JPH01316464A - グロー放電分解装置 - Google Patents
グロー放電分解装置Info
- Publication number
- JPH01316464A JPH01316464A JP14760388A JP14760388A JPH01316464A JP H01316464 A JPH01316464 A JP H01316464A JP 14760388 A JP14760388 A JP 14760388A JP 14760388 A JP14760388 A JP 14760388A JP H01316464 A JPH01316464 A JP H01316464A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnets
- glow discharge
- gas
- electrode plate
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はアモルファスシリコン膜などを形成できるグロ
ー放電分解装置に関して、特にグ凸−放電領域に磁石を
配置して成膜速度を高めることができたグロー放電分解
装置に関するものである。
ー放電分解装置に関して、特にグ凸−放電領域に磁石を
配置して成膜速度を高めることができたグロー放電分解
装置に関するものである。
グロー放電分解法によって製造されたアモルファスシリ
コン感光体ドラムが既に実用化されている。このアモル
ファスシリコン膜(以下、アモルファスシリコンをa−
Siと略す)の厚みは一般的に約20〜40μ躊であり
、その大きな厚みにより1本の感光体ドラムの製造所要
時間が約5〜lO時間にもなっている。
コン感光体ドラムが既に実用化されている。このアモル
ファスシリコン膜(以下、アモルファスシリコンをa−
Siと略す)の厚みは一般的に約20〜40μ躊であり
、その大きな厚みにより1本の感光体ドラムの製造所要
時間が約5〜lO時間にもなっている。
従って本発明は畝上に鑑みて案出されたものであり、そ
の目的は成膜速度を高めて製造所要時間を短縮し、これ
によって製造効率及び製造コストを改善できたグロー放
電分解装置を提供することにある。
の目的は成膜速度を高めて製造所要時間を短縮し、これ
によって製造効率及び製造コストを改善できたグロー放
電分解装置を提供することにある。
本発明によれば、成膜用ガスが導入される反応室の内部
に円筒状の電極板が設置され、該電極板の内側に円筒状
基板が設置され、電極板に形成された複数個のガス噴出
口より上記ガスが吹き出されるとともにグロー放電が発
生し、上記基板上に成膜されるグロー放電分解装置にお
いて、前記電極板の内周面に複数個の磁石を設置し、各
々の磁石のなかで最も近づいている2個の磁石のそれぞ
れ対向する側の磁極が相互に異なり、この対向する磁石
の間にガス噴出口が配置されていることを特徴とするグ
ロー放電分解装置が提供される。
に円筒状の電極板が設置され、該電極板の内側に円筒状
基板が設置され、電極板に形成された複数個のガス噴出
口より上記ガスが吹き出されるとともにグロー放電が発
生し、上記基板上に成膜されるグロー放電分解装置にお
いて、前記電極板の内周面に複数個の磁石を設置し、各
々の磁石のなかで最も近づいている2個の磁石のそれぞ
れ対向する側の磁極が相互に異なり、この対向する磁石
の間にガス噴出口が配置されていることを特徴とするグ
ロー放電分解装置が提供される。
以下、本発明をグロー放電分解装置によりa−Si感光
体ドラムを製作する場合を例にとって詳細に説明する。
体ドラムを製作する場合を例にとって詳細に説明する。
第1図は本例グロー放電分解装置の正面概略図であり、
第2図は第1図中の切断面線X−Xによる概略図である
。
第2図は第1図中の切断面線X−Xによる概略図である
。
図中、lは金属から成る円筒状の反応容器であり、この
反応容器Iの内部には円筒状のグロー放電用電極板2が
設置され、更に電極板2の内部には円筒状の基板支持体
3、基板支持体3に装着した円筒状の基板4が設置され
ている。5は反応容器1の底部であり、この底部5には
細管状のヒータ一部6が接続され、ヒータ一部6が基板
支持体3を加熱し、同時に基板4も加熱する。また、反
応容器1の上部にはモータ一部7が設置され、このモー
タ一部7は基板支持体3と接続されており、そして、モ
ータ一部7により基板支持体3とともに基板4が回転す
る。
反応容器Iの内部には円筒状のグロー放電用電極板2が
設置され、更に電極板2の内部には円筒状の基板支持体
3、基板支持体3に装着した円筒状の基板4が設置され
ている。5は反応容器1の底部であり、この底部5には
細管状のヒータ一部6が接続され、ヒータ一部6が基板
支持体3を加熱し、同時に基板4も加熱する。また、反
応容器1の上部にはモータ一部7が設置され、このモー
タ一部7は基板支持体3と接続されており、そして、モ
ータ一部7により基板支持体3とともに基板4が回転す
る。
8はガス導入部、9は電極板2に多数個形成されたガス
噴出口であり、a−Si成膜用ガスはガス導入部8より
導入され、ガス噴出口9を介して基板4の周面上に吹き
付けられ、グロー放電に供される。そして、その放電に
伴う残余ガスはガス排出部10より排出される。
噴出口であり、a−Si成膜用ガスはガス導入部8より
導入され、ガス噴出口9を介して基板4の周面上に吹き
付けられ、グロー放電に供される。そして、その放電に
伴う残余ガスはガス排出部10より排出される。
また、11は高周波電源であり、その一方の出力端子は
アース側に接地され、他方の出力端子は反応容器1の周
壁に接続され、そして、この周壁と電気的に導通された
電極板2にグロー放電用電力が印加される。
アース側に接地され、他方の出力端子は反応容器1の周
壁に接続され、そして、この周壁と電気的に導通された
電極板2にグロー放電用電力が印加される。
なお、図中の矢印はガス流の方向を示し、また、12は
絶縁性のリング体である。
絶縁性のリング体である。
上記構成のグロー放電分解装置において、本発明者等は
一定寸法の永久磁石13(例えば希土類、アルニコなど
から成る)を用意し、これらの永久磁石13を電極板2
の内周面に設置した。
一定寸法の永久磁石13(例えば希土類、アルニコなど
から成る)を用意し、これらの永久磁石13を電極板2
の内周面に設置した。
本発明においては、上記磁石13のなかで最も近づいて
いる2個の磁石のそれぞれ対向する側の磁極が相互にS
i−N極の関係にあり、これにより、その磁石間で強
力な磁場が生じる。そして、この磁場のなかにガスが吹
き出されるようにガス噴出口9が配置される。
いる2個の磁石のそれぞれ対向する側の磁極が相互にS
i−N極の関係にあり、これにより、その磁石間で強
力な磁場が生じる。そして、この磁場のなかにガスが吹
き出されるようにガス噴出口9が配置される。
このような構成のグロー放電分解装置によれば、a−S
i成膜用ガスはガス噴出口9より吹き出されると同時に
、そのガスに磁界が加わり、しかも、基板4が200〜
300℃の温度に設定されるとともに回転し、基板4と
電極板2の間でグロー放電が発生する。そのため、発生
したプラズマの内部に電子のサイクロトロン回転運動が
生じ、これにより、ガスの分解効率が高くなり、ガスの
成膜に寄与する利用効率が高くなり、その結果、成膜速
度を高めることができた。
i成膜用ガスはガス噴出口9より吹き出されると同時に
、そのガスに磁界が加わり、しかも、基板4が200〜
300℃の温度に設定されるとともに回転し、基板4と
電極板2の間でグロー放電が発生する。そのため、発生
したプラズマの内部に電子のサイクロトロン回転運動が
生じ、これにより、ガスの分解効率が高くなり、ガスの
成膜に寄与する利用効率が高くなり、その結果、成膜速
度を高めることができた。
(実験例1)
上記グロー放電分解装置において、5il14ガスを2
00scca+の流量で導入し、基板温度を260 ’
Cに設定し、そして、グロー放電用高周波電力を幾通り
にも変えながらa−Si膜の成膜速度を測定したところ
、第3図に示す通りの結果が得られた。
00scca+の流量で導入し、基板温度を260 ’
Cに設定し、そして、グロー放電用高周波電力を幾通り
にも変えながらa−Si膜の成膜速度を測定したところ
、第3図に示す通りの結果が得られた。
同図中、横軸は高周波電力量であり、縦軸は成膜速度で
あり、また、○印は本例の測定プロットである。
あり、また、○印は本例の測定プロットである。
本発明者等は比較例として永久磁石13を配置せず、そ
の他の成膜条件を同じに設定した場合の成膜速度も測定
した。この測定プロットはΔ印で示されている。
の他の成膜条件を同じに設定した場合の成膜速度も測定
した。この測定プロットはΔ印で示されている。
第3図に示す結果より明らかな通り、本発明のグロー放
電分解装置によれば、高周波電力量が大きくなるに伴っ
て成膜速度が大きくなり、しがも、その成膜速度は従来
に比べて3倍以上にもなっている。
電分解装置によれば、高周波電力量が大きくなるに伴っ
て成膜速度が大きくなり、しがも、その成膜速度は従来
に比べて3倍以上にもなっている。
(実験例2)
本例においては、高周波電力を6001+に設定し、基
板温度を260℃に設定し、そして、5iHaガスの流
量を幾通りにも変えながら、a−3t膜の成膜速度を測
定したところ、第4図に示す通りの結果が得られた。
板温度を260℃に設定し、そして、5iHaガスの流
量を幾通りにも変えながら、a−3t膜の成膜速度を測
定したところ、第4図に示す通りの結果が得られた。
同図中、横軸は5t)I4ガス流量であり、縦軸は成膜
速度であり、また、O印は本例の測定プロットである。
速度であり、また、O印は本例の測定プロットである。
また、永久磁石13を用いないで成膜した比較例につい
ては、Δ印で示されている。
ては、Δ印で示されている。
第4図に示す結果より明らかな通り、本発明のグロー放
電分解装置によれば、SiH4ガス流量が大きくなるに
伴って成膜速度が大きくなり、しかも、その成膜速度が
従来に比べて著しく大きくなっていることが判る。
電分解装置によれば、SiH4ガス流量が大きくなるに
伴って成膜速度が大きくなり、しかも、その成膜速度が
従来に比べて著しく大きくなっていることが判る。
以上の通り、本発明のグロー放電分解装置によれば、成
膜用ガスの分解効率が大きくなり、これに伴ってガスの
成膜に供与される割合が大きくなり、これにより、ガス
の利用効率が大きくなり、しかも、成膜速度が高くなり
、その結果、製造効率及び製造コストが改善される。
膜用ガスの分解効率が大きくなり、これに伴ってガスの
成膜に供与される割合が大きくなり、これにより、ガス
の利用効率が大きくなり、しかも、成膜速度が高くなり
、その結果、製造効率及び製造コストが改善される。
なお、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、
本発明の要旨を逸脱しない範囲において、種々の変更、
改善は何等差支えなく、また、a−Si成膜用ガス以外
の種々のガスを用いてもよい。
本発明の要旨を逸脱しない範囲において、種々の変更、
改善は何等差支えなく、また、a−Si成膜用ガス以外
の種々のガスを用いてもよい。
第1図は本発明グロー放電分解装置の正面概略図、第2
図は第1図中の切断面線X−Xによる概略図、第3図は
高周波電力と成膜速度の関係を示す線図、第4図はSi
H4ガス流量と成膜速度の関係を示す線図である。 l・・・反応容器 2・・・グロー放電用電掻板 4・・・基板 9・・・ガス噴出口 13・・・永久磁石 特許出願人(663)京セラ株式会社 代表者安城欽寿
図は第1図中の切断面線X−Xによる概略図、第3図は
高周波電力と成膜速度の関係を示す線図、第4図はSi
H4ガス流量と成膜速度の関係を示す線図である。 l・・・反応容器 2・・・グロー放電用電掻板 4・・・基板 9・・・ガス噴出口 13・・・永久磁石 特許出願人(663)京セラ株式会社 代表者安城欽寿
Claims (2)
- (1)成膜用ガスが導入される反応室の内部に円筒状の
電極板が設置され、該電極板の内側に円筒状の基板が設
置され、電極板に形成された複数個のガス噴出口より上
記ガスが吹き出されるとともにグロー放電が発生し、上
記基板上に成膜されるグロー放電分解装置において、前
記電極板の内周面に複数個の磁石を設置し、各々の磁石
のなかで最も近づいている2個の磁石のそれぞれ対向す
る側の磁極が相互に異なり、この対向する磁石の間にガ
ス噴出口が配置されていることを特徴とするグロー放電
分解装置。 - (2)成膜用ガスがアモルファスシリコン成膜用ガスで
ある請求項(1)記載のグロー放電分解装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14760388A JPH01316464A (ja) | 1988-06-15 | 1988-06-15 | グロー放電分解装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14760388A JPH01316464A (ja) | 1988-06-15 | 1988-06-15 | グロー放電分解装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01316464A true JPH01316464A (ja) | 1989-12-21 |
Family
ID=15434064
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14760388A Pending JPH01316464A (ja) | 1988-06-15 | 1988-06-15 | グロー放電分解装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01316464A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5378284A (en) * | 1990-04-03 | 1995-01-03 | Leybold Aktiengesellschaft | Apparatus for coating substrates using a microwave ECR plasma source |
-
1988
- 1988-06-15 JP JP14760388A patent/JPH01316464A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5378284A (en) * | 1990-04-03 | 1995-01-03 | Leybold Aktiengesellschaft | Apparatus for coating substrates using a microwave ECR plasma source |
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