JPH0131298B2 - - Google Patents

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JPH0131298B2
JPH0131298B2 JP56030431A JP3043181A JPH0131298B2 JP H0131298 B2 JPH0131298 B2 JP H0131298B2 JP 56030431 A JP56030431 A JP 56030431A JP 3043181 A JP3043181 A JP 3043181A JP H0131298 B2 JPH0131298 B2 JP H0131298B2
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slices
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Texas Instruments Inc
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Publication of JPH0131298B2 publication Critical patent/JPH0131298B2/ja
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    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • H10P72/30—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for conveying, e.g. between different workstations
    • H10P72/36—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for conveying, e.g. between different workstations using air tracks
    • H10P72/3604—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for conveying, e.g. between different workstations using air tracks the workpieces being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B65—CONVEYING; PACKING; STORING; HANDLING THIN OR FILAMENTARY MATERIAL
    • B65G—TRANSPORT OR STORAGE DEVICES, e.g. CONVEYORS FOR LOADING OR TIPPING, SHOP CONVEYOR SYSTEMS OR PNEUMATIC TUBE CONVEYORS
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    • B65G51/03—Directly conveying the articles, e.g. slips, sheets, stockings, containers or workpieces, by flowing gases over a flat surface or in troughs
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
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    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • C23C14/564—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases
    • C23C14/566—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases using a load-lock chamber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は作業ステーシヨンにおいて、半導体基
板の搬送および取り扱い方法に関するものであ
る。より詳細にいえば、減圧下で製造工程を実行
する作業ステーシヨンにおいて半導体基板の搬送
および取り扱い方法に関するもである。
電子部品の製造のさいに、半導体製品（スライ
ス）は複数個の作業ステーシヨンの間を順次に輪
送される。スライスが製造工程ラインの中を移動
していく時、スライスに短時間で処理工程を行な
うために、そして作業ステーシヨンの間でスライ
スが留まらないように、各作業ステーシヨンは各
スライスに別々の製造工程を実施する。典型的な
このような装置は「自動スライス処理」という標
題の米国特許第3765763号に記載されている自動
スライス処理装置である。この装置は大気圧下で
動作し、そしてスライスは圧縮ガスまたは圧縮空
気のクツシヨンに乗つて輸送される。今後これを
（スライスを輸送するのに用いられるガスの種類
に関係なく）「空気」トラツク装置と呼ぶことに
する。輸送されるべきスライスは非常に薄く、そ
して非常に壊れやすい。スライスの直径は約2.5
センチメートル乃至10センチメートル（約１イン
チ乃至４インチ）であり、そしてその厚さは約
0.5ミリメートル（20ミル）である。非常に薄く
て非常に壊れやすいうえに、各半導体スライスは
注意深く取扱う必要があり、スライスの主表面の
縁以外はすべて装置製造の間中損傷を与えてはな
らない。スライスの表面はまた個々の装置の製造
の間中清浄でなければならない。半導体スライス
を貯蔵しそして輸送するための機械装置はいくつ
か案出されており、例えば、「半導体スライスの
貯蔵および輸送装置」という標題の米国特許第
3507382号に記載されている。けれども、輸送機
械装置は部品の摩擦により処理工程において望ま
しくない粒子汚染を生ずる。
現在の半導体処理工程は1.0トール（1.0トール
＝1.0mm水銀柱＝0.019PSIA）以下の減圧力下で
行なう製造工程を必要とする。このような製造工
程の１つはプラズマ反応器を用いたものでそこで
はこのような半導体スライスの製造のさいに、半
導体基板上に高品質誘電体膜の反応性プラズマ沈
着およびエツチングが行なわれる。これらのプラ
ズマ反応器装置は、このような減圧力下（例えば
1.0トール以下）でそして300℃以上の温度で動作
することができる。けれども（前記米国特許第
3765763号に記載されているような）製造装置に
減圧力下のプラズマ反応器装置を用いる場合、記
載された製造装置は大気圧下においてのみ物品ま
たはスライスを輸送できる、そして、製造工程を
実行できるという問題がある。したがつて、作業
ステーシヨンの１つとしてプラズマ反応器装置を
用いるためにはプラズマ反応器作業ステーシヨン
を大気圧にする必要があるであろう。この時スラ
イスをピンセツトでつまむ（しばしばスライスを
壊す原因となる）とかプラズマ反応器作業ステー
シヨンの内部に装荷するためにスライス表面の作
業部分に接触しなくてはならない（これは又表面
損傷の原因となる）真空棒または他の真空装置を
用いるとかいつた手作業を作業員が行うであろ
う。反応器作業ステーシヨンへの装荷を手作業で
行うことは問題を生じ又欠点を生む。この欠点の
１つは前記記載のようにスライスそれ自身に損傷
を与える事である。このような手動操作はまた遅
く、したがつて製造工程ラインの処理量を小さく
する。製造工程ラインの処理量を小さくする他の
要因はプラズマ反応器装置が大気圧にされそして
開かれ、そして装荷され、そして減圧力にするた
めに排気されそれから装荷解除するために大気圧
に戻されなければならないという点である。反応
器の減圧された圧力から大気圧に戻しそれからス
ライスを再び処理するために減圧状態に戻すとい
うこのサイクルはかなりの時間を必要とし、その
ために製造工程ラインにわたつてのスライスの処
理量が減少する。さらに反応器容器に手動で装荷
するために反応器容器を大気圧に戻しそしてそれ
を大気に触れさせる時プラズマ反応器容器の中に
汚染が導入され、これは半導体スライスの製造工
程に影響を与える。したがつて作業ステーシヨン
またはプラズマ反応器容器が決して大気には触れ
ない装置を用いることが望ましい。ETシステム
はモデル4200プラズマ反応器装置を製造してい
る。この装置は空気ロツク装置を備えたプラズマ
反応器装置である。この空気ロツク装置内で回転
し、機械的にスライスを輸送するピボツト腕は、
１回に１つのスライスを、反応器に装荷しおよび
装荷解除する。LFE Inc、はモデル8000プラズマ
反応器を製造している。この反応器は空気ロツク
装置を備えていて、線形振動子で反応器に装荷し
および反応器から装荷解除する。AMTモデル
AVDのような他の作業ステーシヨンは重力およ
び振動供給器を備えた空気ロツク装置を有してい
る。これらの装置はすべて１回に１つのスライス
を装荷するという欠点をもつており、そして輸送
機械装置は処理段階において粒子汚染を生じると
いう欠点をもつている。
これまでの設計者は、減圧下にある物品を別の
製造工程ステーシヨンに輸送するのに、空気トラ
ツク型装置の利用に注意を向けなかつた。空気ト
ラツクは10トール以下のような非常に低い圧力の
下で用いうることに設計者は気が付かなかつた。
また、低圧の環境では、加工片またはスライスが
いつたん移動を始めると、それは加速される傾向
があり、したがつて、それを制御するのはむつか
しい。減圧された環境下で工程を実行するさいに
生ずる他の問題は製作物を停止させる装置を案出
することである。非常に低い圧力の中では、米国
特許第3717381号、第3976329号、第3797889号お
よび第3890508号に記載されているような真空ブ
レーキ製作物の運動を止めるのに有効でないであ
ろう。
したがつて、本発明の目的は、製造工程ライン
にわたつて、手動操作が介在することなく、半導
体基板を連続的にそして自動的に搬送および取り
扱うための方法をうることである。
本発明のなお別の目的は半導体基板を減圧され
た製造工程ステーシヨンの中へおよび前記ステー
シヨンから外へ、前記ステーシヨンを大気圧にさ
らすことなく、搬送および取り扱うための方法を
うることである。
本発明の他の目的は製造工程ステーシヨンにお
いて導入される汚染を減らすための方法をうるこ
とである。
本発明のなお別の目的は、電子部品のような物
品の製造を容易にしそしてコストを下げおよび製
造速度を大きくするために、物品を連続的にそし
て自動的に搬送および取り扱うための方法をうる
ことである。
作用及び実施例 すべての図面において、類似の部品には同じ参
照番号がつけられている。
第１図は本発明による製造ライン１０を示して
いる。この製造ライン１０は独立した複数個の作
業ステーシヨン１２，１４，１６から成つており
これらは輸送システムにより連続した順序に相互
接続される。複数個の製造段階を有しそして減圧
された条件下にある製造工程はいずれも本発明を
利用できるが、しかし、例示の目的のために、本
発明を半導体部品または半導体スライス１８の製
造に利用した場合を記載しよう。スライス１８は
スライス輸送空気（またはガス）トラツク２０に
よつて輸送される。このトラツクは、基本的には
床部２１内につくられた一列の小さな直径でしか
も角度をもつた穴２４を備えた案内路２２で構成
される。圧縮ガス（空気）源（図示されていな
い）は床部２１の穴２４を通して圧縮空気を噴出
させ案内路の表面上に圧縮空気のジエツトをつく
る。このジエツトにより、スライス１８は空気の
クツシヨンの上に保持され、そしてスライスは製
造ラインの中を案内路に沿つて移動する。従来の
空気トラツク輸送システムは米国特許第3717381
号に記載されている。
コンピユータ２５はこのシステムのスライス輸
送部に接続され、そしてこのシステムの各作業ス
テーシヨンへのスライスの移動および各作業ステ
ーシヨンからのスライスの移動を制御する。この
システム内の作業ステーシヨンは機械的工程、電
気的工程および化学的工程を行なう。コンピユー
タによつて実行されるタイミングシステム、順序
システムおよび制御システムは各作業ステーシヨ
ンによつて実行される各工程の開始、進行および
終了を制御する。このコンピユータのプログラム
は容易に変更でき、製造ラインにより実行される
製造工程を変えることができる。本発明に用いる
のに適当なコンピユータはテキサス、インスツル
メンツ、インコーポレイテツド社（ダラス、テキ
サス）により製造、販売されているモデルTI990
コンピユータである。
作業ステーシヨン１４は減圧下の工程であり、
例示の目的のために、この作業ステーシヨンはプ
ラズマ反応器である場合が示されている。プラズ
マ反応器は、製造中の半導体基板上に、高品質誘
電体膜の反応性プラズマ沈着およびプラズマエツ
チングを実行する。これらのプラズマ反応器は、
１トール以下の圧力および300℃のような高温度
で動作する。したがつて、プラズマ反応器１４で
広い温度範囲、広い圧力範囲を達成することがで
きる。
プラズマ反応器作業ステーシヨン１４は２つの
部分、すなわち、反応器上蓋３０と反応器下部３
２とで構成される。下部分３２の中には、最大21
個の処理用半導体スライスを保持する基板ホール
ダ３４がある。反応器下部３２には、電動機３６
に連結された駆動軸（図示されていない）が連結
されている。電動機３６は基板ホールダ３４を
360゜回転し、スライスをキヤリア３４に装荷した
りおよび装荷からはずしたりする。貯蔵装置また
は入口空気ロツク装置２６と反応器作業ステーシ
ヨン１４の下部３２との間に、入口中間室３８が
ある。中間室３８の中に、入口空気ロツク装置２
６内の空気トラツクシステム２０を基板ホールダ
３４に連結する滑動部がある。これは第２Ａ図に
よりはつきりと示されている。
この製造工程が実行されると、一連のスライス
は空気トラツク２０に沿つて、作業ステーシヨン
１２へ輸送される。少なくとも１つの製造工程段
階または複数個の製造工程段階が、作業ステーシ
ヨン１２において、これらの半導体スライスに対
し大気圧下で実行される。スライス１８に対する
作業ステーシヨン１２における製造工程段階が終
了すると、コンピユータ２５は圧縮空気源を作動
させ、そしてスライス１８を空気トラツクシステ
ム２０に沿つて移動させて、スライスを入口空気
ロツク装置２６に送る。
第２Ａ図は入口空気ロツク装置２６の立体部分
断面である。空気ロツク装置２６は２つの部分、
すなわち、上部容器４２と下部容器４４を有して
おり、これらは互に蝶番で取付けられている。こ
の入口空気ロツク装置は２つの機能を果す。すな
わち、(1)複数個の加工片を貯蔵する（例えば、入
口空気ロツク装置は21個の半導体スライスを保持
するであろう）、(2)空気ロツク装置２６は（第１
図に示されたプラズマ反応器作業ステーシヨンの
気圧と整合する気圧まで排気することができる。
第３Ａ図に示されているように、入口空気ロツク
装置２６は付加的空気トラツク部分４６を有して
いる。この付加空気トラツク４６は空気ロツク装
置２６の外にある空気トラツク２０と平行で同一
直線上にある。入口ゲート４８は最初開位置にあ
つて、スライスは下部容器４４の正面にある入口
開口部５０（第２Ａ図および第２Ｃ図）を通るこ
とができる。この開位置においては、入口ゲート
４４の頂部は空気トラツクシステムの頂部と同じ
高さにあつて、スライスはそれを越えて通過する
ことができる。入口空気ロツク装置の内部には、
空気トラツクシステムの表面上に配置された３つ
の容量性センサ５２，５４および５６（第３Ａ
図）がある。前記記載のように、圧縮空気源５８
は空気トラツクシステム２０および開口部２４に
圧縮空気を供給して、スライス１８を製造工程ス
テーシヨン間で輸送する。けれども、窒素源６０
は入口空気ロツク装置２６内のパイプ６２を通し
て圧縮窒素を供給する。ゲート４８が開かれる
時、ガス抜き弁６４が開かれ（それにより真空が
解消される）、そして弁６６が閉じ、それでわず
かに正の気圧をもつた窒素が供給パイプ６８を通
つて入口空気ロツク装置２６の内部を満たす。窒
素が空気ロツク装置の内部を満たすと、「窒素の
カーテン」が入口開口部５０を覆い、それによ
り、この容器内に不純物が入るのが防止され、そ
して極めて清浄な状態が保たれる。スライス１８
が外の空気トラツク２０から空気ロツク装置２６
の入口へ移動してきた時、外の空気トラツクシス
テム２０の圧縮空気は供給され続ける。けれど
も、スライス１８が容量性検知器５２に到達した
時、コンピユータ２５はこの検知器の状態を検知
し、そして空気トラツクの連続動作を止めさせ
る。コンピユータ２５は窒素源を作動させて空気
トラツクシステム４６に一連の窒素ガスのパルス
を噴出させ、スライスを容量性検知器５４を越え
て、容量性検知器５２と５６の間の位置、すなわ
ち、望ましい装荷位置に移動させる。この装荷工
程の間、出口ゲート７０は閉位置または上位置に
ある。このことにより、プラズマ反応器１４と中
間容器３８内の圧力を入口空気ロツク装置２６内
の圧力から隔離する。
第２Ａ図に示されているように、貯蔵装荷装置
７２により複数個のスライス７４が入口空気ロツ
ク装置２６に装荷するのを可能にする。貯蔵ホー
ルダ７６は２つの対向した溝列またはチヤンネル
列７７で構成されていて、この溝列の中にスライ
ス７４の端が空気トラツクによつて入る。装荷装
置７２の側壁７８は空気トラツク４６を取囲み
（第２Ａ図および第３Ｂ図を参照）、そして支持板
８２にあけられた細長い穴に入つている。空気ト
ラツク４６は、貯蔵装荷装置７２の側壁７８を収
容するために、８４のところで引つ込んでいる。
駆動軸８６が支持部品８２を通つており、そして
駆動軸電動機８８に連結されている。貯蔵装荷装
置７２にスライスが装荷される時、支持部品８２
が駆動軸８６および電動機８８と昇降ねじナツト
９０（第２Ｂ図を参照）により上方に駆動され
る。支持板８２には２本の案内棒９２が通つてい
て、支持板はそれに沿つて動く。２本の案内棒に
はそれぞれ上止め具９４および下止め具９６が取
付けられていて、貯蔵装荷装置７２の装荷時およ
び装荷解除時の支持板８２の運動を限定する。
入口空気ロツク装置２６内の付加空気トラツク
４６および外空気トラツク２０（第３Ａ図）は、
運転される時、貯蔵装荷装置７２にスライスを送
り込む。貯蔵装荷装置内の各位置にスライスが入
ると、電動機８８（第２Ａ図）が作動されて、支
持板８２と貯蔵装荷装置７２が１つの位置だけ上
方に駆動される。空気トラツクが再び作動され、
そしてもう１つのスライスが貯蔵装荷装置７２の
中に装荷される。処理されるべきすべてのスライ
ス７４が貯蔵装荷装置７２の中に入るまで、この
工程が続けられる。
貯蔵装荷装置７２が一杯になると、ソレノイド
弁９８がリンク仕掛１００により作動され、それ
により、入口ゲートを動かして入口開口部５０を
閉じる（第２Ｃ図）。第２Ａ図において、弁６６
が開かれそしてガス抜き弁６４が閉じられ、それ
により、真空ポンプ５９がパイプ６８により空気
ロツク容器に連結される。入口空気ロツク装置２
６内の圧力は、プラズマ反応器作業ステーシヨン
１４および中間容器３８内の減圧下の圧力、例え
ば7.5トールの圧力と整合した低圧にされる。こ
の２つの圧力が整合した時、ソレノイド弁１０２
は、リンク仕掛１０４を介して、空気ロツク装置
２６と中間室３８との間の出口ゲート７０を開
く。弁１０２と出口ゲート７０は、反応器作業ス
テーシヨン１４がスライスで装荷される時間内だ
け、作動されそして開かれる。第２Ａ図および第
３Ａ図は、複数個のスライス７４を容器２６から
反応器作業ステーシヨン１４へ輸送するための滑
り空気トラツクまたは可動空気トラツク１０６か
ら成る中間室３８を示している。第２Ａ図および
第３Ａ図は滑動台１０６が最も引つ込んだ位置に
ある場合を示している。滑動台１０６は、この位
置にある場合には、中間室３８内に完全に納つて
いる。ソレノイド弁１０８（第２Ｃ図）を作動さ
せることにより、リンク仕掛１１０を介して、滑
動台１０６は遮蔽器１１７（第２Ｃ図）を通つて
最も突き出た位置（第３Ｂ図をみよ）に移動させ
られる。滑動可能空気トラツクシステム１０６は
２つの部分、すなわち、固定部分１１４およびリ
ンク仕掛１１０（第２Ｃ図）に連結された可動部
１１６で構成される。最も突き出た位置におい
て、可動部１１６が最も突き出た位置に移動した
時に残される空間をカバー１１８が覆う。第２Ｃ
図に示されたこの最も突き出た位置において、滑
動可能空気トラツク１０６はスライス７４を貯蔵
装荷装置７２から反応作業ステーシヨン１４に輸
送することができる。可動空気トラツク１１６が
その最も引つ込んだ位置にある時（第２Ａ図）、
遮蔽器１１７は中間容器３８と作業ステーシヨン
１４との間の開口部を覆う。可動空気トラツク１
１６が突き出される時、それは遮蔽器を押し下
げ、そしてトラツク１１６を基板テーブル１２０
に取付ける。遮蔽器１１７はステーシヨン１４の
内部にガスが流入および流出するのを防ぎ、そし
て釣合のとれた気圧がえられて処理を中断するこ
となく進めることができる。
第４図および第５図は反応器作業ステーシヨン
１４内のスライス基板ホールダまたはスライス基
板テーブル１２０の詳細図である。基板テーブル
は３つの部分、すなわち、ベース部１２２とスペ
ーサ板１３４と第３の板１２８とで構成される。
ベース板１２２は２個スライス位置１３０および
１個スライス位置１３２をそれぞれ複数個有して
おり、これらの位置はそれぞれ溝または空洞１４
０ａ乃至１４６ｂを有している。スペーサ板１３
４は溝１４０ａ乃至１４０ｄの上にある開口部１
３６ａ乃至１３６ｄを有している。第３の板１２
８は４対の溝１２４ａ乃至１２４ｄを有し、およ
びそれらにあけられた対応する穴１４８乃至１５
２を有し、そしてこれらの穴を通してガスが送ら
れる時スライスを保持するジエツトおよびスライ
スを輸送するジエツトがえられる。ベース部１２
２は一般に円形をしている。
空洞１４０を通る加圧された流体（窒素）（空
洞１４０からの矢印で示されている）は、溝１４
０ａ（第５図）を通り、そしてスペーサの穴１３
６ａを通り、そして溝１２４ａと穴１４８を通つ
て窒素を送る。空洞１４２を通る加圧された窒素
は、溝１４２ａを通り、そしてスペーサの穴１３
６ｂを通り、そして溝１２４ｂと穴１５０を通つ
て流れる。空洞１４４を通る加圧された窒素は、
溝１４４ａを通り、そしてスペーサの穴１３６ｃ
を通り、そして溝１２４ｃおよび穴１５２を通つ
て流れる。空洞１４６を通る加圧された窒素は空
洞１４６ａを通り、そしてスペーサの穴１３６ｄ
を通り、そして溝１２４ｄおよび穴１５４を通つ
て流れる。
したがつて、スライスを基板ホールダ１２０の
内側位置に輸送するために、加圧された窒素ガス
を空洞１４４および１４０に供給することが必要
であり、それにより穴１５２および１４８からの
気体ジエツトがえられる。このことにより、スラ
イスはスライス１５６（第４図）で示された位置
に輸送される。加圧された窒素ガスを空洞１４４
だけに供給すると、穴１５２だけを流れる気体ジ
エツトのみが得られ、それにより、スライスを第
４図に示されたスライス位置１５８に輸送する。
独立な２組の光源がプラズマ反応器作業ステーシ
ヨン１４の上部部分３０（第１図）にあり、そし
てこれに対応する独立な２組の検知器が基板ベー
ス１２２の下にある。１組の光源とそれに対応す
る検知器はこの反応器システムにスライスが装荷
される時に用いられ、一方、他の組の光源とそれ
に対応する検出器はスライスの装荷を解除する時
に用いられる。
第５図には、光源１６０ａ乃至１６０ｄと検出
器１６２ａ乃至１６２ｄが示されている。空気ロ
ツク装置２６内のスライス７４が基板ホールダに
輸送される時、まず、スライスが基板テーブル
（第５図）上の光源１６０ａにつくられる第１光
ビームを遮断するまで、空気トラツクシステムに
窒素ガスが供給され続ける。もしスライスが基板
ホールダの外側位置（すなわち、第４図のスライ
ス１５８の位置）にだけ装荷されるべきであるな
らば、スライスは第１検出器１６２ａの位置で停
止し、それからスライス１５８が穴１７０を覆わ
なくなるまで、空気トラツクシステムは窒素ガス
を間欠的に噴出する。スライス１５８が穴１７０
を覆わなくなれば、光源１６０ａからの光は検出
器１６２Ａに入る。光源１６０ａおよび１６０ｃ
からの光がそれぞれ検出器１６２ａおよび１６２
ｃに入り、そして光源１６０ｂからの光がスライ
スで遮断されて検出器１６２ｂに入らない時、こ
のスライスは外側スライス位置に正しく配置され
ている。もしスライスが内側スライス位置に輸送
されるべきであるならば、スライスが穴１７４を
覆うまで（そして光源１６０ｃからの光を遮断す
るまで）さらに輸送され続ける。それから、スラ
イスが穴１７４は覆わないが穴１７６を覆うま
で、空気トラツクシステムがガスを間欠的に噴出
し、その結果、光源１６０ｃからの光が検出器１
６２ｃに入り、そして光源１６０ｄからの光は遮
断されて検出器１６２ｄに入らない。この状態は
スライスが内側スライス位置（第４図のスライス
位置１５６）に正しくあることを示す。したがつ
て、空気トラツクシステムにガスを間欠的に送る
ことにより、スライスの配置および位置を制御す
ることができる。
空気ロツク装置２６（第２Ａ図）内の貯蔵装荷
装置７２は、装荷解除のさい、電動機８８により
順次に下げられ、そして次々のスライスが空気ト
ラツクシステムに乗つて、次の基板ホールダ位置
に輸送される。基板テーブル内のそれぞれの位置
がスライスで満員になり、そして貯蔵装荷装置７
２が空になるまで、基板テーブル１２０が電動機
３６（第１図）により次々に回転される。空気ロ
ツク装置２６が空になつた時、出口ゲートソレノ
イド弁１０２（第２Ｃ図）が作動し、そしてリン
ク仕掛を通して出口ゲートを閉じる。さらに、弁
１０８およびリンク仕掛１１０（第２Ｃ図）が作
動して、滑動部１０６を第２Ａ図に示された引つ
込んだ位置に戻される。それからこれらのスライ
スの処理を実行することができ、または製造工程
が実行される前に圧力をさらに減少させることが
できる。ある半導体処理工程では、プラズマ反応
器１４内の容器が１トール以下、例えば0.7トー
ルの圧力にされることが必要である。
第１図において、プラズマ反応器作業ステーシ
ヨン１４内での処理工程が完了すると、スライス
の装荷を解除して、出口中間容器４０および出口
空気ロツク装置２８を通してスライスを取出すた
めに逆の工程を行なう。構造の点からいえば、入
口空気ロツク装置２６は出口空気ロツク装置２８
とほぼ同じであり、そして容器３８は中間出口容
器４０とほぼ同じである。１つのはつきりした違
いは、空気トラツク上の穴２４がプラズマ反応器
１４から外へスライスを保持し、輸送するような
角度と方向をもつて傾いていることである。穴１
５０および１５４（第４図）を通つて噴出する窒
素ガスにより、スライスがプラズマ反応器１４の
外へ保持され、輸送されるであろう。出口空気ロ
ツク装置の入口ゲートが閉じられ、そして出口空
気ロツク装置２８の容器内の圧力が反応器作業ス
テーシヨン１４内の圧力、例えば7.5トール、と
同じにされる。装荷および装荷解除のサイクルの
さいに約1.0トール乃至7.5トールの圧力を用いう
ることが実験的に決定された。この圧力よりも低
い場合には、スライスの移動を制御するのがむつ
かしく、そして空気トラツクシステムに供給され
るガスの間欠的噴出によりスライスが移動し過ぎ
ることがあつて、制御は困難となる。
この圧力は穴の直径、ガスの噴出速度、間欠的
噴出の持続時間等の物理的因子に依つて変わり、
そして必要な時に変更することができる。出口空
気ロツク装置２８内の圧力がプラズマ反応器１４
内の圧力と整合すると、出口空気ロツク装置の出
力ゲートが開き、可動滑動部が基板ホールダにま
で移動し、１回に１個のスライスが装荷解除され
る。貯蔵装荷装置が出口空気ロツク装置内に備え
られていて、基板テーブルが装荷解除されるまで
貯蔵装荷装置が上昇する。出口空気ロツク装置の
装荷工程が完了すると、出口ゲートが閉じ、滑動
可能空気トラツクが引つ込み、そしてそれから出
口空気ロツク装置２８の内部が大気圧にされる。
極めて清浄な状態を保つために、高純度窒素ガス
が出口空気ロツク装置内の雰囲気として用いられ
る。大気圧になると、入口ゲートが開き、そして
空気トラツクシステムによりスライスが１回に１
個ずつ出口空気ロツク装置から運び出される。１
つ１つのスライスが装荷解除される時、貯蔵装荷
装置は次々に下つていき、このことは貯蔵装荷装
置が空になるまで続く。
上述の実施例では減圧環境下において物品の運
動を制御された方式で停止させるための方法と装
置が開示されています。
本発明は特定の方法と装置に基づいて示された
けれども、本発明の特許請求の範囲内において多
くの変更のなしうることは明らかであろう。
発明の効果 本発明は、上述のように構成されているので、
以下に記載されているような効果を奏する。
空気ロツク装置内に複数の半導体用基板を重ね
て貯蔵することにより半導体用基板を連続的にそ
して手動操作が介在することなく減圧下で製造工
程を実行する作業ステーシヨンへ装荷できる。
そして、空気ロツク装置に入口と出口のゲート
を設け、空気ロツク装置と作業ステーシヨンの気
圧を整合した後に、減圧下である作業ステーシヨ
ンへ半導体用基板を装荷する時に導入される汚染
を減らすことができる。
以上の説明に関連して更に次の項を開示する。
(1) おのおのが少なくとも１つの製造工程を実行
し、およびそれらのうちの少なくとも１つが減
圧下で工程を実行する複数個の作業ステーシヨ
ンと、 大気圧下でおよび減圧下でそれらから物品を
装荷するおよび装荷解除するために前記減圧作
業ステーシヨンに連結された貯蔵装置と、 前記貯蔵装置と前記減圧作業ステーシヨンと
の間で前記物品を減圧下で輸送するためのガス
輸送装置とを有する物品の製造工程ライン。
(2) 第１項において、前記ガス輸送装置が案内路
と、前記案内路の間の床部と、前記床部を通し
て物品を保持し推進する複数個のガスジエツト
を噴出するために前記床部内の製造工程ライン
に沿つて配置された装置とで構成される、前記
製造工程ライン。
(3) 第２項において、製造工程ラインに沿つて配
置された前記装置が傾斜した複数個の穴で構成
される、前記製造工程ライン。
(4) 第１項において、前記物品が半導体スライス
である、前記製造工程ライン。
(5) 第１項において、前記貯蔵装置が前記物品を
装荷するおよび装荷解除するための入口ゲート
および出口ゲートを有する空気ロツク装置で構
成される、前記製造工程ライン。
(6) 第５項において、前記空気ロツク装置が 前記空気ロツク装置の中へおよび前記空気ロ
ツク装置から外へ前記製作物を輸送するために
前記入口ゲートおよび前記出口ゲートを貫通し
ているガストラツク装置と、 複数個の物品を装荷するためにおよび装荷解
除するために前記ガストラツクと関連して動作
する物品装荷装置とをさらに有する、前記製造
工程ライン。
(7) 第６項において、前記装荷装置が 前記ガストラツクの対向する側面上の１対の
壁と、 複数個の物品を装荷するために前記壁に取付
けられた装置と、 前記物品装荷装置が装荷される時および装荷
解除される時前記装荷装置を上昇させるおよび
降下させる駆動装置とで構成される、前記製造
工程ライン。
(8) 第６項において、前記壁に取付けられた前記
装置が複数個の溝を有する構造体で構成され
る、前記製造工程ライン。
(9)(イ) 第１ゲートおよび第２ゲートを有する容器
と、 (ロ) 前記ゲートを開くためのおよび閉じるため
の装置と、 (ハ) 物品を前記第１ゲートの中へおよび前記第
２ゲートから外へガスの保持および推進ジエ
ツトで輸送するためのガス輸送装置と、 (ニ) 前記物品を貯蔵するために前記容器の中に
ありそして前記ガス輸送装置を部分的に取り
囲んでいる貯蔵装荷装置と、 (ホ) 前記容器内の圧力を予め定められた減圧力
にするために前記容器に接続された装置とを
有する、物品を減圧下で装荷するおよび装荷
解除する装置。
(10) 第９項において、物品が装荷される時および
装荷解除される時前記装荷装置を移動させる動
力源に前記貯蔵装荷装置が連結されている、前
記装置。
(11) 第10項において、前記貯蔵装荷装置が上昇す
ることと降下するようになつている、前記装
置。
(12) 第９項において、前記ガス輸送装置が長い床
と、前記床の対向する側辺に配置された案内部
品とで構成される、前記装置。
(13) 第12項において、前記貯蔵装荷装置が前記
物品を装荷するために前記物品の精確な位置を
検知する検出器を前記床内に有する、前記装
置。
(14) 第９項において、前記物品を精確に輪送し
および精確に停止するために前記ガス輸送装置
がガスを間欠的に噴出するようになつている、
前記装置。
(15) 第９項において、前記貯蔵装荷装置が物品
を貯蔵するための溝を有する、前記装置。
(16) 第11項において、前記貯蔵装荷装置のため
の基板である支持板と、前記装荷装置を動かす
ために前記支持板に連結された駆動軸および電
動機とを有する、前記装置。
(17) 第９項において、前記ガス輸送装置が前記
作業ステーシヨンに連結するためのおよび連結
を解除するための滑動可能部品を有する、前記
装置。
(18) 減圧下で加工片に製造工程を実行する作業
ステーシヨンと、 前記減圧下で前記加工片を貯蔵するために前
記作業ステーシヨンと関連して動作する貯蔵装
置と、 前記加工片を前記貯蔵装置と前記作業ステー
シヨンとの間で移動させるためのガス輸送装置
とを有し、製造工程ラインにおいて減圧下で動
作する加工片取扱いおよび輸送装置。
(19) 第18項において、前記ガス輸送装置が複数
個の加工片に加圧されたガスの保持および推進
ジエツトを向けるための装置を有する、前記加
工片取扱いおよび輸送装置。
(20) 第19項において、前記ジエツトを方向づけ
する前記装置が加圧されたガスの間欠的噴射を
行なうようになつている、前記加工片取扱いお
よび輸送装置。
(21) 第18項において、前記貯蔵装置が前記加工
片を収納するための空気ロツク装置と、前記空
気ロツク装置内の圧力を前記減圧力と大気圧と
の間で上昇させるためのおよび降下させるため
の装置とを有する、前記加工片取扱いおよび輸
送装置。
(22) 第19項において、前記ガス輸送装置が前記
加工片を前記貯蔵装置と前記作業ステーシヨン
との間で輸送するために前記貯蔵装置から前記
作業ステーシヨンにわたつて滑動可能な部品を
さらに有する、前記加工片取扱いおよび輸送装
置。
(23) 第18項において、前記製造工程が完了した
後前記加工片を前記減圧力下で受取るために前
記作業ステーシヨンに連結された第２貯蔵装置
と、 完成した前記加工片を前記第２作業ステーシ
ヨンと前記第２貯蔵装置との間で移動させるた
めの第２ガス輸送装置とをさらに有する、前記
加工片取扱いおよび輸送装置。
(24) 大気圧下で貯蔵装置に加工片を装荷する段
階と、 前記貯蔵装置の圧力を予め定められた減圧力
まで降下させる段階と、 予め定められた前記減圧力にまで排気された
前記貯蔵装置と製造工程作業ステーシヨンとの
間で前記加工片をガス輸送装置で輸送する段階
とを有する減圧力下で加工片を製造工程作業ス
テーシヨンに輸送する、輸送および取扱い法。
(25) 第24項において、前記ステーシヨンで前記
加工片についての少なくとも１つの製造工程段
階を完了する段階と、 前記完成した加工片を前記作業ステーシヨン
から第２貯蔵装置へ前記減圧力下でガス輸送装
置で輸送する段階とをさらに有する減圧力下で
加工片を製造工程作業ステーシヨンに輸送す
る、輸送および取扱い法。
(26) 第25項において、前記第２貯蔵装置内の容
積を前記作業ステーシヨンの圧力から隔離する
段階と、 前記第２貯蔵装置内の圧力を前記減圧力から
大気圧まで上昇させる段階と、 前記第２貯蔵装置から前記製作物を装荷解除
する段階とをさらに有する方法。
(27) 第24項において、前記加工片の位置を精確
に定めるために前記ガス輸送装置のおのおのに
ガスを周期的に供給することを有する方法。
(28)(イ) ガス輸送装置上の加工片を貯蔵装置に輸
送する段階と、 (ロ) 前記加工片を大気圧下で前記貯蔵装置内の
加工片装荷装置に装荷する段階と、 (ハ) 前記装荷装置に次の位置を指定しそして前
記装荷装置に第２加工片を装荷する段階と、 (ニ) 装荷が完了するまで前記段階(イ)、(ロ)、(ハ)
を
繰返す段階と、 (ホ) 前記貯蔵装置内のすべての開口部を閉じる
こととおよび前記貯蔵装置の圧力を予め定め
られた減圧力まで降下させる段階と、 (ヘ) 前記貯蔵装置と前記作業ステーシヨンとの
間に開口部をつくるためにゲートを開く段階
と、 (ト) 前記加工片を前記開口部を通してガス輸送
装置により前記貯蔵装置から予め定められた
減圧力下で工程が実行される前記製造工程作
業ステーシヨンへ輸送する段階とを有する、
減圧力下で加工片を製造工程作業ステーシヨ
ンに輸送する、輸送および取扱い法。
(29)(イ) 減圧力下で加工片に製造工程段階を実行
する段階と、 (ロ) 加工片をガス輸送装置で前記作業ステーシ
ヨンと前記減圧力下にまたある貯蔵装置へ輸
送する段階と、 (ハ) 前記作業ステーシヨン内の圧力を前記貯蔵
装置内の圧力から隔離する段階と、 (ニ) 前記貯蔵装置内の圧力を上昇させる段階
と、 (ホ) 前記加工片を前記貯蔵装置から輸送する段
階とを有する、減圧力下で工程を実行する製
造工程作業ステーシヨンから加工片を装荷解
除する方法。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明による取り扱い方法を示す図で
あり、第２Ａ図は空気ロツク装置および中間容器
の一部分を断面とした立体図であり、第２Ｂ図は
空気ロツク装置に用いられる貯蔵装荷装置のため
の保持板と駆動装置の立体図であり、第２Ｃ図は
突き出た位置にある滑動可能空気トラツクを備え
た空気ロツク装置および中間容器の立体図であ
り、第３Ａ図は貯蔵装荷装置を省略しそして引つ
込んた位置にある滑動可能空気トラツクを備えた
空気ロツク装置および中間容器の平面図であり、
第３Ｂ図は突き出た位置にある滑動可能空気トラ
ツクの平面図であり、第４図は製造工程作業ステ
ーシヨンに用いられる空気トラツクおよび円形基
板ホールダ、テーブルの一部分を断面とした立体
図であり、第５図は基板ホールダ、テーブルの展
開図である。 １２，１４，１６……作業ステーシヨン、２
６，２８……貯蔵装置、２０……ガス輸送装置、
２２……案内路、２１……床部分、７２，７６…
…貯蔵装荷装置、２６，２８……空気ロツク装
置。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １ 減圧下で製造工程を実行する作業ステーシヨ
    ンにおいて、 (a) 複数の半導体用基板を大気圧下で自動装荷手
    段により貯蔵手段に装荷する段階、 (b) 前記基板が積み重ねられて前記貯蔵手段内に
    配置されたことを感知し、それに応答して前記
    貯蔵手段の第１のゲートを閉じる段階、 (c) 前記貯蔵手段内の圧力を制御装置の指令によ
    り予め定められた減圧下に下げる段階、 (d) 前記作業ステーシヨンと前記貯蔵手段の圧力
    を釣り合わせ、前記貯蔵手段と前記作業ステー
    シヨンとの間の第２のゲートを開く段階、 (e) 前記基板を前記貯槽手段から前記作業ステー
    シヨンへ搬送する段階、 (f) 前記制御装置の指令により前記作業ステーシ
    ヨン内に複数の前記基板を配置する段階と、ま
    た (g) 複数の前記基板を前記作業ステーシヨンの内
    部へ搬送した後、前記第２のゲートを閉じる段
    階、 とを有する半導体用基板の搬送および取り扱い方
    法。 ２ 特許請求の範囲第１項において、前記制御装
    置による指令はコンピユータで行われる半導体用
    基板の搬送および取り扱い方法。
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Families Citing this family (80)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4412771A (en) * 1981-07-30 1983-11-01 The Perkin-Elmer Corporation Sample transport system
JPS58207217A (ja) * 1982-05-28 1983-12-02 Fujitsu Ltd 真空中に於ける物体の移送方法
JPS5950538A (ja) * 1982-09-17 1984-03-23 Hitachi Ltd ウエハ搬送装置
JPS5998520A (ja) * 1982-11-27 1984-06-06 Toshiba Mach Co Ltd 半導体気相成長装置
US4566594A (en) * 1982-12-27 1986-01-28 Usm Corporation Component verifier
CA1234924A (en) * 1984-01-21 1988-04-05 Hideo Sakamoto Printed circuit board load-unload system with bypass route
NL8400658A (nl) * 1984-03-01 1985-10-01 Bok Edward Verbeterde installatie voor vacuum processing van substraten.
US4801241A (en) * 1984-03-09 1989-01-31 Tegal Corporation Modular article processing machine and method of article handling therein
NL8401777A (nl) * 1984-06-04 1986-01-02 Bok Edward Gasslot voor in- en uitgang van tunnel, waarin verplaatsing en processing van wafers geschiedt met behulp van media onder double-floating conditie.
US4636128A (en) * 1984-08-30 1987-01-13 Texas Instruments Incorporated Semiconductor slice cassette transport unit
USRE34311E (en) * 1984-08-30 1993-07-13 Texas Instruments Incorporated Semiconductor slice cassette transport unit
GB2168308B (en) * 1984-12-14 1988-09-21 Emhart Enterprises Transfer mechanism for electrical component assembly machine
US4671707A (en) * 1984-12-14 1987-06-09 Usm Corporation Disc transfer mechanism for electrical component assembly machine
US4759681A (en) * 1985-01-22 1988-07-26 Nissin Electric Co. Ltd. End station for an ion implantation apparatus
DE3650697T2 (de) * 1985-10-24 1999-04-15 Texas Instruments Inc., Dallas, Tex. Wafertransferarm und Wafertransfermethode
SE456570B (sv) * 1986-01-20 1988-10-17 Applied Vacuum Scandinavia Ab Sett att transportera alster vid en tillverknings- och/eller efterbehandlingsprocess
WO1987007309A1 (en) * 1986-05-19 1987-12-03 Novellus Systems, Inc. Deposition apparatus with automatic cleaning means and method of use
GB2195924B (en) * 1986-07-28 1991-01-09 Mesac Corp Electrostatic flocking apparatus
US4733631B1 (en) * 1986-09-30 1993-03-09 Apparatus for coating substrate devices
US4886412A (en) * 1986-10-28 1989-12-12 Tetron, Inc. Method and system for loading wafers
GB2199022B (en) * 1986-11-20 1991-01-02 Shimizu Construction Co Ltd Dust tight storage cabinet apparatus for use in clean rooms
US4775281A (en) * 1986-12-02 1988-10-04 Teradyne, Inc. Apparatus and method for loading and unloading wafers
US4830700A (en) * 1987-07-16 1989-05-16 Texas Instruments Incorporated Processing apparatus and method
US4816098A (en) * 1987-07-16 1989-03-28 Texas Instruments Incorporated Apparatus for transferring workpieces
US4838984A (en) * 1987-07-16 1989-06-13 Texas Instruments Incorporated Method for etching films of mercury-cadmium-telluride and zinc sulfid
US4832778A (en) * 1987-07-16 1989-05-23 Texas Instruments Inc. Processing apparatus for wafers
US4832779A (en) * 1987-07-16 1989-05-23 Texas Instruments Incorporated Processing apparatus
US4842687A (en) * 1987-07-16 1989-06-27 Texas Instruments Incorporated Method for etching tungsten
US4820377A (en) * 1987-07-16 1989-04-11 Texas Instruments Incorporated Method for cleanup processing chamber and vacuum process module
US4891488A (en) * 1987-07-16 1990-01-02 Texas Instruments Incorporated Processing apparatus and method
US4830705A (en) * 1987-07-16 1989-05-16 Texas Instruments Incorporated Method for etch of GaAs
US4844773A (en) * 1987-07-16 1989-07-04 Texas Instruments Incorporated Process for etching silicon nitride film
US4822450A (en) * 1987-07-16 1989-04-18 Texas Instruments Incorporated Processing apparatus and method
US4842676A (en) * 1987-07-16 1989-06-27 Texas Instruments Incorporated Process for etch of tungsten
US4838990A (en) * 1987-07-16 1989-06-13 Texas Instruments Incorporated Method for plasma etching tungsten
US4837113A (en) * 1987-07-16 1989-06-06 Texas Instruments Incorporated Method for depositing compound from group II-VI
US4904621A (en) * 1987-07-16 1990-02-27 Texas Instruments Incorporated Remote plasma generation process using a two-stage showerhead
US4855160A (en) * 1987-07-16 1989-08-08 Texas Instruments Incorporated Method for passivating wafer
US4818326A (en) * 1987-07-16 1989-04-04 Texas Instruments Incorporated Processing apparatus
US4874723A (en) * 1987-07-16 1989-10-17 Texas Instruments Incorporated Selective etching of tungsten by remote and in situ plasma generation
US4828649A (en) * 1987-07-16 1989-05-09 Texas Instruments Incorporated Method for etching an aluminum film doped with silicon
US4855016A (en) * 1987-07-16 1989-08-08 Texas Instruments Incorporated Method for etching aluminum film doped with copper
US4872938A (en) * 1987-07-16 1989-10-10 Texas Instruments Incorporated Processing apparatus
US4857132A (en) * 1987-07-16 1989-08-15 Texas Instruments Incorporated Processing apparatus for wafers
US4867841A (en) * 1987-07-16 1989-09-19 Texas Instruments Incorporated Method for etch of polysilicon film
US4849067A (en) * 1987-07-16 1989-07-18 Texas Instruments Incorporated Method for etching tungsten
US4832777A (en) * 1987-07-16 1989-05-23 Texas Instruments Incorporated Processing apparatus and method
US4877757A (en) * 1987-07-16 1989-10-31 Texas Instruments Incorporated Method of sequential cleaning and passivating a GaAs substrate using remote oxygen plasma
US4863558A (en) * 1987-07-16 1989-09-05 Texas Instruments Incorporated Method for etching tungsten
US4842686A (en) * 1987-07-17 1989-06-27 Texas Instruments Incorporated Wafer processing apparatus and method
US5164905A (en) * 1987-08-12 1992-11-17 Hitachi, Ltd. Production system with order of processing determination
JP2539447B2 (ja) * 1987-08-12 1996-10-02 株式会社日立製作所 枚葉キャリアによる生産方法
US5092728A (en) * 1987-10-15 1992-03-03 Epsilon Technology, Inc. Substrate loading apparatus for a CVD process
US5156521A (en) * 1987-10-15 1992-10-20 Epsilon Technology, Inc. Method for loading a substrate into a GVD apparatus
US5435682A (en) * 1987-10-15 1995-07-25 Advanced Semiconductor Materials America, Inc. Chemical vapor desposition system
DE3735449A1 (de) * 1987-10-20 1989-05-03 Convac Gmbh Fertigungssystem fuer halbleitersubstrate
US4988533A (en) * 1988-05-27 1991-01-29 Texas Instruments Incorporated Method for deposition of silicon oxide on a wafer
FR2632618A1 (fr) * 1988-06-08 1989-12-15 Commissariat Energie Atomique Dispositif de transport sur coussin d'air avec guidage magnetique
US5387067A (en) * 1993-01-14 1995-02-07 Applied Materials, Inc. Direct load/unload semiconductor wafer cassette apparatus and transfer system
US5478173A (en) * 1993-06-24 1995-12-26 Simplimatic Engineering Company Damperless controlled speed air conveyor
GB9324002D0 (en) * 1993-11-22 1994-01-12 Electrotech Ltd Processing system
WO1997024760A1 (en) * 1995-12-28 1997-07-10 Nippon Sanso Corporation Method and device for transferring thin plate-like substrate
KR100234539B1 (ko) * 1996-12-24 1999-12-15 윤종용 반도체장치 제조용 식각 장치
US5882413A (en) * 1997-07-11 1999-03-16 Brooks Automation, Inc. Substrate processing apparatus having a substrate transport with a front end extension and an internal substrate buffer
JP4274601B2 (ja) * 1998-07-08 2009-06-10 昌之 都田 基体の移載装置及びその操作方法
US6264404B1 (en) * 1998-07-13 2001-07-24 Seagate Technology, Inc. System and method for hydrodynamic loading and unloading of objects into and out of substantially touchless hydrodynamic transport systems
US6241427B1 (en) * 1998-11-20 2001-06-05 Seagate Technology, Inc. System and method for substantially touchless hydrodynamic transport of objects
US6298470B1 (en) * 1999-04-15 2001-10-02 Micron Technology, Inc. Method for efficient manufacturing of integrated circuits
US6592673B2 (en) * 1999-05-27 2003-07-15 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for detecting a presence or position of a substrate
US6821082B2 (en) * 2001-10-30 2004-11-23 Freescale Semiconductor, Inc. Wafer management system and methods for managing wafers
US6612418B2 (en) * 2002-01-14 2003-09-02 General Mills, Inc. System for use in an assembly line
DE10252543A1 (de) * 2002-11-08 2004-05-27 Applied Films Gmbh & Co. Kg Beschichtung für ein Kunststoffsubstrat
US7389622B2 (en) * 2003-01-13 2008-06-24 General Mills, Inc. System for use in an assembly line
KR100956348B1 (ko) * 2003-09-05 2010-05-06 삼성전자주식회사 인라인 반송 시스템
WO2006136187A1 (de) * 2005-06-22 2006-12-28 Applied Materials Gmbh & Co. Kg Vorrichtung für die sukzessive beschichtung mehrerer substrate
JP2014010862A (ja) * 2012-06-29 2014-01-20 Fujitsu Ltd ライブラリ装置
CN104831054B (zh) * 2015-05-25 2017-08-25 马钢(集团)控股有限公司 一种电工钢等离子悬浮装置及其制作方法
US9889995B1 (en) * 2017-03-15 2018-02-13 Core Flow Ltd. Noncontact support platform with blockage detection
KR20210071334A (ko) * 2019-12-06 2021-06-16 주식회사 아바코 스퍼터링 시스템
KR102707382B1 (ko) 2020-06-10 2024-09-13 삼성전자주식회사 매거진 지지 장치 및 이를 포함하는 반도체 제조 장비

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3584847A (en) * 1968-05-31 1971-06-15 Western Electric Co Advancing workpieces through a sputtering chamber
US3721210A (en) * 1971-04-19 1973-03-20 Texas Instruments Inc Low volume deposition reactor
US3731823A (en) * 1971-06-01 1973-05-08 Ibm Wafer transport system
US3874525A (en) * 1973-06-29 1975-04-01 Ibm Method and apparatus for handling workpieces
US3976330A (en) * 1975-10-01 1976-08-24 International Business Machines Corporation Transport system for semiconductor wafer multiprocessing station system
US4081201A (en) * 1976-12-27 1978-03-28 International Business Machines Corporation Wafer air film transportation system

Also Published As

Publication number Publication date
JPS574822A (en) 1982-01-11
EP0035844A3 (en) 1984-12-27
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EP0035844A2 (en) 1981-09-16

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