JPH0131252B2 - - Google Patents

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JPH0131252B2
JPH0131252B2 JP58155134A JP15513483A JPH0131252B2 JP H0131252 B2 JPH0131252 B2 JP H0131252B2 JP 58155134 A JP58155134 A JP 58155134A JP 15513483 A JP15513483 A JP 15513483A JP H0131252 B2 JPH0131252 B2 JP H0131252B2
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JP
Japan
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contact spring
relay
contact
laser
point
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JP58155134A
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JPS5960935A (ja
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Shutaigaa Eruin
Heeringu Berunharuto
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Siemens Corp
Original Assignee
Siemens Corp
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Publication date
Application filed by Siemens Corp filed Critical Siemens Corp
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Publication of JPH0131252B2 publication Critical patent/JPH0131252B2/ja
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01HELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
    • H01H11/00Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of electric switches
    • H01H11/04Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of electric switches of switch contacts
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/351Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring for trimming or tuning of electrical components
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01HELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
    • H01H11/00Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of electric switches
    • H01H2011/0075Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of electric switches calibrating mechanical switching properties, e.g. "snap or switch moment", by mechanically deforming a part of the switch, e.g. elongating a blade spring by puncturing it with a laser

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  • Optics & Photonics (AREA)
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  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)
  • Manufacture Of Switches (AREA)
  • Testing Electric Properties And Detecting Electric Faults (AREA)
  • Interface Circuits In Exchanges (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、特にレーザパルスを用いる局所的計
量加熱によつてその都度の接点ばねの一定の位置
変化が得られることより成る継電器の接点ばねの
調整方法に関する。また本発明は同方法を実施す
るための装置に関する。
この種の方法は西独国特許出願公開第2918100
号明細書からすでに公知である。同明細書にはす
でに、例えばレーザパルスを用いることによつて
接点ばね又は調整すべきその他の部分の一定のひ
ずみの得られることが記載されている。また同明
細書では、レーザ光の適用された融解部分の種々
の形状を用いることによつて該ばねの種々の大き
さのひずみが検出されうることも指摘されてい
る。最後にまたレーザ光の転向装置、例えば鏡の
使用もすでに記載されている。
本発明の課題は、前記技術水準から公知の原理
を更に発展させて、できるだけ迅速かつ簡単に継
電器に取付けた接点ばねを精密に調整することの
できる方法を創作することであり、この際該方法
は特に継電器の工業的大量生産において使用され
うることが要求される。更に本発明は前記方法を
実施するための装置を創作することも目的とす
る。
前記課題は本発明により、冒頭記載の種類の法
を用い、接点ばね表面上で選択可能のマトリツク
ス場(Matrixfeld)の個々の点に関して、所定
のパルスエネルギー、パルス幅及び所定の集光直
径での熱パルス、特にレーザパルスを用いる前記
点の照射時に得られる接点ばね位置の補正値が記
憶されており、調整すべき接点ばねの位置が目標
位置と比較されて測定されかつその偏差が検出さ
れ、同偏差が記憶された補正値と比較され、加算
値がせいぜい前記偏差に等しくなる該当補正値が
選択されかつ選択された補正値に相応する接点ば
ね表面上のマトリツクス点が所定の熱パルス発生
装置を用いて制御されかつ照射されることによつ
て解決される。
従つて本発明による方法の場合、各接点ばねに
ついて特有の形状を有する全く新しい、特有の照
射点が同ばねの所望の変形に応じて検出されて照
射されるのではなく、むしろ調整すべきすべての
継電器又は接点ばねに対して標準的マトリツクス
場が設けられていて、同マトリツクス場のどの点
も熱線、特に所定のパルスエネルギー、パルス幅
及び集光直径を有するレーザ光で照射されうる。
マトリツク場のすべての点について許容可能な補
正値が予め特定されておりかつ出現するすべての
調整過程に関して記憶されているので、補正すべ
き偏差を許容可能の補正値と比較することによつ
てその都度マトリツクス場の該当する点が選択さ
れ、これらの点をレーザ光で照射することによつ
て全体として所望の補正が最適近似で得られる。
各レーザパルスは相応に制御された接点ばねの点
において特定の角度変化を与えるので、接点ばね
の接点を有する自由端の変動は、照射点が同ばね
の固定位置に近ければ近い程それだけ大きい。従
つて種々の点の選択及び照射によつてマトリツク
ス場内では接点ばねの自由端の行程変動よりも小
さい補正値と大きい補正値が得られ、相互に組合
わされうる。またマトリツクス場の二次元的形成
によつて、接点ばねの彎曲を場合により2軸の周
りで行なうことも可能であつて、これは例えば架
橋接点ばねの場合に該当する。レーザパルスで照
射するに当つて選択可能の面積をマトリツクス場
の比較的少ない個々の点に縮小することによつて
極めて迅速な選択及び制御が可能になる、これは
継電器の大量生産にとつて決定な利点である。
調整時に得られる行程変動の再現性は、個々の
各マトリツクス点について、特に接点ばね表面の
その都度の状態によつて限定された特定の許容範
囲を有しかつこれらの許容範囲は加算されうるの
で、検出された偏差が所定の許容値を越えると、
選択された点の照射後に接点ばねの位置を目標位
置と比較して再び測定しかつ場合によつては他の
補正値を選択して接点ばね表面上の相応の点を照
射するのが有利である。
接点ばね表面上のマトリツクス場の個々の点は
単一の熱源によつて発生されたエネルギー線の光
学的転向によつて制御されうる。またこのエネル
ギー線、好ましくはレーザ光によつて継電器内の
数個の接点ばねも照射されうる。
周知のように特定点の照射は、接点ばねがバイ
アス電圧の印加なしに配設されている限り、前記
の点を中心とする同ばねの彎曲を与える。例えば
接点ばねを一方の対向接点に接触させてバイアス
電圧を印加することによつて、点の照射によつて
得られる同ばねの彎曲は強化されるか又はバイア
ス電圧が大きいと反対方向に反転する。
接点ばね位置の測定のためには、有利には、接
点ばねの自由端及び/又は−測定方法に応じて−
同自由端に並置された継電器の作用素子、つまり
一般には接極子を走査する電気光学的撮像装置が
使用される。すなわち例えば静的測定方法の場合
機械的に回定された接極子の中央位置では2個の
対向接点の間の接点ばねの中央位置が走査されか
つこの位置からの偏差が測定される。
動的測定、つまり接続運動中の接点ばね位置の
測定が特に有利である。この場合には接点の開放
又は閉鎖の瞬間ごとに接極子位置が測定される。
接点の開放又は閉鎖の瞬間における接極子の位置
と接極子の最終位置との間の距離は、接触力を決
定する過剰行程である。この際この過剰行程は接
点ばねの調整によつて所定の量に調整される。こ
の場合有利には接極子は電気光学的撮影の瞬間に
フラツシユを用いて照明されて、急速に動かされ
た部分の高い位置精度が達成される。
更に熱源及びレーザ光の光学的転向装置の位置
決定のためには、調整開始前に接点ばねの輪郭を
受光装置と関係する光線を用いて走査するのが有
利である。この走査のためには、熱パルスを発生
させる第一レーザに対して同一線上に配置されて
いて、同レーザよりも著しく小さいエネルギーを
放射するもう1個のレーザを有利に使用すること
ができる。
またばね調整のためには、接点ばねが変化する
厚さを有し、調整パルスで照射される部分は接触
のために用いられるばねの自由端よりも厚いのが
有利である。
本発明による方法を実施するための装置は有利
には、調整すべき継電器の位置決定のための撮影
装置、接点ばね位置を走査するための測定装置、
接点ばね位置を記憶された目標位置と比較しかつ
偏差値を形成するための第一比較装置、マトリツ
クス場の特定の点に相関された補正量を記憶する
ための補正値記憶装置、検出された偏差値及び記
憶された補正量が伝送される第二比較装置、熱線
パルス発生装置、特にレーザ及び調整すべき接点
ばねの特定点に対する第二比較装置の出力信号に
依存して調節可能の転向装置を有する。
この際撮影装置は、調整すべき継電器を測定装
置及びレーザ光の転向装置に対して正しく位置決
定するために用いられる。また同撮影装置は、測
定過程の間継電器を制御し、接極子運動の間諸測
定を実施しうるためにも使用されうる。この目的
のために該撮影装置は継電器の接続端子を接極さ
せるための装置を包含する。この際開閉装置を介
して継電器の励磁コイルに電圧を印加することが
でき、調整すべき接点ばねの接点の開放又は閉鎖
の際に前記測定装置がレリーズされる。
一つの実施態様では測定装置として半導体撮像
装置が使用され、この際継電器の走査すべき範囲
はレンズ系を介してCCD撮像素子列に結像され
る。また静的走査の場合の明暗のコントラストを
鮮明にするために有利に光源が設けられていて、
その光は導光体束を介して走査すべき継電器部分
に向けられる。動的測定の場合には走査の瞬間に
フラツシユを形成するためのストロボが有利に使
用される。
比較装置及び記憶装置は有利にはマイクロプロ
セツサによつて構成されている。また熱エネルギ
ー源としては有利な実施態様ではパルスレーザ装
置が使用され、そのビームは2軸の周りに旋回可
能の鏡を介して調整すべき接点ばね上のマトリツ
クス場の個々の点に対して調節可能である。また
熱線又はレーザ光の光路には好ましくは調節可能
の集光光学系が配置されている。他の実施態様で
は継電器の撮影装置の両側に各1個の鏡が設けら
れており、他方レーザ光又は熱線の光路には調節
可能の転向装置が設けられていて、同装置によつ
て光が一方又は他方の鏡に対して選択的に調節可
能である。該転向装置は有利には金属化側面を有
する稼動可能のプリズムを有することができる。
製造工場で調整の再現性を保証するためには、
接点ばね表面上のマトリツクス場の照射点を可及
的に精密に位置決定しなければならない。この目
的のために本発明の他の実施態様では熱発生装置
の他に熱線と同一線上にその光路が存在するもう
1個の測定レーザならびに継電器撮影装置の他
に、測定レーザ光の特定の反射の際に転向装置の
零点決定のための信号を継電器撮影装置に対して
送信する受光装置が設けられている。
次に本発明を実施例に関し、図面により詳述す
る。
第1図は、継電器調整のための個々の装置の配
置を示す方式構成図である。継電器1は、同継電
器を精密に設定された位置にもたらしかつ同継電
器の接続端子用接触装置を有する撮影装置2上に
配置されている。本例による継電器はおよそ、西
独国特許出願第P3132239.5号明細書に記載されて
いるような構造を有する。第1図で継電器1はキ
ヤツプなしの平面図で図示し、主要部分が略示し
てある。平面基体3上には略示せるコイル4を有
するスプールブロツク(図示してない)があつ
て、前記コイル内で細長い接極子5がピボツトピ
ン6で旋回可能に支承されている。ピボツトピン
6は軸受部材7に形成されており、同部材は接極
子5と固定されていて接極子の両側にそれぞれ1
個の接点ばね8を有する。これらの接点ばね8は
調整のために用いられる厚い部分8aを有しかつ
同ばねの薄い自由端8bには、接極子の接続時に
2個の対向接触素子9及び10のうちの1個と選
択的に接触するそれぞれ1個の接触片を有する。
中央位置に図示してある接極子5は、その最終位
置で極板11又は12にそれぞれ選択的に接触す
る。
接極子の掴みを介して同接極子に固定結合され
た接点ばね8は、接極子のどの最終位置でも特定
のバイアス電圧を用いてその都度対向接触素子9
又は10に接触しなければならない。つまり接点
ばねは接極子の中央位置の場合には同様に接点ば
ねの両対向接触素子の間の中央位置になければな
らず、十分な接触力を得るためには前記接触素子
は、接極子がその最終位置に達する前にその都度
閉じられなければならない。接点ばね8が同ばね
の前記の相対位置に関し目標位置からずれる場合
には、同ばねは調整されなければならない。この
調整は、Nd:YAG(Neodym:Yttrium−
Aluminium−Gamet)−パルスレーザ装置によつ
て発振されるレーザパルス13を用いて行なわれ
る。該レーザ光13は、2軸に関して旋回可能の
1個の転向鏡15を介して接点ばね8の種々の点
に向けられうる。この点については後で詳述す
る。
接点ばね8の調整のためには先づ、目標値に対
する前記のずれ(偏差)を測定しなければならな
い。このために第1図によれば光学測定装置、例
えばCCD−カメラ16が設けられていて、同装
置によつて接極子5及び場合によつては接点ばね
8の位置が光学的に記録され、それから接点ばね
の目標位置からの偏差が検出されうる。得られた
像は測定装置16で評価され、この際接極子又は
場合により接点ばね8のその都度測定された位置
が比較装置VG1に供給され、そこで記憶装置SP
1に記憶された目標値と比較される。比較によつ
て偏差値が得られると、この偏差値が第二比較装
置VG2に供給され、そこで記憶装置SP2に記憶
された補正値と比較される。これらの補正値はそ
れぞれマトリツクス場の特定の点に対応してい
る、つまり接点ばね表面上の当該点を照射すると
接点ばねに対する相関補正値が得られる。比較装
置VG2によつて、総和において少なくとも測定
された偏差にほぼ一致する補正値に対応せるマト
リツク場の該当点が選択される。接点ばねの調整
が一方向でしか可能でない場合には、補正値は許
容範囲を考慮しても偏差の大きさを越えないよう
に保証されなければならない。選択されたマトリ
ツク点はもう1個の記憶装置SP3に投入され、
レーザ14の制御及び転向制御装置18を介する
転向装置15の制御のために用いられる。転向制
御装置18は鏡15を軸19及び軸20の周りに
旋回させるので、レーザ光13をその都度接点ば
ね8の選択された点21(第7図参照)に対して
調節することができる。
第7図は継電器1の側面図であつて、その接点
ばね8上には制御可能なマトリツクス点21が調
整領域(マトリツクス場)22中に描いてある。
本例では3×6の調整点21から成るマトリツク
スが図示してあり、接点ばね8の固定位置からの
個々の調整点の距離に応じて異なつた調整効果が
得られる。
個々の調整点21の制御のためには一定の出発
状態を得、ひいては大量生産で補正値を再現可能
にするために、第1図によれば補助的なパイロツ
トレーザ23が設けられていて、実際の調整過程
の前に活動される。エネルギーレーザ14に対し
て同一線上に配置された調整レーザー23のビー
ム24は、転向鏡15を介して接点ばね8の縁に
亘つて移動され、この際反射光が感光ダイオード
25によつて受光されて評価される。これによつ
て接点ばねの輪郭の状態が正確に検出され、相応
の信号により転向制御装置18に投入される。次
に転向鏡15も接点ばね輪郭によつて与えられた
零位置から出発して所望の調整点21に正確に向
けられうる。また接点ばねの零位置は受光装置2
5から例えば記憶装置SP3に投入され、そこで
選択されたマトリツクス点の座標に算入されう
る。
第2図は光学測定装置16を用いる接点ばね位
置の静的測定のための装置を示す。この静的測定
の場合には、接極子5を中央位置にもたらし、例
えば、機械的手段によつてその位置に固定させ
る。次に、接極子のこの中央位置で中央接点ばね
8も、それぞれの対向接触素子9及び10の間に
存在するかどうかが測定される。これは第3図に
おける線26に沿う光学的走査で十分である。光
学的信号撮像のためにはCCDダイオード列27、
対物レンズ28及びここでは詳細には図示してな
い評価エレクトロニクス29を有する市販の
CCDカメラが使用される。
測定のためには、定出力を有する光源(例えば
調節冷光源、照明ダイオード又はレーザダイオー
ド)の光が、接点ばね8及び接極子5を有する2
つの接点系を個々に照明するために、レンズ31
及び導光体束32及びその分裂端部32a,32
b及び32cを介して3つの測定位置に局所的に
分けられる。これは半導体カメラのコントラスト
の加減のために使用される。次に全測定範囲がレ
ンズ系によりCCD撮像素子列27上に結像され
る。その評価から、例えば第2図の図面のように
接極子5が中央位置にあるにもかかわらず接点ば
ねがそれぞれ対向接触素子9に接触していること
が判れば、接点ばねをレーザ光による照射によつ
て、同ばねが対向接触素子9及び10の間の中央
に存在するまで外側へと調整しなければならな
い。
しかし特に有利な測定方法は、測定プロセスの
際、接極子の位置が接点が開かれるか又は閉じら
れる瞬間ごとに測定されうるように継電器1を接
続する点にある。この動的測定方法のためには第
1図の装置においてコイル4に一方の極性の電圧
と他方の極性の電圧を交互に印加する開閉器S1
が設けられていて、その結果(有極)継電器1の
接極子は一回両方向に切換えられる。この際接点
の接続状態は導線17を介して撮像装置2で捕促
され、信号としてカメラ16に転送されうるの
で、接点の開放又は閉鎖の瞬間ごとに継電器の像
が撮影される。
前記の動的測定の原理は第4図乃至第6図で略
示してある。継電器は第2及び3図に図示したよ
うに構成されているとする。接極子5はそのピボ
ツト6の範囲で1又は2個の中央接点ばね8と固
定されておりかつ接極子の自由端5aをもつて両
極板11及び12の間で左右に接続されうる。第
4図は接極子の一方の最終位置における状態を示
し、この際接極子はその自由端5aをもつて極板
11に接触し、接点ばね8の接点8cは最大接触
力をもつて対向接触素子9に接触している。同時
に接点ばね8は著しく曲つている。この状態の場
合には接極子、つまりその縁5bの位置が測定さ
れる。
継電器を接続すると接極子5は継鉄から離れる
が、接点は接触力の減少にもかかわらずなお閉じ
ている(第5図参照)。この場合にもなお中央接
点ばねは僅かに曲つている。接極子が更に動く
と、接点8cが対向接触素子9からはずれ、従つ
て接点の開く時点が得られる。この接点の開放時
点はもう一つの像の撮影のために使用される。つ
まりこの際にもまた接極子、すなわちその縁5b
の位置が測定される(第6図)。第4図(接極子
接触)及び第6図(接点の開放)の接極子の両位
置の差から過剰行程が測定され、目標値と比較さ
れ、評価されて補正値が決定される。
第8図は継電器の対向面に配置された2個の接
点ばね8及び8′を調整するための装置を示す。
パルスレーザ14の光13は金属化された側面を
有するプリズム33により図示のように2軸の周
りに旋回可能の鏡20に向けられる。次にレーザ
光13は鏡20からレンズ系34を介してその都
度所望される接点ばね8上の調整点に集光され
る。さて対向する接点ばね8′を調整しようとす
る場合には、プリズム33を点線で表わした位置
33′に移動すると、レーザ光13は反対側面に
入射され、調整パルス13′として鏡20′及び集
光レンズ34′を介して接点ばね8′上に向けられ
る。従つて単一のパルスレーザー14を用いて2
個の接点ばね8及び8′を調整することができる。
第9図及び第10図はそれぞれ、調整すべき継
電器1及びここでは詳細に図示してない接点ばね
の位置を認知するための装置の正面図及び平面図
である。位置認知のためにはパイロツトレーザ2
3(第1図参照)、例えばヘリウム−ネオン・レ
ーザが用いられる。このレーザ光24は、プリズ
ム33(第8図)を介してまず転向鏡20に向け
られ、次は転向鏡20′に向けられ、そこから次
にレーザ光は初めの場合には継電器の左側に入射
し、二番目の場合には継電器の右側に入射し、そ
こでレーザ光は接点ばね8及び8′によつて反射
される。また継電器1のそばには2個のフオトダ
イオード25及び25′も配置されている。
Nd:YAGパルスレーザの光の同一線上を進行
するHe−Neレーザ光は、調整前に接点ばね8及
び8′の上縁を介して移動され、この縁の散乱光
がフオトダイオード25及び25′を用いて測定
される。フオトダイオードの特定の配置によつて
転向装置15(第1図)の座標に関する光の位置
の正確な測定が次の調整過程に関して保証されて
いる。
第11図は第8図とは若干変更されたレーザ光
の転向装置を示す。この場合には2個のレーザ1
4及び23の同一線上にある光が相互に垂直な2
軸の周りに旋回可能の転向鏡35a及び35bに
入射し、そこから2つの集光光学系36及び3
6′の1つに向けられる。前記の各光学系は、調
節ねじ38及び38′により調節可能のレンズ3
7及び37′を有する。レーザ光は集光光学系3
6又は36′から転向鏡39及び39′の1つに入
射し、そこから継電器1又は継電器の1側面の接
点ばね上に入射する。レンズ37又は37′の調
節によつてばね表面上の光の直径、ひいてはばね
上で得られる融解直径を変えることができる。し
かしこの系が一度調整されると、継電器の連続的
製造の場合調整レーザパルスはパルスエネルギ
ー、パルス幅及び集光直径に従つて不変であつ
て、それを基礎にして記憶された、個々のマトリ
ツクス点の補正値は再現可能である。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明よる継電器調整方法を実施する
ための装置の方式構成図、第2及び3図は調整前
の接点ばね位置の静的測定のための略示断面図、
第4,5及び6図は継電器の接続の際の接極子及
び接点ばねの位置を示す断面図、第7図は調整す
べき接点ばねを有する継電器の側面図、第8図は
第2図による継電器の調整装置の正面図、第9及
び10図は調整すべき接点ばねの位置認知のため
の装置のそれぞれ略示正面図及び平面図、第11
図はレーザ光転向装置及び調節可能の集光装置を
有する調整装置の他の実施例を示す略示正面図で
ある: 1……継電器、2……撮影装置、5……接極
子、8……接点ばね、9,10……対向接触素
子、14……エネルギーレーザ、15……転向
鏡、16……光学測定装置(CCD−カメラ)、2
0,20′……鏡、21……調整点(マトリツク
ス点)、22……調整領域(マトリツクス場)、2
3……パイロツトレーザ、25,25′……受光
装置、30……光源、32,32a,32b,3
2c……導光体束、33,33′……プリズム、
34,34′……レンズ系、36,36′……集光
光学系、VG1……第一比較装置、SP1……目標
位置記憶装置、VG2……第二比較装置、SP2…
…補正値記憶装置。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 特にレーザパルスによる局所的計量加熱によ
    つてその都度の接点ばねの限定的位置変化が得ら
    れることより成る、継電器の接点ばねの調整方法
    において、接点ばね表面上で選択可能のマトリツ
    クス場22の個々の点に関して、所定のパルスエ
    ネルギー、パルス幅及び焦点直径での熱パルスを
    用いる前記点の照射時に得られる接点ばね位置の
    補正値が記憶されており、調整すべき接点ばね8
    の位置が目標位置と比較されて測定されかつその
    偏差が検出され、同偏差が記憶された補正値と比
    較され、加算値がせいぜい前記偏差に等しくなる
    該当補正値が選択されかつ選択された補正値に相
    応する接点ばね表面上のマトリツクス点21が所
    定の熱パルスを発生させる装置を用いて制御され
    かつ照射されることを特徴とする継電器の接点ば
    ねの調整方法。 2 検出された偏差が所定の許容値を越える場合
    には、選択された点21の照射後に接点ばね8の
    位置が目標位置と比較されて再び測定されかつ再
    び補正値が選択されかつ相応の点が接点ばね表面
    上で照射される特許請求の範囲第1項記載の方
    法。 3 個々の調整点21が、単一の熱源14によつ
    て発生されたエネルギービームの光学的転向によ
    つて制御される特許請求の範囲第1項又は第2項
    記載の方法。 4 継電器の数個の接点ばね8,8′が単一の熱
    源14によつて発生されたエネルギービーム13
    の光学的転向によつて制御される特許請求の範囲
    第1〜3項のいづれか1項に記載の方法。 5 接点ばね8の自由端に調整過程の間エネルギ
    ービームの方向又は逆方向にバイアス電圧が印加
    されていることを特徴とする特許請求の範囲第1
    〜4項のいづれか1項に記載の方法。 6 接点ばね位置の測定のために接点ばねの自由
    端が並置された他の作用素子5と一緒に電気光学
    的撮像装置16により撮像れる特許請求の範囲第
    1〜5項のいづれか1項に記載の方法。 7 補正値の検出のために接点の開放及び/又は
    閉鎖の瞬間ごとに接極子5の位置が評価される特
    許請求の範囲第6項記載の方法。 8 接極子5が走査の瞬間にフラツシユを用いて
    照明される特許請求の範囲第7項記載の方法。 9 補正値の検出のためにその都度接極子5が中
    央位置にもたらされ、次に接点ばねの対向接触素
    子9,10に対する同ばねの相対位置が光学的に
    測定される特許請求の範囲第6項記載の方法。 10 熱源14及び光学的転向装置15の位置決
    定のために接点ばねの輪郭が受光装置25と連絡
    した光ビーム24を用いて走査される特許請求の
    範囲第1〜9項のいづれか1項に記載の方法。 11 走査のためには、熱パルスを発生させる第
    一レーザのビームと同一線上に配置されたビーム
    を有しかつ前記レーザよりも著しく小さいエネル
    ギーを有するパイロツトレーザ23が配置されて
    いる特許請求の範囲第10項記載の方法。 12 継電器において段階的に形成された断面を
    有する接点ばねが使用されかつ照射すべき点が、
    それぞれの接点ばねの接触自由端よりも厚い部分
    で選択される特許請求の範囲第1〜11項のいづ
    れか1項に記載の方法。 13 特にレーザパルスによる局所的計量加熱に
    よつてその都度の接点ばねの限定的位置変化が得
    られ、この際接点ばね表面上で選択可能のマトリ
    ツクス場の個々の点に関して、所定のパルスエネ
    ルギー、パルス幅及び集光直径での熱パルスを用
    いる前記点の照射時に得られる接点ばね位置の補
    正値が記憶されており、調整すべき接点ばねの位
    置が目標値と比較されて測定されかつその偏差が
    検出され、加算値がせいぜい前記偏差に等しくな
    る該当補正値が選択されかつ選択された補正値に
    相応する接点ばね表面上のマトリツクス点が所定
    の熱パルスを発生させる装置を用いて制御されか
    つ照射されることより成る継電器の接点ばねの調
    整方法を実施するための装置において、調整すべ
    き継電器1の位置決定のための撮影装置2、接極
    子5及び/又は接点ばね8の位置を走査するため
    の測定装置16、測定位置を記憶された目標位置
    SP1と比較して偏差値を形成するための第一比
    較装置VG1、マトリツク場の特定点に相関され
    た補正量を記録するための補正値記憶装置SP2、
    検出された偏差値及び記憶された補正量の伝送さ
    れる第二比較装置VG2、熱線パルス発生装置1
    4及び調整すべき接点ばね8の特定点21に対す
    る第二比較装置の出力信号に依存して調節可能の
    転向装置15から構成されることを特徴とする前
    記装置。 14 撮影装置2が継電器1の接続端子を接触さ
    せるための装置を包含する特許請求の範囲第13
    項記載の装置。 15 継電器1の励磁コイルに電圧を印加する開
    閉装置S1が設けられており、調整すべき接点ば
    ね8の接点の開放及び閉鎖時に測定装置16がレ
    リーズ可能である特許請求の範囲第14項記載の
    装置。 16 測定装置16として半導体撮像装置27,
    28,29が設けられていて、この際レンズ系2
    8を介して継電器の走査すべき範囲がCCD撮像
    素子列に結像される特許請求の範囲第13〜15
    項のいづれか1項に記載の装置。 17 光源30が設けられていて、その光が接触
    子及び接点ばねの位置の走査の間測定装置16に
    よつて導光体束32;32a,32b,32cを
    介して走査すべき継電器部分5,8に向けられる
    特許請求の範囲第15〜16項のいづれか1項に
    記載の装置。 18 比較装置VG1,VG2及び記憶装置SP1,
    SP2がマイクロコンピユーターによつて形成さ
    れている特許請求の範囲第13〜17項のいづれ
    か1項に記載の装置。 19 マトリツクス場22の個々の点を加熱する
    ためにパルスレーザ装置14が設けられていて、
    そのビームは2軸の周りに旋回可能の鏡装置15
    を介してマトリツクス場の個々の点に対して調節
    可能である特許請求の範囲第13〜18項のいづ
    れか1項に記載の装置。 20 熱線13の光路に調節可能の集光光学系3
    4,34′;36,36′が配置されている特許請
    求の範囲第19項記載の装置。 21 継電器撮影装置2の両側に各1個の鏡2
    0,20′が設けられておりかつレーザ光13の
    光路に調節可能な転向装置33が設けられてい
    て、同装置によつてレーザ光が一方の鏡又は他方
    の鏡20,20′に対して選択的に調節可能であ
    る特許請求の範囲第19項又は第20項記載の装
    置。 22 転向装置33が金属化側面を有する移動可
    能なプリズムを有する特許請求の範囲21項記載
    の装置。 23 熱発生レーザ14の他に、熱線13と同一
    線上にその光路が存在するもう1個のパイロツト
    レーザ23が設けられておりかつ継電器撮影装置
    2の他に、測定レーザ光の特定の反射時に転向装
    置15の零点決定のための信号を継電器撮影装置
    に対して発信する受光装置25,25′が設けら
    れている特許請求の範囲第13〜20項のいづれ
    か1項に記載の装置。
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