JPH01312074A - 半導体処理室のロードロック装置 - Google Patents
半導体処理室のロードロック装置Info
- Publication number
- JPH01312074A JPH01312074A JP14313788A JP14313788A JPH01312074A JP H01312074 A JPH01312074 A JP H01312074A JP 14313788 A JP14313788 A JP 14313788A JP 14313788 A JP14313788 A JP 14313788A JP H01312074 A JPH01312074 A JP H01312074A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ring
- gap
- lock device
- seating surface
- load lock
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Sliding Valves (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
半導体処理室のウェハ搬入口を開閉するロードロック装
置に関し、 シール部材の劣化を防止して保守ｆ１の改善を図ること
を目的とし、 半導体処理室のウェハ搬入口を開閉するロードロック装
置にｄ３いて、弁体に、閉弁状態にｄ３いて、着座面の
うち上記ウェハ搬入口を囲繞する部位を押圧するシール
部材を設（）、月つ該弁体のうち上記シール部材の内側
部分に形成した力゛ス叶出口より不活性ガスを吐出させ
ると共に、上記弁体のうち、上記ガス吐出口より内側の
部位に、閉弁状態において、上記着座面との間に隙間を
有して該着座面と対向Ｊる金属製Ｏリングを設（プでな
り、閉弁状態で、該金属製０リングと上記着座面との間
に隙間が形成され、上記不活性ガスが該隙間を通して上
記ウェハ搬入口側に流出するように構成する。
置に関し、 シール部材の劣化を防止して保守ｆ１の改善を図ること
を目的とし、 半導体処理室のウェハ搬入口を開閉するロードロック装
置にｄ３いて、弁体に、閉弁状態にｄ３いて、着座面の
うち上記ウェハ搬入口を囲繞する部位を押圧するシール
部材を設（）、月つ該弁体のうち上記シール部材の内側
部分に形成した力゛ス叶出口より不活性ガスを吐出させ
ると共に、上記弁体のうち、上記ガス吐出口より内側の
部位に、閉弁状態において、上記着座面との間に隙間を
有して該着座面と対向Ｊる金属製Ｏリングを設（プでな
り、閉弁状態で、該金属製０リングと上記着座面との間
に隙間が形成され、上記不活性ガスが該隙間を通して上
記ウェハ搬入口側に流出するように構成する。
本発明は半導体処理室のウェハ搬入口を開閉するロード
ロック装置に関する。
ロック装置に関する。
第３図は一般的な半導体処理装置を示す。図中、１は半
導体処理室の１例であるコールドウオール型のＣＶＤ室
であり、電極２．及びウェハを載置するテーブル３等が
設けである１、４はウェハ搬入口である。
導体処理室の１例であるコールドウオール型のＣＶＤ室
であり、電極２．及びウェハを載置するテーブル３等が
設けである１、４はウェハ搬入口である。
５はウェハ搬送室であり、ウェハをホールドして移動さ
せる機構（図示せず）が備えである。
せる機構（図示せず）が備えである。
６はロードロック装置であり、ＣＶＤ室１とウェハ搬送
室５との間に設けてあり、ウェハ搬入口４を開閉し、両
方の至を仕切る。
室５との間に設けてあり、ウェハ搬入口４を開閉し、両
方の至を仕切る。
７はウェハである。
ＣＶＤ室１は気密性が重要である。このためロードロッ
ク装置６には高いシール杓が要求させる、１このシール
は一般にはシール部材８にＪ、すＭ「保されている。
ク装置６には高いシール杓が要求させる、１このシール
は一般にはシール部材８にＪ、すＭ「保されている。
ＣＶ ｌ）処理により、ウェハ７の表向に限らずＣＶ
ｌ）室１の内壁にも膜が被着する。この膜が剥−１しパ
ーティクルとなってウェハ７を汚染Ｊることがある。そ
こで、ＣＶＤ室１は定期的にドライエッヂングされ、膜
を除去している、。
ｌ）室１の内壁にも膜が被着する。この膜が剥−１しパ
ーティクルとなってウェハ７を汚染Ｊることがある。そ
こで、ＣＶＤ室１は定期的にドライエッヂングされ、膜
を除去している、。
このドライエッヂングには、Ｎ「３．ＣＦ４等の和学的
反応力の強いエツヂングガスが使用される。
反応力の強いエツヂングガスが使用される。
このガスが上記シール部材８に触れるど、このシール部
Ｕ８を比較的早く劣化させてしまう。従って、シール部
材を比較的λ（ｉい期間４ｕに交換することが必要どさ
れる。
Ｕ８を比較的早く劣化させてしまう。従って、シール部
材を比較的λ（ｉい期間４ｕに交換することが必要どさ
れる。
このシール部材を交換覆る作業は比較的面倒であり、し
かもこの間半導体処理室げの稼動が停止されることにな
る。
かもこの間半導体処理室げの稼動が停止されることにな
る。
このため、ロードロック装置６としては、シール部材を
交換する期間が長くなって、保守性に優れたものである
ことが必要である。
交換する期間が長くなって、保守性に優れたものである
ことが必要である。
（従来の技術）
第４図は従来のロードロック装置１０を示す。
図中、第３図に示す構成部分と対応する部分には同一符
号を付す。
号を付す。
１１は箱状のケーシング、１２は板状の弁体、１３は弁
体１２に取り付（プれたＯリング、１４はガス吐出口で
ある。
体１２に取り付（プれたＯリング、１４はガス吐出口で
ある。
ＣＶＤ室１をドライエツヂングするときには、ロードロ
ック装置１０は第４図に示すように、ウェハ搬入口４を
閉じており、ガス吐出口１４より不活性ガス（例えばＮ
２又はＡ、）が矢印１５で示すように吐出される。
ック装置１０は第４図に示すように、ウェハ搬入口４を
閉じており、ガス吐出口１４より不活性ガス（例えばＮ
２又はＡ、）が矢印１５で示すように吐出される。
このガス流１５は、弁体１２と着座面１７との間の環状
空間１８の端部隙間１９を通ってウェハ搬入口４内にこ
の周囲全体より流れ出し、矢印１６で示すエツヂングガ
ス流が上記空間１８内に流れ込むのを防止するためのも
のである。
空間１８の端部隙間１９を通ってウェハ搬入口４内にこ
の周囲全体より流れ出し、矢印１６で示すエツヂングガ
ス流が上記空間１８内に流れ込むのを防止するためのも
のである。
しかし、ウェハ搬入口４に臨む部分の上記端部−４＝
隙間１９の幅ｇ１は、０リング１３の径に等しく約５
ｔｎｍと広い・ このため、端部隙間１９にお（）るガス流１５の流れは
ゆるやかであり、ガス流１巳）にＪ：る１ニツチングガ
スの環状空間１８内への流れ込みを■止Ｊるノｊは弱い
。
ｔｎｍと広い・ このため、端部隙間１９にお（）るガス流１５の流れは
ゆるやかであり、ガス流１巳）にＪ：る１ニツチングガ
スの環状空間１８内への流れ込みを■止Ｊるノｊは弱い
。
このため、■ツヂングガスの一部が矢印１６Ａで示すよ
うに端部隙間１９を通り抜けで環状空間１８内に流れ込
み、０リング１３に触れてしまう。
うに端部隙間１９を通り抜けで環状空間１８内に流れ込
み、０リング１３に触れてしまう。
これにより、Ｏリング１３が腐蝕されて劣化してしまい
、ロードロック装置１０は高いシールｔ！１を長期間に
亘って維持することが出来ず、０リング１３の交換が比
較的短時間で必要となってしまい、保守性が十分でなか
った。
、ロードロック装置１０は高いシールｔ！１を長期間に
亘って維持することが出来ず、０リング１３の交換が比
較的短時間で必要となってしまい、保守性が十分でなか
った。
本発明はシール部材の劣化を防止して保守性の改善を図
ることができる１」−ドロック装置を提供することを目
的とする。。
ることができる１」−ドロック装置を提供することを目
的とする。。
〔課題を解決するための手段］
本発明は半導体処理室のウェハ搬入口を開閉するロード
ロック装置において、 弁体に、閉か状態において、着座面のうち上記ウェハ搬
入口を囲繞する部位を押圧するシール部材を設け、月つ
該弁体のうち上記シール部材の内側部分に形成したカス
吐出口より不活性カスを吐出させると共に、 上記弁体のうち、上記ガス吐出口より内側の部位に、閉
弁状態にａ３いて、上記着座面との間に隙間を有して該
お座面と対向する金属製Ｏリングを設けてなり、 閉弁状態で、該金属製Ｏリングと上記着座面との間に隙
間が形成され、上記不活性ガスが該隙間を通して上記ウ
ェハ搬入口側に流出する構成としたものである。
ロック装置において、 弁体に、閉か状態において、着座面のうち上記ウェハ搬
入口を囲繞する部位を押圧するシール部材を設け、月つ
該弁体のうち上記シール部材の内側部分に形成したカス
吐出口より不活性カスを吐出させると共に、 上記弁体のうち、上記ガス吐出口より内側の部位に、閉
弁状態にａ３いて、上記着座面との間に隙間を有して該
お座面と対向する金属製Ｏリングを設けてなり、 閉弁状態で、該金属製Ｏリングと上記着座面との間に隙
間が形成され、上記不活性ガスが該隙間を通して上記ウ
ェハ搬入口側に流出する構成としたものである。
上記隙間はこの部分を通って流出する不活性ガスの流速
を速める。これにより、不活性ガス流によりエツチング
ガスのシール部材側への進入を阻止する力が強力となる
。
を速める。これにより、不活性ガス流によりエツチング
ガスのシール部材側への進入を阻止する力が強力となる
。
このため、シール部Ｈのエツチングガスによる劣化が防
止され、シール部Ｈの交換の期間を長くでき、保守性が
改善できる。
止され、シール部Ｈの交換の期間を長くでき、保守性が
改善できる。
また従来の装置に金属製Ｏリングをイ・］加したたりで
足り、装置の改良は簡単である。
足り、装置の改良は簡単である。
第１図は本発明の一実施例になるロードロック装置２０
を示す。第２図は弁体を示ず。各図中、第４図に示す構
成部分と対応でる部分には同一符号を付す。
を示す。第２図は弁体を示ず。各図中、第４図に示す構
成部分と対応でる部分には同一符号を付す。
２１は金属製Ｏリングであり、弁体１２のうちカス吐出
口１４より内側で目つ閉弁時に着座面１７のうちウェハ
搬入口４に臨む部位に取り付けである。
口１４より内側で目つ閉弁時に着座面１７のうちウェハ
搬入口４に臨む部位に取り付けである。
この金属製Ｏリング２１は、シール作用はせず、上記環
状空間１８の出口である端部隙間を狭くするためのもの
であり、径ｄ１はシール部材であるＯリング１３の径ｄ
２より若干小さい。
状空間１８の出口である端部隙間を狭くするためのもの
であり、径ｄ１はシール部材であるＯリング１３の径ｄ
２より若干小さい。
ロードロック装置２０は、第１図に示すにうに、Ｏリン
グ１３が着座面１７に押圧し、金属製Ｏリング２１が着
座面１７に近接して閉弁状態とされる。
グ１３が着座面１７に押圧し、金属製Ｏリング２１が着
座面１７に近接して閉弁状態とされる。
これにより、第１図中左側を着座面１７．右側を弁体１
２．外周側を○リング１３．内周側を金属製Ｏリング１
４により仕切られ、内周側に端部隙間２３を有する長円
のトラック形状の環状空間２２が形成される。
２．外周側を○リング１３．内周側を金属製Ｏリング１
４により仕切られ、内周側に端部隙間２３を有する長円
のトラック形状の環状空間２２が形成される。
この端部隙間２３の幅ｑ２は、従来の場合Ｑ１より金属
製Ｏリング１４の径ｄ１の分生なく、実際には０．５ｍ
以下と狭い。
製Ｏリング１４の径ｄ１の分生なく、実際には０．５ｍ
以下と狭い。
このため、ドライエツチング時、ガス吐出口１４より環
状空間２２内に吐出した不活性ガスは矢印２４で示すよ
うに上記隙間２３を通ってウェハ搬入口４側に流れ出す
。
状空間２２内に吐出した不活性ガスは矢印２４で示すよ
うに上記隙間２３を通ってウェハ搬入口４側に流れ出す
。
隙間２３の幅ｇ２が狭いため、この部分での不活性ガス
の流れは従来に比べて相当速くになり、エツチングガス
の上記空間２２内への進入を阻止する力はその分強くな
る。
の流れは従来に比べて相当速くになり、エツチングガス
の上記空間２２内への進入を阻止する力はその分強くな
る。
このため、矢印２５で示すように、エツチングガスは上
記隙間２３に近づ゛くが、上記の速い流れ１５により矢
印２５Ａで示すように押しやられ、空間２２内には進入
しない。
記隙間２３に近づ゛くが、上記の速い流れ１５により矢
印２５Ａで示すように押しやられ、空間２２内には進入
しない。
この結果、０リング１３がエツチングガスにより腐食さ
れて早期に劣化することを防１することが出来る。
れて早期に劣化することを防１することが出来る。
このように、Ｏリング１３の早期の劣化を防止すること
が出来るため、ロードロック装置１０はシール性を長期
間に亘って紺持することが出来るものどなり、０リング
１３を定期的に交換する期間を従来の場合よりも長くす
ることが出来、保守性が従来のものに比べて大幅に改善
される。
が出来るため、ロードロック装置１０はシール性を長期
間に亘って紺持することが出来るものどなり、０リング
１３を定期的に交換する期間を従来の場合よりも長くす
ることが出来、保守性が従来のものに比べて大幅に改善
される。
ま７ｊ根状の弁体１２に金属！１１０リング２１を取り
句けられたものであり、弁体１２の形状を変える必要は
なく、従来の弁体１２をそのまま使うことができる。
句けられたものであり、弁体１２の形状を変える必要は
なく、従来の弁体１２をそのまま使うことができる。
以上説明した様に、本発明によれば、隙間を流れる不活
性ガスの流速が速Ｊ：ることになり、Ｔツチングガスが
シール部材まで〒ることを効果的に防止することが出来
る。これにより、シール部材のエツヂングガスによる劣
化が防止され、シール部材の交換期間を長くすることが
出来、保守性を改善することが出来る。
性ガスの流速が速Ｊ：ることになり、Ｔツチングガスが
シール部材まで〒ることを効果的に防止することが出来
る。これにより、シール部材のエツヂングガスによる劣
化が防止され、シール部材の交換期間を長くすることが
出来、保守性を改善することが出来る。
また、現在稼動中の装置に金属［０リングを取りイ」け
るだけで足り、容易に実施することが出来る。
るだけで足り、容易に実施することが出来る。
第１図は本発明の一実施例になるロードロック装置を示
す図、 第２図は第１図中弁体を取り出して示す図、第３図は本
発明のロードロック装置を適用しうる半導体処理装置を
示す図、 第４図は従来のロードロック装置を示す図である。 図において、 １はＣＶＤ室、 ４はつ１ハ搬入口、 １１はケーシング、 １２は弁体、 １３はＯリング、 １４はガス吐出１］、 １７は着座面、 ２０はロードロック装置、 ２１は金属製リング、 ２２は環状空間、 ２３は端部隙間、 ２４は不活性ガスの流れ、 ２５．２５Ａはエッヂングガスの流れ を示す。 ’Ｉ−ＩＴｆＢ’中４トΔ寸（芝取りとしてホ１プ５つ
第２図 ′°−本 ７へ、 ４へ− 〜 ［二二二宍！二二° “ ■ オ（来のロードロッ）帳ｔ１示１倒 １１３図
す図、 第２図は第１図中弁体を取り出して示す図、第３図は本
発明のロードロック装置を適用しうる半導体処理装置を
示す図、 第４図は従来のロードロック装置を示す図である。 図において、 １はＣＶＤ室、 ４はつ１ハ搬入口、 １１はケーシング、 １２は弁体、 １３はＯリング、 １４はガス吐出１］、 １７は着座面、 ２０はロードロック装置、 ２１は金属製リング、 ２２は環状空間、 ２３は端部隙間、 ２４は不活性ガスの流れ、 ２５．２５Ａはエッヂングガスの流れ を示す。 ’Ｉ−ＩＴｆＢ’中４トΔ寸（芝取りとしてホ１プ５つ
第２図 ′°−本 ７へ、 ４へ− 〜 ［二二二宍！二二° “ ■ オ（来のロードロッ）帳ｔ１示１倒 １１３図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 半導体処理室（１）のウェハ搬入口（４）を開閉する
ロードロック装置において、 弁体（１２）に、閉弁状態において、着座面（１７）の
うち上記ウェハ搬入口（４）を囲繞する部位を押圧する
シール部材（１３）を設け、且つ該弁体（１２）のうち
上記シール部材（１３）の内側部分に形成したガス吐出
口（１４）より不活性ガスを吐出させると共に、 上記弁体（１２）のうち、上記ガス吐出口（１４）より
内側の部位に、閉弁状態において、上記着座面（１７）
との間に隙間を有して該着座面（１７）と対向する金属
製Ｏリング（２１）を設けてなり、閉弁状態で、該金属
製Ｏリング（２１）と上記着座面（１７）との間に隙間
（２３）が形成され、上記不活性ガスが該隙間（２３）
を通して上記ウェハ搬入口（４）側に流出する構成とし
たことを特徴とする半導体処理室のロードロック装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14313788A JPH01312074A (ja) | 1988-06-10 | 1988-06-10 | 半導体処理室のロードロック装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14313788A JPH01312074A (ja) | 1988-06-10 | 1988-06-10 | 半導体処理室のロードロック装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01312074A true JPH01312074A (ja) | 1989-12-15 |
Family
ID=15331789
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14313788A Pending JPH01312074A (ja) | 1988-06-10 | 1988-06-10 | 半導体処理室のロードロック装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01312074A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6048154A (en) * | 1996-10-02 | 2000-04-11 | Applied Materials, Inc. | High vacuum dual stage load lock and method for loading and unloading wafers using a high vacuum dual stage load lock |
| WO2008139937A1 (ja) * | 2007-05-08 | 2008-11-20 | Tokyo Electron Limited | バルブおよび該バルブを備えた処理装置 |
| WO2009060756A1 (ja) * | 2007-11-06 | 2009-05-14 | Tohoku University | プラズマ処理装置及び外気遮断容器 |
| JP2009252635A (ja) * | 2008-04-09 | 2009-10-29 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置のシール構造、シール方法およびプラズマ処理装置 |
| JP2017212243A (ja) * | 2016-05-23 | 2017-11-30 | 大陽日酸株式会社 | 反応装置 |
-
1988
- 1988-06-10 JP JP14313788A patent/JPH01312074A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6048154A (en) * | 1996-10-02 | 2000-04-11 | Applied Materials, Inc. | High vacuum dual stage load lock and method for loading and unloading wafers using a high vacuum dual stage load lock |
| US6254328B1 (en) | 1996-10-02 | 2001-07-03 | Applied Materials, Inc. | High vacuum dual stage load lock and method for loading and unloading wafers using a high vacuum dual stage load lock |
| WO2008139937A1 (ja) * | 2007-05-08 | 2008-11-20 | Tokyo Electron Limited | バルブおよび該バルブを備えた処理装置 |
| JPWO2008139937A1 (ja) * | 2007-05-08 | 2010-08-05 | 東京エレクトロン株式会社 | バルブおよび該バルブを備えた処理装置 |
| JP5011382B2 (ja) * | 2007-05-08 | 2012-08-29 | 東京エレクトロン株式会社 | バルブおよび該バルブを備えた処理装置 |
| WO2009060756A1 (ja) * | 2007-11-06 | 2009-05-14 | Tohoku University | プラズマ処理装置及び外気遮断容器 |
| JP2009252635A (ja) * | 2008-04-09 | 2009-10-29 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置のシール構造、シール方法およびプラズマ処理装置 |
| JP2017212243A (ja) * | 2016-05-23 | 2017-11-30 | 大陽日酸株式会社 | 反応装置 |
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