JPH0557536B2 - - Google Patents
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- JPH0557536B2 JPH0557536B2 JP59017218A JP1721884A JPH0557536B2 JP H0557536 B2 JPH0557536 B2 JP H0557536B2 JP 59017218 A JP59017218 A JP 59017218A JP 1721884 A JP1721884 A JP 1721884A JP H0557536 B2 JPH0557536 B2 JP H0557536B2
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- crystal
- concave surface
- jig
- spherical concave
- slice
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
- G01N23/20—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by using diffraction of the radiation by the materials, e.g. for investigating crystal structure; by using scattering of the radiation by the materials, e.g. for investigating non-crystalline materials; by using reflection of the radiation by the materials
- G01N23/207—Diffractometry using detectors, e.g. using a probe in a central position and one or more displaceable detectors in circumferential positions
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- Biochemistry (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はＸ線検査装置におけるＸ線放射を単色
化すると共に収束する二重収束Ｘ線分光結晶及び
斯る結晶を具えたＸ線分析装置に関するものであ
る。
化すると共に収束する二重収束Ｘ線分光結晶及び
斯る結晶を具えたＸ線分析装置に関するものであ
る。
斯るＸ線分光結晶は英国特許第1089714号明細
書から既知である。これに記載されている分光結
晶は二重収束を得るために２方向に異なる曲率半
径で湾曲されている。結晶をこのような形に湾曲
させる方法はかなり難かしく、既知の方法では結
晶が破損し易く、また後の変形のために曲率が所
望の最適曲率からずれる問題がある。事実、結晶
は絶えず力が加えられた状態にあり、その結果と
して動作中例えば温度変化や老化現象により変形
が生じ易い。更に、結晶の後面がでこぼこである
と結晶のモノクロメータしての動作が悪影響を受
けるので結晶の後面がでこぼこにならないように
することが重要である。
書から既知である。これに記載されている分光結
晶は二重収束を得るために２方向に異なる曲率半
径で湾曲されている。結晶をこのような形に湾曲
させる方法はかなり難かしく、既知の方法では結
晶が破損し易く、また後の変形のために曲率が所
望の最適曲率からずれる問題がある。事実、結晶
は絶えず力が加えられた状態にあり、その結果と
して動作中例えば温度変化や老化現象により変形
が生じ易い。更に、結晶の後面がでこぼこである
と結晶のモノクロメータしての動作が悪影響を受
けるので結晶の後面がでこぼこにならないように
することが重要である。
本発明の目的はこれらの欠点を除去することに
あり、本発明Ｘ線分光結晶は片側面が凹面状に削
られ且つ反対側の精密仕上げ表面をジグの精密仕
上げ凹面内に装着して成る単一結晶であることを
特徴とする。
あり、本発明Ｘ線分光結晶は片側面が凹面状に削
られ且つ反対側の精密仕上げ表面をジグの精密仕
上げ凹面内に装着して成る単一結晶であることを
特徴とする。
極めて厳格なブラツグ条件を有すると共に高い
反射率を有する単一結晶を収束用にその能動結晶
面を球面状に変形させて使用すると、非変形性の
極めて有効な結晶を比較的簡単に製造し得ること
が確かめられた。
反射率を有する単一結晶を収束用にその能動結晶
面を球面状に変形させて使用すると、非変形性の
極めて有効な結晶を比較的簡単に製造し得ること
が確かめられた。
本発明の好適例では、結晶とジグの凹面は球面
状にする。結晶をジグ内に配置する前に結晶の背
面のでこぼこを例えば機械的処理及び／又はエツ
チングにより除去すれば、ジグの保護作用により
結晶背面がでこぼこになるのを永久に防止するこ
とができる。
状にする。結晶をジグ内に配置する前に結晶の背
面のでこぼこを例えば機械的処理及び／又はエツ
チングにより除去すれば、ジグの保護作用により
結晶背面がでこぼこになるのを永久に防止するこ
とができる。
本発明の好適例では、結晶を接着剤を吸収する
多孔性の材料から成るジグ内に接着剤で固着す
る。特に、ジグの球面状凹面は曲率半径2Rを有
し、結晶の能動結晶表面は曲率半径Ｒを有するも
のとする。製造に当つては、平面結晶をジグ内に
装着し、次いでその能動表面を所望の曲率に研削
することができ、また最初に結晶に曲率をつけ、
斯る後に結晶をジグ内に装着することもでき、こ
の場合には結晶に最初に付ける曲率はこの結晶を
ジグ内に装着したときジグの曲率と相まつて所望
の曲率になる値にする。更に、結晶の非能動表面
上には金属層を設けることができ、この金属層は
例えば蒸着、スパツタリング又はスピニングによ
り極めて均一な厚さの層に被着することができ
る。この金属層を接合中間層として設てた場合に
は結晶をジグ内に、例えばはんだ付け又は拡散に
より固着することができ、この場合にはジグを多
孔質材料に必要はない。或は又、この金属層は金
属箔の形態に被着することもでき、これはもろく
低強度の結晶材料を使用する場合に特に好適であ
る。例えば燐青銅の金属箔を被着すればもろく低
強度の結晶材料の場合でも高強度の極めてフレキ
シブルな結晶素子を得ることができる。更に、結
晶の背面を結晶が最終的に少くとも略々均一な厚
さになるように形成することもできる。結晶の背
面側の表面には、この表面にでこぼこがあると結
晶の動作が悪影響を受けるので極めて平らにする
必要がある。
多孔性の材料から成るジグ内に接着剤で固着す
る。特に、ジグの球面状凹面は曲率半径2Rを有
し、結晶の能動結晶表面は曲率半径Ｒを有するも
のとする。製造に当つては、平面結晶をジグ内に
装着し、次いでその能動表面を所望の曲率に研削
することができ、また最初に結晶に曲率をつけ、
斯る後に結晶をジグ内に装着することもでき、こ
の場合には結晶に最初に付ける曲率はこの結晶を
ジグ内に装着したときジグの曲率と相まつて所望
の曲率になる値にする。更に、結晶の非能動表面
上には金属層を設けることができ、この金属層は
例えば蒸着、スパツタリング又はスピニングによ
り極めて均一な厚さの層に被着することができ
る。この金属層を接合中間層として設てた場合に
は結晶をジグ内に、例えばはんだ付け又は拡散に
より固着することができ、この場合にはジグを多
孔質材料に必要はない。或は又、この金属層は金
属箔の形態に被着することもでき、これはもろく
低強度の結晶材料を使用する場合に特に好適であ
る。例えば燐青銅の金属箔を被着すればもろく低
強度の結晶材料の場合でも高強度の極めてフレキ
シブルな結晶素子を得ることができる。更に、結
晶の背面を結晶が最終的に少くとも略々均一な厚
さになるように形成することもできる。結晶の背
面側の表面には、この表面にでこぼこがあると結
晶の動作が悪影響を受けるので極めて平らにする
必要がある。
本発明の他の例では、結晶を転移の少ないシリ
コン又はゲルマニウムの単一結晶とし、これをジ
グ内に装着して弾性的にのみ変形されたものとす
る。この場合、この単一結晶は例えば１２４結晶
面に沿つてカツトしたスライスとする。これを球
形に変形した後に、その１２４結晶面の曲率中心
がローランド球上に位置するようにして１１１，
０２２及び１１３結晶面のような順次小さい面間
隔を有する他の結晶面もこの球上に近似的に位置
するようにする。このように構成すると、この単
一結晶を分光計に用いることにより、分析すべき
試料中に原子番号15〜40を有する元素が存在する
か否かを例えばKα線で検出し得ると共に、40以
上の原子番号を有する元素の存在をLα線で検出
することができる。
コン又はゲルマニウムの単一結晶とし、これをジ
グ内に装着して弾性的にのみ変形されたものとす
る。この場合、この単一結晶は例えば１２４結晶
面に沿つてカツトしたスライスとする。これを球
形に変形した後に、その１２４結晶面の曲率中心
がローランド球上に位置するようにして１１１，
０２２及び１１３結晶面のような順次小さい面間
隔を有する他の結晶面もこの球上に近似的に位置
するようにする。このように構成すると、この単
一結晶を分光計に用いることにより、分析すべき
試料中に原子番号15〜40を有する元素が存在する
か否かを例えばKα線で検出し得ると共に、40以
上の原子番号を有する元素の存在をLα線で検出
することができる。
本発明の好適例では、本発明による分光結晶を
Ｘ線分析装置のモノクロメータとして用い、この
場合には試料を固定配置し、分光結晶の２つの位
置で、検出器により各一回の円弧操作をするだけ
で完全な分析を行なうことができる。この場合に
は分解能及び信号対雑音比を実質的に改善するこ
ともできる。
Ｘ線分析装置のモノクロメータとして用い、この
場合には試料を固定配置し、分光結晶の２つの位
置で、検出器により各一回の円弧操作をするだけ
で完全な分析を行なうことができる。この場合に
は分解能及び信号対雑音比を実質的に改善するこ
ともできる。
本発明による分光結晶は更に、例えば集中Cu
−Kα1線ビームを用いるＸ線回折計に有効に使用
することができると共に応力検査用又は組織検査
用装置にも有効に使用することができる。
−Kα1線ビームを用いるＸ線回折計に有効に使用
することができると共に応力検査用又は組織検査
用装置にも有効に使用することができる。
以下、本発明の数個の実施例を図面を参照して
詳細に説明する。
詳細に説明する。
第１図は能動表面３が球５の一部を形成し個々
の結晶面の曲率中心７が球５上に位置するシリコ
ン単一結晶１を示す。この図には結晶面１２４に
平行な材料片から成る結晶の結晶面１２４，１１
３，０２２及び１１１の曲率中心を示してあり、
結晶面１２４の曲率中心は球面上に正確に位置
し、他の結晶面の曲率中心は球面上に近似的に位
置する。球５（ローランド球としても示してあ
る）は結晶の位置及び曲率半径と曲率中心１２４
とにより決まる。結晶面１１３，０２２及び１１
１の曲率中心は球面上に近似的に次のように位置
する。即ち、結晶面１１３及び０２２の曲率中心
は結晶面１２４の曲率中心とともに球５の中心１
１を通る円９の円周上に位置すると共に、結晶面
１１１の曲率中心は１２４とともに円９と直角を
成す中心１１を通る円１３の円周上に位置する。
の結晶面の曲率中心７が球５上に位置するシリコ
ン単一結晶１を示す。この図には結晶面１２４に
平行な材料片から成る結晶の結晶面１２４，１１
３，０２２及び１１１の曲率中心を示してあり、
結晶面１２４の曲率中心は球面上に正確に位置
し、他の結晶面の曲率中心は球面上に近似的に位
置する。球５（ローランド球としても示してあ
る）は結晶の位置及び曲率半径と曲率中心１２４
とにより決まる。結晶面１１３，０２２及び１１
１の曲率中心は球面上に近似的に次のように位置
する。即ち、結晶面１１３及び０２２の曲率中心
は結晶面１２４の曲率中心とともに球５の中心１
１を通る円９の円周上に位置すると共に、結晶面
１１１の曲率中心は１２４とともに円９と直角を
成す中心１１を通る円１３の円周上に位置する。
斯る結晶は第２図につき以下に説明する方法で
形成する。先ず、出発材料として第２Ａ図に示す
転移の少ない単結晶シリコンのスライス１５を準
備する。本例ではこの結晶の平行表面１７及び１
９は結晶面１２４に平行で、図には結晶中に結晶
面０２２及び１１３を線図的に示してある。次い
で、この結晶の表面１７を例えば研削により削
り、第２Ｂ図に示す曲率半径2Rを有する球面２
１を形成する。
形成する。先ず、出発材料として第２Ａ図に示す
転移の少ない単結晶シリコンのスライス１５を準
備する。本例ではこの結晶の平行表面１７及び１
９は結晶面１２４に平行で、図には結晶中に結晶
面０２２及び１１３を線図的に示してある。次い
で、この結晶の表面１７を例えば研削により削
り、第２Ｂ図に示す曲率半径2Rを有する球面２
１を形成する。
第２Ｃ図に示す本例では多孔質材料から成るジ
グ２３の一側も同様に削つて例えば同様に曲率半
径2Rを有する球面２５を形成する。例えば、研
削した結晶１５を接着剤層２７を介してジグ２３
内に押圧する。この目的のために、ここでは気体
圧力又は液体圧力により結晶表面２１に押圧され
る隔膜を用いて結晶表面２１に略々一様な押圧力
を加える。この処理中、良好な接着を得るために
この組立体を例えば180℃に加熱し、圧力は冷却
後にのみ除去するのが好適である。温度は接着剤
に適合させることができる。余分な接着剤は多孔
質のジグにより吸収される。このように形成され
た結晶とジグの組立体３０はＸ線分析装置用の使
い易い堅牢な分光素子を構成する。その結晶の結
晶面１２４，０２２及び１１３等はジグと組合わ
せたことによりジグの球面に一致する曲率半径
2Rになり、能動表面２１はジグと組合せたこと
により第１図の球５の曲率半径に一致する曲率半
径Ｒになる。
グ２３の一側も同様に削つて例えば同様に曲率半
径2Rを有する球面２５を形成する。例えば、研
削した結晶１５を接着剤層２７を介してジグ２３
内に押圧する。この目的のために、ここでは気体
圧力又は液体圧力により結晶表面２１に押圧され
る隔膜を用いて結晶表面２１に略々一様な押圧力
を加える。この処理中、良好な接着を得るために
この組立体を例えば180℃に加熱し、圧力は冷却
後にのみ除去するのが好適である。温度は接着剤
に適合させることができる。余分な接着剤は多孔
質のジグにより吸収される。このように形成され
た結晶とジグの組立体３０はＸ線分析装置用の使
い易い堅牢な分光素子を構成する。その結晶の結
晶面１２４，０２２及び１１３等はジグと組合わ
せたことによりジグの球面に一致する曲率半径
2Rになり、能動表面２１はジグと組合せたこと
により第１図の球５の曲率半径に一致する曲率半
径Ｒになる。
組立体３０を形成するには他の方法を用いるこ
ともできる。但し、結晶をジグ内に少くともその
全周縁部に沿つて、好適には非能動表面１９の全
面に亘つて接着して取付ける必要がある。この結
果として、後で変形が生ずる惧れは著しく減少す
る。既に述べたように、結晶はジグ内に、金属層
を介してはんだ付けにより取付けることもできる
が、この場合にははんだ材料の層厚が不均一にな
るのを避けることができる。
ともできる。但し、結晶をジグ内に少くともその
全周縁部に沿つて、好適には非能動表面１９の全
面に亘つて接着して取付ける必要がある。この結
果として、後で変形が生ずる惧れは著しく減少す
る。既に述べたように、結晶はジグ内に、金属層
を介してはんだ付けにより取付けることもできる
が、この場合にははんだ材料の層厚が不均一にな
るのを避けることができる。
第３図はこのように形成されたシリコン単一結
晶１５を用いて試料３１を分析するＸ線装置の光
路を示す。第３ａ図は曲率中心０２２，１２４及
び１１３を有する第１図の円９を示し、第３ｂ図
は曲率中心１２４及び１１１を有する第１図の円
１３を示す。装置から見て、第３ａ図と第３ｂ図
との光路の違いは結晶１５を曲率中心１２４を通
る軸を中心に90゜回転させることにより生ずる。
試料３１で発生したＸ線の波長に応じて結晶によ
り捕捉された円錐ビームは結晶により円周上に線
状に集まる。この円錐は関連する結晶面に対する
ブラツグの条件を満足する光線の交点から結晶の
円周を見た立体角により決まる。これがため、例
えば第３ａ図において、亜鉛元素に対しては円錐
３３からのこの元素に特有の波長のＸ線が関連す
る結晶面（本例では１１３面）により円錐ビーム
３４として収束され円９上の位置３５に線状に収
束される。この位置に検出器を配置することによ
りこのビームの強度及び従つて試料中の亜鉛含有
量を測定することができる。同様に、円錐３７か
らのチタンに特有の波長のＸ線は結晶の０２２結
晶面により円錐ビーム３８として収束され円９上
の位置39に線状に集束される。第３ｂ図には、結
晶を90゜回転すると円錐４１からの燐元素に特有
のＸ線が１１１結晶面により円錐ビーム４２とし
て収束されて円１３上の位置４３に線状に集中さ
れることを示す。これがため、１５以上の原子番
号を有する凡ゆる元素を２つの結晶位置で分析す
ることができる。この場合、（113）、（022）及び
（111）結晶面での回折が利用される。比較的低い
原子番号を有する元素に対しては例えばKα1線を
使用し、高い原子番号を有する元素に対しては
Lα1線を使用する。これがため、（022）結晶面で
回折されたKα1線のCa２０〜Ca２７に対する焦
線は点３９の両側に位置する。同様のことが
（022）結晶面で回折されたLα1線のSn５１〜Tm
６９に対する焦線にも言える。
晶１５を用いて試料３１を分析するＸ線装置の光
路を示す。第３ａ図は曲率中心０２２，１２４及
び１１３を有する第１図の円９を示し、第３ｂ図
は曲率中心１２４及び１１１を有する第１図の円
１３を示す。装置から見て、第３ａ図と第３ｂ図
との光路の違いは結晶１５を曲率中心１２４を通
る軸を中心に90゜回転させることにより生ずる。
試料３１で発生したＸ線の波長に応じて結晶によ
り捕捉された円錐ビームは結晶により円周上に線
状に集まる。この円錐は関連する結晶面に対する
ブラツグの条件を満足する光線の交点から結晶の
円周を見た立体角により決まる。これがため、例
えば第３ａ図において、亜鉛元素に対しては円錐
３３からのこの元素に特有の波長のＸ線が関連す
る結晶面（本例では１１３面）により円錐ビーム
３４として収束され円９上の位置３５に線状に収
束される。この位置に検出器を配置することによ
りこのビームの強度及び従つて試料中の亜鉛含有
量を測定することができる。同様に、円錐３７か
らのチタンに特有の波長のＸ線は結晶の０２２結
晶面により円錐ビーム３８として収束され円９上
の位置39に線状に集束される。第３ｂ図には、結
晶を90゜回転すると円錐４１からの燐元素に特有
のＸ線が１１１結晶面により円錐ビーム４２とし
て収束されて円１３上の位置４３に線状に集中さ
れることを示す。これがため、１５以上の原子番
号を有する凡ゆる元素を２つの結晶位置で分析す
ることができる。この場合、（113）、（022）及び
（111）結晶面での回折が利用される。比較的低い
原子番号を有する元素に対しては例えばKα1線を
使用し、高い原子番号を有する元素に対しては
Lα1線を使用する。これがため、（022）結晶面で
回折されたKα1線のCa２０〜Ca２７に対する焦
線は点３９の両側に位置する。同様のことが
（022）結晶面で回折されたLα1線のSn５１〜Tm
６９に対する焦線にも言える。
同様に、（113）結晶面で回折されたKα1線によ
りNi２８〜Zr４０を測定することができると共
に、（113）結晶面で回折されたLα1線によりYb
７０〜Ｕ９２を測定することができる。この場
合、装置の構成配置をこれら焦線の重複が生じな
いように選択する。それでも斯る重複が生ずる場
合には元素間の識別は例えばこれら元素の一つに
ついて他の波長のＸ線（例えばKβ線）により第
２の測定を行なうことにより行なうことができ
る。
りNi２８〜Zr４０を測定することができると共
に、（113）結晶面で回折されたLα1線によりYb
７０〜Ｕ９２を測定することができる。この場
合、装置の構成配置をこれら焦線の重複が生じな
いように選択する。それでも斯る重複が生ずる場
合には元素間の識別は例えばこれら元素の一つに
ついて他の波長のＸ線（例えばKβ線）により第
２の測定を行なうことにより行なうことができ
る。
第４図は本発明によるＸ線粉末回折計を線図的
に示したもので、Ｘ線源５１（例えばＸ線管内の
アノードのターゲツト）と、球面状に湾曲させた
単一結晶５３と、透過位置に置かれた試料５５
と、反射位置に置かれた試料５７を具える。Ｘ線
源５１と結晶５３はローランド球６０上に置か
れ、結晶５３により収束されたＸ線ビーム６４の
焦点６２もこの球６０上に位置する。放射Ｘ線は
例えばKα1線とする。図示の種類の装置において
は、試料５５の各別の結晶面で回折された透過Ｘ
線は焦点球６６の円周上に各別の焦線６１及び６
３として収束されると共に試料５７の各別の結晶
面で回折された反射Ｘ線は焦点球６８の円周上に
焦線６５及び６７として収束される。この場合、
これら円周に沿つて移動する検出器６９又はこれ
ら円周上に装着された位置感度検出器により透過
回折線及び反射回折線の局部的強度を同時に測定
することができる。本願と同日出願された本願人
に係る特願昭59−153153号に記載された移動機構
によれば、試料をビーム路内を正しい位置関係で
球６６の直径の２倍に等しい距離に亘つて移動さ
せることができる。
に示したもので、Ｘ線源５１（例えばＸ線管内の
アノードのターゲツト）と、球面状に湾曲させた
単一結晶５３と、透過位置に置かれた試料５５
と、反射位置に置かれた試料５７を具える。Ｘ線
源５１と結晶５３はローランド球６０上に置か
れ、結晶５３により収束されたＸ線ビーム６４の
焦点６２もこの球６０上に位置する。放射Ｘ線は
例えばKα1線とする。図示の種類の装置において
は、試料５５の各別の結晶面で回折された透過Ｘ
線は焦点球６６の円周上に各別の焦線６１及び６
３として収束されると共に試料５７の各別の結晶
面で回折された反射Ｘ線は焦点球６８の円周上に
焦線６５及び６７として収束される。この場合、
これら円周に沿つて移動する検出器６９又はこれ
ら円周上に装着された位置感度検出器により透過
回折線及び反射回折線の局部的強度を同時に測定
することができる。本願と同日出願された本願人
に係る特願昭59−153153号に記載された移動機構
によれば、試料をビーム路内を正しい位置関係で
球６６の直径の２倍に等しい距離に亘つて移動さ
せることができる。
第５図は本発明による結晶を具え、例えば加工
片内のマクロ的応力を測定するように設計したＸ
線分析装置を示し、この装置はＸ線源７０、球状
分光結晶７２、例えば結晶面７６を有する試料７
４及び検出器７８、例えば偏向角の関数としてＸ
線強度を測定し得る位置感度検出器７８を具え
る。Ｘ線源７０、結晶７２及びＸ線ビーム８２の
焦点８０はローランド球８４上に位置する。同様
に、ビーム焦点８０、照射試料表面８６及び回折
ビーム９２の焦線８８はローランド球９６上に位
置する。焦線８８は例えばマクロ的応力が存在し
ない試料に対応し、マクロ的応力が存在する試料
に対しては焦線９０にシフトする。焦線８８と焦
線９０との間の弧長は所定の方向に測定した試料
内のマクロ的応力の値に比例する。この値は試料
を交換して測定することができ、例えば焦線８８
の位置を決めるために先ず最初に無応力試料を測
定し、次いで未知のマクロ的応力を有する試料を
測定することができる。更に、試料を測定前に回
転させ、追加の測定又は反復測定を行なつて無応
力測定焦線の位置をこれらの測定結果から決める
こともできる。
片内のマクロ的応力を測定するように設計したＸ
線分析装置を示し、この装置はＸ線源７０、球状
分光結晶７２、例えば結晶面７６を有する試料７
４及び検出器７８、例えば偏向角の関数としてＸ
線強度を測定し得る位置感度検出器７８を具え
る。Ｘ線源７０、結晶７２及びＸ線ビーム８２の
焦点８０はローランド球８４上に位置する。同様
に、ビーム焦点８０、照射試料表面８６及び回折
ビーム９２の焦線８８はローランド球９６上に位
置する。焦線８８は例えばマクロ的応力が存在し
ない試料に対応し、マクロ的応力が存在する試料
に対しては焦線９０にシフトする。焦線８８と焦
線９０との間の弧長は所定の方向に測定した試料
内のマクロ的応力の値に比例する。この値は試料
を交換して測定することができ、例えば焦線８８
の位置を決めるために先ず最初に無応力試料を測
定し、次いで未知のマクロ的応力を有する試料を
測定することができる。更に、試料を測定前に回
転させ、追加の測定又は反復測定を行なつて無応
力測定焦線の位置をこれらの測定結果から決める
こともできる。
第１図は本発明による二重収束Ｘ線分光結晶を
該結晶の各別の結晶面の曲率中心が位置する球の
一部として示した線図、第２図は本発明による二
重収束分光結晶の順次の製造工程を示す図、第３
ａ及び３ｂ図は本発明による二重収束分光結晶を
具えるＸ線分析装置の一例の光路を示す図、第４
図は本発明による二重収束分光結晶を具えるＸ線
粉末回折計を示す線図、第５図は本発明による二
重収束分光結晶を具える応力検査装置を示す線図
である。 １……二重収束Ｘ線分光用単一結晶、５……ロ
ーランド球、７……１２４，１１３，０２２及び
１１１結晶面の曲率中心、９，１３……ローラン
ド円、１５……分光用単一結晶、１７，１９……
（124）……結晶面に平行な平行表面、２１……球
面、２３……ジグ、２５……球面、２７……接着
剤層、３０……組立体、３１……試料、３３，３
４……亜鉛の特性Ｘ線ビーム、３７，３８……チ
タンの特性Ｘ線ビーム、３５，３９……焦線、４
１，４２……燐の特性Ｘ線ビーム、４３……焦
線、５１……Ｘ線源、５３……湾曲分光用単一結
晶、５５，５７……試料、６０……ローランド
球、６４……Ｘ線ビーム、６６，６８……焦点
球、６１，６３，６５，６７……焦線、６９……
位置感度検出器、７０……Ｘ線源、７２……球面
分光結晶、７４……試料、７６……結晶面、７８
……位置感度検出器、８０……ビーム焦点、８２
……Ｘ線ビーム、８４……ローランド球、８６…
…被照射面、８８，９０……焦線、９２，９４…
…回折ビーム、９６……ローランド球。
該結晶の各別の結晶面の曲率中心が位置する球の
一部として示した線図、第２図は本発明による二
重収束分光結晶の順次の製造工程を示す図、第３
ａ及び３ｂ図は本発明による二重収束分光結晶を
具えるＸ線分析装置の一例の光路を示す図、第４
図は本発明による二重収束分光結晶を具えるＸ線
粉末回折計を示す線図、第５図は本発明による二
重収束分光結晶を具える応力検査装置を示す線図
である。 １……二重収束Ｘ線分光用単一結晶、５……ロ
ーランド球、７……１２４，１１３，０２２及び
１１１結晶面の曲率中心、９，１３……ローラン
ド円、１５……分光用単一結晶、１７，１９……
（124）……結晶面に平行な平行表面、２１……球
面、２３……ジグ、２５……球面、２７……接着
剤層、３０……組立体、３１……試料、３３，３
４……亜鉛の特性Ｘ線ビーム、３７，３８……チ
タンの特性Ｘ線ビーム、３５，３９……焦線、４
１，４２……燐の特性Ｘ線ビーム、４３……焦
線、５１……Ｘ線源、５３……湾曲分光用単一結
晶、５５，５７……試料、６０……ローランド
球、６４……Ｘ線ビーム、６６，６８……焦点
球、６１，６３，６５，６７……焦線、６９……
位置感度検出器、７０……Ｘ線源、７２……球面
分光結晶、７４……試料、７６……結晶面、７８
……位置感度検出器、８０……ビーム焦点、８２
……Ｘ線ビーム、８４……ローランド球、８６…
…被照射面、８８，９０……焦線、９２，９４…
…回折ビーム、９６……ローランド球。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ Ｘ線分析装置におけるＸ線を単色化及び収束
する二重収束Ｘ線分光結晶において、第１の球面
状凹面を有するジグと、前記ジグの第１の球面状
凹面内に加圧固着された単一結晶スライスとを具
え、該結晶スライスが前記ジグの第１球面状凹面
内に加圧固着されたとき該結晶スライスの前記ジ
グとの接触面が前記第１球面状凹面と同一の球面
形状を有し、該結晶スライスの反対側面が前記第
１球面状凹面と異なる曲率の第２の球面状凹面を
有するようにしたことを特徴とする二重収束Ｘ線
分光結晶。 ２ 前記結晶スライスは前記ジグの第１球面状凹
面内に接着剤で固着し、前記ジグは接着剤吸収特
性を有することを特徴とする特許請求の範囲第１
項記載の二重収束Ｘ線分光結晶。 ３ 前記結晶スライスは該結晶スライス上に設け
られた精密に規定された厚さを有する金属層を介
して前記ジグの第１球面状凹面内に固着したこと
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の二重収
束Ｘ線分光結晶。 ４ 前記ジグの第１の球面状凹面は前記結晶スラ
イスの第２の球面状凹面の曲率半径の２倍にほぼ
等しい曲率半径を有することを特徴とする特許請
求の範囲第２項又は３項記載の二重収束Ｘ線分光
結晶。 ５ 前記結晶スライスは転移の少ないシリコン又
はゲルマニウムの平行表面スライスであつて、そ
の平行表面が１２４結晶面に平行なスライスであ
ることを特徴とする特許請求の範囲第１〜３項の
何れかに記載の二重収束Ｘ線分光結晶。 ６ 前記結晶スライスは少くともほぼ一様な厚さ
を有することを特徴とする特許請求の範囲第１〜
３項の何れかに記載の二重収束Ｘ線分光結晶。 ７ Ｘ線源と、モノクロメータと、試料と、検出
器とを具え、前記モノクロメータが、第１の球面
状凹面を有するジグと、前記ジグの第１の球面状
凹面内に加圧固着された単一結晶スライスとを具
え、該結晶スライスの前記ジグとの接触面が前記
第１球面状凹面と同一の球面形状を有し、該結晶
スライスの反対側面が前記第１球面状凹面と異な
る曲率の第２の球面状凹面を有している二重収束
分光結晶を具えることを特徴とするＸ線回折計。 ８ Ｘ線源と、試料と、分光結晶と、検出器とを
具え、前記分光結晶が、第１の球面状凹面を有す
るジグと、前記ジグの第１の球面状凹面内に加圧
固着された単一結晶スライスとを具え、該結晶ス
ライスの前記ジグとの接触面が前記第１球面状凹
面と同一の球面形状を有し、該結晶スライスの反
対側面が前記第１球面状凹面と異なる曲率の第２
の球面状凹面を有している二重収束分光結晶を具
えることを特徴とするＸ線回折計。 ９ Ｘ線源と、球面分光結晶と、試料と、検出器
とを具え、前記球面分光結晶が、第１の球面状凹
面を有するジグと、前記ジグの第１の球面状凹面
内に加圧固着された単一結晶スライスとを具え、
該結晶スライスの前記ジグとの接触面が前記第１
球面凹面と同一の球面形状を有し、該結晶スライ
スの反対側面が前記第１球面状凹面と異なる曲率
の第２の球面状凹面を有している二重収束分光結
晶を具えることを特徴とする材料内のマクロ的応
力を測定するＸ線分析装置。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL8300421A NL8300421A (nl) | 1983-02-04 | 1983-02-04 | Roentgen onderzoek apparaat met dubbel focusserend kristal. |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59153152A JPS59153152A (ja) | 1984-09-01 |
| JPH0557536B2 true JPH0557536B2 (ja) | 1993-08-24 |
Family
ID=19841350
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59017218A Granted JPS59153152A (ja) | 1983-02-04 | 1984-02-03 | 二重収束ｘ線分光結晶及び該結晶を具えるｘ線検査装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0115892B1 (ja) |
| JP (1) | JPS59153152A (ja) |
| CA (1) | CA1222075A (ja) |
| DE (1) | DE3465519D1 (ja) |
| NL (1) | NL8300421A (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL8501181A (nl) * | 1985-04-24 | 1986-11-17 | Philips Nv | Kristal voor een roentgenanalyse apparaat. |
| JPS62141730U (ja) * | 1986-02-28 | 1987-09-07 | ||
| JPH10502741A (ja) * | 1995-04-26 | 1998-03-10 | フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ | Ｘ線分析装置用のｘ線光学素子の製造方法 |
| US7248670B2 (en) | 2002-06-19 | 2007-07-24 | Xenocs | Optical unit and associated method |
| FR2841371B1 (fr) * | 2002-06-19 | 2004-10-22 | Xenocs | Ensemble optique et procede associe |
| CN107024493A (zh) * | 2017-03-20 | 2017-08-08 | 中国工程物理研究院电子工程研究所 | 一种碳化硅单晶晶片基平面弯曲的测试方法 |
| CN114649106B (zh) * | 2022-03-17 | 2024-08-27 | 重庆大学 | 一种球面高能透射晶体成像器及制造方法 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL6410514A (ja) * | 1964-09-10 | 1966-03-11 | ||
| JPS454549Y1 (ja) * | 1968-10-11 | 1970-03-02 | ||
| JPS5023994A (ja) * | 1973-07-02 | 1975-03-14 | ||
| US3927319A (en) * | 1974-06-28 | 1975-12-16 | Univ Southern California | Crystal for X-ray crystal spectrometer |
| US4078175A (en) * | 1976-09-20 | 1978-03-07 | Nasa | Apparatus for use in examining the lattice of a semiconductor wafer by X-ray diffraction |
| DD149420A1 (de) * | 1980-03-03 | 1981-07-08 | Reinhard Arnhold | Roentgendiffraktometer |
-
1983
- 1983-02-04 NL NL8300421A patent/NL8300421A/nl not_active Application Discontinuation
-
1984
- 1984-02-01 CA CA000446511A patent/CA1222075A/en not_active Expired
- 1984-02-01 DE DE8484200132T patent/DE3465519D1/de not_active Expired
- 1984-02-01 EP EP19840200132 patent/EP0115892B1/en not_active Expired
- 1984-02-03 JP JP59017218A patent/JPS59153152A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| NL8300421A (nl) | 1984-09-03 |
| EP0115892A1 (en) | 1984-08-15 |
| JPS59153152A (ja) | 1984-09-01 |
| EP0115892B1 (en) | 1987-08-19 |
| DE3465519D1 (en) | 1987-09-24 |
| CA1222075A (en) | 1987-05-19 |
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