JPS63307326A - 圧力センサとその製造方法 - Google Patents
圧力センサとその製造方法Info
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- JPS63307326A JPS63307326A JP62143651A JP14365187A JPS63307326A JP S63307326 A JPS63307326 A JP S63307326A JP 62143651 A JP62143651 A JP 62143651A JP 14365187 A JP14365187 A JP 14365187A JP S63307326 A JPS63307326 A JP S63307326A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
この発明は、圧力センサとその製造方法に係り、特に検
出感度の向上および歪の低減を図った圧力センサとその
製造方法に関する。
出感度の向上および歪の低減を図った圧力センサとその
製造方法に関する。
［従来技術］
従来、圧力センサは、圧力の変化を直接機賊的な指針に
伝えて出力ずろらのや、機械的変位をインダクタンス、
キャパシタンス、抵抗などに変化させて電気信号として
出力するものなどがある。
伝えて出力ずろらのや、機械的変位をインダクタンス、
キャパシタンス、抵抗などに変化させて電気信号として
出力するものなどがある。
これらは、いずれらアナログ信号を扱った乙のでありデ
ィジタル信号を直接出力するものではなかった。
ィジタル信号を直接出力するものではなかった。
ところで、最近、弾性表面波（Ｓ ＡＷ：Ｓ ｕｒｆａ
ｃｅＡ ｃｏｒｓｔｉｃ Ｗａｖｅ）を利用して圧力の
変化を周波数の変化として出力する圧力センサ（以下Ｓ
ＡＷ圧カセンサと称する）が案出されている。
ｃｅＡ ｃｏｒｓｔｉｃ Ｗａｖｅ）を利用して圧力の
変化を周波数の変化として出力する圧力センサ（以下Ｓ
ＡＷ圧カセンサと称する）が案出されている。
第５図は、従来のＳＡＷ圧カセンサ本体の構造を示す断
面図である。この図において、ｌはリング状に形成され
、厚みを有する基台（例えばガラス）であり、この基台
ｌの上端面には圧電性基板（単結晶からなる）２が取り
付けられている。圧電性基板２の上端面には、ＳＡＷ遅
延線３．４が形成されている。ＳＡＷ遅延線３．４は圧
電性基板２の上端面にアルミニウム（Ａ１２）を薄膜形
成法（例えば蒸着法）によって形成したのち、このアル
ミニウムの薄膜をホトリソグラフィ技術を用いて形成し
たものである。ここで、第６図は第５図のＡ゛−Ａ’線
の断面図である。この図においてＳＡＷ遅延線３は、ア
ルミニウム薄膜を櫛型に加工したもので、複数個所定の
ピッチＰで平行に並べ、各一端を共通接続した信号側３
ａと、この信号側の各導線間に非接触に並べられ、各一
端を共通接続した接地側３ｂとから構成されている。こ
のように構成されたＳＡＷ遅延線３は櫛型電極と呼ばれ
ろ。また、ＳＡＷ遅延線４もＳＡＷ遅延線３と同様に構
成されている。また、第５図に示す如くＳＡＷ遅延線３
．４は距離ｅを隔てている。
面図である。この図において、ｌはリング状に形成され
、厚みを有する基台（例えばガラス）であり、この基台
ｌの上端面には圧電性基板（単結晶からなる）２が取り
付けられている。圧電性基板２の上端面には、ＳＡＷ遅
延線３．４が形成されている。ＳＡＷ遅延線３．４は圧
電性基板２の上端面にアルミニウム（Ａ１２）を薄膜形
成法（例えば蒸着法）によって形成したのち、このアル
ミニウムの薄膜をホトリソグラフィ技術を用いて形成し
たものである。ここで、第６図は第５図のＡ゛−Ａ’線
の断面図である。この図においてＳＡＷ遅延線３は、ア
ルミニウム薄膜を櫛型に加工したもので、複数個所定の
ピッチＰで平行に並べ、各一端を共通接続した信号側３
ａと、この信号側の各導線間に非接触に並べられ、各一
端を共通接続した接地側３ｂとから構成されている。こ
のように構成されたＳＡＷ遅延線３は櫛型電極と呼ばれ
ろ。また、ＳＡＷ遅延線４もＳＡＷ遅延線３と同様に構
成されている。また、第５図に示す如くＳＡＷ遅延線３
．４は距離ｅを隔てている。
次に、５はケーシングであり、円筒状に形成されている
。このケーシング５の底面には、その軸心を共通にして
検出管６が連通されている。また、ケーシング５の内部
には、その軸心を共通にして基台ｌが取り付けられてい
る。
。このケーシング５の底面には、その軸心を共通にして
検出管６が連通されている。また、ケーシング５の内部
には、その軸心を共通にして基台ｌが取り付けられてい
る。
このように構成されたＳＡＷ圧カセンサ本体において、
このセンサ本体のＳＡＷ遅延線３．４の信号側に増幅器
（図示しない）を介装することでＳＡＷ圧カセンサが構
成される。このＳＡＷ圧カセンサにおいて、矢印Ｂ（第
５図）方向から検出管６を介して液体または気体の圧力
が圧電性基板２に加わると、圧電性基板２に機械的な変
位が生じ、この変位の大きさに応じた周波数が増幅器の
出力端から得られる。
このセンサ本体のＳＡＷ遅延線３．４の信号側に増幅器
（図示しない）を介装することでＳＡＷ圧カセンサが構
成される。このＳＡＷ圧カセンサにおいて、矢印Ｂ（第
５図）方向から検出管６を介して液体または気体の圧力
が圧電性基板２に加わると、圧電性基板２に機械的な変
位が生じ、この変位の大きさに応じた周波数が増幅器の
出力端から得られる。
［発明が解決しようとする問題点］
ところで、従来のＳＡＷ圧力センサには次のような問題
がある。先ず、圧電性基板２を薄く形成することができ
ないため微少な圧力を検出することができない。これは
次のような理由からである。
がある。先ず、圧電性基板２を薄く形成することができ
ないため微少な圧力を検出することができない。これは
次のような理由からである。
すなわち、圧′ｗｉ性基板２を機械的加工によって削り
とって薄くするときに高度な加工技術を必要とし、その
制御が難しく、均一な品質の圧電性基板２を得るために
は、ある程度の厚さを必要とすることと、基台ｌ上に取
り付けるために一定以上の剛性をもたせろ必要があるか
らである。
とって薄くするときに高度な加工技術を必要とし、その
制御が難しく、均一な品質の圧電性基板２を得るために
は、ある程度の厚さを必要とすることと、基台ｌ上に取
り付けるために一定以上の剛性をもたせろ必要があるか
らである。
次に、圧電性基板２と基台ｌとの熱膨張系数の違いから
圧電性基板２に歪が発生しやすく、センサとしての信頼
性に欠ける。
圧電性基板２に歪が発生しやすく、センサとしての信頼
性に欠ける。
この発明は、上述した事情に鑑みてなされたもので、微
少な圧力の検出ができるとともに歪の発生を減少させる
ことができる圧力センサとその製造方法を提供すること
にある。
少な圧力の検出ができるとともに歪の発生を減少させる
ことができる圧力センサとその製造方法を提供すること
にある。
［問題点を解決するための手段］
この発明は、結晶方位（１１０）のシリコンウェハと、
このシリコンウニノーの一方の面上に積層される第１の
二酸化珪素膜と、この第１の二酸化珪素膜上に形成され
る窒化珪素膜と、前記シリコンウェハの他方の面上に積
層される第２の二酸化珪素膜と、この第２の二酸化珪素
膜上に櫛型電極が対向して成る電極部が２個所定距離隔
てて形成される電極膜と、この電極膜上に積層される圧
電性薄膜と、前記窒化珪素膜から前記第２の二酸化珪素
膜までに至る間に設けられる切欠部とを具備してなるこ
とを特徴とする。
このシリコンウニノーの一方の面上に積層される第１の
二酸化珪素膜と、この第１の二酸化珪素膜上に形成され
る窒化珪素膜と、前記シリコンウェハの他方の面上に積
層される第２の二酸化珪素膜と、この第２の二酸化珪素
膜上に櫛型電極が対向して成る電極部が２個所定距離隔
てて形成される電極膜と、この電極膜上に積層される圧
電性薄膜と、前記窒化珪素膜から前記第２の二酸化珪素
膜までに至る間に設けられる切欠部とを具備してなるこ
とを特徴とする。
［作用］
この発明によれば、シリコンウェハを基板材料とし、こ
の基板材料にシリコンの異方性エツチング処理を施して
感圧ダイアフラム一体型のＳＡＷ圧力センサを形成する
。すなわち、シリコンウェハの一方の面に二酸化珪素膜
−櫛型電極−圧電性薄膜の順で感圧ダイアフラムを形成
する。そして、シリコンウェハの他方の面から該一方の
面に向けてシリコンの異方性エツチングを施してダイア
フラムを形成する。これにより、感圧部とこの感圧部を
固定する基台とが一体形成されたＳＡＷ圧力センサを形
成することができる。この結果、異種の材料によって構
成する場合に各材料の熱膨張系数の違いから接合部分で
生じる歪の発生がないため信頼性か向上する。また、感
圧部は酸化膜、圧電性薄膜とからなる非常に薄い膜厚で
形成されるので微少な圧力の検出が可能となる。
の基板材料にシリコンの異方性エツチング処理を施して
感圧ダイアフラム一体型のＳＡＷ圧力センサを形成する
。すなわち、シリコンウェハの一方の面に二酸化珪素膜
−櫛型電極−圧電性薄膜の順で感圧ダイアフラムを形成
する。そして、シリコンウェハの他方の面から該一方の
面に向けてシリコンの異方性エツチングを施してダイア
フラムを形成する。これにより、感圧部とこの感圧部を
固定する基台とが一体形成されたＳＡＷ圧力センサを形
成することができる。この結果、異種の材料によって構
成する場合に各材料の熱膨張系数の違いから接合部分で
生じる歪の発生がないため信頼性か向上する。また、感
圧部は酸化膜、圧電性薄膜とからなる非常に薄い膜厚で
形成されるので微少な圧力の検出が可能となる。
し実施例］
第１図はこの発明の一実施例を示す斜視図、第２図は第
１図のＡ−Ａ線の断面図である。
１図のＡ−Ａ線の断面図である。
第１図において、８は結晶方位（１１０）のシリコンウ
ェハであり、厚さは２００μｎｕｎである。シリコンウ
ェハ８の図面上方の面には二酸化珪素（ＳＩＯ２）膜９
ａが積層され、シリコンウェハ＼８の図面下方の面には
二酸化珪素膜９ｂが積層されている。
ェハであり、厚さは２００μｎｕｎである。シリコンウ
ェハ８の図面上方の面には二酸化珪素（ＳＩＯ２）膜９
ａが積層され、シリコンウェハ＼８の図面下方の面には
二酸化珪素膜９ｂが積層されている。
この場合、二酸化珪素膜９ａ、９ｂの各膜厚はおよそ３
０００人である。二酸化珪素膜９ａの上面にはＳＡＷ遅
延線１２．１３が形成されている。このＳＡＷ遅延線１
２．１３は、第５図において述べたＳＡＷ遅延線３．４
と同様の構成であるので、その説明を省略する。また、
ＳＡＷ遅延線１２．１３を二酸化珪素膜９ａ上に形成さ
せる位置については後程詳述する。１４は圧電性薄膜で
あり、酸化亜鉛（Ｚ ｎｏ ）をＳＡＷ遅延線１２．１
３を覆うように、同遅延線１２．１３上に積層されてい
る。この場合、膜厚は電気機械結合効率を考慮して決定
されるもので、通常、２〜５μｍｍとしている。ＩＯ窒
化珪素（Ｓ４３Ｎ−）膜であり、二酸化珪素膜９ｂの下
面に積層されている。１６は感圧ダイアフラムである。
０００人である。二酸化珪素膜９ａの上面にはＳＡＷ遅
延線１２．１３が形成されている。このＳＡＷ遅延線１
２．１３は、第５図において述べたＳＡＷ遅延線３．４
と同様の構成であるので、その説明を省略する。また、
ＳＡＷ遅延線１２．１３を二酸化珪素膜９ａ上に形成さ
せる位置については後程詳述する。１４は圧電性薄膜で
あり、酸化亜鉛（Ｚ ｎｏ ）をＳＡＷ遅延線１２．１
３を覆うように、同遅延線１２．１３上に積層されてい
る。この場合、膜厚は電気機械結合効率を考慮して決定
されるもので、通常、２〜５μｍｍとしている。ＩＯ窒
化珪素（Ｓ４３Ｎ−）膜であり、二酸化珪素膜９ｂの下
面に積層されている。１６は感圧ダイアフラムである。
この感圧ダイアフラム１６は第２図に示す如く、シリコ
ンウェハ８の上面に積；２された二酸化珪素膜９ａの下
面から窒化珪素膜１０に至る間に形成された切欠から成
る。この場合、窒化珪素膜１０から二酸化珪素膜９ａへ
至る間の切欠の深さを変えることで、感圧ダイアフラム
１６の感圧レンジを変えることができる。上記したシリ
コンウェハ８、二酸化珪素膜９ａ、９ｂ１ＳＡＷ遅延線
１２、Ｉ３、圧電性薄＠１４および窒化珪素膜１０はセ
ンサ本体ＳＥを構成する。
ンウェハ８の上面に積；２された二酸化珪素膜９ａの下
面から窒化珪素膜１０に至る間に形成された切欠から成
る。この場合、窒化珪素膜１０から二酸化珪素膜９ａへ
至る間の切欠の深さを変えることで、感圧ダイアフラム
１６の感圧レンジを変えることができる。上記したシリ
コンウェハ８、二酸化珪素膜９ａ、９ｂ１ＳＡＷ遅延線
１２、Ｉ３、圧電性薄＠１４および窒化珪素膜１０はセ
ンサ本体ＳＥを構成する。
次に、１７は増幅器であり、入力端がＳＡＷ遅延線１２
の信号側１２ａに接続されており、出力端がＳＡＷ遅延
線１３の信号側１３ａに接続されている。この増幅器１
７とセンサ本体ＳＥはＳＡＷ圧力センサを構成する。
の信号側１２ａに接続されており、出力端がＳＡＷ遅延
線１３の信号側１３ａに接続されている。この増幅器１
７とセンサ本体ＳＥはＳＡＷ圧力センサを構成する。
次に、ＳＡＷ圧力センサの機能について説明する。セン
サ本体ＳＥは増幅器１５に対して帰還回路として作用す
る。この場合の発振周波数ｆ。はｒ、＝ｖｏ／Ｌ（ｎ−
φｅ／ ２ ｒｔ ） −−■（Ｖｏ：ＳＡＷの伝播速
度、σ：ＳＡＷ遅延線１２．１３間の距離、ｎ：定数（
３０〜１０００）、φｅ：増幅器１５での位相量） と表すことができる。また、発振周波数ｆ。はｒ、 ＃
２ Ｐ ／ ｖｏ−−■ （Ｐ：ＳＡＷ遅延線１２．１３の櫛型のピッチ）とも表
すことができる。
サ本体ＳＥは増幅器１５に対して帰還回路として作用す
る。この場合の発振周波数ｆ。はｒ、＝ｖｏ／Ｌ（ｎ−
φｅ／ ２ ｒｔ ） −−■（Ｖｏ：ＳＡＷの伝播速
度、σ：ＳＡＷ遅延線１２．１３間の距離、ｎ：定数（
３０〜１０００）、φｅ：増幅器１５での位相量） と表すことができる。また、発振周波数ｆ。はｒ、 ＃
２ Ｐ ／ ｖｏ−−■ （Ｐ：ＳＡＷ遅延線１２．１３の櫛型のピッチ）とも表
すことができる。
以上のように、ＳＡＷ圧カセンサに矢印Ｃ方向（第２図
）から液体または気体の圧力が加わることによって感圧
ダイアフラム１６がたわみ、Ｓ Ａ ’ｖＶ遅延線１２
．１３間の距ＨＱおよびピッチＰが変化する。これによ
り増幅器１７の出力信号の周波数「。が変化する。
）から液体または気体の圧力が加わることによって感圧
ダイアフラム１６がたわみ、Ｓ Ａ ’ｖＶ遅延線１２
．１３間の距ＨＱおよびピッチＰが変化する。これによ
り増幅器１７の出力信号の周波数「。が変化する。
次に、上記ＳＡＷ遅延線１２．１３を二酸化珪素膜９ａ
上に形成させる最適な位置について説明１″る。
上に形成させる最適な位置について説明１″る。
第３図はＳＡＷ圧力センサの断面概略図である。
この図において、感圧ダイアフラム１６に液体または気
体の圧力が加わると、感圧ダイアフラム１６にたわみが
生じてＳＡＷ遅延線１２．１３間の距離Ｑ、ピッチＰが
変化し、上記■、■式からＳＡＷ圧カセンサの発振周波
数ｆ。が変化することは上述したとおりである。そこで
、ＳＡＷ遅延線１２．１３の配置は微少な圧力の変化を
捕らえることができるように、ダイアフラム１６のたわ
みによる距離Ｑ、ピッチＰの変化を積極的に受ける位置
、すなわち、ダイアプラム１６のエツジ部分にすればよ
い。
体の圧力が加わると、感圧ダイアフラム１６にたわみが
生じてＳＡＷ遅延線１２．１３間の距離Ｑ、ピッチＰが
変化し、上記■、■式からＳＡＷ圧カセンサの発振周波
数ｆ。が変化することは上述したとおりである。そこで
、ＳＡＷ遅延線１２．１３の配置は微少な圧力の変化を
捕らえることができるように、ダイアフラム１６のたわ
みによる距離Ｑ、ピッチＰの変化を積極的に受ける位置
、すなわち、ダイアプラム１６のエツジ部分にすればよ
い。
次に、第４図を参照して同実施例のＳＡＷ圧力センザ本
体の製造工程について説明する。
体の製造工程について説明する。
まず、シリコンウェハ８の両面に熱酸化処理を行い、二
酸化珪素膜９ａ、９ｂを形成する（同図（イ）、（ロ）
）。次に、二酸化珪素膜９ｂの下面にシリコンエツチン
グのために窒化珪素膜１０を、常圧ＣｖＤ （ｃｈｅｍ
ｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、プ
ラズマＣＶＤ法などにより形成する（同図（ハ乃。次に
、二酸化珪素膜９ａの上面にアルミニウム膜１１を蒸着
法、その他の薄膜形成法により形成する（同図（ニ））
。次に、アルミニウム膜ｔｔをホトリソグラフィ技術を
用いて、ＳＡＷ遅延線！２．１３を形成する（同図（ホ
））。次いで、ＳＡＷ遅延線１２、Ｉ３を覆うように高
周波スパッタ法を用いて圧電性薄膜１４を形成する（同
図（へ））。次に、シリコンウェハ８に感圧ダイアフラ
ムの加工を行うため、窒化珪素＊１０に円形（もしくは
角形）のダイアフラムパターン１５をホトリソグラフィ
技術を用いて形成する（同図（ト））。次いで、ダイア
プラムパターン１５に沿って窒化珪素膜ＩＯをプラズマ
エツチング法により除去し、更にフッ化水素酸系の酸化
シリコンエツチング液を用いて二酸化珪素膜９ｂを除去
する。これにより、シリコンウェハ８の表面が現れる（
同図（チ））。次に、二酸化珪素膜９ｂを除去し、シリ
コンウェハ８のが現れた部分を水酸化カリウム（ＫＯＨ
）等のシリコンの異方性エツチング液を用いて同部分の
シリコンウェハ８を除去し、感圧ダイアフラム１６を形
成する（同図（す））。この場合、シリコンのエツチン
グ量を制御することにより、シリコンウェハ８の除去量
を制御することができる。以上の製造工程により本発明
の一実施例であるＳＡＷ圧カセンサのセンザ本体ＳＥが
構成される。
酸化珪素膜９ａ、９ｂを形成する（同図（イ）、（ロ）
）。次に、二酸化珪素膜９ｂの下面にシリコンエツチン
グのために窒化珪素膜１０を、常圧ＣｖＤ （ｃｈｅｍ
ｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、プ
ラズマＣＶＤ法などにより形成する（同図（ハ乃。次に
、二酸化珪素膜９ａの上面にアルミニウム膜１１を蒸着
法、その他の薄膜形成法により形成する（同図（ニ））
。次に、アルミニウム膜ｔｔをホトリソグラフィ技術を
用いて、ＳＡＷ遅延線！２．１３を形成する（同図（ホ
））。次いで、ＳＡＷ遅延線１２、Ｉ３を覆うように高
周波スパッタ法を用いて圧電性薄膜１４を形成する（同
図（へ））。次に、シリコンウェハ８に感圧ダイアフラ
ムの加工を行うため、窒化珪素＊１０に円形（もしくは
角形）のダイアフラムパターン１５をホトリソグラフィ
技術を用いて形成する（同図（ト））。次いで、ダイア
プラムパターン１５に沿って窒化珪素膜ＩＯをプラズマ
エツチング法により除去し、更にフッ化水素酸系の酸化
シリコンエツチング液を用いて二酸化珪素膜９ｂを除去
する。これにより、シリコンウェハ８の表面が現れる（
同図（チ））。次に、二酸化珪素膜９ｂを除去し、シリ
コンウェハ８のが現れた部分を水酸化カリウム（ＫＯＨ
）等のシリコンの異方性エツチング液を用いて同部分の
シリコンウェハ８を除去し、感圧ダイアフラム１６を形
成する（同図（す））。この場合、シリコンのエツチン
グ量を制御することにより、シリコンウェハ８の除去量
を制御することができる。以上の製造工程により本発明
の一実施例であるＳＡＷ圧カセンサのセンザ本体ＳＥが
構成される。
なお、ＳＡＷ圧カセンサは圧力の検出以外にもダイアフ
ラムの構造を変更することで、例えば加速度センサ、歪
ゲージ、フォースセンサなどに利用できる。
ラムの構造を変更することで、例えば加速度センサ、歪
ゲージ、フォースセンサなどに利用できる。
［発明の効果］
以上説明したようにこの発明によれば、シリコンの異方
性エツチング技術を利用して、感圧ダイアフラム部分の
シリコンを除去し、二酸化珪素膜、圧電性薄膜とからな
る非常に薄い感圧ダイアフラムを形成したので、微少な
圧力を検出することができる。また、シリコンウェハか
ら一体形成して作成したので、異種の材料同士を結合さ
せて作成した場合と比較して、熱膨張係数の違いから生
じる歪の発生が無い。また、ＳＡＷ遅延線を感圧ダイア
フラムのエツジ部分に形成したので、高い検出感度が得
られる。
性エツチング技術を利用して、感圧ダイアフラム部分の
シリコンを除去し、二酸化珪素膜、圧電性薄膜とからな
る非常に薄い感圧ダイアフラムを形成したので、微少な
圧力を検出することができる。また、シリコンウェハか
ら一体形成して作成したので、異種の材料同士を結合さ
せて作成した場合と比較して、熱膨張係数の違いから生
じる歪の発生が無い。また、ＳＡＷ遅延線を感圧ダイア
フラムのエツジ部分に形成したので、高い検出感度が得
られる。
第１図はこの発明の一実施例を示す斜視図、第２図は第
１図のＡ−Ａ線の断面図、第３図は同実施例の構造の特
徴の一部を説明するための図、第４図は同実施例の製造
工程を説明するための図、第５図は従来のＳＡＷ圧力セ
ンサの構造を示す断面図、第６図は第５図のＡ’−Ａ’
線の断面図である。 ８・・・・・・シリコンウェハ、９ａ１９ｂ・・・・・
・二酸化珪素膜、１０・・・・・・窒化珪素膜、１２．
１３・・・・・・ＳＡＷ遅延線（Ｎ極膜）、１４・・・
・・・圧電性薄膜、１６・・・・・・感圧ダイアフラム
（切欠部）。
１図のＡ−Ａ線の断面図、第３図は同実施例の構造の特
徴の一部を説明するための図、第４図は同実施例の製造
工程を説明するための図、第５図は従来のＳＡＷ圧力セ
ンサの構造を示す断面図、第６図は第５図のＡ’−Ａ’
線の断面図である。 ８・・・・・・シリコンウェハ、９ａ１９ｂ・・・・・
・二酸化珪素膜、１０・・・・・・窒化珪素膜、１２．
１３・・・・・・ＳＡＷ遅延線（Ｎ極膜）、１４・・・
・・・圧電性薄膜、１６・・・・・・感圧ダイアフラム
（切欠部）。
Claims (2)
- （１）結晶方位（１１０）のシリコンウエハと、このシ
リコンウエハの一方の面上に積層される第１の二酸化珪
素膜と、この第１の二酸化珪素膜上に形成される窒化珪
素膜と、前記シリコンウエハの他方の面上に積層される
第２の二酸化珪素膜と、この第２の二酸化珪素膜上に櫛
型電極が対向して成る電極部が２個所定距離隔てて形成
される電極膜と、この電極膜上に積層される圧電性薄膜
と、前記窒化珪素膜から前記第２の二酸化珪素膜までに
至る間に設けられる切欠部とを具備してなることを特徴
とする圧力センサ。 - （２）結晶方位（１１０）のシリコンウエハの両面に二
酸化珪素膜を積層し、次に、前記二酸化珪素膜の一方の
側の面上に窒化珪素膜を積層し、次に、前記二酸化珪素
膜の他方の側の面上に櫛型電極が対向して成る電極部を
２個所定の距離を隔てて形成し、次に、前記各電極部を
亙って圧電性薄膜を積層し、次に、前記窒化珪素膜の所
定の部分を除去し、次に、前記窒化珪素膜を除去した部
分に露出する前記二酸化珪素膜を除去し、次に、前記二
酸化珪素膜を除去した部分に露出する部分の前記シリコ
ンウエハを異方性エッチング処理によって前記二酸化珪
素膜の他方の側に至るまでの間を除去したことを特徴と
する圧力センサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62143651A JPS63307326A (ja) | 1987-06-09 | 1987-06-09 | 圧力センサとその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62143651A JPS63307326A (ja) | 1987-06-09 | 1987-06-09 | 圧力センサとその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63307326A true JPS63307326A (ja) | 1988-12-15 |
Family
ID=15343745
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62143651A Pending JPS63307326A (ja) | 1987-06-09 | 1987-06-09 | 圧力センサとその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63307326A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| CN112697262A (zh) * | 2020-12-08 | 2021-04-23 | 联合微电子中心有限责任公司 | 水听器及其制造方法 |
-
1987
- 1987-06-09 JP JP62143651A patent/JPS63307326A/ja active Pending
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