JPH01312723A - 垂直磁気記録媒体及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明は、磁気記録の分野ぐこれま０以上の高記録密度
化を達成することのできる垂直磁気記録媒体及びその￥
Ｊ造方沫に関Ｊるものである。

（従来の技術〉 従来の垂直磁気記録媒体は、その磁性膜の垂直配向性を
向上させて磁気特性の改善を図るため。

磁気テープにおいては、ポリエチレンテレフタレートシ
ートを媒体基板とし、また、磁気ディスクにおいてはア
ルミ合金木板にＮｉＰのメツキを施し、これを研磨した
ものを媒体基板とし、このような媒体基板上にＴｉ、ｗ
ｌＭｏ、Ｎｂ、Ｇｅ等の下地膜、即ち核形成層を形成し
てから、その上に磁性膜としてのＣＯＣｒｍを形成する
方法が提案されている（例えば、特開昭６２−１０２４
１９号公報、ＩＥＥＥ　　’ｒｒａｎｓ、　ｏｎ　　Ｍ
ａｇ、　、　Ｍ△Ｇ２１−５．ｐ１４２６．１９８ｂ）
。

しかし、上述の下地層は、その作製方法、層の厚さなど
により、結晶性が異なるため、その上に形成するＣｏＣ
ｒ膜に所要の磁気特性を普遍的に付与することが困難で
あった。

また、ＱｏＱｒ膜の形成方法としては、磁気ディスクの
場合を例にとると、ＲＦスパッタ法が用いられてきた。

しかし、ＲＦスパッタ法は、基板がプラズマにさらされ
るため作製中の基板温度の管理が難しく、温度の影響を
最も受は易い磁気特性の制御が困難であった。

く発明が解決しようとする課題） 従来の垂直磁気記録媒体にお【ノる前述の下地層は、そ
の作製方法、層のＪ’Ｊｆさなどにより結晶性が？４な
るため、その上に形成するＣｏＣｒ膜に所要の磁気特性
を酋遍的に付与づることが困難であるという問題があっ
た。

また、磁性膜としてのＣｏＣｒ膜をＲＦスパッタ法で形
成しでいたため、ＣｏＣｒ１形成中の基板温度の管理が
難しく、温度の影響を最も受【ノ易い磁気特性の制御が
難しくなって、この点でしに　ｏ　Ｑ　ｒ膜に所要の磁
気特性を付）Ｊすることが困難であるという問題があっ
た。

本発明は上記事情に基づいてイ１されたもので、その［
］的どＪるところは、下地膜とそのｊｌさ及びその形成
ｌｉ法を限定覆ることににす、垂直磁化膜であるＣｏＣ
ｒ′膜の垂直配向性及び磁気特性を著しく改善すること
ができるとともに、信頼性を向上させることのできる垂
直磁気記録媒体及びその製造り法を提供Ｊることにある
。

［発明の構成１ 〈課題を解決するための手段） 上記課題を解決Ｊるために、第１の発明は、膜厚を１〜
１１００ｎとした六方晶系が支配的な１１下地股と、該
Ｔｉ下地膜上に形成したＣｏＣｒ膜とをｌｉすることを
要旨とする。

また、第２の発明は、基板上に、イオンビームスパッタ
法によりｒｉＦ地膜及びＣｏＣｒ膜を順次形成すること
を要旨とする。

（作用） 第１の発明では、ｌｉ下地膜の膜厚を１〜１１００ｎと
することにより、結晶が六方晶系に強く配向し、その上
に形成される垂直磁化膜としＣのＣｏＣｒ膜の垂直配向
性が向上して磁気特性が改善される。

第２の発明では、垂直磁化膜であるＣｏＣｒ膜の形成に
イオンビームスパッタ法を用いることにより、そのＣｏ
Ｃｒ１の磁気特性のｆ［，１ＩＩＩＩ囚子である基板温
度の制御が容易、正確となり、ＣｏＣｒ膜に所要の磁気
特性が付与される。

（実施例） 以下、本発明の実施例を第１図ないし第４図に基づいＣ
説明する。

まず、第１図を用いて、［ｉ下地膜及びＣｏＣｒ′膜を
形成するためのイＡ−ンビームスバッタ装置から説明づ
ると、排気系１により排気した一ｆ−ｔ−シバ２内ぐ、
イオンガン３からグリッド４を通ったアルゴンイオンの
ビーム５は、ターゲットホルダ６を回動さけることによ
り、Ｔ：ターゲット７、又ｔよＣｏＣｒターゲット８に
当り、Ｔｉ又はＣｏＣｒの粒子をスパッタして１Ａ根ホ
ルダ９に装荷した磁気ディスク用の桔板上に、［ｉ下地
膜及びＣｏＣｒ膜を順次堆積さぜるＪ、うになっている
。

第２図は、上述のイＡ−ンビームスパッタ装置により、
ｌ−ｉ下地膜を磁気ディスク用のＬ４　ｉ上に形成した
ときのその膜厚と、膜のＸ線回折分析の結果のうら六り
晶系の（００２）而からの強度＋００２と（０１０）面
からの強度１ｏ＋ｏの比との関係を示したものである。

］ｉ下地膜の作製条件は、加速電圧１ｋＶ、゛上流密度
０．３５ｍＡ／　ｃ　第２　、　ｊＪ＆Ｗ度１６０℃と
したものである。イオンご−ムスパッタ法による一Ｉ　
ｉ膜は、厚さが薄いほど（００２）而からの強度１ｏ　
０２が強く、厚くなるほど（０１０）面からの強度１０
ｏ１が増加する。

ＡＳｒＭカード（ｂ−０６８２＞によれば（００２）面
からの感度と（０１０）面からの感度の比は１００対３
０であるから、第２図において縦軸の強度の比（１００
２／＋００１）が３以上Ｃ（００２）面がより強く配向
しているといえる。

このことから、六方晶系に強く配向して垂直配向性の改
善されたｃｏｃｒｌｌを得るためには、１、ＯＯｎｍ以
下の薄いＴｉ下地膜上に堆積することが必要である。し
かし、１ｎｍ以下の膜厚を制御７ることは困難ぐあり、
また、ｌｎｍ以下では膜の結晶性が劣るため、Ｔｉ下地
膜の膜厚としては１〜１１００ｎであることが望ましい
。

第３図は、同じＴｉＦ地膜の（００２）而に関するロッ
キングカーブの半値幅Δθ５ｏと膜厚との１５１１係を
示す。この図から、−［ｉ下地膜の垂直配向性は５０〜
１１００ｎに極小値を持ち、それより薄くても厚くても
増加する傾向を示している。

このことからも、余り厚いＴｉ下地膜や薄すぎても配向
性が劣ることがわかる。

次に、第４図は、膜厚を異ならせたＴｉ下地膜上にＣｏ
Ｃｒ膜をイオンビームスパッタ法により加速電圧１　ｋ
Ｖ、電流密度０．３ｃｍ２、基板温度１６０℃の条件で
形成した時の、垂直磁化膜としてのそのＣｏＣｒ膜の垂
直方向及び水平方向の保磁力Ｈｃ上、Ｈｃ／／及びその
膜の水平方向のＲＨカーブの角形比Ｓ（１／／の変化を
示す。

この第４図から、Ｈｃ上は、Ｔｉ下地膜の膜厚１〜１０
００ｍの範囲でほぼ一定の６００　（Ｏｅ）、また、Ｈ
Ｃ／／　は１５０（Ｏｅ）以下の低い値となっている。

このことから、垂直磁気記録媒体をリング形ヘッドで記
録再生する場合、ヘッド磁界の水平成分が強調されない
から、より優れた垂直配向性を有する膜であるというこ
とができる。また、Ｃｏ　ＣｒＬｌの六方晶系が整いに
くい下地膜側の初期堆積層の厚さの尺度であるＳ（１〃
は、０゜１以下の低い値を示している。このことから本
実施例のＣｏＣｒ膜のｆｆ！直配直配厚付れていること
が分る。

以上の結果から、イオンビームスパッタ法により、基板
−Ｆに丁１１；地膜を厚さ１〜１１００ｎに形成し、そ
の上に垂直磁化膜であるＣｏＣｒ膜を形成すると、！！
！直配向性のよいｌｉＴ地膜上に垂直配向性のよいＣｏ
Ｃｒ１ｌｌが形成されるので、優れた磁気特性を有する
垂直磁気記録媒体を得ることができ、Ｆ＜　Ｆスパッタ
法を用いて形成した従来技術によるＣｏＣｒ垂直磁気記
録媒体と比較しＣ信頼性が高く、磁気特性の優れた乙の
となる。

［発明の効果１ 以上説明したように、第１の発明によれば、模ｊ９を１
〜１１００ｎとした六方晶系が支配的なＴｉ下地膜の上
に、垂直磁化膜であるＣＯＣｒ膜を形成したので、Ｃｏ
Ｃｒ膜の垂直配向性が向上して磁気特性を著しく改善す
ることがでさ゛るとともに信頼性を向上させることがて
・きるという利点がある。

また、第２の発明によれば、イオンビームスパッタ法に
より−「ｉ下地膜及びＣＯＣｒ膜を順次形成したのｒ、
ＣｏＣｒＲ１の磁気特性の１１ｔ１１因子である基板温
度の制御が容易、正確となって、垂直磁化膜であるＣｏ
Ｃｒ膜の磁気特性を所要の特性に最適化することができ
るという利点がある。

【図面の簡単な説明】

第１図ないし第４図は本発明に係る垂直磁気記録媒体及
びその製造方法の実施例を示すもので、第１図はＴ１下
地膜及びＣｏ　Ｃｒ膜の形成に適用するイオンビームス
パッタ装胃の一例を示す構成図、第２図は−ｒｉ下地膜
と、Ｘ線回折の（００２＞而と（０１０）面からの強度
比との関係を示す特性図、第３図はｒｉＦＩｌ！ｌ膜の
膜厚と（００２）面の［１ツキング力−ブの半値幅との
関係を示す特性図、第４図はＴｉ下地膜のｆｉ！岸とそ
の上に形成したｃｏｃｒ膜の磁気特性との関係を示す特
性図である。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）膜厚を１〜１００ｎｍとした六方晶系が支配的な
   Ｔｉ下地層と、該Ｔｉ下地膜上に形成したＣｏＣｒ膜と
   を有することを特徴とする垂直磁気記録媒体。
2. （２）基板上に、イオンビームスパッタ法によりＴｉ下
   地膜及びＣｏＣｒ膜を順次形成することを特徴とする垂
   直磁気記録媒体の製造方法。