JPH01312497A - X線解析装置及びクリスタル部材 - Google Patents

X線解析装置及びクリスタル部材

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JPH01312497A
JPH01312497A JP1095432A JP9543289A JPH01312497A JP H01312497 A JPH01312497 A JP H01312497A JP 1095432 A JP1095432 A JP 1095432A JP 9543289 A JP9543289 A JP 9543289A JP H01312497 A JPH01312497 A JP H01312497A
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ray
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curved
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JP1095432A
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Albert Huizing
アルベルト・フイツィング
Cornelis P G M Zegers
コルネリス・ペトルス・ヒエイスベルタス・マリア・ツェヘルス
Teunis J A Heijmans
テウニス・ヨハネス・アントニウス・ヘーイマンス
Tol Maurits W Van
マウリツ・ウィレム・ファン・トル
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Philips Gloeilampenfabrieken NV
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    • G01T1/00Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
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    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N23/00Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
    • G01N23/20Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by using diffraction of the radiation by the materials, e.g. for investigating crystal structure; by using scattering of the radiation by the materials, e.g. for investigating non-crystalline materials; by using reflection of the radiation by the materials
    • G01N23/207Diffractometry using detectors, e.g. using a probe in a central position and one or more displaceable detectors in circumferential positions
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    • GPHYSICS
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    • G21K1/00Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating
    • G21K1/06Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating using diffraction, refraction or reflection, e.g. monochromators
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 孜五分立 本発明は、X線源と、分散方向に楕円的又は対数的に彎
曲する分光クリスタルと、対象物保持部と、X線検出部
とを有するX線解析装置に関するものであり、またそん
な装置用の分光クリスタル部材に関するものである。
災来皇狭玉 そのような装置用のクリスタルは、GB第108971
4号で開示されており、そこにはそのようなりリスタル
を形成する方法についても記述されている。
更にそのような装置はt+s第4351063号にも記
載されており、そこではクリスタルは、伝送で測定され
ることもできるように搭載されている。
五汰1さl4皿 そのような分光クリスタルがX線解析装置に用いられる
とき、一方において該装置は放射線に関し比較的非効率
な運用がなされるという不都合が生じ、また他方におい
て所望のクリスタルの形状からの偏差がしばしば起きる
という不都合が生じる。この不都合はいずれも、該装置
の測定精度に悪影響をもたらす。
本発明の目的は以上の不都合を避けようとするもので、
そのために冒頭に述べたタイプの本発明によるX線解析
装置は、分光クリスタルが、分散方向を横断する方向に
も彎曲していることを特徴とする。
訝l■口蛤へL没 本発明のX線解析装置の分光クリスタルは、分散方向を
横断する方向、以後これをサジタル方向と呼ぶことにす
るが、にも曲がっているので、上記方向に調整されてい
るX線ビームは検出部の入力点に集中し、従って明らか
に一層よい輻射効率が達成される。
好適実施例においては、クリスタルは、曲率半径が全ク
リスタルに亘って相等しい円筒形に彎曲していてもよい
が、分散方向に対して変化があってもよい。曲率半径が
一定であればクリスタルの製造は最も簡単であり、他方
装置に適応して曲率半径を変化させると、輻射効率は更
に改善される。
更に好適な実施例では、クリスタルは、例えばSt又は
Geでできている平面平行うリスタルを予め形をつけて
ある支持部に接着して構成する。クリスタルはポリエチ
レン・フィルムを用いて、又は紫外線硬化粘着剤を用い
て支持部に接着することができる。接着のために必要な
りリスタルへの均一な圧力は2重ダイヤフラム圧縮法に
より実現できる。支持部の素材に従って、支持部のプロ
フィールは切削、研磨またはプレスにより作成すること
ができる。
1血拠 以下、本発明の実施例を図面により詳細に説明する。
第1図に示すX線分光計は、X線源2と、対象物を載せ
るテーブル4と、人力ギャップ6と、クリスタル保持部
10と、検出部14をもつ検出システムと、検出部ギャ
ップ即ち出力ギャップ16とを有する。X線ビームの波
長進路を選択できるX線フィルタ18が、X線源2と対
象物搭載テーブル4の間に組込まれている。X線源2は
キャリア24に組込まれており、該キャリア24には、
例えば人力ギャップ6、クリスタル保持部10、出力ギ
ャップ16等も搭載される。試験されるべき対象物は、
テーブル4上に置かれて、X線源2から出るX線ビーム
21により照射される。対象物により解析したX線ビー
ム23は、入力ギャップ6経出で解析用クリスタル22
に突き当たる。クリスタル22で解析したX線ビーム2
5は、続いて検出部14中で検出される。
ここに示す連立分光計は、いくつかの入力ギヤ・ンプ、
出力ギャップ、検出部及びクリスタル保持部を具備し、
その各々が適切な波長に合わせであるのでそれぞれ分析
すべき成分に適合する。解析用クリスタル22は、選択
された波長の放射線を検出システムに向けて指向させる
かような装置のクリスタルの1例が第2図に示される。
解析用に用いられるクリスタル面に沿ってカットされた
、例えばシリコンかゲルマニウムのようなりリスタル素
材のウェファ40にはここで、分散方向dと、中心をO
とする対数らせんで与えられる曲率半径R1の対数曲率
とが示されている。
中心0から発する放射線は対数的に彎曲したクリスタル
に、クリスタルの全断面に沿って同−角θで突き当たる
。本発明によるクリスタルの表面はサジタル方向Sに対
して全クリスタルに亘って等しい曲率Rsをもつが、ク
リスタルの一方の端42でのR3から他方の端44のR
tまで変化することができる0曲率半径は例えば、曲率
の幾何学的中心点も同じ中心をもつ対数らせんを形成す
るようなやり方で、変化する。特に例えば、Roは約2
50−であり、角θは約70’であり、Rsは約260
−である、クリスタルはまた、分散方向に別の曲線を画
いて彎曲することもできる0例えばUS第464955
7号の記載では球面を画く。クリスタルが2重曲率をも
つので、サジタル方向の放射線は検出部に集中し、その
結果として輻射効率の明らかな利得が得られる。
第3図に示す実施例では、クリスタル40は支持150
に接着(bond) しており、その一方の端のプロフ
ィールは好適な2重彎曲形状をもっている。支持部は例
えばアルミニウムで作られるが、そのプロフィールは例
えば数値制御フライス盤を用いて与えられ、クリスタル
はその上に、例えばポリエチレン・フィルム56を介在
、粘着させて与えられたものである。接着の目的でクリ
スタルをプレスするのには、GB第727077号記載
のように2重ダイヤフラム圧縮法を用いる。
支持部はまた、適応のタイプの粘着剤を硬化させること
のできる放射線、例えば紫外線、に対して透明な素材で
作ることもできる。この場合には、接着は一方の端54
から支持部を通して粘着を輻射で実行することができる
。これに対する好適例には、紫外線に対して十分透明な
ガラス製支持部で、クリスタルとキャリアの間の粘着剤
の紫外線硬化層を硬化させることのできるものがある。
このようなタイプの粘着剤が用いられるときには、極め
て薄い粘着層によることができ、硬化は非常に速く実行
できる。支持部とクリスタルの接着面は極めて平滑でな
ければならない。接着用にポリエチレン・フィルムが用
いられるときは、平滑度が多少小さくてもよい、その理
由は例えば20μ慣というフィルムの厚みが均等性を補
償するからである。
十分均一な厚さをもつポリエチレン・フィルムは今日容
易に入手できる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明によるX線解析装置の概略図であり、 第2図はそれに用いるクリスタルの概略図であり、 第3図はクリスタルとそれを支持する支持部とのアセン
ブリを示す図である。 2・・・X線源 4・・・対象物を載せるテーブル 6・・・入力ギャップ 10・・・クリスタル保持部 14・・・検出部 16・・・出力ギャップ 18・・・X線フィルタ 22・・・解析用クリスタル 24・・・キャリア 40・・・クリスタル素材のウェファ 50・・・支持部 56・・・ポリエチレン・フィルム FIG、I Fl(1,2Fl6.3

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、X線源と、分散方向に楕円的又は対数的に彎曲する
    分光クリスタルと、対象物保持部と、X線検出部とを有
    するX線解析装置において、分光クリスタルが、分散方
    向を横断する方向にも彎曲していることを特徴とするX
    線解析装置。 2、分光クリスタルは、サジタル方向すなわち分散方向
    を横断する方向に、円筒形に彎曲していることを特徴と
    する請求項1に記載のX線解析装置。 3、分光クリスタルは、サジタル方向に円形に彎曲し、
    分散方向に測った曲率半径は変動することを特徴とする
    請求項1に記載のX線解析装置。 4、分光クリスタルのサジタル曲率の幾何学的曲率中心
    点は、1つの対数らせん上に位置し、その対数らせんの
    中心は該クリスタルの分散方向の曲率のらせんの中心と
    一致しているものであることを特徴とする請求項3に記
    載のX線解析装置。 5、分光クリスタルは、予め形をつけてある支持部に接
    着されたクリスタルで構成されていることを特徴とする
    請求項1ないし4のうちいずれか1つに記載のX線解析
    装置。 6、分光クリスタルはGe、Si、InSb、LiF又
    はペンタエリトリトールであることを特徴とする請求項
    1ないし5のうちいずれか1つに記載のX線解析装置。 7、クリスタルは、予め形をつけてある支持部に、ポリ
    エチレン・フィルムを用いて接着してあることを特徴と
    する請求項1ないし6のうちいずれか1つに記載のX線
    解析装置。8、クリスタルは、予め形をつけてある支持
    部に、紫外線硬化粘着剤を用いて接着してあることを特
    徴とする請求項1ないし5または7のうちいずれか1つ
    に記載のX線解析装置。 9、クリスタルは、予め形を作ってある支持部に、2重
    ダイヤフラム圧縮法を用いて接着してあることを特徴と
    する請求項1ないし7のうちいずれか1つに記載のX線
    解析用クリスタル部材。 10、X線解析装置に用いることを明確に意図した請求
    項1ないし9のうちいずれか1つに記載のX線解析用分
    光クリスタル部材。
JP1095432A 1988-04-20 1989-04-17 X線解析装置及びクリスタル部材 Pending JPH01312497A (ja)

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