JPS5960935A - 継電器の接点ばねの調整方法及び装置 - Google Patents
継電器の接点ばねの調整方法及び装置Info
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- JPS5960935A JPS5960935A JP58155134A JP15513483A JPS5960935A JP S5960935 A JPS5960935 A JP S5960935A JP 58155134 A JP58155134 A JP 58155134A JP 15513483 A JP15513483 A JP 15513483A JP S5960935 A JPS5960935 A JP S5960935A
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
- H01H11/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of electric switches
- H01H11/04—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of electric switches of switch contacts
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
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-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01H2011/0075—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of electric switches calibrating mechanical switching properties, e.g. "snap or switch moment", by mechanically deforming a part of the switch, e.g. elongating a blade spring by puncturing it with a laser
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、特にレーデパルスを用℃・る局所的計量加熱
によってその都度の接点ばねの一定σ)位置変化か得ら
れることより成る継電器の接点ばねの調整方法に関する
。また本発明は同方法を実施するための装置に関する。
によってその都度の接点ばねの一定σ)位置変化か得ら
れることより成る継電器の接点ばねの調整方法に関する
。また本発明は同方法を実施するための装置に関する。
この種の方法は西独国特許出願公開第2918100号
明細書からずでに公知でちる。同明細書にはすでに1例
えばレーずパルスを用いることによって接点ばねの一定
のひずみ又は調整すべきその他の部分の得られることが
記載され−CL・る。また同明細書では、レ−ず光の適
用された融解部分の種々の形状を用いろことによって該
ばねの種々の大きさのひずみが検出されうろことも指摘
されている。最後にまたレーサ゛光の転向装置、例えば
鏡の使用もすでに記載されている。
明細書からずでに公知でちる。同明細書にはすでに1例
えばレーずパルスを用いることによって接点ばねの一定
のひずみ又は調整すべきその他の部分の得られることが
記載され−CL・る。また同明細書では、レ−ず光の適
用された融解部分の種々の形状を用いろことによって該
ばねの種々の大きさのひずみが検出されうろことも指摘
されている。最後にまたレーサ゛光の転向装置、例えば
鏡の使用もすでに記載されている。
本発明の課題は、前記技術水準から公知の原理を更に発
展させて、できるだけ迅速かつ簡単に継電器に敗f寸け
た接点ばねな精密に調整′j−ることのできる方法ケ創
作することであり、この際該方法は特に継電器の1業的
大量生、免に、招いて使用されうろことが一要求される
。更に本発明は前記方法ン実施1−るための装置を創作
することも目的とずろ。
展させて、できるだけ迅速かつ簡単に継電器に敗f寸け
た接点ばねな精密に調整′j−ることのできる方法ケ創
作することであり、この際該方法は特に継電器の1業的
大量生、免に、招いて使用されうろことが一要求される
。更に本発明は前記方法ン実施1−るための装置を創作
することも目的とずろ。
前記課題は本発明に2Lり一冒・jシミ−j載の種類の
方法を用い、接点ばね表面上で選択可能のマトリックス
場(Matrixfeld )の個々の点に関して、所
定のパル“71.1−不・し;℃ゞ−、パルス幅及び所
定の集光直径での熱パルス、特にレーデパルスを用いろ
前記点の照射時に得られる接点ばね位置の補正値が記憶
がイしており、調整−f−・−’−と接点ばねの位置が
目標位置と比較されて測定されかつその偏差が検出され
、同偏差が記憶された補正値と比較され、加算陳がせい
ぜい前記偏差に等しくなる該当補正値が選択されかつ選
択された補正値に4目応1−る接点ばね表面ヒのマトリ
ックス点が所定の熱パルス発生装置な用いて制御されか
つ照射されることによって解決される。
方法を用い、接点ばね表面上で選択可能のマトリックス
場(Matrixfeld )の個々の点に関して、所
定のパル“71.1−不・し;℃ゞ−、パルス幅及び所
定の集光直径での熱パルス、特にレーデパルスを用いろ
前記点の照射時に得られる接点ばね位置の補正値が記憶
がイしており、調整−f−・−’−と接点ばねの位置が
目標位置と比較されて測定されかつその偏差が検出され
、同偏差が記憶された補正値と比較され、加算陳がせい
ぜい前記偏差に等しくなる該当補正値が選択されかつ選
択された補正値に4目応1−る接点ばね表面ヒのマトリ
ックス点が所定の熱パルス発生装置な用いて制御されか
つ照射されることによって解決される。
従って本発明による方法の場合、各接点ばねについて特
有の形状を有する全く新しい、特有の照射点が同ばねの
所望の変形に応じて検出されて照射されるのではなく、
むしろ調整1−べき1−べての継′亀器又は接点ばねに
対して標準的マトリックス場が設けられていて、同マト
リックス場のどの点も熱線、特に所定のパルスエネルギ
ー、パルス幅及び集光直径を有1−ろレーデ光で照射さ
れうる。マトリック場のすべての点について許容tiJ
能な補正値がrめ特定さオしておりかつ出現するすべて
の調−整過程に関して記憶されているので、補正″1−
べき偏差を許容可能の補正値と比軟することによつ゛(
その都度マトリックス場の該当する点が選択され、これ
らの点をレーず光で照射することによって全体として所
望の補正が最適近1以C得られる。各レーサ゛パルスは
相応にjlil制御された接点ばねの点において特定の
角度変化を与えるので、接点はねの接点を有する自由端
の変動は、照射点が同ばねの固定位置に近はス・シば近
い程それだけ大きい。従って種々の点の選択及び照射に
よってマトリック場内では接点ばねの自由端の行程変動
よりも小さい補正値ど大き(・補正値が得られ、相a−
rcボ11合k>されうろ。またマトリックス場の二次
元的形成によって、接点ばねの彎曲す場合により2軸の
周りで行なうことも可能であって、これは例えば架橋接
点ばねの場合に該当する。レーずパルスで照射するに当
って選択可能の面積をマトリックス場の比較的少ない個
々の点に縮小することによって極めて迅速な選択及び制
御が可能になる、これは継電器の天童生産にとって決定
な利点である。
有の形状を有する全く新しい、特有の照射点が同ばねの
所望の変形に応じて検出されて照射されるのではなく、
むしろ調整1−べき1−べての継′亀器又は接点ばねに
対して標準的マトリックス場が設けられていて、同マト
リックス場のどの点も熱線、特に所定のパルスエネルギ
ー、パルス幅及び集光直径を有1−ろレーデ光で照射さ
れうる。マトリック場のすべての点について許容tiJ
能な補正値がrめ特定さオしておりかつ出現するすべて
の調−整過程に関して記憶されているので、補正″1−
べき偏差を許容可能の補正値と比軟することによつ゛(
その都度マトリックス場の該当する点が選択され、これ
らの点をレーず光で照射することによって全体として所
望の補正が最適近1以C得られる。各レーサ゛パルスは
相応にjlil制御された接点ばねの点において特定の
角度変化を与えるので、接点はねの接点を有する自由端
の変動は、照射点が同ばねの固定位置に近はス・シば近
い程それだけ大きい。従って種々の点の選択及び照射に
よってマトリック場内では接点ばねの自由端の行程変動
よりも小さい補正値ど大き(・補正値が得られ、相a−
rcボ11合k>されうろ。またマトリックス場の二次
元的形成によって、接点ばねの彎曲す場合により2軸の
周りで行なうことも可能であって、これは例えば架橋接
点ばねの場合に該当する。レーずパルスで照射するに当
って選択可能の面積をマトリックス場の比較的少ない個
々の点に縮小することによって極めて迅速な選択及び制
御が可能になる、これは継電器の天童生産にとって決定
な利点である。
調整時に得られる行程変動の再現性は、個々の各マトリ
ックス点について、特に接点ばね表面のその都度の状態
によって限定された特定の許容範囲を有しかつこれらの
許容範囲は加算されうるので、検出された偏差が所定の
許容値を越えると、選択された点の照射後に接点はねの
位置を目標位置と比リツしてrTJび測定しがっ場合に
よっては他の補正値を選択して接点はね表面上の相応の
点を照射するのが有利である。
ックス点について、特に接点ばね表面のその都度の状態
によって限定された特定の許容範囲を有しかつこれらの
許容範囲は加算されうるので、検出された偏差が所定の
許容値を越えると、選択された点の照射後に接点はねの
位置を目標位置と比リツしてrTJび測定しがっ場合に
よっては他の補正値を選択して接点はね表面上の相応の
点を照射するのが有利である。
接点ばね表面上のマl−IJツクス場の個々の点は単一
の熱源によって発生されたエネルギー線の光学的転向に
よって制御されうる。またこのエネルギー線、好ましく
はレーデ光によって継電器内の数個の接点はねも照射さ
れうる。
の熱源によって発生されたエネルギー線の光学的転向に
よって制御されうる。またこのエネルギー線、好ましく
はレーデ光によって継電器内の数個の接点はねも照射さ
れうる。
周知のように特定点の照射は、接点ばねがバイアス電圧
の印加なしに配置されている限り一前記の点を中心とす
る同ばねの彎曲を与える。
の印加なしに配置されている限り一前記の点を中心とす
る同ばねの彎曲を与える。
例えば接点ばねを一方の対向接点に接触させてバイアス
電圧を印加することによって、点の照射によって得られ
る同ばねの彎曲は強化されるか又はバイアス電圧が大き
いと反対方向に反転する。
電圧を印加することによって、点の照射によって得られ
る同ばねの彎曲は強化されるか又はバイアス電圧が大き
いと反対方向に反転する。
接点ばね位置の測定のためには、有利(Cは、接点ばね
の自由端及び/又は−測定方法に応じて一同自由端に並
置された継電器の作用素子、つまり一般には接極子を走
査する電気光学的撮影装置が使用される。すなわち例え
ば静的測定方法の場合機械的に固定された接極子の中央
位置では2個の対向接点の間の接点はねの中火位置が走
査さitかつこの位置からの偏差が?111定される。
の自由端及び/又は−測定方法に応じて一同自由端に並
置された継電器の作用素子、つまり一般には接極子を走
査する電気光学的撮影装置が使用される。すなわち例え
ば静的測定方法の場合機械的に固定された接極子の中央
位置では2個の対向接点の間の接点はねの中火位置が走
査さitかつこの位置からの偏差が?111定される。
動的測定、つまり接続運動中の接点はね位置の測定が特
に有利である。この場合には接点の開放又は閉鎖の瞬間
ごとに接極子位置が測定される。接点の開放又は閉鎖の
瞬間における接極子の位置と接極子の最終位置との間の
距離は、接触力を決定する過剰行程である。この際この
過剰行程は接点ばねの調整によって所定の量に調整され
ろ。この場合有利には接極子は電気光学的撮影の瞬間に
フラツ/ユを用いて照明されて、急速に動かされた部分
の高い位置精度か達成される。
に有利である。この場合には接点の開放又は閉鎖の瞬間
ごとに接極子位置が測定される。接点の開放又は閉鎖の
瞬間における接極子の位置と接極子の最終位置との間の
距離は、接触力を決定する過剰行程である。この際この
過剰行程は接点ばねの調整によって所定の量に調整され
ろ。この場合有利には接極子は電気光学的撮影の瞬間に
フラツ/ユを用いて照明されて、急速に動かされた部分
の高い位置精度か達成される。
更に熱源及びレーず光の光学的転向装置の位置決定のた
めには、調整開始前に接点ばねの輪郭を受光装置と関係
1−ろ光線を用いて走査1−るのが有利である。この走
査のためには、熱パルスを発生さぜろ第一レーずに対し
て同一線」二に配置されていて、同し−サ゛よりも著し
く小さいエネルギーを放射するもう1個のレーザ″を有
利に使用1−ろことかできる。
めには、調整開始前に接点ばねの輪郭を受光装置と関係
1−ろ光線を用いて走査1−るのが有利である。この走
査のためには、熱パルスを発生さぜろ第一レーずに対し
て同一線」二に配置されていて、同し−サ゛よりも著し
く小さいエネルギーを放射するもう1個のレーザ″を有
利に使用1−ろことかできる。
またはね調整のためには、接点ばねが変化する厚さを有
し、調整パルスで照射される部分は接触のために用いら
れろばねの自由端よりも厚℃・のが有利である。
し、調整パルスで照射される部分は接触のために用いら
れろばねの自由端よりも厚℃・のが有利である。
本発明による方法を実施づ−るための装置は有利にば、
調整1−べき継電器の位置決定のための撮影装置、接点
はね位置を走査するための411]定装置、接点はね位
置を記憶された目標位置と比較しかつ偏差値を形成する
ための第一比較装置、マトリックス場の特定の点に相関
された補正量を記憶するだめの補正値記障装置、検出さ
れた偏差値及び記憶された補正量か伝送される第二比較
装置、熱線パルス発生装置、特にレーザ゛及び調整すべ
き接点ばねの特定点に対する第二比較装置の出力信号に
依存して調節可能の転向装置を有する。
調整1−べき継電器の位置決定のための撮影装置、接点
はね位置を走査するための411]定装置、接点はね位
置を記憶された目標位置と比較しかつ偏差値を形成する
ための第一比較装置、マトリックス場の特定の点に相関
された補正量を記憶するだめの補正値記障装置、検出さ
れた偏差値及び記憶された補正量か伝送される第二比較
装置、熱線パルス発生装置、特にレーザ゛及び調整すべ
き接点ばねの特定点に対する第二比較装置の出力信号に
依存して調節可能の転向装置を有する。
この際撮影装置は、調整1−べき継電器を測定装置及び
レ−ず尤の転向装置に対して正しく位置決定するために
用いられる。また同撮影装置は、測定過程の同継電器を
制御し、接極子運動の間I渚測測定実施しうるためにも
使用されうろ。
レ−ず尤の転向装置に対して正しく位置決定するために
用いられる。また同撮影装置は、測定過程の同継電器を
制御し、接極子運動の間I渚測測定実施しうるためにも
使用されうろ。
この目的のために該撮影装置は継電器の接続端子を接触
させるだめの装置を包含する。この際開閉装置を介して
継電器の励磁コイルに電圧を印加することができ、調整
ずべき接点ばねの接点の開放又は閉鎖の際に前記測定装
置がしIJ −ズされる。
させるだめの装置を包含する。この際開閉装置を介して
継電器の励磁コイルに電圧を印加することができ、調整
ずべき接点ばねの接点の開放又は閉鎖の際に前記測定装
置がしIJ −ズされる。
一つの実施態様では測定装置として半導体撮像装置か使
用され、この際継電器の走査すべき範囲はレンズ系を介
してCCD撮像累子列に結像されろ。また静的走査の場
合の明暗のコントラストを鮮明にづ−ろために有利にブ
C源か設けられていて、その光は導光体束な介して走査
づ−ベき継電器部分に向けられろ。動的測定の場合には
走査の瞬間にフラツンユを形成づ−るためのストロボが
有利に使用される。
用され、この際継電器の走査すべき範囲はレンズ系を介
してCCD撮像累子列に結像されろ。また静的走査の場
合の明暗のコントラストを鮮明にづ−ろために有利にブ
C源か設けられていて、その光は導光体束な介して走査
づ−ベき継電器部分に向けられろ。動的測定の場合には
走査の瞬間にフラツンユを形成づ−るためのストロボが
有利に使用される。
比較装置及び記1意装置は有利にはマイクロプロセッサ
によって構成されて(・ろ。また熱エイ・ルギー源とし
ては有利な実施態様ではパルスレーサ゛装置が使用され
、そのビームは2軸の周りに旋回用能の鏡を介して調整
″″3−べき接点ばね」二のマトリックス場の個々の点
に対して調節可能である。また熱線又はレーず光の光路
には好ましくは調節目]能の集光光学系が配置されて(
・ろ。
によって構成されて(・ろ。また熱エイ・ルギー源とし
ては有利な実施態様ではパルスレーサ゛装置が使用され
、そのビームは2軸の周りに旋回用能の鏡を介して調整
″″3−べき接点ばね」二のマトリックス場の個々の点
に対して調節可能である。また熱線又はレーず光の光路
には好ましくは調節目]能の集光光学系が配置されて(
・ろ。
他の実施態様では継電器の撮影装置の両側に各1個の鏡
が設けられており、他方レーサ゛光又は熱線の光路には
調節可能の転向装置が設けられていて、同装置によって
光が一方又は他方σ)鏡に対して選択的に調節可能であ
る。該転向装置は有利には金属化1l(11面を何1−
る稼動可能のプリズムを有することができろ。
が設けられており、他方レーサ゛光又は熱線の光路には
調節可能の転向装置が設けられていて、同装置によって
光が一方又は他方σ)鏡に対して選択的に調節可能であ
る。該転向装置は有利には金属化1l(11面を何1−
る稼動可能のプリズムを有することができろ。
製造工場で調整の再現性を保証するためには、接点ばね
表面」二のマトリックス場の照射点を可及的に精密に位
置決定しなければならない。この目的のために本発明の
他の実施態様では熱発生装置の他に熱線と同一線上にそ
の光路が存在するもう1個の測定レーずならびに継電器
撮影装置の他に、測定レーサ゛光の特定の反射の際に転
向装置の零点決定のための信号な継電器撮影装置に対し
て送信1−る受光装置が設けられている。
表面」二のマトリックス場の照射点を可及的に精密に位
置決定しなければならない。この目的のために本発明の
他の実施態様では熱発生装置の他に熱線と同一線上にそ
の光路が存在するもう1個の測定レーずならびに継電器
撮影装置の他に、測定レーサ゛光の特定の反射の際に転
向装置の零点決定のための信号な継電器撮影装置に対し
て送信1−る受光装置が設けられている。
次に本発明を実施例に関し、図面により詳述する。
第1図は、継電器調整のための個々の装置の配置を示す
方式構成図である。継電器1は、同継電器を精密に設定
された位置にもたらしかつ同継電器の接続端子用接触装
置を有する撮影装置2上に配置されて(・る。本例によ
る継電器はおよそ、西独国特許出願第P′516223
9.5号明細書に記載されているような構造を有′1″
ろ。
方式構成図である。継電器1は、同継電器を精密に設定
された位置にもたらしかつ同継電器の接続端子用接触装
置を有する撮影装置2上に配置されて(・る。本例によ
る継電器はおよそ、西独国特許出願第P′516223
9.5号明細書に記載されているような構造を有′1″
ろ。
第1図で継電器1はキャップなしの平面図で図示し、主
要部分が略示しである。平面基体3上には略示ぜろコイ
ル4を有′1−ろスプールブロック(図示してない)が
あって、前記コイル内で細長(・接極子5がピボットキ
ン6で旋回可能に支承されている。ぎボットピン6は軸
受部拐7に形成されており、同部材は接極子5と固定さ
れていて接極子の両側にそれぞれ1個の接点ばね8を有
する。これらの接点はね8は調整のために用いられる厚
い部分8aを有しかつ同はねの薄い自由端8bには、接
極子の接続時に2個の対向接触素子9及び10りつうち
の1個と選択的に接触するそれぞれ1個の接触片を有す
る。
要部分が略示しである。平面基体3上には略示ぜろコイ
ル4を有′1−ろスプールブロック(図示してない)が
あって、前記コイル内で細長(・接極子5がピボットキ
ン6で旋回可能に支承されている。ぎボットピン6は軸
受部拐7に形成されており、同部材は接極子5と固定さ
れていて接極子の両側にそれぞれ1個の接点ばね8を有
する。これらの接点はね8は調整のために用いられる厚
い部分8aを有しかつ同はねの薄い自由端8bには、接
極子の接続時に2個の対向接触素子9及び10りつうち
の1個と選択的に接触するそれぞれ1個の接触片を有す
る。
中央位置に図示しである接極子5は、その最終位置で極
板11又は12にそれぞれ選択的に接触する。
板11又は12にそれぞれ選択的に接触する。
接極子の掴みを介して同接極子に固定結合された接点は
ね8は、接極子のどの最終位置でも特定のバイアス電圧
を用いてその都度対向接触素子9又は10に接触しなけ
ればならない。つまり接点はねは接極子の中央位置の場
合には同様に接点はねの両対向接触素子の間の中央位置
になければならず、十分な接触力を得るためには前記接
触素子は、接極子がその最終位置に達する前にその都度
閉じられなレフればならない。
ね8は、接極子のどの最終位置でも特定のバイアス電圧
を用いてその都度対向接触素子9又は10に接触しなけ
ればならない。つまり接点はねは接極子の中央位置の場
合には同様に接点はねの両対向接触素子の間の中央位置
になければならず、十分な接触力を得るためには前記接
触素子は、接極子がその最終位置に達する前にその都度
閉じられなレフればならない。
接点ばね8が同ばねの前記の相対位置に関I−目漂位置
からずれる場合には、同ばねは調整されなけれはならな
い。この調整は、Nd : YAO(Neodym :
Yttrium−Aluminium−Granat
)−パルスレーず装置によって発振されるレーデパル
ス13を用いて行なわれる。該レーず光13は、2軸に
関して旋回可能の1個の転向鏡15を介して接点ばね8
の種々の点に向けられうる。この点については後で詳述
する。
からずれる場合には、同ばねは調整されなけれはならな
い。この調整は、Nd : YAO(Neodym :
Yttrium−Aluminium−Granat
)−パルスレーず装置によって発振されるレーデパル
ス13を用いて行なわれる。該レーず光13は、2軸に
関して旋回可能の1個の転向鏡15を介して接点ばね8
の種々の点に向けられうる。この点については後で詳述
する。
接点ばね8の調整のためには先づ、目標値に対する前記
のずれ(偏差)を測定しなげればならない。このために
第1図によれば光学測定装置、例えばC0D−カメラ1
6か設けられて(・て、同装置によって接極子5及び場
合によっては接点はね8の位置か光学的に記録され、そ
れから接点ばねの目標位置からの偏差が検出されうる。
のずれ(偏差)を測定しなげればならない。このために
第1図によれば光学測定装置、例えばC0D−カメラ1
6か設けられて(・て、同装置によって接極子5及び場
合によっては接点はね8の位置か光学的に記録され、そ
れから接点ばねの目標位置からの偏差が検出されうる。
得られた像は測定装置16で評価され、この際接極子又
は場合により接点ばね8のその都度測定された位置か比
較装置VG1に供給され、そこで記憶装置sp1に記憶
された目標値と比較されろ。比較によって偏差値が得ら
れろと、この偏差値が第二比較装置VO2に供給され、
そこで記憶装置sp2に記憶された補正値と比較される
。これらの補正値はそれぞれマトリックス場の特定の点
に相関して℃・る、つまり接点はね表面上の当該点を照
射すると接点はねに対する相関補正値か得られろ。比較
装置VG2によって、総和において少なくとも測定され
た偏差にほぼ一致する補正値に相関されたマトリック場
の該光点が選択される。接点ばねの調整が一方向でしか
可能でない場合には、補正値は許容範囲を考慮しても偏
差の大きさを越えないように保証されなげればならない
。選択されたマトリック点はもう1個の記憶装置spろ
に投入され、レーザ14の制御及び転向制御装置18を
介する転向装置15の制御のために用(・られる。転向
制御装置18は鏡15を軸19及び軸20の周りに旋回
させるので、レーず光13をその都度接点はね8の選択
された点21(第7図参照)に対して調節することかで
きる。
は場合により接点ばね8のその都度測定された位置か比
較装置VG1に供給され、そこで記憶装置sp1に記憶
された目標値と比較されろ。比較によって偏差値が得ら
れろと、この偏差値が第二比較装置VO2に供給され、
そこで記憶装置sp2に記憶された補正値と比較される
。これらの補正値はそれぞれマトリックス場の特定の点
に相関して℃・る、つまり接点はね表面上の当該点を照
射すると接点はねに対する相関補正値か得られろ。比較
装置VG2によって、総和において少なくとも測定され
た偏差にほぼ一致する補正値に相関されたマトリック場
の該光点が選択される。接点ばねの調整が一方向でしか
可能でない場合には、補正値は許容範囲を考慮しても偏
差の大きさを越えないように保証されなげればならない
。選択されたマトリック点はもう1個の記憶装置spろ
に投入され、レーザ14の制御及び転向制御装置18を
介する転向装置15の制御のために用(・られる。転向
制御装置18は鏡15を軸19及び軸20の周りに旋回
させるので、レーず光13をその都度接点はね8の選択
された点21(第7図参照)に対して調節することかで
きる。
第7図は継電器1の側面図であって、その接点はね8上
には制御6J能な7トリツクス点21が調整領賊(マト
リックス場)22中に描℃・である。本例では6×6の
調整点21から成るマトリックスが図示してあり、接点
ばね8の固定位置からの個々の調整点の距離に応じて異
なった調整効果が得られる。
には制御6J能な7トリツクス点21が調整領賊(マト
リックス場)22中に描℃・である。本例では6×6の
調整点21から成るマトリックスが図示してあり、接点
ばね8の固定位置からの個々の調整点の距離に応じて異
なった調整効果が得られる。
個々の調整点21の制御のためには一定の出発状態を得
、ひいては大量生産で補正値を再現可能にするために、
第1図によれば補助的なパイロットレーザ゛23が設け
られていて、実際の調整過程の前に活動される。エネル
ギーレーザゝ14に対して同一線」二に配置された調整
レーザ゛−23ノヒーム24は、転向鏡15を介して接
点はね8の縁に亘って移動され、この際反射光が感光夕
゛イオード25によって受光されてJ゛]′洒される。
、ひいては大量生産で補正値を再現可能にするために、
第1図によれば補助的なパイロットレーザ゛23が設け
られていて、実際の調整過程の前に活動される。エネル
ギーレーザゝ14に対して同一線」二に配置された調整
レーザ゛−23ノヒーム24は、転向鏡15を介して接
点はね8の縁に亘って移動され、この際反射光が感光夕
゛イオード25によって受光されてJ゛]′洒される。
これによって接点はねの輪郭の状態が正確に検出され、
相応の1を号により転向制御装置418に投入される。
相応の1を号により転向制御装置418に投入される。
次に転向鏡15も接点ばね輪郭によって与えられた零位
置から出発して所望の調整点21に正確に向けられつる
。また接点はねの零位置は受光装置25がも例えば記憶
装置sp3に投入され、そこで選択されたマトリックス
点の座標に算入されうる。
置から出発して所望の調整点21に正確に向けられつる
。また接点はねの零位置は受光装置25がも例えば記憶
装置sp3に投入され、そこで選択されたマトリックス
点の座標に算入されうる。
第2図は光学測定装置16を用いる接点はね位置の静的
測定のための装置を示−1−、この静的測定の場合には
、接極子5を中央位置にもたらし、例えば機械的手段に
よってその位置に固定させる。次に、接極子のこの中央
位置で中央接点ばね8も、それぞれの対向接触素子9及
び100間に存在するかどうかが測定される。これは第
6図における線26に沿う光学的走査で上2である。光
学的信号撮像のためにはCODダイオード列27、対物
レンズ28及びここでは詳細には図示してない評@li
r−レクトロニクス29を有する市販のCCDカメラ
が使用される。
測定のための装置を示−1−、この静的測定の場合には
、接極子5を中央位置にもたらし、例えば機械的手段に
よってその位置に固定させる。次に、接極子のこの中央
位置で中央接点ばね8も、それぞれの対向接触素子9及
び100間に存在するかどうかが測定される。これは第
6図における線26に沿う光学的走査で上2である。光
学的信号撮像のためにはCODダイオード列27、対物
レンズ28及びここでは詳細には図示してない評@li
r−レクトロニクス29を有する市販のCCDカメラ
が使用される。
測定のためには、定出力を有する光源(例えば調節冷光
源、照明ダイオード又はレーサ゛ダイオード)の光が、
接点はね8及び接極子5を有する2つの接点系を個々に
照明するために、レンズ31及び導光体束32及びその
分裂端部32”+ 32b及び32cを介して6つの
測定位置に局所的に分けられる。これは半導体カメラの
コン;・ラストの加減のために使用されろ。次に全測定
範囲がレンズ系によりCCD撮像素子列27上に結像さ
れる。”その評価から、例えば第2図の図面のように接
極子5が中央位置にあ5にもかかわらず接点ばねがそれ
ぞれ対向接触素子9に接触していることが判れば、接点
ばねをレーず光による照射によって、同ばねか対向接触
素子9及び100間の中央に存在するまで外側へと調整
しなければならない。
源、照明ダイオード又はレーサ゛ダイオード)の光が、
接点はね8及び接極子5を有する2つの接点系を個々に
照明するために、レンズ31及び導光体束32及びその
分裂端部32”+ 32b及び32cを介して6つの
測定位置に局所的に分けられる。これは半導体カメラの
コン;・ラストの加減のために使用されろ。次に全測定
範囲がレンズ系によりCCD撮像素子列27上に結像さ
れる。”その評価から、例えば第2図の図面のように接
極子5が中央位置にあ5にもかかわらず接点ばねがそれ
ぞれ対向接触素子9に接触していることが判れば、接点
ばねをレーず光による照射によって、同ばねか対向接触
素子9及び100間の中央に存在するまで外側へと調整
しなければならない。
しかし特に有利な測定方法は、測定プロセスの際、接極
子の位置が接点か開かれるか又は閉じられる瞬間ごとに
測定されうろように継電器1を接続する点にある。この
動的測定方法のためには第1図の装置においてコイル4
に一方の陰性の電圧と他方の極性の電圧を交〃に印加づ
−る開閉器S1が設けられていて−その結果(有極)継
電器1の接極子は一回両方向(/i−切換えられる。こ
の際接点の接続状態は導線17を介して撮像装置2で捕
捉され、信号としてカメラ16に転送されつるので、接
点の開放又は閉鎖の瞬間ごとに継電器の1象が撮影され
る。
子の位置が接点か開かれるか又は閉じられる瞬間ごとに
測定されうろように継電器1を接続する点にある。この
動的測定方法のためには第1図の装置においてコイル4
に一方の陰性の電圧と他方の極性の電圧を交〃に印加づ
−る開閉器S1が設けられていて−その結果(有極)継
電器1の接極子は一回両方向(/i−切換えられる。こ
の際接点の接続状態は導線17を介して撮像装置2で捕
捉され、信号としてカメラ16に転送されつるので、接
点の開放又は閉鎖の瞬間ごとに継電器の1象が撮影され
る。
前記の動的測定の原理は第4図乃至第6図で略示しであ
る。継電器は第2及び6図に図示したように構成されて
いると1−る。接極子5はそのピボット6の範囲で1又
は2個の中央接点ばね8と固定されておりがっ接極子の
自由端5aをもって両極板11及び120間で左右に接
続されうる。第4図は接極子の一方の最終位置における
状態を示し、この際接極子はその自由端5aをもって極
板11に接触し、接点はね8の接点8cは最大接触力を
もって対向接触素子9に接触している。同時(・ζ接点
ばね8は著しく曲っている。この状態の場合には接極子
、つまりその縁5bの位置が測定される。
る。継電器は第2及び6図に図示したように構成されて
いると1−る。接極子5はそのピボット6の範囲で1又
は2個の中央接点ばね8と固定されておりがっ接極子の
自由端5aをもって両極板11及び120間で左右に接
続されうる。第4図は接極子の一方の最終位置における
状態を示し、この際接極子はその自由端5aをもって極
板11に接触し、接点はね8の接点8cは最大接触力を
もって対向接触素子9に接触している。同時(・ζ接点
ばね8は著しく曲っている。この状態の場合には接極子
、つまりその縁5bの位置が測定される。
継電器を接続すると接極子5は継鉄がら離れるが、接点
は接触力の減少にもがかわらずなお閉じている(第5図
参照)。この場合にもなお中央接点ばねは僅かに曲って
いる。接極子が丈に動くと、接点8cが対向接触素子9
がらはずれ、従って接点の開く時点が得られる。コノ接
点の開放時点はもう一つの像の撮影のために使用される
。つまりこの際にもまた接極子、′1−なわぢその縁5
bの位置が測定される(第6図)。
は接触力の減少にもがかわらずなお閉じている(第5図
参照)。この場合にもなお中央接点ばねは僅かに曲って
いる。接極子が丈に動くと、接点8cが対向接触素子9
がらはずれ、従って接点の開く時点が得られる。コノ接
点の開放時点はもう一つの像の撮影のために使用される
。つまりこの際にもまた接極子、′1−なわぢその縁5
bの位置が測定される(第6図)。
第4図(接極子接触)及び第6図(接点の開放)の接極
子の両位置の差から過剰行程が測定され、目標値と比較
され、評価されて補正値が決定される。
子の両位置の差から過剰行程が測定され、目標値と比較
され、評価されて補正値が決定される。
第8図は継電器の対向面に配置された2個の接点はね8
及び8′を調整するための装置を示す。
及び8′を調整するための装置を示す。
パルスレーず14の光13は金属化された側面を有する
プリズム33により図示のように2軸の周りに旋回oJ
龍の鏡2oに向けられる。次にレーず光13は鏡2oが
らレンズ系34を介してその都度所望されろ接点ばね8
上の調整点に集)記される。さて対向する接点はね8′
を調整しようとする場合には、プリズム33を点線で表
わした位置33′に移動すると、レーず光13は反対側
面に入射され、調整パルス13′として鏡20′及び集
光レンズ34′を介して接点ばね8′上に向げら1しる
。従って単一のパルスレーザ″−14を用いて2個の接
点はね8及び8′を調整することができる。
プリズム33により図示のように2軸の周りに旋回oJ
龍の鏡2oに向けられる。次にレーず光13は鏡2oが
らレンズ系34を介してその都度所望されろ接点ばね8
上の調整点に集)記される。さて対向する接点はね8′
を調整しようとする場合には、プリズム33を点線で表
わした位置33′に移動すると、レーず光13は反対側
面に入射され、調整パルス13′として鏡20′及び集
光レンズ34′を介して接点ばね8′上に向げら1しる
。従って単一のパルスレーザ″−14を用いて2個の接
点はね8及び8′を調整することができる。
第9図及び第1o図はそれぞれ、調整すべき継電器1及
びここでは詳1flllに図示してない接点はねの位置
を認知するための装置の正面図及び平面図で$) 7D
、1位(4認知のためにはパイロットレ−=j’23(
第1図参照)、例えばヘリウム−ネオン・レーずが用い
られる。このレーザ光24は、プリズム33(第8図)
ケ介してまず転向鏡20に向けられ、次は転向鏡20′
に向けられ、そこから次にレーず光は初めの場合には継
電器の左側に入射1−5二番目の場合には継電器の右側
に入射1〜、そこでレーず光は接点はね8及び8′によ
って反射されろ。また継電器1のそばには2個のフォト
ダイオード25及び25′も配置されている。
びここでは詳1flllに図示してない接点はねの位置
を認知するための装置の正面図及び平面図で$) 7D
、1位(4認知のためにはパイロットレ−=j’23(
第1図参照)、例えばヘリウム−ネオン・レーずが用い
られる。このレーザ光24は、プリズム33(第8図)
ケ介してまず転向鏡20に向けられ、次は転向鏡20′
に向けられ、そこから次にレーず光は初めの場合には継
電器の左側に入射1−5二番目の場合には継電器の右側
に入射1〜、そこでレーず光は接点はね8及び8′によ
って反射されろ。また継電器1のそばには2個のフォト
ダイオード25及び25′も配置されている。
Nd: YAGパルスレーずの光の同−a 、]二を進
行するHe−Neシレー光は、調整前((接点はね8及
び8′の上縁を介して移動され、この縁の散乱光がフォ
トダイオード25及び25′を用(・て測定さ、ltろ
。]第1・ダイオードの特定の配置によって転向装置1
5(第1図)の座標に関する光の位置の正確な測定が次
の調整過程に関して保1止されている。
行するHe−Neシレー光は、調整前((接点はね8及
び8′の上縁を介して移動され、この縁の散乱光がフォ
トダイオード25及び25′を用(・て測定さ、ltろ
。]第1・ダイオードの特定の配置によって転向装置1
5(第1図)の座標に関する光の位置の正確な測定が次
の調整過程に関して保1止されている。
第11図は第8図とは若干変更されたレー→ノ5光の転
向装置を示す。この場合には2個のレー・ず14及び2
3の同一線−Hにある光が相互に垂直な2軸の周りに旋
回可能の転向鏡35a及び35bに入射し、そこから2
つの集光毘学系36及び36′の1つに向けられる。前
記の各光学系は、調節ねじ38及び38′により調節可
能のレンズ37及び37′を有する。レーサ゛光は集光
光学系36又は36′から転向鏡39及び39′の1つ
に入射し、そこから継電器1又は継電器の1側面の接点
ばね上に入射する。レンズ37又は37′の調節によっ
てばね表面ヒの光の直径。
向装置を示す。この場合には2個のレー・ず14及び2
3の同一線−Hにある光が相互に垂直な2軸の周りに旋
回可能の転向鏡35a及び35bに入射し、そこから2
つの集光毘学系36及び36′の1つに向けられる。前
記の各光学系は、調節ねじ38及び38′により調節可
能のレンズ37及び37′を有する。レーサ゛光は集光
光学系36又は36′から転向鏡39及び39′の1つ
に入射し、そこから継電器1又は継電器の1側面の接点
ばね上に入射する。レンズ37又は37′の調節によっ
てばね表面ヒの光の直径。
ひいてはばね上で得られろ融解直径を変えろことができ
る。しかしこの系が一度調整されると。
る。しかしこの系が一度調整されると。
継電器の連続的製造の陽合調整し−サ゛パルスはパルス
エネルギー、パルス幅及び集光直径に従って不変であっ
て−それを基礎にして記憶された、個々のマl−IJツ
クス点の補正匝は再現nJ化である。
エネルギー、パルス幅及び集光直径に従って不変であっ
て−それを基礎にして記憶された、個々のマl−IJツ
クス点の補正匝は再現nJ化である。
第1図は本発明よる継電器調整方法を実施するだめの装
置の方式構成図、第2及び6図は調整前の接点はね位置
の静的測定のための略示断面図、第4.5及び6図は継
電器の接続の際の接極子及び接点ばねの位置を示す断面
図、第7図は調整すべき接点ばねな有する継電器の側面
図、第8図は第2図による継電器の調整装置の正面図、
第9及び10図は調整づ−ベき接点はねの位置認知のた
めの装置のそれぞれ略示正i/+j図及び平面図、第1
1図はレーず光転同装置及び調節可能の集光装置を有す
る調整装置の他の実施例を示−づ−路示正面図である第 1・・・継電器、2・・・撮影装置、5・・・接極子、
8・・・接点ばh、9,10・・・対向接触素子、14
・・・エネルギーレーず、15・・・転向鏡、16・・
・光学測定装置(ccD−カメラ)、20 、 20’
・・・鏡、21・・・調整点(マトリックス点)、22
・・・調整領域(マトリックス場)、23・・・パイロ
ットレ−ず、25,25’・・・受光装置、3o・・・
光源、32.32a、32b、32cm・・導光体束、
33゜33′・・・プリズム、34.34’・・・レン
ズ系、36゜36′・・・集光光学系、vGl・・・第
一比較装置、SPl・・・目標位置記憶装置、va2・
・・第二比較装置、sp2・・・補旧値記憶装置。
置の方式構成図、第2及び6図は調整前の接点はね位置
の静的測定のための略示断面図、第4.5及び6図は継
電器の接続の際の接極子及び接点ばねの位置を示す断面
図、第7図は調整すべき接点ばねな有する継電器の側面
図、第8図は第2図による継電器の調整装置の正面図、
第9及び10図は調整づ−ベき接点はねの位置認知のた
めの装置のそれぞれ略示正i/+j図及び平面図、第1
1図はレーず光転同装置及び調節可能の集光装置を有す
る調整装置の他の実施例を示−づ−路示正面図である第 1・・・継電器、2・・・撮影装置、5・・・接極子、
8・・・接点ばh、9,10・・・対向接触素子、14
・・・エネルギーレーず、15・・・転向鏡、16・・
・光学測定装置(ccD−カメラ)、20 、 20’
・・・鏡、21・・・調整点(マトリックス点)、22
・・・調整領域(マトリックス場)、23・・・パイロ
ットレ−ず、25,25’・・・受光装置、3o・・・
光源、32.32a、32b、32cm・・導光体束、
33゜33′・・・プリズム、34.34’・・・レン
ズ系、36゜36′・・・集光光学系、vGl・・・第
一比較装置、SPl・・・目標位置記憶装置、va2・
・・第二比較装置、sp2・・・補旧値記憶装置。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、 特にレーデパルスによる局所的計歇加熱によって
その都度の接点ばねの限定的位置変化が得られろことよ
り成る、継電器の接点ばねの調整方法において、接点ば
ね表面ヒで選択可能のマ) IJツクス場(22)’の
個々の点に関して、所定のパルスエネルギー、パルス幅
及び焦点直径での熱パルスを用いる前記点の照吋時に得
られる接点ばね位置の補正値が記憶されており一調整す
べき接点ばね(8)の位置が目標位置と比較されて測定
されかつその偏差が検出され、同偏差が記憶された補I
F値と比較され、加算値がせいぜい前記偏差Uこ等しく
なる該当補正値が選択されか−)選択されだ補旧値に相
応する接点ばね表i?ii l=の7トリツクス点(2
1)が盾定の熱パルスを発生させろ装置を用いて制御さ
れかつ照射されることを特徴とする継電器の接点はねの
調整方法。 2 検出された偏差が所定の許容値な越える場合には、
選択された点(21)の照射後に接点ばね(8)の位置
が目標位置と比較されて再び測定されかつ再び補IE値
が選択されかつイ目応の点か接点ばね表面上で照射され
ろ特許請求の範囲第1項記載の方法。 6、個々の調整点(21)が、単一の熱源(14)によ
って発生されたエネルギービームの光学的転向によって
制御される特許請求の範囲第1項又は第2項記載の方法
。 4 継電器の数個の接点ばね(8,8’)が単一の熱源
(14)によって発生されたエネルギービーム(13)
の光学的転向によって制御される特許請求の範囲第1〜
3拍の(・づれか1項に記載の方法。 5、接点ばね(8)の自由端に調整過程の間エネルギー
ビームの方向又は逆方向にバイアス′亀圧が印加されて
いることを特徴とする特ハヒ「請求の範囲第1〜4項の
いづれか1項に記載の方法。 6、接点ばね位置の測定のために接点ばねの自由端が並
置された他の作用素子(5)と−緒に電気光学的撮像装
置(16)により撮像れろ特許請求の範囲第1〜5項の
いづれか1項に記載の方法。 Z 補正値の検出のために接点の開放及び/又は閉鎖の
瞬間ごとに接極子(5)の位置が評価されろ特許請求の
範囲第6項記載の方法。 8、接極子(5)が走査の瞬間にフラッンユ乞用いて照
明されろ特許請求の範囲第7項記載の方法。 9 補正値の検出のためにその都度接極子(5)が中央
位置にもたらされ、次に接点はねの対向接触素子(9,
10)に対する同ばねの相対位置が光学的に測定される
特許請求の範囲第6項記載の方法。 10、熱源(14)及び光学的転向装置(15)の位置
決定のために接点ばねの輪郭が受光装置(25)と連絡
した光ビーム(24)を用いて走査される特許請求の範
囲第1〜9頓のいづれか1項に記載の方法。 1]、走査のためには、熱パルスを発生させる第一レー
ずのビームと同一線上に配ftされたビームを有しかつ
前記レーデよりも著しく小さいエネルギーを有するパイ
ロツトレーず(14)が配置されている特許請求の範囲
第10項記載の方法。 12、継電器において段階的に形成された断面を有ずろ
接点ばねが使用されかつ照射−J−べき点が、それぞれ
の接点ばねの接触自由端よりも厚い部分で選択される特
許請求の範囲第1〜11項のいづれか1項に記載の方法
。 16 特にレーずパルスによる局所的計量加熱によっ
てその都度の接点はねり限定的位置変化が得(しれ、こ
の際接点ばね表面旧で選択用能のマトリックス場の個々
の点に関して、所定のパルスエネルギー、パルス幅及び
集光直径での熱パルスを用いる前記点の照射時に得られ
る接点ばね位置の補正値が記憶されており、調整゛J−
べき接点ばねの位置が目標値と比較されて測定されかつ
その偏差が検出され、加算部がぜいぜい前記偏差に等し
くなる該当補正匝が選択されか・つ選択された補正値に
相応1−る接点ばね表面−Lのマ) IJックス点が所
定の熱パルスを発生させる装置を用いて制御されかつ照
射されることより成る継電器の接点ばねの調整方法を実
施するための装置におし・て、調整すべき継電器(1)
の位置決定のための撮影装置(2)、接極子(5)及び
/又は接点はね(8)の位置を走査するための測定装置
(16)、測定位置を記憶された目標位置(SPI)と
比較t7て偏差値を形成するための第一比較装置(VG
l)、マ1. IJツク場の特定点に相関されだ補J[
量を記録−ノーるための補正値記憶装置(SF3)−検
出された偏差値及び記憶された補正敏の伝送される第二
比較装置(VO2)、熱線パルス発生装置(14)及び
調整すべき接点ばね(8)の特定点(21)に対する第
二比較装置の出力信号に依存して調節可能の転向装置(
15)から構成されることを特徴とする前記装置。 14、撮影装置(2)が継電器(1)の接続端子を接触
させるだめの装置を包含ずろ特許請求の範囲第16項記
載の装置。 15、継電器(1)の励磁コイルに電圧な印加づ−る開
閉装置(Sl)が設けられており、調整すべき接点ばね
(8)の接点の開放及び閉鎖時に測定装置(16)がレ
リーズ可能である特許請求の範囲第゛14項記載の装置
。 16、測定装置(16)として半導体撮像装置(27,
28,29)が設けられていて、この際レンズ系(28
)を介して継電器の走査すべき範囲がOCDCD撮像副
子列像されろ翁Ht(″請求の範囲?、PJ13〜15
JJ′]の(・づれが1項に記載の装置。 1Z 光源(3o)が設けられていて、その光が接触子
及び接点はねの位置の走査の量測定装置(16)によっ
て導光体束(32; 32 a。 321)、32C)を介して走査すべき継電器部分(5
,8)に向けられる特許請求の範囲第15〜16項のい
づれか1順に記載の装置。 18 比較装置(VGl、VO2)及び記憶装置(SP
l、5P2)がマイクロコンピュータ−によって形成さ
れている特許請求の範囲第16〜17項のいづれか1項
に記載の装置。 19 7トリツクス場(22)の個々の点を加熱r″;
)l“、ユめυてパルスレーず装置(14)が設けられ
ていて、そのビームは2輔の周りに旋回可能の鏡装置(
15)を介してマトリックス場の個々の点に対して調節
可能である特許請求の範囲第16〜18項のし・づれか
1項に記載の装置。 20、熱線(13)の光路に調節可能の集光光学系(3
4,34’; 36. 36’)が配置されている特許
請求の範囲第19項記載の装置。 21、継電器撮影% 置(2)の両側に各1個の鏡(2
0,20’)が設けられておりかつレーサ゛光(13)
の光路に調節可能な転向装置(33)が設けられていて
、同装置&によってレーず光が一方の鏡又は他方の境(
20,20’)に対して選択的に調節可能である特許請
求の範囲第19項又は第20項記載の装置。 22、転向装置(33)が金属fヒ側面ヶ有する移動+
+J能なプリズムを有1−る特許請求の範囲第21項記
載の装置。 2ろ 熱発生レーず(14)の他に、熱線(13)と同
一線−ににその光路が存在するもう1個のパイロットレ
−+y〜(23)が設けられておりかつ継電器撮影装置
(2)の他に、測定レーず光の特定の反射時に転向装置
(15)の零点決定のための信号欠、篠屯罰撮影装置に
対1−て発信する受光装置(25,25’)が設けられ
ている特許請求の範囲第13〜20頂のいづれか1項に
記載(7)しξ1;1゜
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