JPH01316464A - グロー放電分解装置 - Google Patents

グロー放電分解装置

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Publication number
JPH01316464A
JPH01316464A JP14760388A JP14760388A JPH01316464A JP H01316464 A JPH01316464 A JP H01316464A JP 14760388 A JP14760388 A JP 14760388A JP 14760388 A JP14760388 A JP 14760388A JP H01316464 A JPH01316464 A JP H01316464A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
magnets
glow discharge
gas
electrode plate
film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP14760388A
Other languages
English (en)
Inventor
Atsushi Watanabe
渡辺 敦司
Daigoro Okubo
大五郎 大久保
Kazumasa Okawa
大川 和昌
Hisashi Higuchi
永 樋口
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kyocera Corp
Original Assignee
Kyocera Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kyocera Corp filed Critical Kyocera Corp
Priority to JP14760388A priority Critical patent/JPH01316464A/ja
Publication of JPH01316464A publication Critical patent/JPH01316464A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はアモルファスシリコン膜などを形成できるグロ
ー放電分解装置に関して、特にグ凸−放電領域に磁石を
配置して成膜速度を高めることができたグロー放電分解
装置に関するものである。
〔従来技術及びその問題点〕
グロー放電分解法によって製造されたアモルファスシリ
コン感光体ドラムが既に実用化されている。このアモル
ファスシリコン膜(以下、アモルファスシリコンをa−
Siと略す)の厚みは一般的に約20〜40μ躊であり
、その大きな厚みにより1本の感光体ドラムの製造所要
時間が約5〜lO時間にもなっている。
従って本発明は畝上に鑑みて案出されたものであり、そ
の目的は成膜速度を高めて製造所要時間を短縮し、これ
によって製造効率及び製造コストを改善できたグロー放
電分解装置を提供することにある。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明によれば、成膜用ガスが導入される反応室の内部
に円筒状の電極板が設置され、該電極板の内側に円筒状
基板が設置され、電極板に形成された複数個のガス噴出
口より上記ガスが吹き出されるとともにグロー放電が発
生し、上記基板上に成膜されるグロー放電分解装置にお
いて、前記電極板の内周面に複数個の磁石を設置し、各
々の磁石のなかで最も近づいている2個の磁石のそれぞ
れ対向する側の磁極が相互に異なり、この対向する磁石
の間にガス噴出口が配置されていることを特徴とするグ
ロー放電分解装置が提供される。
〔実施例〕
以下、本発明をグロー放電分解装置によりa−Si感光
体ドラムを製作する場合を例にとって詳細に説明する。
第1図は本例グロー放電分解装置の正面概略図であり、
第2図は第1図中の切断面線X−Xによる概略図である
図中、lは金属から成る円筒状の反応容器であり、この
反応容器Iの内部には円筒状のグロー放電用電極板2が
設置され、更に電極板2の内部には円筒状の基板支持体
3、基板支持体3に装着した円筒状の基板4が設置され
ている。5は反応容器1の底部であり、この底部5には
細管状のヒータ一部6が接続され、ヒータ一部6が基板
支持体3を加熱し、同時に基板4も加熱する。また、反
応容器1の上部にはモータ一部7が設置され、このモー
タ一部7は基板支持体3と接続されており、そして、モ
ータ一部7により基板支持体3とともに基板4が回転す
る。
8はガス導入部、9は電極板2に多数個形成されたガス
噴出口であり、a−Si成膜用ガスはガス導入部8より
導入され、ガス噴出口9を介して基板4の周面上に吹き
付けられ、グロー放電に供される。そして、その放電に
伴う残余ガスはガス排出部10より排出される。
また、11は高周波電源であり、その一方の出力端子は
アース側に接地され、他方の出力端子は反応容器1の周
壁に接続され、そして、この周壁と電気的に導通された
電極板2にグロー放電用電力が印加される。
なお、図中の矢印はガス流の方向を示し、また、12は
絶縁性のリング体である。
上記構成のグロー放電分解装置において、本発明者等は
一定寸法の永久磁石13(例えば希土類、アルニコなど
から成る)を用意し、これらの永久磁石13を電極板2
の内周面に設置した。
本発明においては、上記磁石13のなかで最も近づいて
いる2個の磁石のそれぞれ対向する側の磁極が相互にS
 i−N極の関係にあり、これにより、その磁石間で強
力な磁場が生じる。そして、この磁場のなかにガスが吹
き出されるようにガス噴出口9が配置される。
このような構成のグロー放電分解装置によれば、a−S
i成膜用ガスはガス噴出口9より吹き出されると同時に
、そのガスに磁界が加わり、しかも、基板4が200〜
300℃の温度に設定されるとともに回転し、基板4と
電極板2の間でグロー放電が発生する。そのため、発生
したプラズマの内部に電子のサイクロトロン回転運動が
生じ、これにより、ガスの分解効率が高くなり、ガスの
成膜に寄与する利用効率が高くなり、その結果、成膜速
度を高めることができた。
(実験例1) 上記グロー放電分解装置において、5il14ガスを2
00scca+の流量で導入し、基板温度を260 ’
Cに設定し、そして、グロー放電用高周波電力を幾通り
にも変えながらa−Si膜の成膜速度を測定したところ
、第3図に示す通りの結果が得られた。
同図中、横軸は高周波電力量であり、縦軸は成膜速度で
あり、また、○印は本例の測定プロットである。
本発明者等は比較例として永久磁石13を配置せず、そ
の他の成膜条件を同じに設定した場合の成膜速度も測定
した。この測定プロットはΔ印で示されている。
第3図に示す結果より明らかな通り、本発明のグロー放
電分解装置によれば、高周波電力量が大きくなるに伴っ
て成膜速度が大きくなり、しがも、その成膜速度は従来
に比べて3倍以上にもなっている。
(実験例2) 本例においては、高周波電力を6001+に設定し、基
板温度を260℃に設定し、そして、5iHaガスの流
量を幾通りにも変えながら、a−3t膜の成膜速度を測
定したところ、第4図に示す通りの結果が得られた。
同図中、横軸は5t)I4ガス流量であり、縦軸は成膜
速度であり、また、O印は本例の測定プロットである。
また、永久磁石13を用いないで成膜した比較例につい
ては、Δ印で示されている。
第4図に示す結果より明らかな通り、本発明のグロー放
電分解装置によれば、SiH4ガス流量が大きくなるに
伴って成膜速度が大きくなり、しかも、その成膜速度が
従来に比べて著しく大きくなっていることが判る。
〔発明の効果〕
以上の通り、本発明のグロー放電分解装置によれば、成
膜用ガスの分解効率が大きくなり、これに伴ってガスの
成膜に供与される割合が大きくなり、これにより、ガス
の利用効率が大きくなり、しかも、成膜速度が高くなり
、その結果、製造効率及び製造コストが改善される。
なお、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、
本発明の要旨を逸脱しない範囲において、種々の変更、
改善は何等差支えなく、また、a−Si成膜用ガス以外
の種々のガスを用いてもよい。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明グロー放電分解装置の正面概略図、第2
図は第1図中の切断面線X−Xによる概略図、第3図は
高周波電力と成膜速度の関係を示す線図、第4図はSi
H4ガス流量と成膜速度の関係を示す線図である。 l・・・反応容器 2・・・グロー放電用電掻板 4・・・基板 9・・・ガス噴出口 13・・・永久磁石 特許出願人(663)京セラ株式会社 代表者安城欽寿

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)成膜用ガスが導入される反応室の内部に円筒状の
    電極板が設置され、該電極板の内側に円筒状の基板が設
    置され、電極板に形成された複数個のガス噴出口より上
    記ガスが吹き出されるとともにグロー放電が発生し、上
    記基板上に成膜されるグロー放電分解装置において、前
    記電極板の内周面に複数個の磁石を設置し、各々の磁石
    のなかで最も近づいている2個の磁石のそれぞれ対向す
    る側の磁極が相互に異なり、この対向する磁石の間にガ
    ス噴出口が配置されていることを特徴とするグロー放電
    分解装置。
  2. (2)成膜用ガスがアモルファスシリコン成膜用ガスで
    ある請求項(1)記載のグロー放電分解装置。
JP14760388A 1988-06-15 1988-06-15 グロー放電分解装置 Pending JPH01316464A (ja)

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JP14760388A JPH01316464A (ja) 1988-06-15 1988-06-15 グロー放電分解装置

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JPH01316464A true JPH01316464A (ja) 1989-12-21

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ID=15434064

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JP14760388A Pending JPH01316464A (ja) 1988-06-15 1988-06-15 グロー放電分解装置

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JP (1) JPH01316464A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5378284A (en) * 1990-04-03 1995-01-03 Leybold Aktiengesellschaft Apparatus for coating substrates using a microwave ECR plasma source

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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