JPH01316944A - Wire bonding - Google Patents
Wire bondingInfo
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- JPH01316944A JPH01316944A JP63149572A JP14957288A JPH01316944A JP H01316944 A JPH01316944 A JP H01316944A JP 63149572 A JP63149572 A JP 63149572A JP 14957288 A JP14957288 A JP 14957288A JP H01316944 A JPH01316944 A JP H01316944A
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- JP
- Japan
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- semiconductor element
- cassette
- wire bonding
- heating block
- lead frame
- Prior art date
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- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ワイヤボンディング方法に関し、特に半導体
素子搭載部(以下アイランドと称す)な1−のリードフ
レームを用いた場合の半導体素子の供給方法及び保持方
法に関する。[Detailed Description of the Invention] [Industrial Application Field] The present invention relates to a wire bonding method, and particularly to a method for supplying semiconductor elements when using a lead frame with a semiconductor element mounting portion (hereinafter referred to as an island). and a holding method.
従来、アイランドなしのリードフレームを使用するワイ
ヤボンディング方法は次のようなっていた。すなわち、
アイランドなしのリードフレームと、前記リードフレー
ムの自動送り位置決め手段と、ワイヤボンディング部位
の加熱手段と、前記加熱手段により加熱された加熱ブロ
ックと、加熱ブロック上に半導体素子を保持する保持固
定手段と、前記加熱ブロック上に半導体素子を供給する
供給手段と、加熱ブロック上に供給された半導体素子と
アイランドなしのリードフレームの内部接続部の位置ズ
レ量を自動認識する認識制御手段とを有している。また
、前記加熱ブロック上に半導体素子を供給する手段は半
導体素子を貼付している樹脂シートを保持する手段と、
樹脂シートに貼付された半導体素子の位置を自動認識す
る手段と、樹脂シートに貼付された半導体素子を吸着し
、保持し、加熱ブロック上に載置する手段と、加熱ブロ
ック上に載置された半導体素子を保持、固定する手段を
有している。Conventionally, wire bonding methods using lead frames without islands have been as follows. That is,
A lead frame without an island, automatic feeding and positioning means for the lead frame, heating means for a wire bonding site, a heating block heated by the heating means, and holding and fixing means for holding a semiconductor element on the heating block; It has a supply means for supplying the semiconductor element onto the heating block, and a recognition control means for automatically recognizing the amount of positional deviation between the semiconductor element supplied on the heating block and the internal connection part of the lead frame without an island. . Further, the means for supplying the semiconductor element onto the heating block includes means for holding a resin sheet to which the semiconductor element is attached;
A means for automatically recognizing the position of a semiconductor element affixed to a resin sheet, a means for adsorbing and holding a semiconductor element affixed to a resin sheet, and placing it on a heating block; It has means for holding and fixing the semiconductor element.
以上のような構成において前記アイランドなしのリード
フレームのワイヤボンディング未了部分を、前記加熱ブ
ロックのワイヤボンディング部位に移送し、位置決めす
るとともに、樹脂シート上に貼付された半導体素子を前
記吸着し、保持する手段により保持し、加熱ブロック上
の所定の位置に搬送、載置し、次に加熱ブロック上に載
置された半導体素子を保持する手段により保持、固定し
た後認識手段を用いて半導体素子の位置ズレを補正し、
半導体素子の電極と、内部接続部とを、ワイヤボンディ
ングする方法となっていた。In the above configuration, the unfinished wire bonding portion of the island-less lead frame is transferred and positioned to the wire bonding site of the heating block, and the semiconductor element stuck on the resin sheet is attracted and held. The semiconductor element is held by a means for holding the semiconductor element placed on the heating block, and is then conveyed and placed at a predetermined position on the heating block. Correct the positional deviation,
The conventional method was to wire-bond the electrodes of the semiconductor element and the internal connections.
上述した従来のワイヤボンディング方法では、樹脂シー
ト上に貼付された半導体素子を加熱ブロック上の所定の
位置に供給する際、樹脂シート上の半導体素子を自動認
識し、認識した半導体素子をフレットなどの治工具によ
り吸着し、加熱ブロックの所定の位置上に半導体素子を
搬送し、次に半導体素子を下降させ、加熱ブロック上の
所定の位置に載置するため、従来のアイランドありのリ
ードフレームにワイヤボンディングを行う方法に比べて
、ワイヤボンディングに要するインデックス時間が長く
なるという欠点がある。In the conventional wire bonding method described above, when the semiconductor element pasted on the resin sheet is fed to a predetermined position on the heating block, the semiconductor element on the resin sheet is automatically recognized, and the recognized semiconductor element is placed on a fret or the like. The semiconductor device is picked up by a jig and transferred to a predetermined position on the heating block, and then the semiconductor device is lowered and placed in a predetermined position on the heating block. This method has the disadvantage that the indexing time required for wire bonding is longer than that of the bonding method.
上述した従来の半導体素子と、アイランドなしのリード
フレームを金属細線で接続するワイヤボンディング方法
では、樹脂シート上に貼付された半導体素子を、コレッ
トなどの治工具で吸着し、加熱ブロック上の所定の位置
に搬送、載置し、真空吸着などの手段を用いて半導体素
子を固定しているのに対し、本発明は、半導体素子を積
重ねた状態で収納したカセットの最上段ペレットを前記
カセット上部に搬送されたリードフレームに直接ワイヤ
ボンディングするという相違点を有する。In the conventional wire bonding method described above, in which a semiconductor element and a lead frame without an island are connected using thin metal wires, the semiconductor element pasted onto a resin sheet is adsorbed using a jig such as a collet, and then placed in a predetermined position on a heating block. In contrast to the conventional method, in which semiconductor devices are transported and placed in a position and fixed using means such as vacuum suction, the present invention is capable of transferring the topmost pellet of a cassette containing stacked semiconductor devices to the top of the cassette. The difference is that wire bonding is performed directly to the transported lead frame.
本発明のワイヤボンディング方法は、半導体素子と、ア
イランドなしのリードフレームを金属細線で接続するワ
イヤボンディング方法において、半導体素子を積重ねた
状態で収納したカセットの最上段ペレットを、前記カセ
ット上部に搬送されたリードフレームに直接ワイヤボン
ディングするものである。The wire bonding method of the present invention is a wire bonding method in which a semiconductor element and a lead frame without an island are connected with a thin metal wire. This method involves wire bonding directly to the lead frame.
次に、本発明について図面を参照して説明する。 Next, the present invention will be explained with reference to the drawings.
第1図は本発明の一実施例を説明する作用説明図である
。FIG. 1 is an explanatory diagram illustrating an embodiment of the present invention.
第1図に示すように上下方向に移動する加熱ブロックス
テージ7上に加熱ブロック5が搭載されている。前記加
熱ブロックステージ7および加熱ブロック5は、半導体
素子収納カセッ、ト1の取付穴を有しており、半導体素
子3を積重ねて収納しである収納カセット1を固定する
。前記取付穴は、収納カセット1の外壁に接する大きさ
で、加熱ブロック5により、半導体素子3は収納カセッ
ト1に納められた状態で加熱される。また、前記加熱ブ
ロックステージ7は、前記収納カセット1内の半導体素
子3を保持し、供給するための押し出し棒2を有してお
り、押し出し棒2は収納カセットl内の最下段の半導体
素子3″の下部から突き上げる構造となっている。この
ような構造において、加熱ブロックステージ7を下降さ
せ、アイランドなしのリードフレームのボンディング未
了部分を供給手段により位置決めを行い供給する。次に
加熱ブロックステージ7を上昇させ、アイランドなしの
リードフレームの内部接続部を加熱ブロック5に密着さ
せ、内部接続部を固定し、加熱する。As shown in FIG. 1, a heating block 5 is mounted on a heating block stage 7 that moves vertically. The heating block stage 7 and the heating block 5 have mounting holes for the semiconductor element storage cassette 1, and the storage cassette 1, in which the semiconductor elements 3 are stacked and stored, is fixed. The mounting hole has a size that makes contact with the outer wall of the storage cassette 1, and the semiconductor element 3 is heated by the heating block 5 while it is housed in the storage cassette 1. Further, the heating block stage 7 has a pushing rod 2 for holding and supplying the semiconductor element 3 in the storage cassette 1, and the pushing rod 2 is used to hold and supply the semiconductor element 3 in the storage cassette l. In this structure, the heating block stage 7 is lowered, and the unbonded part of the lead frame without an island is positioned and supplied by the supply means.Next, the heating block stage 7 7 is raised, the internal connection part of the lead frame without an island is brought into close contact with the heating block 5, the internal connection part is fixed, and heated.
同時に前記押し出し棒2を上昇させ、半導体素子収納カ
セット1内の最上段の半導体素子3′を所定の高さに保
持、固定する。次に、半導体素子3′上の電極部分8と
、アイランドなしのリードフレームの内部接続部を金属
細線により接続する。At the same time, the pushing rod 2 is raised to hold and fix the uppermost semiconductor element 3' in the semiconductor element storage cassette 1 at a predetermined height. Next, the electrode portion 8 on the semiconductor element 3' and the internal connection portion of the lead frame without an island are connected by a thin metal wire.
前記半導体素子3′の接続が完了した時点で加熱ブロッ
クステージ7を下降させ、その後リードフレームのワイ
ヤボンディング未了部分を供給手段により供給し、以上
で述べた方法をくり返す。When the connection of the semiconductor element 3' is completed, the heating block stage 7 is lowered, and then the portion of the lead frame where wire bonding has not been completed is supplied by the supply means, and the above-described method is repeated.
この様な方法に依れば、半導体素子を搬送、載置する必
要がないため、ワイヤボンディングに要するインデック
ス時間を0.45〜1,3秒程度短縮できる。According to such a method, since there is no need to transport and place the semiconductor element, the index time required for wire bonding can be shortened by about 0.45 to 1.3 seconds.
第2図は本発明の実施例20作用説明図である。FIG. 2 is an explanatory view of the operation of Example 20 of the present invention.
第2図に示すように、上下方向に移動する加熱ブロック
ステージ7上に加熱ブ四ツク5が搭載されている。前記
加熱ブロックステージ7及び加熱ブロック5には、半導
体素子収納カセット取付穴がおいており、半導体素子3
を積重ねて収納しである収納カセットを固定する。前記
取付穴は加熱ブロックステージ7においては収納カセッ
ト1の外壁に接し、収納カセット1を固定する。加熱ブ
ロック5の収納カセット1の取付穴は、収納カセット1
の外壁に接することはなく、すなわち熱の伝導も起こら
ない。また、前記加熱ブロックステージ7は、前記収納
カセット1内の半導体素子3を保持し、供給するための
押し出し棒2′を有しており押し出し棒2′は、収納カ
セット1内の最下段の半導体素子3″の下部から突き上
げる構造となっている。前記押し出し棒2は、加熱ヒー
ターも兼ねており、半導体素子3を加熱する。As shown in FIG. 2, a heating block 5 is mounted on a heating block stage 7 that moves vertically. The heating block stage 7 and the heating block 5 are provided with mounting holes for semiconductor element storage cassettes.
Stack them to store them and fix the storage cassette. The mounting hole contacts the outer wall of the storage cassette 1 in the heating block stage 7, and fixes the storage cassette 1. The mounting hole of storage cassette 1 of heating block 5 is
There is no contact with the outer wall, which means no heat conduction occurs. The heating block stage 7 also has a pushing rod 2' for holding and supplying the semiconductor element 3 in the storage cassette 1. It has a structure in which it pushes up from the bottom of the element 3''. The pushing rod 2 also serves as a heater and heats the semiconductor element 3.
このような構造において、ワイヤボンディングを行うこ
とにより、半導体素子上の電極8と、リードフレームの
内部接続部を独立して加熱されるため半導体素子収納カ
セット1を交換する際に、熱容量が小さいため加熱、冷
却が容易に行え、ワイヤボンディンダ作業に要するイン
デックス時間の短縮を図ることが可能となり実施例1と
同様の効果が得られる。In such a structure, by performing wire bonding, the electrode 8 on the semiconductor element and the internal connection part of the lead frame are heated independently, so when replacing the semiconductor element storage cassette 1, the heat capacity is small. Heating and cooling can be easily performed, and the indexing time required for wire bonding work can be shortened, and the same effects as in the first embodiment can be obtained.
以上説明したように、本発明によれば、半導体素子を積
重ねた状態で収納したカセットの最上段の半導体素子と
、前記カセット上部に搬送されたアイランドなしのリー
ドフレームに直接ワイヤボンディングすることにより、
ワイヤボンディングに要するインデックス時間が短縮で
き、コス)・の低減を図れる効果がある。As explained above, according to the present invention, by directly wire-bonding the semiconductor element in the uppermost stage of a cassette in which semiconductor elements are stored in a stacked state to the lead frame without an island conveyed to the upper part of the cassette,
This has the effect of reducing the index time required for wire bonding and reducing costs.
第1図は本発明の一実施例を説明するための作用説明図
、第2図は本発明の第2の実施例を説明するための作用
説明図。
1・・・・・・半導体素子収納カセット、2・・・・・
・押し出し棒、2′・・・・・・加熱機能を持った押し
出し棒、3・・・・・・半導体素子、3′・・・・・・
半導体素子収納カセット内の最上段に位置する半導体素
子、3″・・・・・・半導体素子収納カセット内の最下
段に位置する半導体素子、4・・・・・・アイランドな
しリードフレームの内部接続部、5・・・・・・加熱ブ
ロック、6・・・・・・金属細線、7・・・・・加熱ブ
ロックステージ、8・・・・・・電極。
代理人 弁理士 内 原 晋
(卆発ν月の牟1の曳施づ列の作用参珂園)第1 図
百32 図FIG. 1 is an operational explanatory diagram for explaining one embodiment of the present invention, and FIG. 2 is an operational explanatory diagram for explaining a second embodiment of the present invention. 1... Semiconductor element storage cassette, 2...
・Extrusion rod, 2'... Extrusion rod with heating function, 3... Semiconductor element, 3'...
Semiconductor element located at the top level in the semiconductor element storage cassette, 3''... Semiconductor element located at the bottom level in the semiconductor element storage cassette, 4... Internal connection of lead frame without island Part 5: Heating block, 6: Fine metal wire, 7: Heating block stage, 8: Electrode. Agent: Susumu Uchihara, patent attorney Figure 1, Figure 1032.
Claims (1)
ムを金属細線で接続するワイヤボンディング方法におい
て、半導体素子を積重ねた状態で収納したカセットの最
上段ペレットを前記カセット上部に搬送されたリードフ
レームに直接ワイヤボンディングすることを特徴とす、
ワイヤボンディング方法。In a wire bonding method in which a semiconductor element and a lead frame without a semiconductor element mounting part are connected with a thin metal wire, the uppermost pellet of a cassette containing stacked semiconductor elements is directly wired to the lead frame conveyed to the upper part of the cassette. Characterized by bonding,
Wire bonding method.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63149572A JPH01316944A (en) | 1988-06-16 | 1988-06-16 | Wire bonding |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63149572A JPH01316944A (en) | 1988-06-16 | 1988-06-16 | Wire bonding |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01316944A true JPH01316944A (en) | 1989-12-21 |
Family
ID=15478122
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63149572A Pending JPH01316944A (en) | 1988-06-16 | 1988-06-16 | Wire bonding |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01316944A (en) |
-
1988
- 1988-06-16 JP JP63149572A patent/JPH01316944A/en active Pending
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