JPS6387612A - 垂直磁気記録媒体 - Google Patents
垂直磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPS6387612A JPS6387612A JP23250486A JP23250486A JPS6387612A JP S6387612 A JPS6387612 A JP S6387612A JP 23250486 A JP23250486 A JP 23250486A JP 23250486 A JP23250486 A JP 23250486A JP S6387612 A JPS6387612 A JP S6387612A
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- Japan
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- film
- magnetic recording
- recording medium
- perpendicular magnetic
- co3o4
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、記録媒体面に対して垂直方向での残留磁化を
利用して信号の記録・再生を行う、いわゆる垂直磁気記
録方式において使用される垂直磁気記録媒体に関するも
のであり、特にＣｏ−Ｃｒ系垂直磁気記録媒体の保護膜
の改良に関するものであス 〔発明の概要〕 本発明は、Ｃｏ−Ｃｒ系垂直磁気記録媒体の保護膜とし
て、結晶配向度の高いＣｏ３Ｏ４膜を形成することによ
り、 耐久性に優れた垂直磁気記録媒体を実現するものである
。
利用して信号の記録・再生を行う、いわゆる垂直磁気記
録方式において使用される垂直磁気記録媒体に関するも
のであり、特にＣｏ−Ｃｒ系垂直磁気記録媒体の保護膜
の改良に関するものであス 〔発明の概要〕 本発明は、Ｃｏ−Ｃｒ系垂直磁気記録媒体の保護膜とし
て、結晶配向度の高いＣｏ３Ｏ４膜を形成することによ
り、 耐久性に優れた垂直磁気記録媒体を実現するものである
。
従来、例えばコンピュータの記憶媒体やオーディオテー
プレコーダ、ビデオテープレコーダ等の記録媒体として
使用される磁気記録媒体に対して記録再生を行うには、
基体上に被着形成される磁性層を基体面と平行な方１”
ｉ］ ４こ磁化（面内方向磁化）し、その面内方向での
残留磁化により記録再生を行うのが一般的である。
プレコーダ、ビデオテープレコーダ等の記録媒体として
使用される磁気記録媒体に対して記録再生を行うには、
基体上に被着形成される磁性層を基体面と平行な方１”
ｉ］ ４こ磁化（面内方向磁化）し、その面内方向での
残留磁化により記録再生を行うのが一般的である。
ところが、この面内方向磁化による記録の場合、記録信
号が短波長になるにつれ、すなわち記録密度が高まるに
つれ、媒体内の減磁界が増して残留磁束密度が減衰し、
再生出力が低下するという欠点を有する。
号が短波長になるにつれ、すなわち記録密度が高まるに
つれ、媒体内の減磁界が増して残留磁束密度が減衰し、
再生出力が低下するという欠点を有する。
そこでさらに従来、磁気記録媒体の磁性層の厚さ方向の
磁化により記録再生を行う垂直磁気記録方式が提案され
ており、この垂直磁気記録方式によれば記録波長が短波
長になるに従い減磁界が小さくなり、特に高密度記録に
おいて上述した面内方向磁化による記録よりも有利であ
ることから、盛んに研究が進められている。
磁化により記録再生を行う垂直磁気記録方式が提案され
ており、この垂直磁気記録方式によれば記録波長が短波
長になるに従い減磁界が小さくなり、特に高密度記録に
おいて上述した面内方向磁化による記録よりも有利であ
ることから、盛んに研究が進められている。
ところで、この種の記録方式に用いられる垂直磁気記録
媒体としては、高分子フィルム等の非磁性支持体上にＣ
ｏ−Ｃｒ系合金よりなる垂直磁化膜を記録層として形成
したものが知られているが、このＣｏ−Ｃｒ系垂直磁気
記録媒体は、そのままでは充分な耐久性がなく、保護膜
や潤滑剤が必要である。
媒体としては、高分子フィルム等の非磁性支持体上にＣ
ｏ−Ｃｒ系合金よりなる垂直磁化膜を記録層として形成
したものが知られているが、このＣｏ−Ｃｒ系垂直磁気
記録媒体は、そのままでは充分な耐久性がなく、保護膜
や潤滑剤が必要である。
この場合、保護膜は記録再生時のスペーシングロスを小
さくするため、膜厚が２００人程度板下で充分な耐久性
を示さなければならない。さらに、この保護膜は、下地
となるＣｏ−Ｃｒ系合金との接着性が良く、摩擦係数も
小さいという性質も必要で、その材料としては例えば特
開昭６１−９２４１８号公報等に記載されるように、Ｃ
ｏ３０ａ膜が有望視されている。
さくするため、膜厚が２００人程度板下で充分な耐久性
を示さなければならない。さらに、この保護膜は、下地
となるＣｏ−Ｃｒ系合金との接着性が良く、摩擦係数も
小さいという性質も必要で、その材料としては例えば特
開昭６１−９２４１８号公報等に記載されるように、Ｃ
ｏ３０ａ膜が有望視されている。
しかしながら、本発明者等がさらに検胴を加えた結果、
上述のＣｏ３０．膜は作成条件によって耐久性が異なり
、必ずしも保護膜として有用であるとは限らないことが
判明した。
上述のＣｏ３０．膜は作成条件によって耐久性が異なり
、必ずしも保護膜として有用であるとは限らないことが
判明した。
そこで本発明は、かかる実情に鑑みて提案されたもので
あって、Ｃｏ３Ｏ４膜の耐久性に関与する要因を解明し
、これにより耐久性に優れた垂直磁気記録媒体を提供す
ることを目的とする。
あって、Ｃｏ３Ｏ４膜の耐久性に関与する要因を解明し
、これにより耐久性に優れた垂直磁気記録媒体を提供す
ることを目的とする。
本発明者等は、Ｃｏ３Ｏ４膜の耐久性を向上せんものと
長期に亘り鋭意研究を重ねた結果、Ｃｏ３０．膜の結晶
性が耐久性に大きく関係しているとの知見を得るに至っ
た。
長期に亘り鋭意研究を重ねた結果、Ｃｏ３０．膜の結晶
性が耐久性に大きく関係しているとの知見を得るに至っ
た。
本発明は、このような知見に基づいて完成されたもので
あって、非磁性支持体上にＣｏ−Ｃｒ系垂直磁化膜が形
成されてなる垂直磁気記録媒体において、上記Ｃｏ−Ｃ
ｒ系垂直磁化膜上に反射高速電子線回折による（１１１
）面回折弧が１８度以内であるＣｏ３Ｏ４保護膜を形成
したことを特徴とするものである。
あって、非磁性支持体上にＣｏ−Ｃｒ系垂直磁化膜が形
成されてなる垂直磁気記録媒体において、上記Ｃｏ−Ｃ
ｒ系垂直磁化膜上に反射高速電子線回折による（１１１
）面回折弧が１８度以内であるＣｏ３Ｏ４保護膜を形成
したことを特徴とするものである。
すなわち、本発明者等は、Ｃｏ−Ｃｒ垂直磁化膜上に形
成されたＣｏ３Ｏ４保護膜の結晶性を調べるために、反
射高速電子線回折（ＲＨＥ Ｅ Ｄ）によって得られる
回折像を調べた。ここで、結晶性を評価する手段として
反射高速電子線回折を用いたのは、Ｘ線回折では試料の
膜厚が５０００人程度以上でないと測定が難しく、本発
明ではＣｏ−Ｃｒ垂直磁化膜表面に被着される膜厚１５
０〜２００人程度の非常度板いＣｏ３０．保護膜につい
て情報を得る必要があるからである。反射高速電子線回
折は、試料の表面をほとんど入射線に平行に置き、わず
かに傾けて電子ビームを表面に入射させて回折像を得る
というもので、試料の表面付近の極めて薄い膜について
のみ結晶性に関する情報を得ることができる。
成されたＣｏ３Ｏ４保護膜の結晶性を調べるために、反
射高速電子線回折（ＲＨＥ Ｅ Ｄ）によって得られる
回折像を調べた。ここで、結晶性を評価する手段として
反射高速電子線回折を用いたのは、Ｘ線回折では試料の
膜厚が５０００人程度以上でないと測定が難しく、本発
明ではＣｏ−Ｃｒ垂直磁化膜表面に被着される膜厚１５
０〜２００人程度の非常度板いＣｏ３０．保護膜につい
て情報を得る必要があるからである。反射高速電子線回
折は、試料の表面をほとんど入射線に平行に置き、わず
かに傾けて電子ビームを表面に入射させて回折像を得る
というもので、試料の表面付近の極めて薄い膜について
のみ結晶性に関する情報を得ることができる。
反射高速電子線回折では、第１図に示すような円弧状の
回折像が現れ、Ｃｏ＋Ｏｎ保護膜の（１１１）面の配向
性が良い場合には、回折弧θが小さくなる。
回折像が現れ、Ｃｏ＋Ｏｎ保護膜の（１１１）面の配向
性が良い場合には、回折弧θが小さくなる。
本発明者等の実験によれば、このＣｏ３Ｏ４保護膜の（
１１１）面の配向性が良（なるのに伴って耐久性が向上
することが判明した。そして、実用特性としてフロッピ
ーディスクドライブでの７０万パス以上の耐久性を得る
には、前述の回折弧θが１８度以下のＣｏｚＯ４膜を保
護膜として用いれば良いことがわかった。
１１１）面の配向性が良（なるのに伴って耐久性が向上
することが判明した。そして、実用特性としてフロッピ
ーディスクドライブでの７０万パス以上の耐久性を得る
には、前述の回折弧θが１８度以下のＣｏｚＯ４膜を保
護膜として用いれば良いことがわかった。
ところで、Ｃｏ−Ｃｒ系垂直磁気記録媒体においては、
記録波長が短くなるとスペーシング損失が大きくなるの
で、保護膜の膜厚はできるだけ小さくしなくてはならな
い。Ｃｏ３Ｏ４膜は、膜厚が小さくなると（１１１）面
の配向性が悪くなる。すなわち、（１１１）面回折弧の
角度θが大きくなり易い。
記録波長が短くなるとスペーシング損失が大きくなるの
で、保護膜の膜厚はできるだけ小さくしなくてはならな
い。Ｃｏ３Ｏ４膜は、膜厚が小さくなると（１１１）面
の配向性が悪くなる。すなわち、（１１１）面回折弧の
角度θが大きくなり易い。
したがって、膜厚が薄いＣｏ３０．膜の配向性を改良す
る必要があるが、かかる配向性を改良する方法としては
、例えば ■ 下地となるＣｏ−Ｃｒ爪面直磁化膜Ｃ軸配向度を良
くする方法、 ■ Ｃｏ、０４にＺｒ、 Ｃｒ、 Ｍｏ等の添加元素を
数％（ターゲットの面積比で４％程度）加える方法、■
スパッタガス中に酸素を１０膜程度混入する方法、 ■ 基板に入射するスパッタ原子を垂直入射に近づけＣ
ｏ：１０４膜厚を２００人程度板する方法、等が挙げら
れる。
る必要があるが、かかる配向性を改良する方法としては
、例えば ■ 下地となるＣｏ−Ｃｒ爪面直磁化膜Ｃ軸配向度を良
くする方法、 ■ Ｃｏ、０４にＺｒ、 Ｃｒ、 Ｍｏ等の添加元素を
数％（ターゲットの面積比で４％程度）加える方法、■
スパッタガス中に酸素を１０膜程度混入する方法、 ■ 基板に入射するスパッタ原子を垂直入射に近づけＣ
ｏ：１０４膜厚を２００人程度板する方法、等が挙げら
れる。
いずれの方法によってもＣｏ３０ｍ保護膜の（１１１）
面の配向性が向上し、Ｃｏ−Ｃｒ系垂直磁気記録媒体の
耐久性が飛曜的に向上する。
面の配向性が向上し、Ｃｏ−Ｃｒ系垂直磁気記録媒体の
耐久性が飛曜的に向上する。
Ｃｏ３Ｏ４保護膜においては、（１１１）面の配向性が
耐久性に大きく影響し、反射高速電子線回折による（１
１１）面回折弧が１８度以内であれば実用特性である７
０万パス以上が実現される。
耐久性に大きく影響し、反射高速電子線回折による（１
１１）面回折弧が１８度以内であれば実用特性である７
０万パス以上が実現される。
したがって、Ｃｏ：＋０４保護膜の（１１１）面が膜面
に平行となるような結晶配向を大きくすることにより、
Ｃｏ−Ｃｒ系垂直磁気記録媒体の耐久性が大幅に向上す
る。
に平行となるような結晶配向を大きくすることにより、
Ｃｏ−Ｃｒ系垂直磁気記録媒体の耐久性が大幅に向上す
る。
以下、本発明を具体的な実施例により説明する。
なお、本発明がこれら実施例に限定解釈されるものでな
いことは言うまでもない。
いことは言うまでもない。
実施例Ｉ
Ｃ０３０４保護膜の（１１１）面結晶配向度を良くする
ため、エピタキシャル成長の意味から下地のＣｏ−Ｃｒ
垂直磁化膜のＣ軸配向度は良いものが必要である。
ため、エピタキシャル成長の意味から下地のＣｏ−Ｃｒ
垂直磁化膜のＣ軸配向度は良いものが必要である。
そこで、Ｘ線回折法によるロッキングカーブ測定による
分散角Δθ、。−６，１５°のＣｏ−Ｃｒ垂直磁化膜上
にスパッタリングによりＣｏ３Ｏ４膜を膜厚１２０人で
形成した。
分散角Δθ、。−６，１５°のＣｏ−Ｃｒ垂直磁化膜上
にスパッタリングによりＣｏ３Ｏ４膜を膜厚１２０人で
形成した。
このように下地Ｃｏ−Ｃｒ膜のＣ軸配向度が良い媒体上
に形成したＣｏ３Ｏ４膜は、 （１１１）面回折弧の角
度θが１２°と良好で、また得られた磁気記録媒体の耐
久性は７８万パス（２２時間）であった。
に形成したＣｏ３Ｏ４膜は、 （１１１）面回折弧の角
度θが１２°と良好で、また得られた磁気記録媒体の耐
久性は７８万パス（２２時間）であった。
なお、得られた垂直磁気記録媒体の耐久性は、市販の３
．５インチマイクロフロッピーディスクドライブ（ソニ
ー社製、 ０Ａ−Ｄ３２Ｖ）を用いて評価した。
．５インチマイクロフロッピーディスクドライブ（ソニ
ー社製、 ０Ａ−Ｄ３２Ｖ）を用いて評価した。
耐久性の判断基準は、ＲＦ再生電圧が記録時の値（ＲＭ
Ｓ値）より３ｄＢ低下した時のバス数で示した。
Ｓ値）より３ｄＢ低下した時のバス数で示した。
実施例２
先の実施例１と同様の方法に従い、Ｚｒを面積比で３．
８％添加したＣｏ３Ｏ４ターゲットを用いてスパッタリ
ングを行い、Ｃｏ−Ｃｒ垂直磁化膜上にＣｏ３Ｊ膜を膜
厚１２０ 人で形成した。
８％添加したＣｏ３Ｏ４ターゲットを用いてスパッタリ
ングを行い、Ｃｏ−Ｃｒ垂直磁化膜上にＣｏ３Ｊ膜を膜
厚１２０ 人で形成した。
Ｃｏ３０ａ膜の（１１１）面回折弧の角度θは１１°と
良好で、得られた垂直磁気記録媒体の耐久性は８３万パ
ス（２４時間）であった。
良好で、得られた垂直磁気記録媒体の耐久性は８３万パ
ス（２４時間）であった。
実施例３
先の実施例Ｉと同様の方法に従い、Ｃｒを面積比で３，
８％添加したＣｏ３Ｏ４ターゲットを用いてスパッタリ
ングを行い、Ｃｏ−Ｃｒ垂直磁化膜上にＣｏ、０４膜を
膜厚１２〇 八で形成した。
８％添加したＣｏ３Ｏ４ターゲットを用いてスパッタリ
ングを行い、Ｃｏ−Ｃｒ垂直磁化膜上にＣｏ、０４膜を
膜厚１２〇 八で形成した。
Ｃｏ３Ｏ４膜の（１１１）面回折弧の角度θは１１”
と良好で、得られた垂直磁気記録媒体の耐久性は１９０
万パス（５４時間）であった。
と良好で、得られた垂直磁気記録媒体の耐久性は１９０
万パス（５４時間）であった。
実施例４
先の実施例１と同様の方法に従い、Ｍｏを面積比で３．
８％添加したＣｏ３０．ターゲットを用いてスパッタリ
ングを行い、Ｃｏ−Ｃｒ垂直磁化膜上にＣｏ３Ｏ４膜を
膜厚１２０人で形成した。
８％添加したＣｏ３０．ターゲットを用いてスパッタリ
ングを行い、Ｃｏ−Ｃｒ垂直磁化膜上にＣｏ３Ｏ４膜を
膜厚１２０人で形成した。
Ｃｏ、、Ｏ，膜の（１１１）面回折弧の角度θは１７゛
と良好で、得られた垂直磁気記録媒体の耐久性は１０
７万パス（３０時間）であった。
と良好で、得られた垂直磁気記録媒体の耐久性は１０
７万パス（３０時間）であった。
比較例１
Δθ５ｏ＝１０．４°と結晶配向性の悪いＣｏ−Ｃｒ垂
直磁化膜上に、スパッタリングによりＣｏ３０．膜を膜
厚１２０人で形成した。
直磁化膜上に、スパッタリングによりＣｏ３０．膜を膜
厚１２０人で形成した。
このときのＣｏ３Ｏ４膜の（ＩＩＩ）面回折弧の角度θ
は非常に大きく、測定することは不可能であった。
は非常に大きく、測定することは不可能であった。
すなわち、Ｃｏ３Ｏ４膜は配向性が非常に悪く、得られ
た垂直磁気記録媒体の耐久性は０．１万パス（０゜０３
時間）であった。
た垂直磁気記録媒体の耐久性は０．１万パス（０゜０３
時間）であった。
比較例２
先の実施例１と同様の方法に従い、Ｗを面積比で３．８
％添加したＣｏ３Ｏ４ターゲットを用いてスパッタリン
グを行い、Ｃｏ−Ｃｒ垂直磁化膜上にＣｏ３Ｏ４膜を膜
厚１２０人で形成した。
％添加したＣｏ３Ｏ４ターゲットを用いてスパッタリン
グを行い、Ｃｏ−Ｃｒ垂直磁化膜上にＣｏ３Ｏ４膜を膜
厚１２０人で形成した。
Ｃｏｃｏａ膜の（１１１）面回折弧の角度θは２６°と
悪く、得られた垂直磁気記録媒体の耐久性は４２万パス
（１２時間）であった。
悪く、得られた垂直磁気記録媒体の耐久性は４２万パス
（１２時間）であった。
以上の各実施例及び比較例の結果を次表にまとめて示す
。
。
表
また、この表に基づいて、Ｃｏ、、Ｏ，膜の（１１１）
面回折弧の角度θと得られる垂直磁気記録媒体の耐久性
の関係を調べた。結果を第２図に示す。なお、この第２
図において、各点実１．実２．実３．実４．比２は、そ
れぞれ実施例１．実施例２．実施例３．実施例４．比較
例２に対応している。
面回折弧の角度θと得られる垂直磁気記録媒体の耐久性
の関係を調べた。結果を第２図に示す。なお、この第２
図において、各点実１．実２．実３．実４．比２は、そ
れぞれ実施例１．実施例２．実施例３．実施例４．比較
例２に対応している。
その結果、耐久性を７０万パス以上（図中斜線で示す領
域）とするためには、Ｃｏ３０．膜の（１１１）面回折
弧の角度θを１８度以下（図中破線で示す位置よりも左
側）とすれば良いことがわかる。
域）とするためには、Ｃｏ３０．膜の（１１１）面回折
弧の角度θを１８度以下（図中破線で示す位置よりも左
側）とすれば良いことがわかる。
以上の説明からも明らかなように、本発明においては、
Ｃｏ−Ｃｒ系垂直磁気記録媒体の保護膜として反射高速
電子線回折による（１１１）面回折弧が１８度以内のＣ
ｏ３Ｏ４膜を形成しているので、耐久性が大幅に向上し
、工業的有用性は極めて大きいと言える。
Ｃｏ−Ｃｒ系垂直磁気記録媒体の保護膜として反射高速
電子線回折による（１１１）面回折弧が１８度以内のＣ
ｏ３Ｏ４膜を形成しているので、耐久性が大幅に向上し
、工業的有用性は極めて大きいと言える。
第１図は反射高速電子線回折による回折像を概略的に示
す模式図である。 第２図はＣｏ１Ｌ膜の（１１１）面回折弧の角度θと耐
久性の関係を示す特性図である。
す模式図である。 第２図はＣｏ１Ｌ膜の（１１１）面回折弧の角度θと耐
久性の関係を示す特性図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 非磁性支持体上にＣｏ−Ｃｒ系垂直磁化膜が形成されて
なる垂直磁気記録媒体において、 上記Ｃｏ−Ｃｒ系垂直磁化膜上に反射高速電子線回折に
よる（１１１）面回折弧が１８度以内であるＣｏ＿３Ｏ
＿４保護膜を形成したことを特徴とする垂直磁気記録媒
体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23250486A JPS6387612A (ja) | 1986-09-30 | 1986-09-30 | 垂直磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23250486A JPS6387612A (ja) | 1986-09-30 | 1986-09-30 | 垂直磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6387612A true JPS6387612A (ja) | 1988-04-18 |
Family
ID=16940362
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23250486A Pending JPS6387612A (ja) | 1986-09-30 | 1986-09-30 | 垂直磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6387612A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02306425A (ja) * | 1989-05-19 | 1990-12-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体 |
| CN103924290A (zh) * | 2014-04-16 | 2014-07-16 | 中国工程物理研究院化工材料研究所 | 用于高氯酸铵催化分解的Co3O4纳米薄膜的制备方法及应用 |
-
1986
- 1986-09-30 JP JP23250486A patent/JPS6387612A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02306425A (ja) * | 1989-05-19 | 1990-12-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体 |
| CN103924290A (zh) * | 2014-04-16 | 2014-07-16 | 中国工程物理研究院化工材料研究所 | 用于高氯酸铵催化分解的Co3O4纳米薄膜的制备方法及应用 |
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