JPH01312485A - 静電容量型超音波トランスデューサ - Google Patents
静電容量型超音波トランスデューサInfo
- Publication number
- JPH01312485A JPH01312485A JP14363288A JP14363288A JPH01312485A JP H01312485 A JPH01312485 A JP H01312485A JP 14363288 A JP14363288 A JP 14363288A JP 14363288 A JP14363288 A JP 14363288A JP H01312485 A JPH01312485 A JP H01312485A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- upper electrode
- thin film
- lower electrode
- film
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Transducers For Ultrasonic Waves (AREA)
- Measurement Of Velocity Or Position Using Acoustic Or Ultrasonic Waves (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、ロボットや各種産業機器に装備し、比較的近
い距離にある対象物体との間の距離を測定したり、ある
いはフェーズドアレイ処理による対象物の超音波距離信
号の映像化によりその太きさや形状を認識したりするた
めの新しい静電容量型超音波トランスデユー寸に関する
ものである。
い距離にある対象物体との間の距離を測定したり、ある
いはフェーズドアレイ処理による対象物の超音波距離信
号の映像化によりその太きさや形状を認識したりするた
めの新しい静電容量型超音波トランスデユー寸に関する
ものである。
（従来の技術）
近年安価で高性能なマイクロコンピュータが普及し、そ
れらを用いることにより様々な産業分野で自動化あるい
はロボット化が進められつつある。しかし、現在実用化
されているロボット或は自動機器は、ある定まった形、
定まった大きさ、または定まった重さの物を持ち上げた
り運んだり、或は加工・組立等の作業を一定のプログラ
ムによってしか行うことができないのが現状である。
れらを用いることにより様々な産業分野で自動化あるい
はロボット化が進められつつある。しかし、現在実用化
されているロボット或は自動機器は、ある定まった形、
定まった大きさ、または定まった重さの物を持ち上げた
り運んだり、或は加工・組立等の作業を一定のプログラ
ムによってしか行うことができないのが現状である。
一方、消費者層の多様化により、多品種少量生産の傾向
が強くなり、ＦＭＳ（フレキシブルマニュフアクチアリ
ングシステム： Ｆｌｅｘｉｂｌｅ Ｍａｎｕｆａｃｔ
ｕｒｉｎｇＳｙｓｔｅｍ）と呼ばれる自動化技術の開発
が叫ばれている。このような自動化の流れに於ては、ロ
ボット或は自動機械は、人間の感覚器に代わる様々なセ
ンサを装備し、それらの情報をもとに迅速で的確な行動
を行う必要がある。ロボットがある対象物を持ち上げる
ことを考えた場合、まず視覚センサにより対象物を見つ
け、次に近接覚センサにより対象物に近づき、最後に触
覚センサの情報をもとに対象物の硬さや握っている状態
を知り、対象物を落とさずに持ち上げる。これらのセン
サの中で近接覚センサは、視覚センサでは捕らえること
のできない近距離の距離情報を得るもので、超音波を利
用したものが測距精度から適していると考えられている
。従来、この種の超音波トランスデユーサとしてＰＺＴ
（チタン酸ジルコン酸鉛）等の圧電体の共振を利用した
ものが数多く市販されているが周波数特性が狭いという
欠点があった。また静電容量をの超音波トランスデユー
サとして例えば、特願昭６０−２８９２９０号明細書或
は１９８６年に開催されたアイイーイーイー１９８６超
音波シンポジウム予稿集（ＩＥＥＥ １９８６ Ｕｌｔ
ｒａｓｏｎｉｃｓ ＳｙｍｐｏｓｉｕｍＰｒｏｃｅｅｄ
ｉｎｇ） ５５９頁から５６２頁、および１９８７年に
開催されたトランスデユーサ８７ダイジエスト（Ｔｒａ
ｎｓｄｕｃｅｒｓ ’８７ Ｄｉｇｅｓｔ ｏｆ Ｔｅ
ｃｈｎｉｃａｌ Ｐａｐｅｒｓ） ４１４頁から４１７
頁に記載された樋口、鈴木、谷用らの新しい提案がある
。第６図にその代表的な構造を示す。
が強くなり、ＦＭＳ（フレキシブルマニュフアクチアリ
ングシステム： Ｆｌｅｘｉｂｌｅ Ｍａｎｕｆａｃｔ
ｕｒｉｎｇＳｙｓｔｅｍ）と呼ばれる自動化技術の開発
が叫ばれている。このような自動化の流れに於ては、ロ
ボット或は自動機械は、人間の感覚器に代わる様々なセ
ンサを装備し、それらの情報をもとに迅速で的確な行動
を行う必要がある。ロボットがある対象物を持ち上げる
ことを考えた場合、まず視覚センサにより対象物を見つ
け、次に近接覚センサにより対象物に近づき、最後に触
覚センサの情報をもとに対象物の硬さや握っている状態
を知り、対象物を落とさずに持ち上げる。これらのセン
サの中で近接覚センサは、視覚センサでは捕らえること
のできない近距離の距離情報を得るもので、超音波を利
用したものが測距精度から適していると考えられている
。従来、この種の超音波トランスデユーサとしてＰＺＴ
（チタン酸ジルコン酸鉛）等の圧電体の共振を利用した
ものが数多く市販されているが周波数特性が狭いという
欠点があった。また静電容量をの超音波トランスデユー
サとして例えば、特願昭６０−２８９２９０号明細書或
は１９８６年に開催されたアイイーイーイー１９８６超
音波シンポジウム予稿集（ＩＥＥＥ １９８６ Ｕｌｔ
ｒａｓｏｎｉｃｓ ＳｙｍｐｏｓｉｕｍＰｒｏｃｅｅｄ
ｉｎｇ） ５５９頁から５６２頁、および１９８７年に
開催されたトランスデユーサ８７ダイジエスト（Ｔｒａ
ｎｓｄｕｃｅｒｓ ’８７ Ｄｉｇｅｓｔ ｏｆ Ｔｅ
ｃｈｎｉｃａｌ Ｐａｐｅｒｓ） ４１４頁から４１７
頁に記載された樋口、鈴木、谷用らの新しい提案がある
。第６図にその代表的な構造を示す。
図中１０１はシリコン基板、１０３はシリコンの異方性
エツチング法により形成する空気溜１０７を形成するた
めの穴であり、６０５がＡＩ下部電極である。６０４は
ＣＶＤシリコン酸化膜、１０６はＡ１の蒸着膜で形成さ
れたＡｌ上部電極１０５が設けられたポリエステル膜で
ある。その動作原理は、所謂コンデンサスピーカおよび
コンデンサマイクロフォンと類似の原理である。すなわ
ち、Ａｌ上部電極６０５とＡ１上部電極１０５の間に約
３０Ｖの直流バイアスを与え、交流信号を加えるとポリ
エステル膜１０６が振動し、空気溜１０７に閉じ込めら
れた空気のバネ作用で空気中に超音波が送波され、一方
超音波が外部から入ってきたときはその圧力変化でポリ
エステル膜１０６が振動しＡｌ上部電極１０５とＡｌ上
部電極６０５で形成される一対のコンデンサの容量が変
化しその変化を電気信号に変えることで超音波信号の受
信が可能になるものである。
エツチング法により形成する空気溜１０７を形成するた
めの穴であり、６０５がＡＩ下部電極である。６０４は
ＣＶＤシリコン酸化膜、１０６はＡ１の蒸着膜で形成さ
れたＡｌ上部電極１０５が設けられたポリエステル膜で
ある。その動作原理は、所謂コンデンサスピーカおよび
コンデンサマイクロフォンと類似の原理である。すなわ
ち、Ａｌ上部電極６０５とＡ１上部電極１０５の間に約
３０Ｖの直流バイアスを与え、交流信号を加えるとポリ
エステル膜１０６が振動し、空気溜１０７に閉じ込めら
れた空気のバネ作用で空気中に超音波が送波され、一方
超音波が外部から入ってきたときはその圧力変化でポリ
エステル膜１０６が振動しＡｌ上部電極１０５とＡｌ上
部電極６０５で形成される一対のコンデンサの容量が変
化しその変化を電気信号に変えることで超音波信号の受
信が可能になるものである。
（発明が解決しようとする課題）
以上、例を用いて従来の静電容量型超音波トランスデユ
ーサの説明を行った。この型の超音波トランスデユーサ
は増幅部や、信号処理部を同一シリコン基板上に形成で
き、かつシリコン表面上に精度よく形成された多数の穴
の大きさを変化させることにより周波数帯域を制御する
ことができるという優れた特徴を有している。
ーサの説明を行った。この型の超音波トランスデユーサ
は増幅部や、信号処理部を同一シリコン基板上に形成で
き、かつシリコン表面上に精度よく形成された多数の穴
の大きさを変化させることにより周波数帯域を制御する
ことができるという優れた特徴を有している。
しかしながら、第１に、この種のセンサは送波感度およ
び受波感度は直流バイアスに比例するが、第６図の６０
４で示したＣＶＤシリコン酸化膜の絶縁耐圧があまり良
くないため、大きな直流バイアスを印加することは不可
能であるという欠点を持つ。
び受波感度は直流バイアスに比例するが、第６図の６０
４で示したＣＶＤシリコン酸化膜の絶縁耐圧があまり良
くないため、大きな直流バイアスを印加することは不可
能であるという欠点を持つ。
第２にアレイ状にＡｌ上部電極６０５を配置した場合、
Ａ１下部電極６０５が存在する部分と存在しない部分と
で表面に段差が生じ図中の６０７で示すように隣接電極
間に小さな空気溜ができこの部分から発せられる超音波
が隣接電極間の影響を受けるため位相のクロストークを
生じる。従ってフェーズドアレイ処理を施して超音波に
よる対象物の距離画像再生を行おうとする場合、良質な
画像が得られないという欠点を持つ。ここでフェーズド
アレイ処理とはアレイを構成する各超音波トランスデユ
ーサから超音波を対象物に送波し、反射された超音波を
各トランスデユーサで受波して電気信号に変換しそれを
ｉ尾延合成して距離画像を得ることである。
Ａ１下部電極６０５が存在する部分と存在しない部分と
で表面に段差が生じ図中の６０７で示すように隣接電極
間に小さな空気溜ができこの部分から発せられる超音波
が隣接電極間の影響を受けるため位相のクロストークを
生じる。従ってフェーズドアレイ処理を施して超音波に
よる対象物の距離画像再生を行おうとする場合、良質な
画像が得られないという欠点を持つ。ここでフェーズド
アレイ処理とはアレイを構成する各超音波トランスデユ
ーサから超音波を対象物に送波し、反射された超音波を
各トランスデユーサで受波して電気信号に変換しそれを
ｉ尾延合成して距離画像を得ることである。
本発明の目的は、上記従来技術の欠点を除去し、高感度
でかつクロストークをおさえた超音波ｌ・ランスデ、１
−サの新規な構造を提供することにある。
でかつクロストークをおさえた超音波ｌ・ランスデ、１
−サの新規な構造を提供することにある。
（課題を解決するための手段）
本発明によれば、表面に穴を有する半導体基板の表面上
に設けられた拡散層からなる下部電極と、この下部電極
上に絶縁体薄膜及び前記の穴の上方に形成された気体溜
を介して、導電体薄膜よりなる上部電極が形成された振
動膜を備えたことを特徴とする静電容量型超音波トラン
スデユーサが得られる。
に設けられた拡散層からなる下部電極と、この下部電極
上に絶縁体薄膜及び前記の穴の上方に形成された気体溜
を介して、導電体薄膜よりなる上部電極が形成された振
動膜を備えたことを特徴とする静電容量型超音波トラン
スデユーサが得られる。
更に本発明によれば、下部電極となる前記拡散層が複数
個アレイ状に設けられてアレイ電極となっている静電容
量型超音波トランスデユーサ、が得られる。
個アレイ状に設けられてアレイ電極となっている静電容
量型超音波トランスデユーサ、が得られる。
（作用）
本発明の超音波トランスデユーサは、拡散層からなる形
成された下部電極を利用するため上部電極との層間絶縁
膜として、ＣＶＤシリコン酸化膜より絶縁耐圧がはるか
に優れたシリコン熱酸化膜を利用することが可能となり
、簡単な製造工程の変更のみで送波感度および受波感度
に優れた超音波トランスデユーサをつくることが出来る
。またＣＶＤ法で堆積した絶縁膜を使う場合でも堆積し
たあと熱処理ができるため絶縁耐圧が向上する。
成された下部電極を利用するため上部電極との層間絶縁
膜として、ＣＶＤシリコン酸化膜より絶縁耐圧がはるか
に優れたシリコン熱酸化膜を利用することが可能となり
、簡単な製造工程の変更のみで送波感度および受波感度
に優れた超音波トランスデユーサをつくることが出来る
。またＣＶＤ法で堆積した絶縁膜を使う場合でも堆積し
たあと熱処理ができるため絶縁耐圧が向上する。
また、本発明の構造による超音波トランスデユーサはそ
の表面が平坦であるため隣接する電極間に不必要な気体
溜を作ることがなく、従ってフェーズドアレイ処理によ
る対象物の超音波像を再生する際の位相のクロストーク
を小さくすることが出来る。
の表面が平坦であるため隣接する電極間に不必要な気体
溜を作ることがなく、従ってフェーズドアレイ処理によ
る対象物の超音波像を再生する際の位相のクロストーク
を小さくすることが出来る。
（実施例）
第１図は第１の実施例を説明するための超音波素子の模
式的断面図である。図中１０１はｐ型で（１００）面方
位のシリコン基板、１０２は下部電極となるべきｎ型拡
散層である。１０３は空気溜１０７を形成するための穴
である。１０４は層間絶縁膜としてのシリコン熱酸化膜
であり、１０６は片方の面にＡｌ上部電極１０５が蒸着
されたポリエステル膜である。このポリエステル膜１０
６が振動膜となる。
式的断面図である。図中１０１はｐ型で（１００）面方
位のシリコン基板、１０２は下部電極となるべきｎ型拡
散層である。１０３は空気溜１０７を形成するための穴
である。１０４は層間絶縁膜としてのシリコン熱酸化膜
であり、１０６は片方の面にＡｌ上部電極１０５が蒸着
されたポリエステル膜である。このポリエステル膜１０
６が振動膜となる。
第１図の超音波トランスデユーサを得るための製造工程
を第２図（ａ）〜（ｄ）に示す。まずｐ型で（ｉｏｏ）
面方位のシリコン基板１０１の表面にシリコン熱酸化膜
１１０を形成し空気溜１０７を形成するための穴１０３
となるべき部分を開孔し、ヒドラジン液によりシリコン
の異方性エツチングを行う（第２図（ａ））。次に表面
のシリコン熱酸化膜１１０を除去し、穴１０３を含む部
分の基板表面にリンを拡散し高濃度のｎ型拡散層１０２
を形成する。次にシリコン熱酸化膜１０４を形成し上部
電極との層間絶縁膜とする（第２図（Ｃ））。その後裏
面にＡ１上部電極１０５が蒸着されたポリエステル膜１
０６を張る（第２図（ｄ））。
を第２図（ａ）〜（ｄ）に示す。まずｐ型で（ｉｏｏ）
面方位のシリコン基板１０１の表面にシリコン熱酸化膜
１１０を形成し空気溜１０７を形成するための穴１０３
となるべき部分を開孔し、ヒドラジン液によりシリコン
の異方性エツチングを行う（第２図（ａ））。次に表面
のシリコン熱酸化膜１１０を除去し、穴１０３を含む部
分の基板表面にリンを拡散し高濃度のｎ型拡散層１０２
を形成する。次にシリコン熱酸化膜１０４を形成し上部
電極との層間絶縁膜とする（第２図（Ｃ））。その後裏
面にＡ１上部電極１０５が蒸着されたポリエステル膜１
０６を張る（第２図（ｄ））。
以上のようにして得られた超音波トランスデユーサを第
３図に示す回路により駆動し送波時の音圧を測定した。
３図に示す回路により駆動し送波時の音圧を測定した。
つまりＡ１上部電極１０５とシリコン基板１０１を接地
し、直流バイアス３０３が並列に接続された信号源３０
１を下部電極となるｎ型拡散層１０２に接続する。その
結果直流バイアス電圧を１００Ｖ印加した時においても
絶縁破壊を起すことなく非常に歩留りよく素子を得るこ
とが出来た。
し、直流バイアス３０３が並列に接続された信号源３０
１を下部電極となるｎ型拡散層１０２に接続する。その
結果直流バイアス電圧を１００Ｖ印加した時においても
絶縁破壊を起すことなく非常に歩留りよく素子を得るこ
とが出来た。
次に請求項２の発明の詳細な説明する。第４図にその模
式的断面図を示す。図中４０２がｎ型拡散層であり、こ
れがアレイ電極となる。製造方法は第１の実施例と同様
であるので省略する。なお本実施例で用いたｎ型拡散層
４０２によるアレイ電極は第５図に平面図で示すような
規則的に配置した矩形パターンである。このようにして
得られた素子を用いて対象物の超音波像を再生したとこ
ろ非常に良質な像が得られた。これはアレイ電極を拡散
層で形成したので第６図（従来例）の小さな空気溜６０
７が生じるような段差がないことによる。
式的断面図を示す。図中４０２がｎ型拡散層であり、こ
れがアレイ電極となる。製造方法は第１の実施例と同様
であるので省略する。なお本実施例で用いたｎ型拡散層
４０２によるアレイ電極は第５図に平面図で示すような
規則的に配置した矩形パターンである。このようにして
得られた素子を用いて対象物の超音波像を再生したとこ
ろ非常に良質な像が得られた。これはアレイ電極を拡散
層で形成したので第６図（従来例）の小さな空気溜６０
７が生じるような段差がないことによる。
なお前記２つの実施例では振動膜として裏面にＡｌが蒸
着されたポリエステル膜を用いたが他の高分子膜例えば
、ポリエチレン膜やポリイミツド膜等でも全く使用上の
問題はない。また単純に金属薄膜例えばチタンや金薄膜
あるいは他の金属がコートされたセラミックス薄膜例え
ば、アルミナあるいはシリコン窒化膜でもよい。更に前
記２つの実施例ではポリエステル膜１０６のＡｌ上部電
極１０５が蒸着された側を基板側にして使用したが逆に
Ａ１上部電極１０５が蒸着された側が表面側にくるよう
にしてもよい。また下部電極としてｎ型拡散層、基板と
してｐ型を利用したがこの導電型は反対でも良いのはい
うまでもない。また前記２つの実施例では１０７は空気
溜であるがこれはポリエステル膜１０６を空気中で張っ
たためであり、空気中に限らず窒素中、不活性ガス中等
で張ってもよいことは明白である。
着されたポリエステル膜を用いたが他の高分子膜例えば
、ポリエチレン膜やポリイミツド膜等でも全く使用上の
問題はない。また単純に金属薄膜例えばチタンや金薄膜
あるいは他の金属がコートされたセラミックス薄膜例え
ば、アルミナあるいはシリコン窒化膜でもよい。更に前
記２つの実施例ではポリエステル膜１０６のＡｌ上部電
極１０５が蒸着された側を基板側にして使用したが逆に
Ａ１上部電極１０５が蒸着された側が表面側にくるよう
にしてもよい。また下部電極としてｎ型拡散層、基板と
してｐ型を利用したがこの導電型は反対でも良いのはい
うまでもない。また前記２つの実施例では１０７は空気
溜であるがこれはポリエステル膜１０６を空気中で張っ
たためであり、空気中に限らず窒素中、不活性ガス中等
で張ってもよいことは明白である。
（発明の効果）
以上説明してきたように、本発明による静電容景型超音
波トランスデユーサでは、従来技術の課題であった層間
絶縁膜の絶縁耐圧を上げ、高感度な素子を作ることが出
来しかも簡単な工程で作成できる。また、表面を平坦に
できるのでアレイ状に素子を形成した場合においてもク
ロスト−クラ小さくすることが出来た。
波トランスデユーサでは、従来技術の課題であった層間
絶縁膜の絶縁耐圧を上げ、高感度な素子を作ることが出
来しかも簡単な工程で作成できる。また、表面を平坦に
できるのでアレイ状に素子を形成した場合においてもク
ロスト−クラ小さくすることが出来た。
第１図、第２図は本発明の第１の実施例を示す図である
。第２図（ａ）から（ｄ）がその製造工程の模式図であ
る。第３図は、このようにして得られた超音波トランス
デユーサを送波器として利用する場合の駆動回路図であ
る。第４図は本発明の第２の実施例を示す図である。第
５図は第４図における拡散層のアレイ電極パターンを示
す平面図である。第６図は従来の静電容量型超音波トラ
ンスデユーサの断面図である。 図中 １０１・・・シリコン基板 １０２．４０２・・・
ｎ型拡散層１０４・・・シリコン熱酸化膜 １０５・・
・Ａｌ上部電極１０６・・・ポリエステル膜 １０７
・・・空気溜６０４・・・ＣＶＤシリコン酸化膜 ６０５・・・ＡＩ下部電極 ６０７・・・小さな
空気溜である。 特許出願人工業技術院長 飯塚幸三 享 １ 図 １θ４．−、／Ｉ月ン與ル和彼＜ＰＪＭ１０２、７２型
狐敬層 亭 Ｚ 図 （ｂ） （Ｃ） （ｄ） ＊ ３ 図 ３θ３．ｄ匡ゴ茂バ°イア又 卆 ４ 図 ４０２．７２を瓜做冶 半 ５ ｍ １０２．７２型瓢致層 キ ｂ 図 １０７、 り；ごミ↓戸（う留 乙θ５．ＡＩ丁優ＩｔＦ農叙
。第２図（ａ）から（ｄ）がその製造工程の模式図であ
る。第３図は、このようにして得られた超音波トランス
デユーサを送波器として利用する場合の駆動回路図であ
る。第４図は本発明の第２の実施例を示す図である。第
５図は第４図における拡散層のアレイ電極パターンを示
す平面図である。第６図は従来の静電容量型超音波トラ
ンスデユーサの断面図である。 図中 １０１・・・シリコン基板 １０２．４０２・・・
ｎ型拡散層１０４・・・シリコン熱酸化膜 １０５・・
・Ａｌ上部電極１０６・・・ポリエステル膜 １０７
・・・空気溜６０４・・・ＣＶＤシリコン酸化膜 ６０５・・・ＡＩ下部電極 ６０７・・・小さな
空気溜である。 特許出願人工業技術院長 飯塚幸三 享 １ 図 １θ４．−、／Ｉ月ン與ル和彼＜ＰＪＭ１０２、７２型
狐敬層 亭 Ｚ 図 （ｂ） （Ｃ） （ｄ） ＊ ３ 図 ３θ３．ｄ匡ゴ茂バ°イア又 卆 ４ 図 ４０２．７２を瓜做冶 半 ５ ｍ １０２．７２型瓢致層 キ ｂ 図 １０７、 り；ごミ↓戸（う留 乙θ５．ＡＩ丁優ＩｔＦ農叙
Claims (2)
- （１）表面に穴を有する半導体基板の表面上に設けられ
た拡散層からなる下部電極と、この下部電極上に絶縁体
薄膜及び前記の穴の上方に形成された気体溜を介して、
導電体薄膜よりなる上部電極が形成された振動膜を備え
たことを特徴とする静電容量型超音波トランスデューサ
。 - （２）下部電極となる前記拡散層が複数個アレイ状に設
けられてアレイ電極となっている請求項１の静電容量型
超音波トランスデューサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14363288A JPH01312485A (ja) | 1988-06-13 | 1988-06-13 | 静電容量型超音波トランスデューサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14363288A JPH01312485A (ja) | 1988-06-13 | 1988-06-13 | 静電容量型超音波トランスデューサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01312485A true JPH01312485A (ja) | 1989-12-18 |
Family
ID=15343273
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14363288A Pending JPH01312485A (ja) | 1988-06-13 | 1988-06-13 | 静電容量型超音波トランスデューサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01312485A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003509984A (ja) * | 1999-09-13 | 2003-03-11 | カーネギー−メロン ユニバーシティ | エラーキャンセレーションを有するｍｅｍｓデジタル−音響トランスデューサ |
| JP2004503312A (ja) * | 2000-06-15 | 2004-02-05 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 容量性マイクロマシン超音波振動子 |
| US7382688B2 (en) * | 2004-06-18 | 2008-06-03 | Seiko Epson Corporation | Ultrasonic transducer, ultrasonic speaker, and method of controlling the driving of ultrasonic transducer |
| JP2012521704A (ja) * | 2009-03-26 | 2012-09-13 | ノルウェージャン ユニバーシティ オブ サイエンス アンド テクノロジー | Ｃｍｕｔアレイ |
| CN105158415A (zh) * | 2015-08-12 | 2015-12-16 | 浙江工商大学 | 研究室中甲苯二异氰酸酯浓度检测装置及检测方法 |
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Citations (1)
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-
1988
- 1988-06-13 JP JP14363288A patent/JPH01312485A/ja active Pending
Patent Citations (1)
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