JPH01313977A - ジョセフソン接合素子 - Google Patents
ジョセフソン接合素子Info
- Publication number
- JPH01313977A JPH01313977A JP63147718A JP14771888A JPH01313977A JP H01313977 A JPH01313977 A JP H01313977A JP 63147718 A JP63147718 A JP 63147718A JP 14771888 A JP14771888 A JP 14771888A JP H01313977 A JPH01313977 A JP H01313977A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- junction
- josephson
- slit
- superconducting
- penetration depth
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Logic Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はジョセフソン侵入長の2倍以上の接合長を有す
るジョセフソン接合素子に関する。
るジョセフソン接合素子に関する。
第3図は従来のジョセフソン接合素子を示す模式図、第
4図(イ)は第3図のIV−IV線による断面図であり
、図中11.12は超伝導電極、13はバリヤ材を示し
ている。両超伝導電極11.12はその端部をその間に
絶縁体、半導体、又は金属等の導体で構成されるバリヤ
材13を挟み込んだ状態で重ね合わせ接合されている。
4図(イ)は第3図のIV−IV線による断面図であり
、図中11.12は超伝導電極、13はバリヤ材を示し
ている。両超伝導電極11.12はその端部をその間に
絶縁体、半導体、又は金属等の導体で構成されるバリヤ
材13を挟み込んだ状態で重ね合わせ接合されている。
このようなジョセフソン接合素子における超伝導電極1
1.12及びバリヤ材13をトンネル効果によりながれ
る電流は第4図(ロ)に示す如くである。
1.12及びバリヤ材13をトンネル効果によりながれ
る電流は第4図(ロ)に示す如くである。
第4図(ロ)に示すグラフは横軸に第4図(イ)に示す
接合長、具体的には接合部の幅方向各部の位置を、また
縦軸に接合部の電流密度をとって示してあり、このグラ
フから明らかなように電流密度は接合部の幅方向の両端
から中央部側に向けて夫々一定長λj (ジョセフソン
侵入長という)の範囲で大きく、他の部分では極めて小
さくなっており局在化している。このため接合部を流れ
る電流は接合長が2λj程度、最大でも3λj程度で飽
和状態となる。
接合長、具体的には接合部の幅方向各部の位置を、また
縦軸に接合部の電流密度をとって示してあり、このグラ
フから明らかなように電流密度は接合部の幅方向の両端
から中央部側に向けて夫々一定長λj (ジョセフソン
侵入長という)の範囲で大きく、他の部分では極めて小
さくなっており局在化している。このため接合部を流れ
る電流は接合長が2λj程度、最大でも3λj程度で飽
和状態となる。
なお、このジョセフソン侵入長λjは下記(1)式%式
% λ :磁界侵入長 t:バリヤ材の厚さjo:接合部
を流れる電流密度 第5図はジョセフソン接合素子を構成する超伝導電極1
1.12の接合部上に臨ませて超伝導電極11゜12の
延在方向と直交する方向に制御線14を配置し、制御線
14を流れる電流1cにて形成される磁界により、ジョ
セフソン接合素子をスイッチング動作させる、所謂磁界
制御型ジョセフソン・スイッチングゲートとして構成し
た場合を示している。
% λ :磁界侵入長 t:バリヤ材の厚さjo:接合部
を流れる電流密度 第5図はジョセフソン接合素子を構成する超伝導電極1
1.12の接合部上に臨ませて超伝導電極11゜12の
延在方向と直交する方向に制御線14を配置し、制御線
14を流れる電流1cにて形成される磁界により、ジョ
セフソン接合素子をスイッチング動作させる、所謂磁界
制御型ジョセフソン・スイッチングゲートとして構成し
た場合を示している。
第6図はその等価回路図であり、L、、 Ltは夫々制
御線14、接合部の各インダクタンスを示している。制
御線14に流す制御電流1cによって形成される磁界に
よりジョセフソン接合素子の接合部に流れる最大電流は
第7図に示す如くである。
御線14、接合部の各インダクタンスを示している。制
御線14に流す制御電流1cによって形成される磁界に
よりジョセフソン接合素子の接合部に流れる最大電流は
第7図に示す如くである。
第7図は横軸にり、IC/Φ。を、また縦軸に接合に流
れる最大電流をとって示しである。
れる最大電流をとって示しである。
而してスイッチング動作は次の如くに行われる。
先ず超伝導電極11.12にその最大電流I0よりも僅
かに小さな直流電流1g(A点)を流しておき、この状
態で制御線14に入力信号電流icを通流させて接合部
に磁界を加え、この磁界の作用で接合部を流れる最大電
流を減少させる(B点)。これによって動作点が闇値曲
線以上となり、接合部は零電圧状態から有限電圧状態に
切り替わり、スイッチング動作が行われる。
かに小さな直流電流1g(A点)を流しておき、この状
態で制御線14に入力信号電流icを通流させて接合部
に磁界を加え、この磁界の作用で接合部を流れる最大電
流を減少させる(B点)。これによって動作点が闇値曲
線以上となり、接合部は零電圧状態から有限電圧状態に
切り替わり、スイッチング動作が行われる。
ところでこのようなスイッチングゲートが安定に動作す
るための条件は制御線14に入力信号電流Ic (又は
入力磁気り、Ic)を印加したとき、出力電流即ち超伝
導電極11.12、バリヤ13を流れる電流rgがIc
よりも大きくなること、換言すれば電流利得が1以上と
なることである。この電流利得の条件は各制御線14、
接合部のインダクタンスをり、#L、=Lとし、また接
合部は良好な結合状態にあるものとすると磁束量子Φ。
るための条件は制御線14に入力信号電流Ic (又は
入力磁気り、Ic)を印加したとき、出力電流即ち超伝
導電極11.12、バリヤ13を流れる電流rgがIc
よりも大きくなること、換言すれば電流利得が1以上と
なることである。この電流利得の条件は各制御線14、
接合部のインダクタンスをり、#L、=Lとし、また接
合部は良好な結合状態にあるものとすると磁束量子Φ。
を印加したときの出力電流1gの最大変化量は10程度
であるがら磁束量子Φ。を印加するための制御線14に
対する電流をIceとして下記(2)式の如くに与えら
れる。
であるがら磁束量子Φ。を印加するための制御線14に
対する電流をIceとして下記(2)式の如くに与えら
れる。
■。
LIc、=Φ。であるから、(2)式は下記(3)式の
如くに書き直せる。
如くに書き直せる。
Ll、≧Φ。 ・・・(3)
(3)式は1.=j、 a ”(但しa2:接合面積)
の関係式及び(1)式に基づき下記(4)式の如くに表
される。
の関係式及び(1)式に基づき下記(4)式の如くに表
される。
a≧F丁Tλj 〜2.5 λj =(4)(4)式
から明らかなように1以上の電流利得を得るためには接
合長の最小寸法は2〜3λjとすることが必要となる。
から明らかなように1以上の電流利得を得るためには接
合長の最小寸法は2〜3λjとすることが必要となる。
ところで上述した如〈従来のジョセフソン接合素子を磁
気制御型スイッチングゲートとして用いる場合、接合長
はジョセフソン侵入長λjの2〜3倍以上を必要とし、
しかも接合を流れる電流は接合長がジョセフソン侵入長
の2〜3倍程度で飽和し、第7図に示す接合を流れる電
流I0は大きく出来ないこととなる。
気制御型スイッチングゲートとして用いる場合、接合長
はジョセフソン侵入長λjの2〜3倍以上を必要とし、
しかも接合を流れる電流は接合長がジョセフソン侵入長
の2〜3倍程度で飽和し、第7図に示す接合を流れる電
流I0は大きく出来ないこととなる。
しかしこのようなレベルの接合電流では、例えば熱雑音
、磁気雑音が生じたときは僅かな変化でも影響が大きく
安定した動作が得られないという問題があった。
、磁気雑音が生じたときは僅かな変化でも影響が大きく
安定した動作が得られないという問題があった。
本発明は斯かる事情に鑑みなされたものであって、その
目的とするところは磁気雑音、熱雑音によって接合部を
流れる電流が僅かな変動を受けても安定したスイッチン
グ動作が得られるようにしたジョセフソン接合素子を提
供するにある。
目的とするところは磁気雑音、熱雑音によって接合部を
流れる電流が僅かな変動を受けても安定したスイッチン
グ動作が得られるようにしたジョセフソン接合素子を提
供するにある。
本発明に係るジョセフソン接合素子は、少なくとも一方
の超伝導電極の接合部にスリットを設ける。
の超伝導電極の接合部にスリットを設ける。
本発明にあってはこれによって超伝導電極の接合部両端
側及びスリットの幅方向両端側から夫々ジョセフソン侵
入長λjの範囲にわたる領域で接合を流れる電流を局在
させ得ることとなる。
側及びスリットの幅方向両端側から夫々ジョセフソン侵
入長λjの範囲にわたる領域で接合を流れる電流を局在
させ得ることとなる。
〔実施例]
以下本発明をその実施例を示す図面に基づき具体的に説
明する。
明する。
第1図は本発明に係るジョセフソン接合素子(以下本発
明素子という)の模式図、第2図は第1図の■−■線に
よる拡大断面図であり、図中1゜2は超伝導電極、3は
バリア材を示している。両部伝導電極1.2はその延在
方向における端部間に絶縁体、半導体、主に金属等の導
体からなるバリヤ材3を挟み込んだ状態で重ね合わせて
あり、バリヤ材3を挟み込んだ部分の各超伝導電極1゜
2の端部には夫々その延在方向の端面中央部から延在方
向に各1個の所定長のスリットla、 2aを形成しで
ある。超伝導電極1,2の幅方向の両端P。
明素子という)の模式図、第2図は第1図の■−■線に
よる拡大断面図であり、図中1゜2は超伝導電極、3は
バリア材を示している。両部伝導電極1.2はその延在
方向における端部間に絶縁体、半導体、主に金属等の導
体からなるバリヤ材3を挟み込んだ状態で重ね合わせて
あり、バリヤ材3を挟み込んだ部分の各超伝導電極1゜
2の端部には夫々その延在方向の端面中央部から延在方
向に各1個の所定長のスリットla、 2aを形成しで
ある。超伝導電極1,2の幅方向の両端P。
qからスリットla、 2aの幅方向の両端m、nまで
の幅寸法はジョセフソン侵入長13以上、望ましくは2
λj以上とするのが望ましい。
の幅寸法はジョセフソン侵入長13以上、望ましくは2
λj以上とするのが望ましい。
スリッ目a、 2aの幅、長さについては特に限定する
ものではなく、例えば長さは、通常超伝導電極1. 2
の重ね合わされている端部の長さ以下である。また上記
実施例では各超伝導電極1,2にスリットla、 2a
を各1個設けた構成を説明したが、少なくともいずれか
一方の超伝導電極に形成してもよく、また、スリットの
個数は接合長に合わせて複数個設けてもよいことは勿論
である。
ものではなく、例えば長さは、通常超伝導電極1. 2
の重ね合わされている端部の長さ以下である。また上記
実施例では各超伝導電極1,2にスリットla、 2a
を各1個設けた構成を説明したが、少なくともいずれか
一方の超伝導電極に形成してもよく、また、スリットの
個数は接合長に合わせて複数個設けてもよいことは勿論
である。
而してこのような本発明素子における接合部を流れる電
流は第3図に示す如くである。第3図は横軸に接合部の
幅方向各部の位置を、また縦軸に電流密度をとって示し
てあり、このグラフから明らかなようにスリットla、
2aの左、右夫々にジョセフソン侵入長λjの2倍以
上の幅にわたって、換言すれば4λj以上にわたって高
い電流密度の得られる領域が形成されることとなり、超
伝導電極1,2、バリヤ3を流れる電流の最大値I0を
大幅に高め得て、磁気雑音、熱雑音による影響を相対的
に低減し得ることとなる。
流は第3図に示す如くである。第3図は横軸に接合部の
幅方向各部の位置を、また縦軸に電流密度をとって示し
てあり、このグラフから明らかなようにスリットla、
2aの左、右夫々にジョセフソン侵入長λjの2倍以
上の幅にわたって、換言すれば4λj以上にわたって高
い電流密度の得られる領域が形成されることとなり、超
伝導電極1,2、バリヤ3を流れる電流の最大値I0を
大幅に高め得て、磁気雑音、熱雑音による影響を相対的
に低減し得ることとなる。
以上の如く本発明素子にあってはジョセフソン侵入長λ
jの2倍以上の接合長を有する超伝導電極の少なくとも
一方の端部にスリットを設けたから、接合を流れる電流
が極めて大きく、例えばスイッチング素子として利用し
た場合において、磁気雑音、熱雑音により接合部を流れ
る電流が微弱に変化しても安定に動作させることが出来
るなど、本発明は優れた効果を奏するものである。
jの2倍以上の接合長を有する超伝導電極の少なくとも
一方の端部にスリットを設けたから、接合を流れる電流
が極めて大きく、例えばスイッチング素子として利用し
た場合において、磁気雑音、熱雑音により接合部を流れ
る電流が微弱に変化しても安定に動作させることが出来
るなど、本発明は優れた効果を奏するものである。
第1図は本発明素子の模式図、第2図(イ)は第1図の
■−■線による拡大断面図、第2図(ロ)は本発明素子
の接合長方向各部の電流密度分布図、第3図は従来素子
の模式図、第4図(イ)は第3図のIV−IV線による
拡大断面図、第4図(ロ)は従来素子の接合長方向各部
の電流密度分布図、第5図は従来素子を磁界制御型のス
イッチング素子として構成したときの模式図、第6図は
第5図に示す従来素子の等価回路図、第7図は第5図に
示す従来素子の電流特性図である。 1.2・・・超伝導電極 3・・・バリヤ材la、
2a・・・スリット なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
■−■線による拡大断面図、第2図(ロ)は本発明素子
の接合長方向各部の電流密度分布図、第3図は従来素子
の模式図、第4図(イ)は第3図のIV−IV線による
拡大断面図、第4図(ロ)は従来素子の接合長方向各部
の電流密度分布図、第5図は従来素子を磁界制御型のス
イッチング素子として構成したときの模式図、第6図は
第5図に示す従来素子の等価回路図、第7図は第5図に
示す従来素子の電流特性図である。 1.2・・・超伝導電極 3・・・バリヤ材la、
2a・・・スリット なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、バリヤ材を2つの超伝導電極で挟んで形成され、そ
の接合長をジョセフソン侵入長の2倍以上としたジョセ
フソン接合素子において、少なくとも一方の前記超伝導
電極の接合部 分にスリットを設けたことを特徴とするジョセフソン接
合素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63147718A JPH01313977A (ja) | 1988-06-14 | 1988-06-14 | ジョセフソン接合素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63147718A JPH01313977A (ja) | 1988-06-14 | 1988-06-14 | ジョセフソン接合素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01313977A true JPH01313977A (ja) | 1989-12-19 |
Family
ID=15436621
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63147718A Pending JPH01313977A (ja) | 1988-06-14 | 1988-06-14 | ジョセフソン接合素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01313977A (ja) |
-
1988
- 1988-06-14 JP JP63147718A patent/JPH01313977A/ja active Pending
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