JPH01314401A - マイクロ波・ミリ波モジュール - Google Patents
マイクロ波・ミリ波モジュールInfo
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- JPH01314401A JPH01314401A JP63147270A JP14727088A JPH01314401A JP H01314401 A JPH01314401 A JP H01314401A JP 63147270 A JP63147270 A JP 63147270A JP 14727088 A JP14727088 A JP 14727088A JP H01314401 A JPH01314401 A JP H01314401A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔目次］
概要
産業上の利用分野
従来の技術（第４図）
発明が解決しようとする課題
課題を解決するための手段（第１図）
作用
実施例（第２図、第３図）
発明の効果
〔概要〕
マイクロ波・ミリ波モジュールに関し、筐体の共振周波
数を高くして、モジュール筐体を高い周波数帯に適用可
能とすることを目的とし、マイクロ波・ミリ波回路基板
を金属基台に実装するマイクロ波・ミリ波モジュールに
おいて、筺体内部に区分は手段を設けたものである。
数を高くして、モジュール筐体を高い周波数帯に適用可
能とすることを目的とし、マイクロ波・ミリ波回路基板
を金属基台に実装するマイクロ波・ミリ波モジュールに
おいて、筺体内部に区分は手段を設けたものである。
本発明は、マイクロ波・ミリ波回路基板を金属基台底部
に実装したマイクロ波・ミリ波モジュールに係り、特に
、マイクロ波・ミリ波モジュールの気密封止をおこなう
筐体の構造に関する。
に実装したマイクロ波・ミリ波モジュールに係り、特に
、マイクロ波・ミリ波モジュールの気密封止をおこなう
筐体の構造に関する。
誘電体基板上に半導体部品を始め、回路部品を面実装し
、マイクロストリップ線路や他の伝送路及び回路素子を
パターン作成して結線すると共に、前記誘電体基板の他
面を接地面として金属製の筐体に固定収容して構成する
マイクロ波・ミリ波集積回路は、いまや、マイクロ波・
ミリ波無線装置の構成には欠かせないものとなっている
。
、マイクロストリップ線路や他の伝送路及び回路素子を
パターン作成して結線すると共に、前記誘電体基板の他
面を接地面として金属製の筐体に固定収容して構成する
マイクロ波・ミリ波集積回路は、いまや、マイクロ波・
ミリ波無線装置の構成には欠かせないものとなっている
。
周波数も高周波になるにしたがって小型となり、回４ａ
能毎にモジュール構造化して、汎用化と規格化を図り、
これらのモジュールを組み合わせ集合させて、所定の総
合機能を発揮させることが、多機能化と低コスト化に必
須となってきている。
能毎にモジュール構造化して、汎用化と規格化を図り、
これらのモジュールを組み合わせ集合させて、所定の総
合機能を発揮させることが、多機能化と低コスト化に必
須となってきている。
第４図は、マイクロ波−ミリ波モジュールの従来例であ
り、第４図（ａ）は平面図、第４図（ｂ）は側面図、第
４図（Ｃ）はこのマイクロ波・ミリ波モジュールに用い
られている蓋の斜視図である。
り、第４図（ａ）は平面図、第４図（ｂ）は側面図、第
４図（Ｃ）はこのマイクロ波・ミリ波モジュールに用い
られている蓋の斜視図である。
第４図において、ｌはその上面にマイクロ波回路、半導
体素子等が形成或いは実装されたマイクロ波・ミリ波回
路基板であり、これは導電性の金属基台１０の底部面上
に固定されている。この基台ＩＯは図示の通りその周辺
部に側壁１１を有しており、この側壁部分にバイアス用
の気密端子２０、外部リード２１が設けられ、さらにリ
ード４を有する高周波信号入出力用の同軸水平端子１５
が設けられている。２は内部を密閉する気密構造の蓋で
あり、この例の場合、第４図（ｃ）に示すとおり平坦な
金属板により作られている。そして、この基台１０、苫
２によりマイクロ波・ミリ波モジュールの筐体を構成し
ている。
体素子等が形成或いは実装されたマイクロ波・ミリ波回
路基板であり、これは導電性の金属基台１０の底部面上
に固定されている。この基台ＩＯは図示の通りその周辺
部に側壁１１を有しており、この側壁部分にバイアス用
の気密端子２０、外部リード２１が設けられ、さらにリ
ード４を有する高周波信号入出力用の同軸水平端子１５
が設けられている。２は内部を密閉する気密構造の蓋で
あり、この例の場合、第４図（ｃ）に示すとおり平坦な
金属板により作られている。そして、この基台１０、苫
２によりマイクロ波・ミリ波モジュールの筐体を構成し
ている。
このマイクロ波・ミリ波モジュールにおいては、マイク
ロ波・ミリ波回路のマイクロ波信号は、金属基台の側壁
１１を貫通して設けられた回路基板ｌに水平な同軸端子
１５によって入出力される。
ロ波・ミリ波回路のマイクロ波信号は、金属基台の側壁
１１を貫通して設けられた回路基板ｌに水平な同軸端子
１５によって入出力される。
また、マイクロ波・ミリ波回路の半導体素子に与える直
流バイアスは、気密端子２０によって与えられる構造と
なっている。金属Ｍ２は周囲の枠と溶接等の方法により
気密封止される。
流バイアスは、気密端子２０によって与えられる構造と
なっている。金属Ｍ２は周囲の枠と溶接等の方法により
気密封止される。
この従来のマイクロ波・ミリ波モジュールで、より高い
周波数の信号を扱おうとすると、モジュール筐体の物理
的な寸法によって決まる共振周波数により、使用可能な
周波数の上限が決まってしまう。そのため、この従来の
マイクロ波・ミリ波モジュールでは、筐体の共振周波数
より高い周波数を扱うことができず、高い周波数を扱う
場合には、モジュール構造を利用できないという課題を
有している。
周波数の信号を扱おうとすると、モジュール筐体の物理
的な寸法によって決まる共振周波数により、使用可能な
周波数の上限が決まってしまう。そのため、この従来の
マイクロ波・ミリ波モジュールでは、筐体の共振周波数
より高い周波数を扱うことができず、高い周波数を扱う
場合には、モジュール構造を利用できないという課題を
有している。
また、モジュール筐体を大きくすると、筐体の共振周波
数がさがるために、規模の大きなマイクロ波・ミリ波回
路をモジュール化する場合、いくつかのモジュールに分
割しなければならないという課題を有している。
数がさがるために、規模の大きなマイクロ波・ミリ波回
路をモジュール化する場合、いくつかのモジュールに分
割しなければならないという課題を有している。
本発明は、このような点に鑑みてなされたものであり、
モジュール筐体の共振周波数を高くすることができる構
造のマイクロ波・ミリ波モジ１−ルを提供することを目
的とする。
モジュール筐体の共振周波数を高くすることができる構
造のマイクロ波・ミリ波モジ１−ルを提供することを目
的とする。
第１図は、本発明のマイクロ波−ミリ波モジュールの原
理を示す図である。
理を示す図である。
第１図において、１０は金属製の基台であり、この基台
１０の底部上面にはマイクロ波・ミリ波回路基板１、或
いは半導体素子５が接着固定されている。この基台１０
の側壁部分には、リード４を有する高周波信号入出力用
の水平同軸端子１５が設けられており、さらに、この上
面部分は苦２により気密封止されている。基台１０１Ｍ
２により、マイクロ波・ミリ波モジエールのモジ１−ル
筺体が構成されている。
１０の底部上面にはマイクロ波・ミリ波回路基板１、或
いは半導体素子５が接着固定されている。この基台１０
の側壁部分には、リード４を有する高周波信号入出力用
の水平同軸端子１５が設けられており、さらに、この上
面部分は苦２により気密封止されている。基台１０１Ｍ
２により、マイクロ波・ミリ波モジエールのモジ１−ル
筺体が構成されている。
蓋２には、この発明にしたがって、その内側にマイクロ
波・ミリ波回路基板ｌの形状に合わせた凸部３が設けら
れており、この凸部３によりモジュール筐体が実質的に
２つの部分に分割されている。
波・ミリ波回路基板ｌの形状に合わせた凸部３が設けら
れており、この凸部３によりモジュール筐体が実質的に
２つの部分に分割されている。
〔作用］
直２に設けた凸部３により、マイクロ波・ミリ波モジュ
ールのモジュール筐体が実Ｗ的に二つの部分に分割され
ることとなるので、それに合わせて筐体の共振周波数が
上晃することになる。したがって、モジュール筐体の使
用可能な周波数の上限をあげることができ、それにとも
なって、規模の大きなマイクロ波・ミリ波回路を１ケの
モジュール内に格納することができる。
ールのモジュール筐体が実Ｗ的に二つの部分に分割され
ることとなるので、それに合わせて筐体の共振周波数が
上晃することになる。したがって、モジュール筐体の使
用可能な周波数の上限をあげることができ、それにとも
なって、規模の大きなマイクロ波・ミリ波回路を１ケの
モジュール内に格納することができる。
第２図は、この発明の第１の実施例を示す図であり、第
２図（ａ）は平面図、第２図（ｂ）は側面図、第２図（
Ｃ）はこの第１の実施例のマイクロ波・ミリ波モジュー
ルに用いられている蓋の斜視図、第２図（ｄ）は第２図
（ａ）のＤ−Ｄ線に沿った断面図である。
２図（ａ）は平面図、第２図（ｂ）は側面図、第２図（
Ｃ）はこの第１の実施例のマイクロ波・ミリ波モジュー
ルに用いられている蓋の斜視図、第２図（ｄ）は第２図
（ａ）のＤ−Ｄ線に沿った断面図である。
第２図において、第４図に示した従来例と同じ部材には
、同一の番号を付与しであるので、これらの部材につい
ての詳細な説明は省略する。
、同一の番号を付与しであるので、これらの部材につい
ての詳細な説明は省略する。
金属製の基台１０、マイクロ波・ミリ波回路基板１、半
導体素子５、前記基台ＩＯの側壁１１に設けられた高周
波信号入出力用のり一部４を持つ水平同軸端子１５、外
部リード２１を有する直流バイアス供給用気密端子２０
等は、従来例と同一の構成であり、基台１０、蓋２によ
り、マイクロ波・ミリ波モジュールのモジュール筐体が
構成されている。
導体素子５、前記基台ＩＯの側壁１１に設けられた高周
波信号入出力用のり一部４を持つ水平同軸端子１５、外
部リード２１を有する直流バイアス供給用気密端子２０
等は、従来例と同一の構成であり、基台１０、蓋２によ
り、マイクロ波・ミリ波モジュールのモジュール筐体が
構成されている。
この発明では、第２図（Ｃ）、第２図（ｄ）に示されて
いるように、蓋２の内面に２つの凸部３．３′を設けて
いる。この凸部３．３′は、基台ＩＯ上に接着固定され
るマイクロ波・ミリ波回路基板の形状に合わせて設けら
れることが好ましく、この実施例の場合は、基台１０の
半導体素子５．５′の位置に合わせて設けられている。
いるように、蓋２の内面に２つの凸部３．３′を設けて
いる。この凸部３．３′は、基台ＩＯ上に接着固定され
るマイクロ波・ミリ波回路基板の形状に合わせて設けら
れることが好ましく、この実施例の場合は、基台１０の
半導体素子５．５′の位置に合わせて設けられている。
使用する信号の周波数、マイクロ波・ミリ波モジュール
のサイズ等により、必要に応じて、この凸部をさらに多
数箇所に設けても良いことはいうまでもない。
のサイズ等により、必要に応じて、この凸部をさらに多
数箇所に設けても良いことはいうまでもない。
第３図は、本発明の第２の実施例であり、異なる形式の
モジュールにこの発明を適用したものである。第３図（
ａ）はこの第２実施例のマイクロ波・ミリ波モジュール
の斜視図、第３図（ｂ）は同じく一部破断側面図である
。
モジュールにこの発明を適用したものである。第３図（
ａ）はこの第２実施例のマイクロ波・ミリ波モジュール
の斜視図、第３図（ｂ）は同じく一部破断側面図である
。
この実施例のモジュールの場合、基台１０、マイクロ波
・ミリ波回路基板１、リード４を有する水平同軸端子１
５の構成は、第１の実施例と同じであるが、マイクロ波
・ミリ波回路基板ｌに対して垂直方向に垂直同軸端子１
６を有している。なお、５は半導体素子、６はマイクロ
波回路であり、マイクロ波・ミリ波回路基板ｌ上に形成
されている。
・ミリ波回路基板１、リード４を有する水平同軸端子１
５の構成は、第１の実施例と同じであるが、マイクロ波
・ミリ波回路基板ｌに対して垂直方向に垂直同軸端子１
６を有している。なお、５は半導体素子、６はマイクロ
波回路であり、マイクロ波・ミリ波回路基板ｌ上に形成
されている。
２は、苫であり、第１の実施例と同様、Ｍ２の内面には
、この発明にしたがって凸部３が設けられている。第３
図（ｂ）では、１つの凸部のみが示されているが、必要
に応じて２以上の凸部を設けることができる。
、この発明にしたがって凸部３が設けられている。第３
図（ｂ）では、１つの凸部のみが示されているが、必要
に応じて２以上の凸部を設けることができる。
−Ｃに、モジュール筐体の内部は概ね直方体形状の空洞
とみなせる。各辺の長さをａ、ｂ、ｃとし、ａ、ｂ、〉
ｂの直方体で、共振波長が最も長いものは、Ｔ Ｅ ＋
ｏ Ｉモードの共振であることがわかっている。
とみなせる。各辺の長さをａ、ｂ、ｃとし、ａ、ｂ、〉
ｂの直方体で、共振波長が最も長いものは、Ｔ Ｅ ＋
ｏ Ｉモードの共振であることがわかっている。
このときの共振波長λ。は、下式で表される。
λ。＝２ａｃ／ｐ〒丁ゝ
したがって、モジュール筐体を使用する場合、上式で求
まる共振周波数以上の周波数では用いることができない
。
まる共振周波数以上の周波数では用いることができない
。
このような、モジュール筐体において、その内部空間を
何らかの手段で分割すれば、分割された各部分の辺の長
さを小さくすることができる。そのため、モジュール筐
体の共振周波数が上がり、モジュール筐体をより高い周
波数２で用いることが可能となる。
何らかの手段で分割すれば、分割された各部分の辺の長
さを小さくすることができる。そのため、モジュール筐
体の共振周波数が上がり、モジュール筐体をより高い周
波数２で用いることが可能となる。
蓋２の内面に凸部を設けることは、モジュール筐体の空
間を区分するための区分は部を形成する優れた手段であ
るが、実質的に空間を区分できるものであれば、基台１
０側に凸部を設けること等信の手法でもよく、本発明は
これに制限されることはない。
間を区分するための区分は部を形成する優れた手段であ
るが、実質的に空間を区分できるものであれば、基台１
０側に凸部を設けること等信の手法でもよく、本発明は
これに制限されることはない。
以上講明したごとく、本発明によれば、筺体内部を区分
は部により小さく分割しモジュール筐体の共振周波数を
高くすることができ、モジュール筐体の使用可能な周波
数の上限を上げることができる。また、規模の大きなマ
イクロ波・ミリ波回路を１ケのモジュール内に格納する
ことができるため、モジュールを多段に接続する場合と
比較して、部品実装効率を上げることができる。
は部により小さく分割しモジュール筐体の共振周波数を
高くすることができ、モジュール筐体の使用可能な周波
数の上限を上げることができる。また、規模の大きなマ
イクロ波・ミリ波回路を１ケのモジュール内に格納する
ことができるため、モジュールを多段に接続する場合と
比較して、部品実装効率を上げることができる。
第１図はこの発明の原理説明図、
第２図はこの発明の第１実施例を示す図、第３図はこの
発明の第２実施例を示す図、第４図は従来例を示す図で
ある。 １−マイクロ波・ミリ波回路基板 ２−蓋 ３．３′−凸部 ４−・高周波信号人力用リード ５．５′ −半導体素子 ６−マイクロ波回路 １０−基台 １５−水平同軸端子 １６−・−垂直同軸端子 ２０−気密端子 ２１−外部リード
発明の第２実施例を示す図、第４図は従来例を示す図で
ある。 １−マイクロ波・ミリ波回路基板 ２−蓋 ３．３′−凸部 ４−・高周波信号人力用リード ５．５′ −半導体素子 ６−マイクロ波回路 １０−基台 １５−水平同軸端子 １６−・−垂直同軸端子 ２０−気密端子 ２１−外部リード
Claims (2)
- （１）マイクロ波・ミリ波回路基板を金属基台（１０）
に実装するマイクロ波・ミリ波モジュールにおいて、 筐体内部に区分け手段（３）を設けたことを特徴とする
マイクロ波・ミリ波モジュール。 - （２）上記区分け手段は金属蓋の内側に凸部を設けるこ
とにより構成することを特徴とする請求項１記載のマイ
クロ波・ミリ波モジュール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63147270A JPH01314401A (ja) | 1988-06-15 | 1988-06-15 | マイクロ波・ミリ波モジュール |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63147270A JPH01314401A (ja) | 1988-06-15 | 1988-06-15 | マイクロ波・ミリ波モジュール |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01314401A true JPH01314401A (ja) | 1989-12-19 |
Family
ID=15426418
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63147270A Pending JPH01314401A (ja) | 1988-06-15 | 1988-06-15 | マイクロ波・ミリ波モジュール |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01314401A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6624692B2 (en) * | 2000-04-20 | 2003-09-23 | Alps Electric Co., Ltd. | Radio frequency amplifier with a waveguide filter for isolating amplifying elements |
| EP1753024A1 (en) * | 2005-07-11 | 2007-02-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | High frequency package device |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5310948A (en) * | 1976-07-16 | 1978-01-31 | Mitsubishi Electric Corp | Microwave integrated circuit device |
| JPS632406A (ja) * | 1986-06-20 | 1988-01-07 | Fujitsu Ltd | マイクロ波モジユ−ル |
-
1988
- 1988-06-15 JP JP63147270A patent/JPH01314401A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5310948A (en) * | 1976-07-16 | 1978-01-31 | Mitsubishi Electric Corp | Microwave integrated circuit device |
| JPS632406A (ja) * | 1986-06-20 | 1988-01-07 | Fujitsu Ltd | マイクロ波モジユ−ル |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6624692B2 (en) * | 2000-04-20 | 2003-09-23 | Alps Electric Co., Ltd. | Radio frequency amplifier with a waveguide filter for isolating amplifying elements |
| EP1753024A1 (en) * | 2005-07-11 | 2007-02-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | High frequency package device |
| US7888797B2 (en) | 2005-07-11 | 2011-02-15 | Kabushiki Kaisha Toshiba | High frequency package device with internal space having a resonant frequency offset from frequency used |
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