスタ21のドレインに接続されたドレインを有する。
電界効果トランジスタ13は、電源が最初に第1供給電
圧端子としての供給電圧端子1、供給電圧端子2および
3に加えられた場合、カスコードカレントミラー11に
対してスタートアップ電流を与えるため、供給電圧端子
1に接続されたソース、および電界効果トランジスタ2
4のソースに接続されたゲートとソースを有している。
出力手段としての出力段は、電流ミラー36によって構
成され、ここで電界効果トランジスタ28は、供給電圧
端子2に接続されたソース、および電界効果トランジス
タ27のソースに接続されたゲートおよびドレインを有
するダイオードを形成する。電界効果トランジスタ29
は、電界効果トランジスタ28を流れる基準シンク電流
をミラーするため、供給電圧端子2に接続されたソース
、電界効果トランジスタ28のゲートに接続されたゲー
ト、および電界効果トランジスタ31のソースに接続さ
れたドレインを有している。供給電圧端子3に接続され
たソース、電流基準ノードゴ8に接続されたゲート、お
よび電界効果トランジスタ27のドレインおよびソース
に接続されたドレインを有する電界効果トランジスタ2
6は、基準シンク電流を電流ミラー36に対してソース
する。電界効果トランジスタ27は、電界効果トランジ
スタ26と供給電圧端子2の間でインピーダンスを増加
させる。
電界効果トランジスタ32は、基準ソース電流を与える
ため、第3供給電圧端子3に接続されたソース、電流基
準ノード18に接続されたゲート、および電界効果トラ
ンジスタ33のソースに接続されたドレインを有してい
る。電界効果トランジスタ31は、出力電流シンク端子
34に接続されたゲートおよびドレインを有し、電界効
果トランジスタ33は出力電流ソース端子35に接続さ
れたゲートおよびドレインを有している。電界効果トラ
ンジスタ31および33の目的は、出力電流シンク端子
および出力電流ソース端子34および35に於ける出力
インピーダンスをそれぞれ増加させ、ここで実質的に性
能を劣化させることなく、いくつかの電圧の出力を電流
変換回路に接続する能力を与えることである。
上で留意したように、基準電圧は、抵抗6および7の抵
抗値の比率(割合〉によって決定される。
基準電圧の代表的な値としては、変換電圧の値の1/4
に設定することが可能である。これを達成するためには
、R6の抵抗値がR7の抵抗値の3倍であることが必要
である。電界効果トランジスタ19および24の並列イ
ンピーダンスが実質的に基準電圧に影響を及ぼさないこ
とを保障するため、抵抗6および7の値は、それらの並
列抵抗値が電界効果トランジスタ19および24の並列
インピーダンスの約1/10であるように選択されなけ
ればならない。
カスコードカレントミラー11の動作によって、この基
準電圧はゲイン端子17でゲイン電圧によって正確にト
レースされる。変換電圧の変化によって、ゲイン端子1
7において正確にトレースされている基準電圧に比例的
な変化が発生する。ゲイン電圧の変化は、カスコードカ
レントミラー11を介して直線基準電流の直線的変化に
よって達成されるが、この理由は、この電流変化が基準
電圧によって決定されるからである。例によって示せば
、1マイクロアンペア/1ポルhのトランスコンダクタ
ンスは下記の関係式を満足させることによって得ること
ができる。
R6−3R7と設定し、その結果 VREF=VCONV′4 I     =V R14C0NV/(4R14) R14=VcmNy/ (4I    )=1ボルト/
4マイクロアンペア R14=250.000オーム その結果]ボルトの変換電圧の変化は1マイクロアンペ
アの直線基準電流の変化に対応する。異なったトランス
コンダクタンスは、R6とR7の関係を変化させること
およびR14の値を変化させることによって得ることが
可能である。
ゲイン抵抗14を流れる直線基準電流は電流基準ノード
18によって電界効果トランジスタ15に反映される。
直線基型電流の好ましくない変動は、カレントミラ〜1
2の動作によってカスコードカレントミラー11に対し
てミラーされる。この直線基型電流の変動は、基準電圧
に好ましくない変化を発生させる可能性のある電圧分割
ネッ1へワーク内で分散される代わりに1−ランジスタ
19を介して流れる。直線基準電流発生回路の閉ループ
動作によって基準電圧が非常に正確に保持される。−設
面に、変換電圧は、いくつかの電界効果トランジスタの
ゲートに加えられるが、制御ノードとしてのトランジス
タ15.22.23.26および32のソースを使用す
ることによって変換電圧の使用可能な動作範囲を増加さ
せることが可能で必る。、MO3電圧電流変換回路10
の動作は、NチャネルおよびP f−+7ネルの電界効
果トランジスタのしきい電圧の合計の電圧値から、供給
電圧端子1にお(プるVDD供給電圧よりベース−エミ
ッタ電圧(V B E )だけ高い電圧値にまで及、S
′;。
直線基準電流は、電流基準ノー・−ド18によって出力
段の電界効果トランジスタ26および32に反映される
。電界効果[−ランジスタ26を流れる基準シンク電流
は、負荷が出力電流シンク嫡子34に接続された場合、
電流ミラー36によって電界効果トランジスタ29内で
ミラーされる。そこで、出力電流シンク端子34は、直
線基準電流に等しい出力シンク電流、またはこれの或る
比率に等しい出力シンク電流をシンクする。同様に、負
荷が出力電流ソース端子35に接続された場合、直線基
準電流に等しい出力ソース電流またはこれの或る比率に
等しい出力ソース電流が、この負荷に対してソースされ
る。
第2図に示す本発明の第2実施例は第1実施例と同様の
デバイスによって構成されているが、図示するように、
第2実施例の回路20は別のh法で接続した供給電圧端
子1.28よび3によって動作する。第2実施例の相違
点としては、第1供給電圧端子としての供給電圧端子1
に接続された電界効果トランジスタ4.15.22.2
3.26および32のソース、供給電圧端子3に接続さ
れた電界効果トランジスタ19.21.28および29
のソース、ならびに抵抗7が電圧基準ノード8と供給電
圧端子3との間に接続されていることが含まれている。
また、抵抗6は供給電圧端子1と電圧基準ノード8の間
に接続されている。
第2実施例のり準電圧は、抵抗6と7との抵抗値の比率
および\’DD供給電圧に対する変換電圧VcoNv(
供給電圧端子3〉の大きさによって決定され、下記のよ
うに計算される。
vREF= (■DD−■C0NV)R,7/(R7+
R6) この構成に於いて、MO3電圧電流変換回路20によっ
て、Vss供給電圧マイナスVBEからVDD供給電圧
マイナスNチャネルどPヂA7ネルのしきい値電圧の和
まで変化しうる変換電圧に対するめ線基準電流が与えら
れる。
MO8電圧電流変換回路10を使用した加算構成の例が
第3図に示されている。この例に於いて2つの電圧電流
変換回路10および10’が、それぞれ供給電圧端子3
および3′に加えられる2つの変換電圧vCONV1お
よびVCONV2を加算するために使用されている。各
MO3電圧電流変換回路10および10’ はそれぞれ
ゲイン抵抗14および14′によって設定されるような
異なったゲインを有することが可能である。各MOS電
圧電流変換回路10および10′の出力電流ソース端子
35t、;よびこ35′は、負荷抵抗37によって供給
電圧端子2に接続される。出力電流ソース端子35から
流れる出カッ−・・スミ流I、1は、出力電流ソース端
子35′から流れる出力ソース電流■2に加えられ、こ
れらの電流の合i113は負荷抵抗37を介1ノで流れ
る。
変換電圧VCoNV1およびVcoNV2は、Vss供
給電圧プラスNチャネルとPチャネルのしきい値電圧の
和から、\=’ D D供給電圧プラスVB「まで変化
することが可能である。第3図の電圧電流変換回路10
および10′は、変@電圧■C0NV1”’J−びVC
ONV2”vDD”給電圧マイナスNfX1ネルと[)
チャネルのしきい値電圧の和からVss供給電圧マイナ
スvBEまで変化1ノうる動作を行うための電圧電流変
換回路20および20′と取替えることが可能である。
第3図の電圧電流変換回路10の出力電流ソース端子3
5の接続を出力電流シンク端子34に対する接続に取持
えることによって、減算回路を実行することが可能て゛
ある。ぞの結宋■1は■2から差引かれる。
この加算器の例の場合、オペアンプまたは0丁へと異な
って、異なった直流電圧レベルを有する信号を入力に対
シ、ノて容量結合することなしに、これらの信号を加算
することが可能であるが、その理由は各入力が独立して
いるからである。入力を容量結合することは望ましくな
いが、その理由は]ンデンザが希望しないローパス・フ
ィルタを形成(ハ従って入力信号の低周波成分を阻止す
るからである。3つ以上の信号の加算は、更に多くのM
 OS電圧電流変換回路を使用し出力電流ソース端子を
共に結合づることによって達成される。また加算回路の
例は、外部フィードバックまたは補償を必要としない。
そして、入力がシングル・エンドであるため、オフセッ
ト修正も必要とされない。MO8電圧電流変換回路は、
例として、加算回路として示してぎたがこれは、乗算、
減算等を含む多くのその他の機能を遂行するために使用
することも可能である。
以上のように、供給電圧レールに対し、て正確な直線基
準電流を与えるMO3電圧電流変換回路を説明してきた
が、この回路は、補償、オフセット修正、外部フィード
バック、または容量結合を必要とすることなく、広い帯
域幅に渡って安定したシングル・エンド入力を有するこ
とを理解すべきである。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明の第1実施例である電圧電流変換回路
の回路図である。 第2図は、本発明の第2実施例である電圧電流変換回路
の回路図である。 第3図は、第1実施例によって構成される加算回路の部
分ブ[]シンクである。 (主要符号の説明) 1.2,3・・・供給電圧端子、5・・・イネーブル端
子、6,7・・・電圧分割器、8・・・電圧基準ノード
、10.20・・・電圧電流変換回路、11・・・カス
コードカレン[・ミラー、12・・・カレン1〜ミラー
、14・・・ゲイン(氏抗器、17・・・ゲ、イン端子
、18・・・電流基イ(を−ノート、13,15.16
・・・電界効宋トランジスタ、34・・・出力電流シン
ク端子、35・・・出力電流シンク端子

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、第1供給電圧端子; 第2供給電圧端子; 第3供給電圧端子; 出力電流シンク端子; 出力電流ソース端子; 前記第2供給電圧端子と前記第3供給電圧端子との間に
    接続され、前記第3供給電圧端子における変換電圧に対
    する基準電圧を与えるための電圧基準ノードを有する電
    圧分割手段; 前記第1供給電圧端子、前記第2供給電圧端子および前
    記第3供給電圧端子に接続されると共に前記電圧基準ノ
    ードに接続され、大きさが変換電圧の対応する変化に応
    答して直線的に変化する直線基準電流を与える直線基準
    電流発生手段;ならびに 前記第2供給電圧端子と前記第3供給電圧端子との間に
    接続されると共に前記直線基準電流発生手段に接続され
    、前記出力電流シンク端子および前記出力電流ソース端
    子にそれぞれ出力シンク電流および出力ソース電流を与
    える出力手段であって、前記出力シンク電流の大きさお
    よび前記出力ソース電流の大きさが前記直線基準電流の
    大きさの或る比率であるところの、出力手段; から構成される回路。 2、請求項1記載の回路であつて、 前記直線基準電流発生手段が; ゲイン端子; 前記ゲイン端子と前記第2供給電圧端子との間に接続さ
    れるゲイン抵抗; 前記第3供給電圧端子と前記ゲイン端子との間に接続さ
    れると共に前記電圧基準ノードに接続され、前記直線基
    準電流を発生する第1電流ミラー手段であって、前記変
    換電圧の大きさと共同して前記ゲイン抵抗の値が当該第
    1電流ミラー手段を流れる直線基準電流の大きさを決定
    するところの、第1電流ミラー手段; 前記第2供給電圧端子および前記電圧基準ノードに接続
    され、前記第1電流ミラー手段にフィードバック電流を
    与える第2電流ミラー手段;前記第1供給電圧端子に接
    続されたソースならびに前記第1電流ミラー手段に接続
    されたゲートおよびドレインを有する第1電界効果トラ
    ンジスタ; 前記第1電流ミラー手段に接続されたゲート、前記第3
    供給電圧端子に接続されたソースを有すると共に、ドレ
    インを有する第2電界効果トランジスタ;ならびに 前記第2電界効果トランジスタのドレインに接続された
    ソース、前記ゲイン端子に接続されたゲート、および前
    記第2電流ミラー手段に接続されたドレインを有する第
    3電界効果トランジスタ;から構成されることを特徴と
    する回路。 3、第1供給電圧端子; 第2供給電圧端子: 第3供給電圧端子; 出力電流シンク端子; 出力電流ソース端子; 前記第1供給電圧端子と前記第3供給電圧端子の間に接
    続され、前記第3供給電圧端子における変換電圧に対す
    る基準電圧を与えるための電圧基準ノードを有する電圧
    分割手段;前記第1供給電圧端子、前記第2供給電圧端
    子、および前記第3供給電圧端子に接続されると共に前
    記電圧基準ノードに接続され、大きさが変換電圧の対応
    する変化に応答して直線的に変化する直線基準電流を与
    える直線基準電流発生手段;ならびに 前記第1供給電圧端子と前記第3供給電圧端子との間に
    接続されると共に前記直線基準電流発生手段に接続され
    、前記出力電流シンク端子および前記出力電流ソース端
    子にそれぞれ出力シンク電流および出力ソース電流を与
    える出力手段であつて、前記出力シンク電流の大きさお
    よび出力ソース電流の大きさが直線基準電流の大きさの
    或る比率であるところの、出力手段; から構成される回路。 4、請求項1記載の回路であつて、 前記直線基準電流発生手段が: ゲイン端子; 前記ゲイン端子と前記第2供給電圧端子との間に接続さ
    れるゲイン抵抗; 前記第1供給電圧端子と前記ゲイン端子との間に接続さ
    れると共に前記電圧基準ノードに接続され、前記直線基
    準電流を発生する第1電流ミラー手段であって、前記変
    換電圧の大きさと共同して前記ゲイン抵抗の値が当該第
    1電流ミラー手段を流れる直線基準電流の大きさを決定
    するところの、第1電流ミラー手段; 前記第3供給電圧端子および前記電圧基準ノードに接続
    され、前記第1電流ミラー手段にフィードバック電流を
    与える第2電流ミラー手段;前記第1供給電圧端子に接
    続されたソースならびに前記第1電流ミラー手段に接続
    されたゲートおよびドレインを有する第1電界効果トラ
    ンジスタ; 前記第1電流ミラー手段に接続されたゲート、前記第1
    供給電圧端子に接続されたソースを有すると共に、ドレ
    インを有する第2電界効果トランジスタ;ならびに 前記第2電界効果トランジスタのドレインに接続された
    ソース、前記ゲイン端子に接続されたゲート、および前
    記第2電流ミラー手段に接続されたドレインを有する第
    3電界効果トランジスタ;から構成されることを特徴と
    する回路。
JP1093286A 1988-04-14 1989-04-14 電圧電流変換回路 Pending JPH01311608A (ja)

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Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0353508B1 (de) * 1988-07-22 1994-09-21 Siemens Aktiengesellschaft ECL-CMOS-Wandler
US4978905A (en) * 1989-10-31 1990-12-18 Cypress Semiconductor Corp. Noise reduction output buffer
US5165054A (en) * 1990-12-18 1992-11-17 Synaptics, Incorporated Circuits for linear conversion between currents and voltages
US5481180A (en) * 1991-09-30 1996-01-02 Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. PTAT current source
US5550495A (en) * 1994-05-12 1996-08-27 Sierra Semiconductor Corporation All MOS voltage to current converter
US5841866A (en) * 1994-09-30 1998-11-24 Microchip Technology Incorporated Secure token integrated circuit and method of performing a secure authentication function or transaction
KR0134661B1 (ko) * 1995-04-24 1998-04-25 김광호 전위­전류 변환기
US5594326A (en) * 1995-06-07 1997-01-14 Analog Devices, Inc. Sub-rail voltage regulator with low stand-by current and high load current
US5610505A (en) * 1995-08-31 1997-03-11 Lucent Technologies, Inc. Voltage-to-current converter with MOS reference resistor
US5978249A (en) * 1997-12-17 1999-11-02 Motorola Inc. High impedance signal conversion circuit and method
KR100323196B1 (ko) * 1999-09-03 2002-02-20 박종섭 모스 전계효과 트랜지스터를 이용한 정밀전파정류기
KR100368982B1 (ko) * 1999-11-30 2003-01-24 주식회사 하이닉스반도체 씨모스 정전류 레퍼런스 회로
EP1126350B1 (de) 2000-02-15 2006-05-31 Infineon Technologies AG Spannungs-Strom-Wandler
US6995612B1 (en) * 2003-12-15 2006-02-07 Sun Microsystems, Inc. Circuit for reducing current mirror mismatch due to gate leakage current
TWI341636B (en) * 2007-10-17 2011-05-01 Mstar Semiconductor Inc Circuit for protecting nmos device from voltage stress
CN107491132B (zh) * 2016-06-12 2019-11-05 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 电压电流转换电路
US11323085B2 (en) 2019-09-04 2022-05-03 Analog Devices International Unlimited Company Voltage-to-current converter with complementary current mirrors
CN112558670B (zh) * 2020-12-21 2022-03-04 哈尔滨天达控制股份有限公司 一种高精度电压电流变换器
FR3147917A1 (fr) * 2023-04-17 2024-10-18 Stmicroelectronics International N.V. Circuit intégré comprenant une source de courant d’intensité modulée et procédé de génération correspondant.

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3953807A (en) * 1973-08-09 1976-04-27 Rca Corporation Current amplifier
DE2459271C3 (de) * 1974-12-14 1980-08-28 Philips Patentverwaltung Gmbh, 2000 Hamburg Schaltungsanordnung zum Erzeugen eines kompensierten Gleichstromes
JPS5652420A (en) * 1979-10-03 1981-05-11 Toshiba Corp Constant-current circuit
US4612496A (en) * 1984-10-01 1986-09-16 Motorola, Inc. Linear voltage-to-current converter
US4618816A (en) * 1985-08-22 1986-10-21 National Semiconductor Corporation CMOS ΔVBE bias current generator
KR970000909B1 (en) * 1985-09-02 1997-01-21 Siemens Ag Controlled current source apparatus
US4700144A (en) * 1985-10-04 1987-10-13 Gte Communication Systems Corporation Differential amplifier feedback current mirror

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Publication number Publication date
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SG59887G (en) 1995-09-01

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