JPH0248801A - 超高周波用パッケージ - Google Patents
超高周波用パッケージInfo
- Publication number
- JPH0248801A JPH0248801A JP19921788A JP19921788A JPH0248801A JP H0248801 A JPH0248801 A JP H0248801A JP 19921788 A JP19921788 A JP 19921788A JP 19921788 A JP19921788 A JP 19921788A JP H0248801 A JPH0248801 A JP H0248801A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- waveguide
- package
- input
- circuit board
- printed circuit
- Prior art date
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- Pending
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- Microwave Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は超高周波用パッケージ、特に導波管に直接装着
して使用する超高周波用パッケージに関する。
して使用する超高周波用パッケージに関する。
一般に周波数がｌ０ＧＨ，以上の超高周波において電界
効果トランジスタなどの半導体素子を使用する場合、通
常のパッケージ入り素子を使用するとパッケージの呈す
る寄生リアクタンス成分により素子のＱ値が高くなり、
外部回路による調整では低損失・広帯域な特性を得るこ
とが困難になる。
効果トランジスタなどの半導体素子を使用する場合、通
常のパッケージ入り素子を使用するとパッケージの呈す
る寄生リアクタンス成分により素子のＱ値が高くなり、
外部回路による調整では低損失・広帯域な特性を得るこ
とが困難になる。
このような場合、半導体素子の裸チップを直接使用して
所望の回路を構成し、回路を含めてパッケージに気密封
止する構成、いわゆるハイブリッドｒｃ技術が採用され
る。
所望の回路を構成し、回路を含めてパッケージに気密封
止する構成、いわゆるハイブリッドｒｃ技術が採用され
る。
第３図は従来の超高周波ハイブリッドＩＣ用パッケージ
の一例を示す図であり、同図（ａ）は平面図、同図（ｂ
）は右側を破断した正面図である。
の一例を示す図であり、同図（ａ）は平面図、同図（ｂ
）は右側を破断した正面図である。
これらの同図において、１は金属製の外囲器、２はパッ
ケージを装着するためのフランジ、３はネジ止め用の穴
、４はバイアス端子、５は端子を外囲器から絶縁、保持
して気密封止を保つための絶縁体、６Ａは超高周波用入
出力端子であり、絶縁体５で外囲器ｌの底面に絶縁支持
されて同軸線路として構成されている。
ケージを装着するためのフランジ、３はネジ止め用の穴
、４はバイアス端子、５は端子を外囲器から絶縁、保持
して気密封止を保つための絶縁体、６Ａは超高周波用入
出力端子であり、絶縁体５で外囲器ｌの底面に絶縁支持
されて同軸線路として構成されている。
上述した従来の超高周波用パッケージでは、入出力端子
６Ａは同軸線路で構成されている。ところがミリ波帯の
ような超高周波で使用される装置は導波管回路で構成さ
れることが多い、このため、従来のパッケージを導波管
に装着するには同軸導波管変換器が必要になる。即ち、
第４図は従来のパッケージを導波管に装着したところを
示す図であり、矩形導波管２１にネジ２２を用いてパッ
ケージのフランジ２をネジ止めしている。このとき、導
波管２１のＨ面にあけられた穴２３内にパッケージの入
出力端子６Ａを挿通させ、かつその先端にアンテナ２４
を取着している。なお、２５はパッケージを気密封止す
るための蓋である。
６Ａは同軸線路で構成されている。ところがミリ波帯の
ような超高周波で使用される装置は導波管回路で構成さ
れることが多い、このため、従来のパッケージを導波管
に装着するには同軸導波管変換器が必要になる。即ち、
第４図は従来のパッケージを導波管に装着したところを
示す図であり、矩形導波管２１にネジ２２を用いてパッ
ケージのフランジ２をネジ止めしている。このとき、導
波管２１のＨ面にあけられた穴２３内にパッケージの入
出力端子６Ａを挿通させ、かつその先端にアンテナ２４
を取着している。なお、２５はパッケージを気密封止す
るための蓋である。
このように、従来構造では入出力端子６Ａにアンテナ２
４を取着して同軸導波管変換器を構成することが必要と
されるため、同軸導波管変換器の損失が加わるとともに
、パッケージ内部の回路特性が同軸導波管変換器の特性
に影響されることになり、更に同軸導波管変換器の分だ
け全体の装置が大型になるという問題が生じている。
４を取着して同軸導波管変換器を構成することが必要と
されるため、同軸導波管変換器の損失が加わるとともに
、パッケージ内部の回路特性が同軸導波管変換器の特性
に影響されることになり、更に同軸導波管変換器の分だ
け全体の装置が大型になるという問題が生じている。
本発明の目的はこれらの問題を解消した超高周波用パッ
ケージを提供することにある。
ケージを提供することにある。
本発明の超高周波用パッケージは、内部に半導体素子や
回路基板を搭載可能な容器状の外囲器内に配設した少な
くとも１つ以上の超高周波用入出力端子を、外囲器の底
面に開設した誘電体窓に臨んで配置した矩形導波管で構
成している。
回路基板を搭載可能な容器状の外囲器内に配設した少な
くとも１つ以上の超高周波用入出力端子を、外囲器の底
面に開設した誘電体窓に臨んで配置した矩形導波管で構
成している。
上述した構成では、パッケージを導波管に搭載するに際
しては、入出力端子と導波管とを直接結合させることが
でき、同軸導波管変換器が不要となる。
しては、入出力端子と導波管とを直接結合させることが
でき、同軸導波管変換器が不要となる。
次に、本発明を図面を参照して説明する。
第１図は本発明の超高周波ハイブリッドＩＣ用パッケー
ジの一実施例を示しており、同図（ａ）は平面図、同図
（ｂ）は右側を破断した正面図である。
ジの一実施例を示しており、同図（ａ）は平面図、同図
（ｂ）は右側を破断した正面図である。
これらの図において、角型容器状に形成された金属製の
外囲器１は内部に半導体素子や回路基板等を搭載可能と
し、図外の蓋により上部開口を気密封止するようになっ
ている。また、外囲器１は周辺部にフランジ２を一体に
有し、フランジ２の周囲にはネジ止めようの穴３を開設
している。外囲器１の一側面には複数個のバイアス端子
４をコバーガラス等の絶縁体５で絶縁支持している。そ
して、外囲器１内の両端部には夫々超高周波入出力端子
を配設しているが、ここではこれら入出力端子は外囲器
１の底面に開設した穴に臨んで形成した矩形導波管６で
構成している。この底面の穴には誘電体窓７を形成して
底面を気密封止している。
外囲器１は内部に半導体素子や回路基板等を搭載可能と
し、図外の蓋により上部開口を気密封止するようになっ
ている。また、外囲器１は周辺部にフランジ２を一体に
有し、フランジ２の周囲にはネジ止めようの穴３を開設
している。外囲器１の一側面には複数個のバイアス端子
４をコバーガラス等の絶縁体５で絶縁支持している。そ
して、外囲器１内の両端部には夫々超高周波入出力端子
を配設しているが、ここではこれら入出力端子は外囲器
１の底面に開設した穴に臨んで形成した矩形導波管６で
構成している。この底面の穴には誘電体窓７を形成して
底面を気密封止している。
第２図は、第１図の構成の超高周波用パッケージでハイ
ブリッドＩＣを製作した状態を示す図であり、外囲器１
内に半導体素子の裸チップ８及び回路基板９を搭載して
いる。そして、回路基板９上に描画された回路パターン
とバイアス端子４をボンディング線１０で接続し、かつ
回路基板９上に形成されたストリップ線路（図示せず）
には金属板で構成したアンテナ１１を配置して入出力導
波管６との結合を行っている。
ブリッドＩＣを製作した状態を示す図であり、外囲器１
内に半導体素子の裸チップ８及び回路基板９を搭載して
いる。そして、回路基板９上に描画された回路パターン
とバイアス端子４をボンディング線１０で接続し、かつ
回路基板９上に形成されたストリップ線路（図示せず）
には金属板で構成したアンテナ１１を配置して入出力導
波管６との結合を行っている。
したがって、この構成では、超高周波の入出力端が導波
管６として構成されているため、回路基板９のストリッ
プ線路に直接アンテナ１１を接続することが可能となる
。またパッケージを導波管に搭載する際には、導波管に
開設した穴に入出力端用の矩形導波管６を対応させて単
に取着すればよく、しかも矩形導波管６には誘電体窓７
が設けられているため、半導体素子の裸チップ８を保護
するための気密封止が可能である。
管６として構成されているため、回路基板９のストリッ
プ線路に直接アンテナ１１を接続することが可能となる
。またパッケージを導波管に搭載する際には、導波管に
開設した穴に入出力端用の矩形導波管６を対応させて単
に取着すればよく、しかも矩形導波管６には誘電体窓７
が設けられているため、半導体素子の裸チップ８を保護
するための気密封止が可能である。
以上説明したように本発明は、外囲器内に配設した入出
力端子を矩形導波管で構成し、かつこれを誘電体窓で封
止しているので、パッケージを導波管に搭載するに際し
ては、入出力端子と導波管とを直接結合させることがで
き、同軸導波管変換器を不要とする。これにより、同軸
導波管変換器で発生する損失を除去するとともに、パッ
ケージ内部の回路特性が測定用治具に依存することはな
く、しかも直接導波管に接続できるため全体の装置が小
型になるという効果が得られる。
力端子を矩形導波管で構成し、かつこれを誘電体窓で封
止しているので、パッケージを導波管に搭載するに際し
ては、入出力端子と導波管とを直接結合させることがで
き、同軸導波管変換器を不要とする。これにより、同軸
導波管変換器で発生する損失を除去するとともに、パッ
ケージ内部の回路特性が測定用治具に依存することはな
く、しかも直接導波管に接続できるため全体の装置が小
型になるという効果が得られる。
第１図は本発明の超高周波用パッケージの一実施例を示
しており、同図（ａ）は平面図、同図（ｂ）は一部を破
断した正面図、第２図は第１図のパッケージを用いてハ
イブリッドＩＣを構成した状態を示す平面図、第３図は
従来の超高周波用パッケージの一例を示しており、同図
（ａ）は平面図、同図（ｂ）は一部を破断した正面図、
第４図は従来のパッケージを導波管に装着した状態の一
部破断正面図である。 １・・・外囲器、２・・・フランジ、３・・・穴、４・
・・バイアス端子、５・・・絶縁体、６・・・入出力端
子（矩形導波管）、６Ａ・・・従来の入出力端子、７・
・・誘電体窓、８・・・半導体素子チップ、９・・・回
路基板、１０・・・ボンディング線、１１・・・アンテ
ナ、２１・・・導波管、２２・・・ネジ、２３・・・穴
、２４・・・アンテナ、２５・・・蓋。 （ａ） 第２ 図 （ａ） 第４ 図 （ｂ）
しており、同図（ａ）は平面図、同図（ｂ）は一部を破
断した正面図、第２図は第１図のパッケージを用いてハ
イブリッドＩＣを構成した状態を示す平面図、第３図は
従来の超高周波用パッケージの一例を示しており、同図
（ａ）は平面図、同図（ｂ）は一部を破断した正面図、
第４図は従来のパッケージを導波管に装着した状態の一
部破断正面図である。 １・・・外囲器、２・・・フランジ、３・・・穴、４・
・・バイアス端子、５・・・絶縁体、６・・・入出力端
子（矩形導波管）、６Ａ・・・従来の入出力端子、７・
・・誘電体窓、８・・・半導体素子チップ、９・・・回
路基板、１０・・・ボンディング線、１１・・・アンテ
ナ、２１・・・導波管、２２・・・ネジ、２３・・・穴
、２４・・・アンテナ、２５・・・蓋。 （ａ） 第２ 図 （ａ） 第４ 図 （ｂ）
Claims (1)
- １．導波管に取着するフランジを一体に有し、かつ内部
に半導体素子や回路基板を搭載可能な容器状の外囲器と
、この外囲器の側面に絶縁支持されたバイアス端子と、
前記外囲器内に配設した少なくとも１つ以上の超高周波
用入出力端子とを備え、この超高周波入出力端子は、前
記外囲器の底面に配設した誘電体窓に臨んで配置した矩
形導波管で構成したことを特徴とする超高周波用パッケ
ージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19921788A JPH0248801A (ja) | 1988-08-10 | 1988-08-10 | 超高周波用パッケージ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19921788A JPH0248801A (ja) | 1988-08-10 | 1988-08-10 | 超高周波用パッケージ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0248801A true JPH0248801A (ja) | 1990-02-19 |
Family
ID=16404085
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19921788A Pending JPH0248801A (ja) | 1988-08-10 | 1988-08-10 | 超高周波用パッケージ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0248801A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04119001A (ja) * | 1990-09-07 | 1992-04-20 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 方向性結合器 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5552602A (en) * | 1978-10-13 | 1980-04-17 | Fujitsu Ltd | Waveguide mount |
-
1988
- 1988-08-10 JP JP19921788A patent/JPH0248801A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5552602A (en) * | 1978-10-13 | 1980-04-17 | Fujitsu Ltd | Waveguide mount |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04119001A (ja) * | 1990-09-07 | 1992-04-20 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 方向性結合器 |
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